JPH0315197A - プラズマ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法 - Google Patents
プラズマ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
利用する分野等で広範に使用されるプラズマ・パラメー
タ測定用プローブの表面清浄化方法に関する.更に詳し
くは測定時にプローブ先端部に付着したプラズマ粒子に
よる被膜を除去するための表面浄化方法に関する. 〔従来の技術〕 近年、プラズマは半導体製造工業や粉体工業など用途が
多岐にわたっているが、プラズマ内の状態は殆ど解明さ
れていないのが現状である。
・ブロービング法がある。この方法は、プラズマ内に測
定用プローブを挿入し、測定電圧を印加して、それに対
応する電流特性から、電子温度、電子密度およびイオン
密度などを測定するものであるが、プラズマによるブロ
ープ金属先端への、プラズマ粒子の付着、プラズマ粒子
による酸化等の変質により、測定↑n度の低下は免れな
かった. それを防ぐためプラズマに接する基準電極に対して負性
の電圧をプローブに印加してイオン衝撃でプローブ表面
を清浄化することが行われているが、その際、イオン・
エネルギーを増加すると、ブロープ表面での発熱も増加
し、一定の温度以上では、プローブが破壊されるので、
これを避けるには、電圧等の制御が必要であった。
ているため、織細な制御が困難であり、往々にして清浄
化が不十分であったり、または過度の印加で、ブローブ
を溶融させたりして、必ずしも好結果が得られなかった
。
のような繊細な手動制御を排除して、最適な負パルス電
圧を最通なデューティ比のもとに、測定用プロープに印
加することによって、半自動的にプローブを清浄化する
ことのできる清浄化方法を提供することを目的とする. 〔課題を解決するための手段〕 本発明では、プローブに電圧値およびデューティ比可変
の、負パルス電圧を印加して、プラズマ・イオンによる
イオン衝撃により、その先端部の表面層をスパノタリソ
グさせ、同時に高温に加熱し、測定ブローブの先端部を
清浄化する方法である。
の電子やイオン等の密度や電子温度の計測が終了したと
き、必要ならば不活性ガスと交換した後、プラズマを発
生させ、測定用ブローブに数十ボルトの負性パルス電圧
を印加して、プローブをイオン衝撃し、それにより表面
被膜をスバッタさせ、同時に赤熱または白熱させ、異物
の付着を防ぎ清浄化する. 〔実施例〕 第1図は本発明を適用したプラズマ装置の断面図で、プ
ラズマ容器lの中に2個の電極2が収められ、プラズマ
3が発生している。この中に、気密絶縁板6により容器
から絶縁されかつ気密を保って測定用プロープ4が、基
準電極となる外筒5と共に挿入されている.測定時には
、スイッチ7により、プローブは測定回路8に接続され
ているが、清浄にする場合には、スイッチ7で負バイア
ス用パルス%t源9に接続され、適当な値の負パルス電
圧が印加され、付着している異物が蒸発される. このとき印加される負パルス電圧の尖頭値やパルス幅は
、数回の試験で、簡単に決定できる。
なエネルギーが決まるので、負パルス尖頭値は決められ
る。
、ブロープに析出する異物もほぼ比例して厚くなるので
、これを清浄化するためのパルス幅も、ほぼ測定時間に
比例する。一般に測定時間はパルス幅に比し充分長いの
で、パルス幅とパルス間隔の比であるデューティ比は、
パルス幅と測定時間の比にほぼ等しく、この測定に関し
て、ほぼ一定になる.逆に言うと、この測定に関しては
、負パルス電圧値とデエーティ比を一定とすると、測定
時間が長くなる程、パルス幅が長くなり、瀾定時間が短
くなれば、パルス幅も短くなる.従って、測定内容によ
って、数回の試験で、負パルス電圧値と、デューティ比
が決定すれば、あとはほぼ無調整で、測定の度毎にスイ
ンチ7が自動的に切換えられて測定時間の長短に応じた
パルス幅の負パルス電圧がプローブに印加されて自動的
に清浄化される。
で、30分の測定時間後、プローブに−50ボルトでパ
ルス幅が1分、即ちデューティ比1/30の清浄化パル
ス電圧を印加することで、プローブは清浄化された.こ
のまま、測定時間が45分になっても、同じデューティ
比のまま、即ら印加パルス幅がI分30秒となって、プ
ローブは清浄になった. 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、測定内容に応じた負パル
ス電圧とデューティ比即ちパルス電圧の時間幅と繰り返
し周期の比を与えることにより、測定時間が変化しても
、それに応じてプローブに印加されるパルス電圧の時間
幅が自動的に調整されてプローブの清浄化を容易に行う
ことができる.
. 1はプラズマ容器、2は電極、3はプラズマ、4は測定
用プローブ、5は基準外筒電極、6は気密絶縁板、7は
スインチ、8は測定回路、9は負電圧パルス発生回路.
Claims (1)
- (1)パルス電圧およびパルスのデューティ比を可変と
する機能をもつパルス発生回路により、プラズマに接す
る基準電極に対して、負性のパルス状電圧を、プラズマ
雰囲気中に挿入したプローブに印加し、プラズマ粒子の
イオン衝撃を起こさせ、プローブの先端部分に付着した
異物をスパッタして、プローブを清浄化するに際し、パ
ルス電圧とデューティ比を可変とし、イオンのエネルギ
ーと表面に入る加熱電力を変えて、イオン衝撃による表
面スパッタリングを適量で、一定に保ようにしたプラズ
マ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1149221A JPH06101392B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | プラズマ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1149221A JPH06101392B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | プラズマ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0315197A true JPH0315197A (ja) | 1991-01-23 |
JPH06101392B2 JPH06101392B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=15470505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1149221A Expired - Lifetime JPH06101392B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | プラズマ・パラメータ測定用プローブの表面清浄化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06101392B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1992009185A1 (en) * | 1990-11-16 | 1992-05-29 | Nichimen Kabushiki Kaisha | Device for diagnosing plasma |
JP2007073420A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ計測装置 |
CN111564355A (zh) * | 2019-02-14 | 2020-08-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1149221A patent/JPH06101392B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1992009185A1 (en) * | 1990-11-16 | 1992-05-29 | Nichimen Kabushiki Kaisha | Device for diagnosing plasma |
US5359282A (en) * | 1990-11-16 | 1994-10-25 | Nichimen Kabushiki Kaisha | Plasma diagnosing apparatus |
JP2007073420A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | プラズマ計測装置 |
CN111564355A (zh) * | 2019-02-14 | 2020-08-21 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06101392B2 (ja) | 1994-12-12 |
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