JPH0315070A - 感光性樹脂組成物、それを用いたパターンおよびパターン作製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し産業上の利用分野コ 本発明は大きな屈折率差と凹凸差とを有するパターンを
与える感光性樹脂組成物、そ乙を用いたパターンおよび
パターン作製法に関する。

［従宋の技術〕 従来、感光性樹．指の露光部では栗矯反応や分子の崩壊
反応つく生起し、その露光部が難溶化または男溶化する
ことから、溶剤を用いて該露光部または非露光部の竪光
性樹指を除去する方法［従来注（＋）ｉ　によりレリー
フパターンを作製していた。

また、樹脂に該樹脂より高い屈折率を有する比較的揮発
性の光反応性物質をドーブしてなる感光性樹脂組代物よ
り薄膜を形成し、ついで該薄膜に紫外線を唄射し、露光
部のドーブ物質をロッキングし、非露光部のトープ物貫
を朶発除去ナるこ辷により、露光部と非露尤部とに駐折
率差を有するバターノを形成する方１去、いわゆるフォ
トロノキングｌ去［従来庄（２）］か知与れている［ア
ブライド・フイジクス・レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐ
ｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ）、第２６巻、第６号、第
３０３〜３０６頁（　１９７５年）参〇，ｉｑ　］。こ
の方，・去によれば、露光部では非露光部に比べて膜厚
が約ｌＯ％増ｊＪ０することが報告されている。

さらに、エステルのアルコール浅基にｉ　反応性の二重
結合を有するアクリル酸またはメタクリル酸エステル系
重合体または共重合体と芳香族ケトンまたは芳香族アル
デヒドとからｔエる感光性四指組或物より薄膜を形代し
、ついで該３膜に紫外線を照射し、ついで未反応の該芳
香族ケトンまたは芳香族アルデヒドを除去することによ
り露光部と非露光部との間に屈折率差と凹凸差とを併せ
らっパターンの作製方法［従来法（３）］が知られてい
る（特開昭６２　−　９５５２５号公報および特開昭６
２９５５２６号公報参■ａ）。

［発明か解決しようとする課題］ 従来法（１）により作製したσ光性樹，指のレリーフパ
ターンにおいては露光部と非露光部との屈折率箆はほと
んどないか極めて小さい。従来法（２）により作うνし
たパターンは露光部と非露光部との屈折率差および凹凸
部分の厚み変化か十分ではない 従来法（３）によれ（ｆｐ光性樹脂組成物における露光
部が非露光部よりも高い屈折率を灯し、かつ厚みか大き
い鮮明なパターンつく作製できるが、得られたパターン
の耐有機溶剤性および耐熱性が必ずしも十分ではない。

本発明の１つの目的は露光部が非露光部よりも屈折率が
高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有し、銅有
機溶剤性および嗣熱性に優れた形状安定性の高いパター
ンを与える感光性樹脂組成物を提供することにある。本
発明の池の１つの目的は［光性樹脂組成物を用いた上記
のパターンを作製する方法を提洪することにある。本発
明の池の１つの目的は該感光性樹脂組成物により作製さ
れてなるパターンを提１共することにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明によれば、上記のｌっの目的は、下記一般式で示
される構漬単位（１）を２〜９９モル％、構造単位（［
１）をＯ〜９７モル％、および構造単位（ＩＩＩ）を１
〜９８モル％有する重合体（Ａ）と、置換基を有してい
てちよい芳香族アルデヒドおよび芳香族ケトノからなる
肝より）Ｋばれる化含物（Ｂ）とからなる感光性樹脂組
成物を提供することにより達戊される。

構造屯位（［） Ｘ （　１　）　　　　　＋ＣＨ２−　Ｃ′＋−ＣＯＯ−Ｙ ［式中、Ｘ′は水素原子またはアルキル基を表し、Ｙ１
はノクロアルケニル基または下記一般式で示される基を
表す。ここでＺ’は２価の炭化水素基を表し、Ｒ１、Ｒ
１およびＲ３はそれぞど．水素原子、アルキル基または
アルケニル基を表す。１構漬単は（■）． ｝１ Ｙ” ［式中、Ｘ２は水素原子またはアルキル基を表し、ｙｔ
はフエニル基、アルコキノヵルボニル基またはカルバモ
イル基を表し、構造単位（ＩＩ）における水素原子はフ
ッ素原子によって置換されていてもよい。］ 構造単α（ＩＩ［） ［式中、ｘ３は水素原子またはアルキル基を表し、２′
は２価の炭化水素基を表し、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６はそ
れぞれ水素原子またはアルキル基を表す。コ本発明に用
いられる盛光性樹脂組戊物を構収する重合体（　Ａ　）
は構戊単泣（＋）を５〜９８モル％含み、構戊単ｔｉｔ
（ＩＩＩ）を２〜９５モル％含む場合が好ましい。

上記の！Ｉ漬単α（１）におけるＸＩおよび購造単α（
［）におけるＸ３かそれぞれ表すアルキル基としては、
メチル基、エチル基、プロビル基、イソブロビル基、ブ
チル基などの炭素数が４以下の低級アルキル基が好まし
い。また構造単α（１）におけろＲ１、Ｒ″およびＲ３
ならびに構造単ａ（ｍ）におけるＲ４、Ｒ５およびＲ″
がそれぞれ表すアルキル基は分岐または任意の置換基を
有していてもよく、メチル基、エチル基、プロビル基、
イソブロビル基、ブチル基、アミル基、ヘキノル基、ヘ
プチル基、オクチル基などの炭素数が８以下の低級アル
キル基か好ましい。上記のＲ　Ｉ　　Ｒ　ｆおよびＲ３
がそれぞれ表すアルケニル基は２−ブテニル基、３−メ
チル−２ーブテニル基、３−ペンテニル基、４−メチル
−３−ベノテニル基が好ましい。構造単ｉｎ（１　）に
おけるＺ１および構造単位（ＩＩＩ）におけるＺ″がそ
れぞれ表す２価の炭化水素基としては炭素数が２〜８の
分岐を有してもよいアルキレン基が好ましい。構造単位
（＋）におけるＹ１の好適例として、アリル基２−ブテ
ニル基、３−ブテニル基、２−メチル−２プロベニル基
：２−へブテニル基、３−へプテニル基、４−へプテニ
ル基、２−メチル−２−ブテニル基、３−メチル−２−
プテニル基、２−エチル−２ブロベニル基、２−メチル
−３−ブテニル基、１．２ノメチル−２−プロペニル基
；２−へキセニル基、３−へキセニル基、４−ヘキセニ
ル基、５−へキセニル基、１．１−ジメチル−２−ブテ
ニル基、１２ノメチル−２−ブテニル基、１．３−ジメ
チル−２一ブテニル基、２．３一ノメチル−２−ブテニ
ル基、３メチル−２−ヘブテニル基、２−メチル−２−
ヘブテニル基，２−メチル−２−ンクロへキセニル基、
３−メチル−２−シクロヘキセニル基、ゲラニル基、イ
ソゲラニル基、ネリル基、ラバンノユリル基、６−メチ
ルゲラニル基、ｌ−メチルゲラニル基、６一エチルゲラ
ニル基、ベリリル基、ファル不ソル基、ゲラニルゲラニ
ル基、β−シクロゲラニルゲライル基などを挙げること
ができる。

また構造単位（ＩＩＩ）における基 しては、２．３−エボキシプａピル基、２．３−エボキ
シブチル基、３．４−エボキシブチル基、２．３−エボ
キン−２−メチルプロピル基、２−メチル−２３−エボ
キシブチル基、３−メチル−２３−エポキンブチル基、
２，３−エボキンヘプチル基、５．６−エボキシヘプチ
ル基、３−メチル−２．３−エボキシプチル基、４−メ
チル−２．３−エボキノヘプチル基、４ーメチル−５６
−エボキシへブチル基などが挙げられる。

重合体（入）はα位がアルキル基によって置換されてい
てもよいアクリル酸またはそのエステルの単独重合また
は構造単位（ＩＩ）を形戎するコモノマーとの共重合に
より重合体を得、ついで該重合体と基Ｙ１を有するアル
コールおよび基Ｙ１を有するアルコールとを反応させる
か、または構造単位（［）を形成するアクリル酸誘導体
と購造単泣（［［［）を形成するアクリル酸誘導体との
共重合またはこれらのアクリル酸誘導体と上記コモノマ
ーとの共重合により製造することができる。

構造単位（＋）を形戊するアクリル酸誘導体としては、
アリルメタクリレート、アリルアクリレート、２（まｒ
こは３）一ブテニルメタクリレート、２（または３）一
ブテニルアクリレート、２−メチル−２−プロペニルメ
タクリレート、２−メチル−２プロベニルアクリレート
、２（または３まｒ二は４）へプテニルメタクリレート
、２（まｒこは３まｆこは４）一へブテニルアクリレー
ト、２−メチル−２（または３）一ブテニルメタクリレ
ート、２−メチル−２（または３）一ブテニルアクリレ
ート、２エチル−２−プロペニルメタクリレート、２−
エチルー２−プロペニルアクリレート、１．２−ジメチ
ル−２−プロペニルメタクリレート、１．２−ジメチル
２−プロペニルアクリレート、２（または３または４ま
たは５）一へキセニルメタクリレート、２（または３ま
たは４または５）一へキセニルアクリレート、１．１（
または１．２または１．３または２．３）ジメチル−２
−ブテニルメタクリレート、１．１（または１，２また
は１．３または２，３）一ジメチル−２〜ブテニルアク
リレート、２（または３）一メチル−２一へブテニルメ
タクリレート、２（または３）一メチル−２−ヘブテニ
ルアクリレートなどのアルコール残基か鎖伏になってい
るアクリル酸誘導体２（または３）一メチル−２−７ク
ロヘキセニルメタクリレート、２（または３）一メチル
−２−ソクロヘキセニルアクリレートなどのアルコール
残基が環状になっているアクリル酸誘導体；ゲラニルメ
タクリレート、ゲラニルアクリレート、ネリルメタクリ
レート、ネリルアクリレート、イソゲラニルメタクリレ
ート、イノゲラニルアクリレート、ラバンノユリルメタ
クリレート、ラパンノユリルアクリレート、６−メチル
ゲラニルメタクリレート、６−メチルゲラニルアクリレ
ート、ｌ−メチルゲラニルメタクリレート、ｌ−メチル
ゲラニルアクリレート、６−エチルゲラニルメタクリレ
ート、６−エチルゲラニルアクリレート、ペリリルメタ
クリレート、ペリリルアクリレート等の非共役二重結合
を２個有する鎖状または環状テルペン系アルフールとア
クリル酸またはメタクリル酸とのエステル：ファルネソ
ルメタクリレート、ファルネソルアクリレート、ゲラニ
ルゲラニルメタクリレゲラニルゲラニルメタクリレート
等の非共役二重結合を３個以上有する鎖状または環状テ
ルペン系アルコールとアクリル酸またはメタクリル酸と
のエステルが挙げられる。これ与の中で、アリルメタク
リレート、２−メチル−２−プロペニルメタクリレート
、２−プテニルメタクリレート、２−メチル−２−ブテ
ニルメタクリレート、２−へキセニルメタクリレート、
３−へキセニルメタクリレート、ゲラニルメタクリレー
トが、原料となるアルコールの人手のし易さ、エステル
合威のし易さの点から好ましい。

また構造単位（Ｉ［Ｉ）を形戊するアクリル酸誘導体と
しては、２．３−エボキノプ口ビルメタクリレート、２
．３−エボキノプロビルアクリレート、２．３エボキシ
ブチルメタクリレート、２．３−エポキシブチルアクリ
レート、３４−エボキシブチルメタクリレート、３，４
−エボキシブチルアクリレート、２−メチル−２．３−
エボキンプロビルメタクリレート、２−メチル−２．３
−エボキンプロビルアクリレート、２，３−エボキシへ
プチルメタクリレート、５．６−エボキノへプチルメタ
クリレート、２３−エボキノへプチルアクリレート、５
．６−エボキンへプチルアクリレート、２（または３）
一メチル２．３−エボキノブチルメタクリレート、２（
または３）一メチル−２．３−エボキノブチルアクリレ
ート、４−メチル−２．３−エボキンへプチルメタクリ
レート、４−メチル−５．６−エボキシへプチルメタク
リレート、４−メチル−２．３−エボキンへプチルアク
リレート、４−メチル−５．６−エボキシへプチルアク
リレートが挙げられる。これらの中で、２．３一エボキ
ノブロビルメタクリレート、２．３−エボキノブチルメ
タクリレート、３．４−エボキシブチルメタクリレート
がエステルの合成のし易さの点から好ましい。

構造単Ｉｎ（＃）を形成するコモノマーとしてはメタク
リル酸：メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メ
タクリル酸プロビル、メタクリル酸ブチル、メタクリル
酸ペンチル、メタクリル酸ヘキンル、メタクリル酸アミ
ル、メタクリル酸シクロヘキンルなどのメタクリル酸ア
ルキルエステル：アクリル酸，アクリル酸メチル、アク
リル酸エチリル酸アミル、アクリル酸ンクロヘキシルな
どのアクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アミド
、アクリル酸アミド、スチレン、α−メチルスチレンな
どの置換スチレンなどが挙げられる。構漬単位（■）に
おける水素原子はフッ素原子によってＲ換されていてら
よい。

重合体（Ａ）はゲルパーミエーンヨンクロマトグラフイ
により求めた敗平均分子量が１．０００〜１，０００．
０００の範囲にあるものである。重合体（Ａ）の数平均
分子量はＬＨ．ＱＨ〜ＢｏＯ，０００の範囲にあること
が好ましい。

化合物（Ｂ）としては例えば置換基を有してもよいベン
ズアルデヒド、ヘンゾフエノンまたはその誘導体が挙げ
られ、具体的には下記の一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）
または一般式（Ｖｌ）で示されろ。

［式中、ｘ４、ｘ５、Ｘ′、ｘ７、Ｘ−ＸＸｉ，　ＸＩ
Ｏ、Ｘ目およびＸ口はそれぞれ水素原子、炭素数７以下
のアルキル基もしくはアルフキシ基、またはハロゲン原
子を表し、ＸＩ３、Ｘ＋４、ｘ１！ｌ％ＸＩｌｌ、ｘ”
ａ　よびｘ”はそれぞれ水素原子またはハロゲン原子を
表す。ｎは０，１または２である。］ 好ましい化合物（Ｂ）としてはペンゾフェノン：３（ま
たは４）一メチルベンゾフェ／ン、３（または４）一メ
トキンベン／フエノン、３．３’　（または４４゜）一
ジメチルベンゾフエノン、３．３’（ｔ？：は４，４゛
）一ジメトキシベンゾフェ／ン、２．３（または２．４
）一クロルベンゾフエノン、３，４．５−トリメトキシ
ベンゾフエメンなどの置換ペンンフェノン、３−ペンゾ
イルベンゾフェノン．３（または４）メチルベンゾイル
ー３′（または４゜）一メチルベンゾフエノノ、３（ま
たは４）一メトキンベンゾイル−３　（または４′）一
メトキシベンゾフェ／ン、３．３−ジベンゾイルベンゾ
フェ／ン、１．３．５−　｝リベンゾイルベンゾフエノ
ンなどのメタ置喚型ノペンゾフエノン、ベンズアルデヒ
ド；３（または４）メチルベンズアルデヒド、３（また
は４）一メトキシベンズアルデヒド、３．４−ジメチル
ベンズアルデヒド、３．４−ｑメトキ７ベンズアルデヒ
ドなどの置換ベンズアルデヒドを挙げることができる。

これらの中でベンズアルデヒド、ペンゾフエノン、３−
ペンソイルベンゾフエノン、３．３’−’；ベンゾイル
ベンゾフエノンおよび１，３．５−１リベンゾイルベン
ゼンが合成のし易さから好ましく、また特に３−ペンゾ
イルベンゾフエノンおよヒ＋，３，ｓ−トノヘンゾイル
ベンゼンが、先反応性が良好であり、露光部と非露光部
との凹凸差および厄折率差を大きくすることが可能であ
り、作製されたパターンの耐溶剤性および耐熱性が高い
点で、特に好ましい。

重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）との組戊割合は１０　１〜
ｌ１０（重量比）の範囲が好ましい。重合体（Ａ）が有
する構造単位（１）と化合物（Ｂ）との割合は１０〜１
：２０（モル比）の範囲であり、好ましくは５：１〜ｌ
　１０（モル比）の範囲である。

本発明によれば、上記の他の１つの目的は、下記の（イ
）、（０および（ハ）の工程からなる上記感光性樹脂組
成物を用いたパターン作製法を提供することにより達成
される。

（イ）上記の曝光性樹脂組戊物からなる薄膜を形成する
工程。

（０薄膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外線を照
射する工程。

（ハ）薄膜から未反応の化合物（Ｂ）を除去する工程。

上記（イ）工程では重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）とを溶
解する廖媒に両者を溶解し、キャスティング法、バーコ
ート法、スビンコート法などによって薄膜を形成する。

必要に応じて、躊膜を威圧処理または加，熱処理するこ
とにより該薄膜から溶剤を除去する。薄膜の形或法は所
望の珂膜の厚さの程度または形態によって還択される。

一般に厚さか大きい場合には、キャスティング法、小さ
い場合にはバーコート法またはスピンコート法か採用さ
れる。

（イ）工程に続＜（０）工程では、浦膜に所望のパター
ンに応じて部分的に波長が２００〜４５０ｎｙの紫外線
をｐＧ射する。光源には高圧水銀ランプ、Ｎ，ガスレ一
ザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザなどが用いられる。所望のパター
ンを形戊する方注としてフォトマスクを用いるマスク露
光法、二光束干渉露光法、レーザビーム直接描画庄など
が採用される。

（０工程に続く（ハ）工程における未反応の化合物（Ｂ
）の除去は、通常減圧下または常圧下で熱処理すること
により行う。熱処理の温度としては５０〜１００℃の範
囲であるのが好ましい。これによって所望の屈折率垂と
凹凸羞を有するバターノ金得る。

本発明のパターン作製法では、上記（ハ）の工程の次に
、所望のバター７が形戊されたＣ光性樹脂組戎物の薄膜
の全面に紫外線を照射する（二）工程を設けてもよく、
この工程により耐有賎溶剤性および１副熱性はさらに向
上する。紫外線の強度としては１０〜４０ｗｆ／　ｃａ
ａ”、波長としては２００〜４５０ｎｍ、紫外線照射の
時間としては３０秒間〜５分間が好ましい。また、（ハ
）工程の次あるいは必要に応じて（二）工程の次に、（
ハ）工程の熱処理温度よりち高馬の熱処理を施す（ネ）
工程を設けても、上記パターンの耐有機溶剤性が向上す
る。この場合、１副，物性は汗しく向上する。（ネ）工
程の鴇処理は１０５〜２３０℃の範囲の温度でｌ５分間
〜４０時間行うことが好適な結果を与える。１５０〜２
００゜Ｃの範囲の温度でｉ〜５時間熱処理するか、１１
０〜１４０゜Ｃの範囲の．Ａ度で１０〜２５時間＾処理
することがより坪適である。

なお、上記の感光性樹指組校物からなる薄膜に所望のパ
ターンに応じて部分的に紫外線を胆射したのち、溶剤に
浸責することによっても所望の屯折率差と凹凸差とを存
するパターンを得ることができる。

上記の慎光性樹指祖戎物を用いろと、例えば光導波路、
回折格子、グレーティングレノズ、フレネルレンズ、ホ
ログラムレンズなどのパターンを作製することかできる
。それらのパターンは光学的透明性、耐有機，容剤性お
よび耐熱性に極めてすぐれている。

［実施例］ 以下、実施例により本発明を具体的に説明する。

実奄例１ 試ＧＷに２−ブテニルメタクリレート２６ｇ、２．３エ
ポキンプロビルメタクリレート２６ｇ、メチルメタクリ
レート３８ｇ１アゾヒスイソプチロニトリル’ＩＱｍｇ
およびジオキサン３００ｇをｌｌ．置ＩＩして仕込み、
封管して５５〜６０℃のウォーターバス中で２４時間加
熱し重合した。その後、１ｉ２のメタノール中へ反応岐
をあけ、生成した重合体（Ａ）を沈澱させ、乾燥させる
と５０ｇ得られた。この重合体（Ａ）の組成比をＮ　Ｍ
　Ｒで測定すると、２−ブテニルメタクリレート　２３
−エボキノブロピ・ルメタクリレート：メチルメタクリ
レート−１：ｌ：２（モル比）の共重合体であることが
確認されｆこ。またこのポリマーの分子量はゲルパーミ
エーションクロマトグラフイー，去で測定すると敢平均
分子量が２２０．０００であった。上記重合体（Ａ）１
郎と、１，３．５−トリヘンゾイルベンゼン０８部とか
らなる感光性樹脂組岐物をトルエンに溶解し、ガラス基
板上にスビンコート俵によって薄膜（厚さ１．５μ１）
を形成した。

この薄膜を６　０　’Ｃで３０分間熱処理の後、２０μ
ａｌｌ期のラインアンドスペースを有するフォトマスク
を通して２５ｍＷ／ｃｍ’の紫外線を５分間照射した。

照射後フォトマスクをはずし、真空乾燥機中で９８℃、
Ｑ．２ａ＋ＩＩＩ｝Ｉｇの条件でｌ７時間熱処理し、未
反応の化合物（Ｂ）を除去して、屈折率差と凹凸差とを
有する回折格子のパターンを作製した。この回折格子の
回折効率は波長か７８０ｎｍの光に対してｌ２％であっ
た。回折格子をメチルメタクリレートの飽和蒸気中に５
０℃でｌ００時間放置したか回折効率は変化しなかった
。これより、回折格子の形状および屈折率が変化しない
ことを判定した。また、この回折格子をＩＨ℃で２時間
加熱したが回折効率は変化しなかっｆこ。

実施例２〜ＩＯ 実施例ｌにおけろと同様の方法で、第１表に示す重合体
（Ａ）および化合物（Ｂ）からなる枢光性樹脂組成物を
作り、回折格子のパターンを作製した。

各実施例において作製した回折格子をメチルメタクリレ
ート飽和蒸気中に５０℃で【００時間放置したが、回折
効率はいずれら変化しなかった。また、回折烙子を１８
０℃で２時間加鳩したが、回折効率は変化しなかった。

なお第１表において、部は重量部を示す。

以下余白 −９２３ 実施例１ 試験管にゲラニルメタクリレート３９ｇ、２．３−エボ
キンプロピルメタクリレート２６ｇ１メチルメタクリレ
ート３８ｇ，アゾビスイソブチロニトリル９０ＩＩｌｇ
およびジオキサン３００ｇをＮ，置換して仕込み、封管
して５５〜６０℃のウォーターバス中で２４時間加熱し
重合した。その後、ｌＱのメタノール中へ反応液をあけ
、生威した重合体（　Ａ　）を沈澱させ、乾燥させろと
４５ｇ得られた。この重合体（入）の組成比をＮＭＲで
測定すると、ゲラニルメタクリレート：２．３−エボキ
シプ口ビルメタクリレート．メチルメタクリレート＝ｌ
：ｌ　・２（モル比）の共重合体であることか確認され
た。またこのボリマーの分子量はゲルパーミエーション
クロマトグラフイー法で測定すると数平均分子量が１９
０．０００であった。上記重合体（＾）１部と、ｌ　３
　５−　トリヘンゾイルベンゼン０．８部とからなる感
光性樹脂組成物をトルエンに溶解し、ガラス基板上にス
ピンコート法によって薄＠（厚さ１．５Ｂ）を形成した
。このｉｇＩ膜を６０’Ｃで３０分間熱処理の後、２０
μ国周期のラインアンドスペースを有するフォトマスク
を通して２５＠Ｗ／ａｍ’の紫外線を５分間照射した。

，照射後フォトマスクをはずし、真空乾燥機中で９８℃
、０．２ｍｍＨｇの条件で１７時間熱処理し、未反応の
化合物（Ｂ）を除去して、屈折率差と凹凸差とを有する
回折格子のパターンを作製した。この回折格子の回折効
率は波長が７８０ｎｍの光に対して１２％であった。

回折格子をメチルメタクリレートの飽和蒸気中に５０℃
でＩＱＱ時間放置したか、回折効率は変化しなかった。

また、この回折格子を１８０°Ｃで２時間加熱したが、
同様に回折効率は変化しなかった。

比較例 ２−ブテニルメタクリレート．メチルメタクリレート＝
１　・３（モル比）の共重合体１部と、３ーペンゾイル
ベンゾフエノン０．８部とからなる感光性樹脂組成物を
用いて、実施例ｌと同様の方法で回折格子を作製した。

この回折格子をメチルメタクリレートの飽和蒸気中に７
０°Ｃで放置すると、４時間後にはパターンが膨潤し、
回折格子の回折効率か変化した。また、この回折洛子を
１８０℃で２時間加熟ずるとパターンが変形し、回折効
率が変化した。

［発明の効果コ 本発明によれば、感光性樹脂の露光部が非露光部よりし
屈折率が高く、かつ厚みが大きい表面レリーフ構造を有
し、耐有機溶剤性におよび耐熱性優れたパターンを与え
る感光性樹脂組成物が得られる。また該感光性樹脂組成
物を用いた上記のパターンを作製する方法および該感光
性樹脂組収物により作製されてなるパターンが得られる
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式で示される構造単位（Ｉ） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｘ＾１は水素原子またはアルキル基を表し、Ｙ
   ＾１はシクロアルケニル基または下記一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼ で示される基を表す。ここでＺ＾１は２価の炭化水素基
   を表し、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３はそれぞれ水素原
   子、アルキル基またはアルケニル基を表す。］ を２〜９９モル％、下記一般式で示される構造単位（I
   I） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｘ＾２は水素原子またはアルキル基を表し、Ｙ
   ＾２はフェニル基、アルコキシカルボニル基またはカル
   バモイル基を表し、構造単位（II）における水素原子は
   フッ素原子によつて置換されていてもよい。］ を０〜９７モル％、および下記一般式で示される構造単
   位（III） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｘ＾３は水素原子またはアルキル基を表し、Ｚ
   ＾３は２価の炭化水素基を表し、Ｒ＾４、Ｒ＾５および
   Ｒ＾６はそれぞれ水素原子またはアルキル基を表す。］
   を１〜９８モル％有する重合体（Ａ）と、置換基を有し
   ていてもよい芳香族アルデヒドおよび芳香族ケトンから
   なる群より選ばれる化合物（Ｂ）とからなる感光性樹脂
   組成物。 ２、請求項１記載の感光性樹脂組成物により作製されて
   なることを特徴とするパターン。３、（イ）下記一般式
   で示される構造単位（Ｉ）▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ ［式中、Ｘ＾１は水素原子またはアルキル基を表し、Ｙ
   ＾１はシクロアルケニル基または下記一般式▲数式、化
   学式、表等があります▼ で示される基を表す。ここでＺ＾１は２価の炭化水素基
   を表し、Ｒ＾１、Ｒ＾２およびＲ＾３はそれぞれ水素原
   子、アルキル基またはアルケニル基を表す。］ を２〜９９モル％、下記一般式で示される構造単位（I
   I） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｘ＾２は水素原子またはアルキル基を表し、Ｙ
   ＾２はフェニル基、アルコキシカルボニル基またはカル
   バモイル基を表し、構造単位（II）における水素原子は
   フッ素原子によつて置換されていてもよい。］ を０〜９７モル％、および下記一般式で示される構造単
   位（III） ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｘ＾３は水素原子またはアルキル基を表し、Ｚ
   ＾２は２価の炭化水素基を表し、Ｒ＾４、Ｒ＾５および
   Ｒ＾６はそれぞれ水素原子またはアルキル基を表す。］
   を１〜９８モル％有する重合体（Ａ）と、置換基を有し
   ていてもよい芳香族アルデヒドおよび芳香族ケトンから
   なる群より選ばれる化合物（Ｂ）とからなる感光性樹脂
   組成物の薄膜を形成する工程、 （ロ）薄膜に所望のパターンに応じて部分的に紫外線を
   照射する工程、および （八）薄膜から未反応の化合物（Ｂ）を除去する工程、
   を設けてなることを特徴とするパターン作製法。