JPH03150360A - 高機能性被膜の形成方法 - Google Patents
高機能性被膜の形成方法Info
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- JPH03150360A JPH03150360A JP28921689A JP28921689A JPH03150360A JP H03150360 A JPH03150360 A JP H03150360A JP 28921689 A JP28921689 A JP 28921689A JP 28921689 A JP28921689 A JP 28921689A JP H03150360 A JPH03150360 A JP H03150360A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は金属やその他の母材に、高強度、及び高熱伝導
性を有する被膜を密着して形成することを特徴とする高
機能性被膜の形成方法に関するものである。
性を有する被膜を密着して形成することを特徴とする高
機能性被膜の形成方法に関するものである。
（ロ）従来の技術
例えば１）開昭６４−６ ＝１ フ ０３号公報には焼
結炭化物の支持体にＩ） Ｖ Ｉ）法又はＣＶ Ｉ）法
によって生成されたＴｉＮの耐熱材料の中間結合層を介
して多結晶ダイヤモンド層を形成した［具が開示されて
いる。この技術の場合多結晶ダイヤモンド層と焼結炭化
物とによって耐摩耗性及び耐衝撃性に優れた工具ができ
るもののダイヤモンド層と炭化物支持体との間に介在す
る中間結合層はダイヤモンド層、支持体何れの成分も含
まないため剥離の点で信頼性に欠けるという問題点が島
っな。
結炭化物の支持体にＩ） Ｖ Ｉ）法又はＣＶ Ｉ）法
によって生成されたＴｉＮの耐熱材料の中間結合層を介
して多結晶ダイヤモンド層を形成した［具が開示されて
いる。この技術の場合多結晶ダイヤモンド層と焼結炭化
物とによって耐摩耗性及び耐衝撃性に優れた工具ができ
るもののダイヤモンド層と炭化物支持体との間に介在す
る中間結合層はダイヤモンド層、支持体何れの成分も含
まないため剥離の点で信頼性に欠けるという問題点が島
っな。
（ハ）５１１明が解決しようとする課題本発明は上記従
来技術の問題点に鑑み、母材と表面被膜との密着性を向
上せしめ、同時に高硬度、■つ高熱伝導性を有する被膜
を形成することである。
来技術の問題点に鑑み、母材と表面被膜との密着性を向
上せしめ、同時に高硬度、■つ高熱伝導性を有する被膜
を形成することである。
（ニ）！題を解決するためのｆ段
本発明は母材の表面に高機能性被膜を形成し、これら母
材と被膜との間に該母材の成分原子と被膜の成分療子と
の混合層を不活性ガスイオン、及びＨａか一方の成分原
子イオンの照射とト４時に両原ｆ−をそれぞれ？Ｎ５Ｍ
させることによって形成し、この混合層の組成比をｎｌ
材に近い部分ほど註母材の成分療ｔの比率が高く １１
つ被膜に近い部分ほど該ＶＬ模の成分原子の比率が高く
なるように変化させたものである。
材と被膜との間に該母材の成分原子と被膜の成分療子と
の混合層を不活性ガスイオン、及びＨａか一方の成分原
子イオンの照射とト４時に両原ｆ−をそれぞれ？Ｎ５Ｍ
させることによって形成し、この混合層の組成比をｎｌ
材に近い部分ほど註母材の成分療ｔの比率が高く １１
つ被膜に近い部分ほど該ＶＬ模の成分原子の比率が高く
なるように変化させたものである。
又、本発明は母材の表面にイオン注入法により反応性ガ
スイオンを注入し、前記母材の人面から内部に向かって
該母材と反応性ガスイオンとの混合層を形成し、続いて
前記母材の成分療子と前記反応性がスとの化合物被膜を
該混合層表両に形成するものである。
スイオンを注入し、前記母材の人面から内部に向かって
該母材と反応性ガスイオンとの混合層を形成し、続いて
前記母材の成分療子と前記反応性がスとの化合物被膜を
該混合層表両に形成するものである。
更に、本発明は母材の表面にイオンガンより不活性ガス
イオンを照射して該母材表面を雪くするとＪｌに、該イ
オンガンより反応性ガスイオンを照射しながら墓５Ｍ澱
より！５１した原子を前記母材に向けて照射し、該母材
表面に蒸５！Ｌ／一原子と反応性ガスとの化合物被膜を
形成するものである。
イオンを照射して該母材表面を雪くするとＪｌに、該イ
オンガンより反応性ガスイオンを照射しながら墓５Ｍ澱
より！５１した原子を前記母材に向けて照射し、該母材
表面に蒸５！Ｌ／一原子と反応性ガスとの化合物被膜を
形成するものである。
（ホ）作用
＃母材と被咬との間に形１瓦された混合層は啼Ｈの成分
と被膜の成分との両方の成分を含有したものであり、こ
の混合層の存在により母材と彼絞との′＃：ｒ？性が向
ｌ−する。
と被膜の成分との両方の成分を含有したものであり、こ
の混合層の存在により母材と彼絞との′＃：ｒ？性が向
ｌ−する。
Ｘ、前記混合層を反応性ガスの母材へのイオンｉＦ、人
によって形成することは混合層を！ｇ成する反応性ガス
イオンの形成と、波絞を形成する反応性ガスイオンのＭ
ｇ２とを一つのイオンガンで濠１１１できる利点がある
。
によって形成することは混合層を！ｇ成する反応性ガス
イオンの形成と、波絞を形成する反応性ガスイオンのＭ
ｇ２とを一つのイオンガンで濠１１１できる利点がある
。
更に、母材表面を不活性ガスイオンによってｆめ和くし
ておけば母材と被膜間の密着性がより強固になる。
ておけば母材と被膜間の密着性がより強固になる。
（へ）実施例
以Ｆ本発明高機能性被膜の形成方法を図面に沿って詳細
に説明する。
に説明する。
第１ｖ４は上記被膜を形成するための真空蒸着及びイオ
ン注入装置を示し、（１）は１ｏ−ｍ〜１０−Ｔｏｒｒ
にＵ＃気される真空チャンバ、（２）は該真空チャンバ
（菖）内に配置され、図の矢印方向に１０〜２０ ｒｐ
ｍの遠皮で回転可能にされた基板ホルダ、（３）はＳｉ
（シリコン）＃母材、（４）は電子ビームによってＳｉ
ｍ−Ｆを蒸発させ前記母材（３）に向けて放射する第１
の蒸発源、（５）は同じく電ｆ・ビームによってＣ（炭
Ｊ：）８２ｆを蒸発させ前記母材（３）に向けて放射す
る第２の蒸発源、（Ｇ）は前記母材（コ））へＡｒ（ア
ルゴン）イオンを照射する第１のイオンガン、（７）は
ド１じく前記母材（３）へＣイオンと■（水素）イオン
とを照射する第２のイオンガンであるゆ 次に上記装置を用いて第２図に示すようなＳｉ母材（３
）の表面にＳｉＣ（シリコンカーバイド）とＣとの混合
層（３４）を介してダイヤモンド被膜（３５）を形成す
る方法について説明する。
ン注入装置を示し、（１）は１ｏ−ｍ〜１０−Ｔｏｒｒ
にＵ＃気される真空チャンバ、（２）は該真空チャンバ
（菖）内に配置され、図の矢印方向に１０〜２０ ｒｐ
ｍの遠皮で回転可能にされた基板ホルダ、（３）はＳｉ
（シリコン）＃母材、（４）は電子ビームによってＳｉ
ｍ−Ｆを蒸発させ前記母材（３）に向けて放射する第１
の蒸発源、（５）は同じく電ｆ・ビームによってＣ（炭
Ｊ：）８２ｆを蒸発させ前記母材（３）に向けて放射す
る第２の蒸発源、（Ｇ）は前記母材（コ））へＡｒ（ア
ルゴン）イオンを照射する第１のイオンガン、（７）は
ド１じく前記母材（３）へＣイオンと■（水素）イオン
とを照射する第２のイオンガンであるゆ 次に上記装置を用いて第２図に示すようなＳｉ母材（３
）の表面にＳｉＣ（シリコンカーバイド）とＣとの混合
層（３４）を介してダイヤモンド被膜（３５）を形成す
る方法について説明する。
先ず、真空チャンバ（１）内をＩＱ−〜ＩＯ−Ｔｏｒｒ
に排気し、第２イオンガン（７）にＣ１１，（メタン）
ガスを供給し、炭素イオンを取９ＦＢして、これをアシ
ストイオンガンとしてｍ−いて駆動し。
に排気し、第２イオンガン（７）にＣ１１，（メタン）
ガスを供給し、炭素イオンを取９ＦＢして、これをアシ
ストイオンガンとしてｍ−いて駆動し。
そして母材（３）の表面に照射する。この時の炭素イオ
ンの加速電圧は、！ｋ ｋｅＶ −！ｋ −ｅ−ｋｅＶ
程度が望ましい。
ンの加速電圧は、！ｋ ｋｅＶ −！ｋ −ｅ−ｋｅＶ
程度が望ましい。
方、炭素イオンの照射とシー時に第１イオンガン（６）
をＷＪＡ動してＡｒイオンを照射しながら、第１、及び
第２五発瀬（−１）（Ｓ）を駆動し、Ｓｉ涼ｆ−，及び
Ｃ原子を蒸発させて１真記雌材（３）表面に放射する。
をＷＪＡ動してＡｒイオンを照射しながら、第１、及び
第２五発瀬（−１）（Ｓ）を駆動し、Ｓｉ涼ｆ−，及び
Ｃ原子を蒸発させて１真記雌材（３）表面に放射する。
この時のＳｉ、及びＣの３発速度は５００ Ａ ／ｌＩ
Ｉｉｎ以−Ｆ程度、又Ａ「イオンの１１１遠；ｇ圧は１
〜数ｋｅＶｔ度が望ましい。
Ｉｉｎ以−Ｆ程度、又Ａ「イオンの１１１遠；ｇ圧は１
〜数ｋｅＶｔ度が望ましい。
以薯−のｌ二程により、母材（３）にｆｌｉｔしたＳｉ
ｌｌ；ぎ（−，ＣｔＱｆ、及びＣイオンはＡ「イオンの
助けを１７りて、ＳｉＣとＣの混合層（３４）となる。
ｌｌ；ぎ（−，ＣｔＱｆ、及びＣイオンはＡ「イオンの
助けを１７りて、ＳｉＣとＣの混合層（３４）となる。
この時混合層（３４）は母材（３）の表面に近いところ
ほどＳｉ原ｆ−の比率が高くなるように、逆に母材（３
）表面から遠く離れるほどＣ原子の比率が高くなるよう
に第２イオンガン（７）の電流密度をＯ−０、ローＡ／
ｃｍ”のｉｉＮで可変することによりＣ原子の混人晴を
制御する。
ほどＳｉ原ｆ−の比率が高くなるように、逆に母材（３
）表面から遠く離れるほどＣ原子の比率が高くなるよう
に第２イオンガン（７）の電流密度をＯ−０、ローＡ／
ｃｍ”のｉｉＮで可変することによりＣ原子の混人晴を
制御する。
このようにして母材表面（３）に、膜厚が１．ｓＦ厘で
、■つＳｉとＣとの組成比が第３図に示すような傾斜特
性を有する混合層（３４）が約３分で形成される。尚、
１−記混合層（３４）を均一に杉處するためｌｉ記基板
ホルダ（２）を第１図の矢印の方向に１０〜２０ ｒｐ
ｍで回転させると共に、Ｓｉ涼ｔ、及びＣ原子の３発速
度を窮御することが望ましい。
、■つＳｉとＣとの組成比が第３図に示すような傾斜特
性を有する混合層（３４）が約３分で形成される。尚、
１−記混合層（３４）を均一に杉處するためｌｉ記基板
ホルダ（２）を第１図の矢印の方向に１０〜２０ ｒｐ
ｍで回転させると共に、Ｓｉ涼ｔ、及びＣ原子の３発速
度を窮御することが望ましい。
次いで目真記混合層（３４）表面のダイヤモンド被膜（
：（５）の杉成方法について説明する。
：（５）の杉成方法について説明する。
１１−１じチャンバ（１）内で１１−１記第２イオンガ
ン（７）より−ＩＩイオンを！！！射しながら、６１３
時に１１−１記第２蒸発源（５）のみを駆動し、ここか
らＣ原子を蒸発させｖｋ出させる。この時のＩＩイオン
の電流密ｌ艶。
ン（７）より−ＩＩイオンを！！！射しながら、６１３
時に１１−１記第２蒸発源（５）のみを駆動し、ここか
らＣ原子を蒸発させｖｋ出させる。この時のＩＩイオン
の電流密ｌ艶。
及び加速電圧は２ ｍＡ／ｃｍ″、２００−７００ｅＶ
程度が望ましい。又、この工程によって形成されるダイ
ヤモンドＩ［（３５）の成膜速度は２５０λ／Ｉｓｉｎ
。
程度が望ましい。又、この工程によって形成されるダイ
ヤモンドＩ［（３５）の成膜速度は２５０λ／Ｉｓｉｎ
。
とし、膜厚は３ｊ１１程度が望ましい。
以りのように母材（３）ｍ成原子と被膜（３５）構成原
ｆ−とを含む混合層（３４）を介して該母材（３）に被
膜（３５）を形成することにより、母材（３）の耐久性
を向上させることができ、■つ容特に剥離しない構造と
なる。
ｆ−とを含む混合層（３４）を介して該母材（３）に被
膜（３５）を形成することにより、母材（３）の耐久性
を向上させることができ、■つ容特に剥離しない構造と
なる。
第４図及び第５図は第１ｔＡ〜第３図とは異なる実施例
を示し、Ｓ Ｕ Ｓ ｅ Ｎ ｉ等の金属母材（１１）
のに面浅くに、イオン注入により金属原子とＮ（窒Ｊ：
）イオンとの混合に４（１２）を形成し、次いでＴｉＮ
（窒化チタン）の被膜（１３）を形成する方法を示した
ものである。
を示し、Ｓ Ｕ Ｓ ｅ Ｎ ｉ等の金属母材（１１）
のに面浅くに、イオン注入により金属原子とＮ（窒Ｊ：
）イオンとの混合に４（１２）を形成し、次いでＴｉＮ
（窒化チタン）の被膜（１３）を形成する方法を示した
ものである。
１・１図において、先ず糎真記第１図の真空チャンバ（
１４）内を菖０″′％−１０−Ｔｏｒｒに俳１（シ、高
エネルギイオンガン（１５）を駆動して、１０〜２０ｋ
ｅＶの加速電圧を有するＮイオンをけ材（１１）の表面
浅く（０−５１ｍ以Ｆ程Ｉ瓢）に注入して、Ｉｒｊ材（
１１）のムリを金に原子とＮイオンとの混合層（１２）
とする。
１４）内を菖０″′％−１０−Ｔｏｒｒに俳１（シ、高
エネルギイオンガン（１５）を駆動して、１０〜２０ｋ
ｅＶの加速電圧を有するＮイオンをけ材（１１）の表面
浅く（０−５１ｍ以Ｆ程Ｉ瓢）に注入して、Ｉｒｊ材（
１１）のムリを金に原子とＮイオンとの混合層（１２）
とする。
次いで低エネルギイオンガン（１６）を駆動して、１０
０〜２００ｅＶの加速電圧を有するＮイオンを前記混０
一層（１２）に照射しながら、蒸発源（１７）を駆動し
てＴｉ（チタン）原子を同じく混合層（１２）表面に放
射し、混合Ｍ （１２）の表面にＴｉＮｌ＆膜（１３）
を形成する。この時のＴｉ原子の蒸発速度は。
０〜２００ｅＶの加速電圧を有するＮイオンを前記混０
一層（１２）に照射しながら、蒸発源（１７）を駆動し
てＴｉ（チタン）原子を同じく混合層（１２）表面に放
射し、混合Ｍ （１２）の表面にＴｉＮｌ＆膜（１３）
を形成する。この時のＴｉ原子の蒸発速度は。
１００〜ＳＯＯλ／ｓｉｎ、が望ましい。又、形成され
るＴｉＮの彼１１ｉ（ｔ：ｏを均一なものとするため、
母材（１１）を取付けた基板ホルダ（１８）を１０〜２
０「ｐ■で図の矢印方向に回転させるとよい。
るＴｉＮの彼１１ｉ（ｔ：ｏを均一なものとするため、
母材（１１）を取付けた基板ホルダ（１８）を１０〜２
０「ｐ■で図の矢印方向に回転させるとよい。
以下のように金属母材（１１）表面に該母材（１１）と
被膜（目）との両方の成分原ｆ−を有する混合層（１２
）を介して＃Ｌ膜（１３）を形成することにより金属母
材（１１）を耐摩耗性、耐食性、耐熱性に優れたものと
することができる。
被膜（目）との両方の成分原ｆ−を有する混合層（１２
）を介して＃Ｌ膜（１３）を形成することにより金属母
材（１１）を耐摩耗性、耐食性、耐熱性に優れたものと
することができる。
更に第６図は池の実施例を示し、Ｓｉやガラス等の鏡−
の母材（２１）に１１ してｃ−１１Ｎ （Ｃ型窒化ホ
ウぶ）膜を彰處するときの装置を示す。−１図において
、真空チャンバ（２２）を１０−−１０−Ｔｔ＋ｒｒｉ
：１Ｂ：２Ｌし、先ず第１イオンガン（２３）を駆動し
てＡ「イオンを母材（２１）表面に照射する。この時の
Δｒイオンの加速電圧は１００〜３００ｅＶ程度が望ま
しい。この−を程により、母材（２１）の表面のクリー
ニングが行われる。そしてこの後、前記Ａ「イオンの加
速電圧を敗ｋｅＶ稈度に上をｔさせて前記母材（２１）
に再び照射し、母材（２１）の表面を粗くして。
の母材（２１）に１１ してｃ−１１Ｎ （Ｃ型窒化ホ
ウぶ）膜を彰處するときの装置を示す。−１図において
、真空チャンバ（２２）を１０−−１０−Ｔｔ＋ｒｒｉ
：１Ｂ：２Ｌし、先ず第１イオンガン（２３）を駆動し
てＡ「イオンを母材（２１）表面に照射する。この時の
Δｒイオンの加速電圧は１００〜３００ｅＶ程度が望ま
しい。この−を程により、母材（２１）の表面のクリー
ニングが行われる。そしてこの後、前記Ａ「イオンの加
速電圧を敗ｋｅＶ稈度に上をｔさせて前記母材（２１）
に再び照射し、母材（２１）の表面を粗くして。
被膜を′＃：ａ Ｌ Ｈい様に加工する。
次いで電子銃等の蒸発源（２４）を駆動し、第２イオン
ガン（２５）を駆動して１００〜２００ｅＶ程度の加速
電圧を有するＮイオンを前記母材（２１）に照射しなか
らＨ（ホウ素）原子を該母材（２１）に放射する。この
工程により、ｓｏｔ：前後の低温で（−ＢＮの１膜を母
材（２１）に密着させて形成することができ、しかもこ
の被膜の結晶性は高いものが得られる。
ガン（２５）を駆動して１００〜２００ｅＶ程度の加速
電圧を有するＮイオンを前記母材（２１）に照射しなか
らＨ（ホウ素）原子を該母材（２１）に放射する。この
工程により、ｓｏｔ：前後の低温で（−ＢＮの１膜を母
材（２１）に密着させて形成することができ、しかもこ
の被膜の結晶性は高いものが得られる。
（ト）発明の効果
本発明は以１−の説明の如く、母材に被膜を彫成するに
際し、該母材と＃Ｌ膜との両方の成分原Ｔ−を混りした
混合層をＪ＋ｊ村〜被膜間に介挿することによって、母
材と被膜との密着性を向上すると共に杉成する被膜の種
類を間すずに形成できるので耐摩耗性、耐食性、耐熱性
等の種々の性質に優れた機能を有する母材を形成するこ
とが可能となる。
際し、該母材と＃Ｌ膜との両方の成分原Ｔ−を混りした
混合層をＪ＋ｊ村〜被膜間に介挿することによって、母
材と被膜との密着性を向上すると共に杉成する被膜の種
類を間すずに形成できるので耐摩耗性、耐食性、耐熱性
等の種々の性質に優れた機能を有する母材を形成するこ
とが可能となる。
又、混合層の構成原子の組成比に傾斜を付けたものにあ
っては、各母材、被膜との密着性が同村の原子の結合が
増加することによって強くなる効果がある。
っては、各母材、被膜との密着性が同村の原子の結合が
増加することによって強くなる効果がある。
史に、被膜形成ｉに表面を相（したものにあっては被膜
の母材に対する密着性がさらに向上する。
の母材に対する密着性がさらに向上する。
１、図面の＠ｌｉｔな説明
第１ｔ４は本発明の被膜形成方法を行うための装置の１
実施例を示す−Ｉ′−而略図、第２図は第ｔｔ４の装置
を用いて彩成された被膜付き母材の断面略図、第３図は
第２図の混合層を構成する成分原ｆの母材表面からのｉ
ｌｊ＃ｉに対する組成比の変化を示す図、第・１図は第
１図に相当する装置の別の実施例を示すｒ−１略図、第
５ＦＡは第・１図の装置をｍいた岐校杉成のｌ二稈を、
１ミす図、第６１４は第１図に相当する更に別の実施例
を示す平面略図である。
実施例を示す−Ｉ′−而略図、第２図は第ｔｔ４の装置
を用いて彩成された被膜付き母材の断面略図、第３図は
第２図の混合層を構成する成分原ｆの母材表面からのｉ
ｌｊ＃ｉに対する組成比の変化を示す図、第・１図は第
１図に相当する装置の別の実施例を示すｒ−１略図、第
５ＦＡは第・１図の装置をｍいた岐校杉成のｌ二稈を、
１ミす図、第６１４は第１図に相当する更に別の実施例
を示す平面略図である。
（１）（１４）（２２）・・・真空チャンバ。
（２》・・・基板ホルダ。
（３）（１１）（２１）−・・母材。
（４）（５）（１７）（２４）・−・蒸発源。
（６）（７）（１５）（１６）（２３）（２５）・・・
イオンガン、（１２）（３４１−・混合層、 （１３）（３５）−−・被膜
イオンガン、（１２）（３４１−・混合層、 （１３）（３５）−−・被膜
Claims (3)
- （１）母材の表面に高機能性被膜を形成し、これら母材
と被膜との間に該母材の成分原子と被膜の成分原子との
混合層を不活性ガスイオン、及び何れか一方の成分原子
イオンの照射と同時に両原子をそれぞれ蒸発させること
によって形成し、この混合層の組成比を母材に近い部分
ほど該母材の成分原子の比率が高く且つ被膜に近い部分
ほど該被膜の成分原子の比率が高くなるように変化させ
たことを特徴とする高機能性被膜の形成方法。 - （２）母材の表面にイオン注入法により反応性ガスイオ
ンを注入し、前記母材の表面から内部に向かって該母材
と反応性ガスイオンとの混合層を形形成し、続いて前記
母材の成分原子と前記反応性ガスとの化合物被膜を該混
合層表面に形成することを特徴とする高機能性被膜の形
成方法。 - （３）母材の表面にイオンガンより不活性ガスイオンを
照射して該母材表面を粗くすると共に、該イオンガンよ
り反応性ガスイオンを照射しながら蒸発源より蒸発した
原子を前記母材に向けて照射し、該母材表面に蒸発した
原子と反応性ガスとの化合物被膜を形成することを特徴
とする高機能性被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28921689A JP2840335B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 高機能性被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28921689A JP2840335B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 高機能性被膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150360A true JPH03150360A (ja) | 1991-06-26 |
| JP2840335B2 JP2840335B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=17740286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28921689A Expired - Fee Related JP2840335B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 高機能性被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2840335B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5526768A (en) * | 1994-02-03 | 1996-06-18 | Harris Corporation | Method for providing a silicon and diamond substrate having a carbon to silicon transition layer and apparatus thereof |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP28921689A patent/JP2840335B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5526768A (en) * | 1994-02-03 | 1996-06-18 | Harris Corporation | Method for providing a silicon and diamond substrate having a carbon to silicon transition layer and apparatus thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2840335B2 (ja) | 1998-12-24 |
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|---|---|---|---|
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