JPH03149289A - 液晶混合物 - Google Patents
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- JPH03149289A JPH03149289A JP2209064A JP20906490A JPH03149289A JP H03149289 A JPH03149289 A JP H03149289A JP 2209064 A JP2209064 A JP 2209064A JP 20906490 A JP20906490 A JP 20906490A JP H03149289 A JPH03149289 A JP H03149289A
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- C09K19/345—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered aromatic ring containing two nitrogen atoms
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶混合物、特に強誘電性の液晶混合−フー
物およびこれらの電気光学装置への使用に関する。
液晶混合物は異方性と流体挙動との独特の組合せのため
に、電気光学的切換え装置およびディスプレイ装置に最
近、多くの可能な用途を見出している。この場合に、こ
れらの電気的、磁気的、弾性的および/または熱的性質
を配向性の変化に利用することができる。次に、例えば
複屈折、二色吸収性染料分子(ゲスト−ホストモード)
の導入または光散乱によって得られる。
に、電気光学的切換え装置およびディスプレイ装置に最
近、多くの可能な用途を見出している。この場合に、こ
れらの電気的、磁気的、弾性的および/または熱的性質
を配向性の変化に利用することができる。次に、例えば
複屈折、二色吸収性染料分子(ゲスト−ホストモード)
の導入または光散乱によって得られる。
種々な用途分野での実施におけるますます厳しくなる要
求を満たすために、新規な改良された液晶(LC)混合
物とそれ故の多数の新規なメソゲニック(mesoge
nie)化合物がますます必要とされている。
求を満たすために、新規な改良された液晶(LC)混合
物とそれ故の多数の新規なメソゲニック(mesoge
nie)化合物がますます必要とされている。
このことはネマチックLC相[例えばTN=ツイスト
ネマチック(twisted nematic) 、
S T N=スーパーツイストネマチック(supe
rtwistednesmatic)、SBE−スーパ
ーツイスト複屈折効果(supertwisLed
birefringence)]が用いられる分野と、
スメチックLC相[例えば強誘電性相およびエレクトロ
ニック(electroclinic)相]による分野
の両方に適用される。
ネマチック(twisted nematic) 、
S T N=スーパーツイストネマチック(supe
rtwistednesmatic)、SBE−スーパ
ーツイスト複屈折効果(supertwisLed
birefringence)]が用いられる分野と、
スメチックLC相[例えば強誘電性相およびエレクトロ
ニック(electroclinic)相]による分野
の両方に適用される。
強誘電性液晶は、それらの切換え時間が短いために、電
気光学要素のディスプレイ媒質として特別の関心を喚起
している[例えば、ラガーウォール(Lagerwal
l)等の[ディスプレイ用強誘電性液晶(Ferroe
leetrie Liquid Crys
tals forD isplays)]、S I
Dシンポジウム、1985年10月会議、合衆国カリ
フオルニア州サンジエゴ]、電気光学ディスプレイへ強
誘電性液晶を実際に用いるためには、広い温度範囲にわ
たって安定である例えばSo相のようなキラル、傾斜ス
メクチック相が必要である[アール、ビー、マイヤー(
R,B 、Meyeu)、エル、リーベルト(L 、
L iebert)、エルーストレツエルキ(L 、S
Lrzeleeki)、およびビー、キラー(P 、
K iller)、ジェイ、フィジク(J 、 P h
ysique)36. L−69(1975)]。この
目的は、それら自身で例えばSe相のような相を形成す
る化合物によって、またはキラル傾斜スメクチック相を
形成しない化合物に光学的に活性な化合物をドープする
ことによって達成される[エム、ブルネット(M、 B
runet) 、シーエル、ウィリアムス(C1,M
illiams)、アン5フィズ(Ann、 Phys
、 )亀、23フ頁(1978)]。
気光学要素のディスプレイ媒質として特別の関心を喚起
している[例えば、ラガーウォール(Lagerwal
l)等の[ディスプレイ用強誘電性液晶(Ferroe
leetrie Liquid Crys
tals forD isplays)]、S I
Dシンポジウム、1985年10月会議、合衆国カリ
フオルニア州サンジエゴ]、電気光学ディスプレイへ強
誘電性液晶を実際に用いるためには、広い温度範囲にわ
たって安定である例えばSo相のようなキラル、傾斜ス
メクチック相が必要である[アール、ビー、マイヤー(
R,B 、Meyeu)、エル、リーベルト(L 、
L iebert)、エルーストレツエルキ(L 、S
Lrzeleeki)、およびビー、キラー(P 、
K iller)、ジェイ、フィジク(J 、 P h
ysique)36. L−69(1975)]。この
目的は、それら自身で例えばSe相のような相を形成す
る化合物によって、またはキラル傾斜スメクチック相を
形成しない化合物に光学的に活性な化合物をドープする
ことによって達成される[エム、ブルネット(M、 B
runet) 、シーエル、ウィリアムス(C1,M
illiams)、アン5フィズ(Ann、 Phys
、 )亀、23フ頁(1978)]。
電気光学要素に強誘電性液晶混合物を用いる場合には、
高いコントラクト比を得るために、液晶の均一な平面配
向が必要である。液晶混合物の相配列が温度の低下と共
に等方性→ネマチック→スメチックA→スメチツクCと
変化するならば、So相の均一な平面配向が得られるこ
とが判明している[例えば、ケイ、フラティッシュラー
(K 、 F Iatiscl+Ier)等、モル、ク
リスト、リク。
高いコントラクト比を得るために、液晶の均一な平面配
向が必要である。液晶混合物の相配列が温度の低下と共
に等方性→ネマチック→スメチックA→スメチツクCと
変化するならば、So相の均一な平面配向が得られるこ
とが判明している[例えば、ケイ、フラティッシュラー
(K 、 F Iatiscl+Ier)等、モル、ク
リスト、リク。
クリスト、 (Mo1. Cryst、 Liq、 C
rysL )131゜21頁(1985年):マツモト
ティ(Natsusato T)等。
rysL )131゜21頁(1985年):マツモト
ティ(Natsusato T)等。
第6回ディスプレイ、研究国際会議の議事録468〜4
7G頁、日本ディスプレイ1986年9月30日〜10
月2日。
7G頁、日本ディスプレイ1986年9月30日〜10
月2日。
日本 東京:ムラカミ エム(Murakanri
M)等、同議事録344〜347頁1゜ 強誘電性(キラル スメチック)液晶混合物はさらに、
ヘリックスのピッチが88相では大きい、すなわち5μ
鯖より大きく、Nx相では非常に大きい、すなわち10
ミーより大きいかまたは無限であるという条件を満たさ
なければならない。
M)等、同議事録344〜347頁1゜ 強誘電性(キラル スメチック)液晶混合物はさらに、
ヘリックスのピッチが88相では大きい、すなわち5μ
鯖より大きく、Nx相では非常に大きい、すなわち10
ミーより大きいかまたは無限であるという条件を満たさ
なければならない。
できるかぎり短くなければならない、強誘電性液晶系の
光学的切換え時間itμS]は系の粘度7[s+Pas
]、自然分極P s[nC/ cm2]および式γ〜
□ による電界強度E[V/mlにP5 ・ E 依存する。電界強度Eは電気光学要素における電極間隔
および印加電圧によって一定であるので、強誘電性ディ
スプレイ媒質は短い切換え時間が得られるように、低い
粘度と高い自然分極を有さなければならない。
光学的切換え時間itμS]は系の粘度7[s+Pas
]、自然分極P s[nC/ cm2]および式γ〜
□ による電界強度E[V/mlにP5 ・ E 依存する。電界強度Eは電気光学要素における電極間隔
および印加電圧によって一定であるので、強誘電性ディ
スプレイ媒質は短い切換え時間が得られるように、低い
粘度と高い自然分極を有さなければならない。
最後に、熱的、化学的および光化学的安定性の他に
、2μ論のディスプレイにおけるLC層厚さでの好まし
くは0.13および1,5μ輪の層厚さでの0.17の
小さい光学的異方性Δnならびに低ポジティブまたは好
ましくはネガティブの誘電異方性Δεが必要である[ニ
ス、ティ、ラガーウォール(S 、T 、Lagerw
all)等、[ディスプレイ用強誘電性液晶Js I
Dシンポジウム、1985年lO月会議、合衆国カリフ
オルニア州サンジエゴ]。
、2μ論のディスプレイにおけるLC層厚さでの好まし
くは0.13および1,5μ輪の層厚さでの0.17の
小さい光学的異方性Δnならびに低ポジティブまたは好
ましくはネガティブの誘電異方性Δεが必要である[ニ
ス、ティ、ラガーウォール(S 、T 、Lagerw
all)等、[ディスプレイ用強誘電性液晶Js I
Dシンポジウム、1985年lO月会議、合衆国カリフ
オルニア州サンジエゴ]。
これらの要求のすべては複数の成分の混合物によっての
み満たされる。できるかぎり、それら自身ですでに好ま
しい相配列I+N−4−S−+SA→Scを示す化合物
をベース(またはマトリックス)としてこの場合に用い
るのが好ましい。混合物の他の成分が融点を下げ、Sc
相と大ていの場合にはN相をも拡大し、光学的活性を含
め、ピッチを補整し、光学的および誘電的異方性を調整
するためにしばしば加えられるが、例えば回転粘度は可
能ならば高めるべきではない。
み満たされる。できるかぎり、それら自身ですでに好ま
しい相配列I+N−4−S−+SA→Scを示す化合物
をベース(またはマトリックス)としてこの場合に用い
るのが好ましい。混合物の他の成分が融点を下げ、Sc
相と大ていの場合にはN相をも拡大し、光学的活性を含
め、ピッチを補整し、光学的および誘電的異方性を調整
するためにしばしば加えられるが、例えば回転粘度は可
能ならば高めるべきではない。
フェニルピリミジンのある一定の誘導体、特に5−アル
キル−2−(4−アルコキシフェニル)ーピリミジンが
Sc相、SA相およびN相を形成することができ[ディ
、デムス(D、 Demus)とエッチ、ザシュケ(H
,Zaschke)、r表における液晶(Fliiss
ige Kristalle in Tabel
len)」。
キル−2−(4−アルコキシフェニル)ーピリミジンが
Sc相、SA相およびN相を形成することができ[ディ
、デムス(D、 Demus)とエッチ、ザシュケ(H
,Zaschke)、r表における液晶(Fliiss
ige Kristalle in Tabel
len)」。
VERドイツツエルフェルラグフィールグルシドストッ
クインダストリー(V E B D eutsel+e
rVerlag fMr Grundstoffi
ndustrie)、ライプチツヒ1974年、260
〜261頁1、さらに、光学的活性ドーピング物質(d
oping snbstanees)の添加によっ°
て強誘電性液晶混合物に転化させることができる[エ
ル、エム、ブリツク(L −M 、 B Iinou)
等、ソウ。
クインダストリー(V E B D eutsel+e
rVerlag fMr Grundstoffi
ndustrie)、ライプチツヒ1974年、260
〜261頁1、さらに、光学的活性ドーピング物質(d
oping snbstanees)の添加によっ°
て強誘電性液晶混合物に転化させることができる[エ
ル、エム、ブリツク(L −M 、 B Iinou)
等、ソウ。
ノイズ、ユーエスピー、 (Sow、 Phys、 U
sp、 )27(7) 、492(1984) ;エル
、エイ、ベレスネフ(L 、 A 、 B eresn
eu)等、フェロエレクトリクス(F erroele
cLrics)59[321]/ 1(1984年)、
液晶に関する社会主義国家第5回会議、1983年10
月、ソ連オデッサにおいて発表:西ドイツ特許第A3,
515゜347号、ヨーロッパ特許出願公告第0.20
6,228号および第0.225,195号]ことは公
知である。
sp、 )27(7) 、492(1984) ;エル
、エイ、ベレスネフ(L 、 A 、 B eresn
eu)等、フェロエレクトリクス(F erroele
cLrics)59[321]/ 1(1984年)、
液晶に関する社会主義国家第5回会議、1983年10
月、ソ連オデッサにおいて発表:西ドイツ特許第A3,
515゜347号、ヨーロッパ特許出願公告第0.20
6,228号および第0.225,195号]ことは公
知である。
複数の液晶化合物を混合することによって低融点と好ま
しい液晶相の拡大とが得られること[ディ、デムス等、
モル、クリスト、リク、クリス) 、 25,215(
1974年)、ジェイ、ダブリユー、グツドバイ(J
−W 、 G oodby) 、フェロエレクトリクス
49.275(1983年)1および融点低下が顕著で
あればあるほど、混合物成分の構造差が大きくなること
[ジェイ、ニス、ディプ(J −S−Dave)等、ジ
ェイ。
しい液晶相の拡大とが得られること[ディ、デムス等、
モル、クリスト、リク、クリス) 、 25,215(
1974年)、ジェイ、ダブリユー、グツドバイ(J
−W 、 G oodby) 、フェロエレクトリクス
49.275(1983年)1および融点低下が顕著で
あればあるほど、混合物成分の構造差が大きくなること
[ジェイ、ニス、ディプ(J −S−Dave)等、ジ
ェイ。
ケム、ツク、 (J 、 Chew、 Soe、 )1
955,4305]も公知である。従って、一方では実
質的な構造差を示し、他方では容易に混和が可能である
ほど充分に同じである化合物を混合する場合にSC相の
低混合物融点とそれ故の低い相転移点が得られることを
想定しなければならなかった。
955,4305]も公知である。従って、一方では実
質的な構造差を示し、他方では容易に混和が可能である
ほど充分に同じである化合物を混合する場合にSC相の
低混合物融点とそれ故の低い相転移点が得られることを
想定しなければならなかった。
日本特許第62−189,163号は[4−(5ーアル
キルーピリジン−2−イル]−フェニルトランス−アル
キル−シクロヘキサンカルボキシレートを開示している
。この特許出願では、ネマチック液晶混合物への使用が
述べられている。これらの成分がS。相をも示し、強誘
電性混合物に使用できることは述べられていない。
キルーピリジン−2−イル]−フェニルトランス−アル
キル−シクロヘキサンカルボキシレートを開示している
。この特許出願では、ネマチック液晶混合物への使用が
述べられている。これらの成分がS。相をも示し、強誘
電性混合物に使用できることは述べられていない。
ドイツ特許第C2,257,588号はネマチック相の
みを形成する5−ブトキシ−2−(4−ペンチルオキシ
−フェニル)−ピリミジンを開示している。
みを形成する5−ブトキシ−2−(4−ペンチルオキシ
−フェニル)−ピリミジンを開示している。
ドイツ特許第3,831,226.3号では、ベース成
分として、式(■): E式中、CnHzn++とCXH2X ++は直鎖アル
キルラジカルであり、nは6〜14の整数であり、Xは
2〜14の整数である1 で示される5−アルコキシ−2−(4−アルコキシ−フ
ェニル)−ピリミジンのタイプの化合物は液晶混合物、
特に強誘電性液晶混合物のマトリックス(ベース)の成
分として非常に適しており、これらの化合物の中の少な
くとも2種類の化合物a°とa”が混合物中に存在する
ことが判明している。
分として、式(■): E式中、CnHzn++とCXH2X ++は直鎖アル
キルラジカルであり、nは6〜14の整数であり、Xは
2〜14の整数である1 で示される5−アルコキシ−2−(4−アルコキシ−フ
ェニル)−ピリミジンのタイプの化合物は液晶混合物、
特に強誘電性液晶混合物のマトリックス(ベース)の成
分として非常に適しており、これらの化合物の中の少な
くとも2種類の化合物a°とa”が混合物中に存在する
ことが判明している。
これらの化合物の大部分は温度低下と共に好ましい相系
列■→N 4SA−S、を示す。公知の5−アルキル−
2−(4−アルコキシフェニル)ピリミジンと比較する
と、これらはより広いSC相を示し、より高い転移温度
のS。−+SA転移を示す。
列■→N 4SA−S、を示す。公知の5−アルキル−
2−(4−アルコキシフェニル)ピリミジンと比較する
と、これらはより広いSC相を示し、より高い転移温度
のS。−+SA転移を示す。
さらに、SC相が炭素数の小さいアルキル(オキシ)鎖
、例えばn=8.J 2またはn=6.x)6であるア
ルキル(オキシ)鎖ですでに形成される。公知の5−ア
ルキル−2−(4−アルコキシフェニル)−とりミシン
と比較すると、これは混合物の製造に用いられるSC相
を有し、均質で容易に混合可能な化合物をより多く生ず
る。さらに、これらはSAからSCへのそれらの高い相
転移温度(例えば70°〜90℃)と広いSC相とのた
めに、非常に広いS。相(例えば約68℃)と高い転移
温度SA/Scを有する混合物の製造を可能にする。
、例えばn=8.J 2またはn=6.x)6であるア
ルキル(オキシ)鎖ですでに形成される。公知の5−ア
ルキル−2−(4−アルコキシフェニル)−とりミシン
と比較すると、これは混合物の製造に用いられるSC相
を有し、均質で容易に混合可能な化合物をより多く生ず
る。さらに、これらはSAからSCへのそれらの高い相
転移温度(例えば70°〜90℃)と広いSC相とのた
めに、非常に広いS。相(例えば約68℃)と高い転移
温度SA/Scを有する混合物の製造を可能にする。
式(1)の化合物のドイツ特許第3,831゜226号
による混合物は強誘電性液晶混合物のマトリックスとし
てすでに極めて適している。しかし、これらはまだ大き
い光学的異方性(Δ■)と大きい正の誘電性異方性(Δ
ε)を示す、さらに、ネマチック相は置換基の鎖長■ま
たはXに依存して、まだ狭い。
による混合物は強誘電性液晶混合物のマトリックスとし
てすでに極めて適している。しかし、これらはまだ大き
い光学的異方性(Δ■)と大きい正の誘電性異方性(Δ
ε)を示す、さらに、ネマチック相は置換基の鎖長■ま
たはXに依存して、まだ狭い。
式(■):
1フー
1ロー
で示される化合物(シクロヘキサンカルボキシレート)
を加えることによって、同時にパラメータ[Δn]と[
Δε]を改良し、ネマチック相の−を実際の要求に適合
させることが可能になる。式(II)において、R1は
炭素数10〜16のアルキル鎖または炭素数8〜14の
アルコキシ鎖であり、R2は炭素数2〜9のアルキル鎖
である。これらの化合物はドイツ特許第A3,731,
639号に述べられている。これらは約2モル%から開
始する添加量ですでにこれらの好ましい効果を示す。
を加えることによって、同時にパラメータ[Δn]と[
Δε]を改良し、ネマチック相の−を実際の要求に適合
させることが可能になる。式(II)において、R1は
炭素数10〜16のアルキル鎖または炭素数8〜14の
アルコキシ鎖であり、R2は炭素数2〜9のアルキル鎖
である。これらの化合物はドイツ特許第A3,731,
639号に述べられている。これらは約2モル%から開
始する添加量ですでにこれらの好ましい効果を示す。
約10モル%から約40モル%までの量を加える場合に
、結果はネマチック相を約8°〜18℃拡げ、スメクチ
ック相を約6°〜15℃拡げることになる。これに加え
て、この添加が本発明によるベース混合物のすでに低い
回転粘度をごく僅かに高めるにすぎないことが有利であ
る。
、結果はネマチック相を約8°〜18℃拡げ、スメクチ
ック相を約6°〜15℃拡げることになる。これに加え
て、この添加が本発明によるベース混合物のすでに低い
回転粘度をごく僅かに高めるにすぎないことが有利であ
る。
この混合物の融点とSC相の低い相転移温度とは、これ
らが高すぎる場合には、式(■)二E式中、鴎とpは相
互に独立的に6〜14の整数である] で示される少なくとも1種類の成分を加えることによっ
て減することができる。混合物全体を基準として約10
〜25モル%の量の化合物を加える場合に、Sc相の温
度下限は結果として10Cまで低下する。
らが高すぎる場合には、式(■)二E式中、鴎とpは相
互に独立的に6〜14の整数である] で示される少なくとも1種類の成分を加えることによっ
て減することができる。混合物全体を基準として約10
〜25モル%の量の化合物を加える場合に、Sc相の温
度下限は結果として10Cまで低下する。
ドイツ特許出願第P3,909.356号では、式(V
)、(VW)、(■)、(■)および/または(ff)
がディスプレイのコントラストを改良するための液晶ベ
ース混合物への新たな成分Cとして提案されている: [式中、には6〜14の整数、Iは2〜14の整数であ
りうる]: [式中、輸は5〜14の整数、lは2〜14の整数であ
りうる1: [式中、pは7〜14の整数、rは4〜14の整数であ
りうる]: E式中、Sは6〜14の111(,tは6〜14の整数
でありうる]:および [式中、R2は直鎖もしくは分枝鎖のC1〜Co2アル
キルまたはアルクニルであり、1個または2個の非隣接
CH,基はOおよび/またはS原子によって置換するこ
とができる、 YはF、CI、Br、CNまたはCF、であり、RIは
分枝tit c s〜C9アルキル、ベンジルまたはフ
ェニルである]。
)、(VW)、(■)、(■)および/または(ff)
がディスプレイのコントラストを改良するための液晶ベ
ース混合物への新たな成分Cとして提案されている: [式中、には6〜14の整数、Iは2〜14の整数であ
りうる]: [式中、輸は5〜14の整数、lは2〜14の整数であ
りうる1: [式中、pは7〜14の整数、rは4〜14の整数であ
りうる]: E式中、Sは6〜14の111(,tは6〜14の整数
でありうる]:および [式中、R2は直鎖もしくは分枝鎖のC1〜Co2アル
キルまたはアルクニルであり、1個または2個の非隣接
CH,基はOおよび/またはS原子によって置換するこ
とができる、 YはF、CI、Br、CNまたはCF、であり、RIは
分枝tit c s〜C9アルキル、ベンジルまたはフ
ェニルである]。
新規な液晶材料の提供における既存の混合物によって成
功が達成されているにも拘らず、液晶ベース混合物の開
発、特に強誘電性液晶ベース混合物の開発は完成したこ
とはまだ見なすことができない。ディスプレイ要素の製
造業者4よ広範囲な種 々な混合物に関心を有している
。このことの他の理由は、特に、液晶混合物とディスプ
レイまたはセルの個々の成分(例えば配向層の成分)と
の相互作用が液晶混合物の質に関する結論の導出を可能
−21= にする。
功が達成されているにも拘らず、液晶ベース混合物の開
発、特に強誘電性液晶ベース混合物の開発は完成したこ
とはまだ見なすことができない。ディスプレイ要素の製
造業者4よ広範囲な種 々な混合物に関心を有している
。このことの他の理由は、特に、液晶混合物とディスプ
レイまたはセルの個々の成分(例えば配向層の成分)と
の相互作用が液晶混合物の質に関する結論の導出を可能
−21= にする。
それ故、上記基準のできるだけ多くを満たし、特に低融
点を有し、ディスプレイに改良されたコントラストを生
し、特に用途に合せて調節された液晶相幅を好ましい相
配列と共に有し、ディスプレイでの冷却時に最低可能温
度においてのみ結晶するかまたは、特に好ましくはもは
や結晶化しない(結晶温度く融点)ような液晶ベース混
合物用に、また強誘電性液晶混合物用に適切な成分の組
成物を提供することが、本発明の目的である。
点を有し、ディスプレイに改良されたコントラストを生
し、特に用途に合せて調節された液晶相幅を好ましい相
配列と共に有し、ディスプレイでの冷却時に最低可能温
度においてのみ結晶するかまたは、特に好ましくはもは
や結晶化しない(結晶温度く融点)ような液晶ベース混
合物用に、また強誘電性液晶混合物用に適切な成分の組
成物を提供することが、本発明の目的である。
本発明の1つの対象は成分Aとしてドイツ特許第3,8
31,226号からの化合物、および望ましい場合には
、成分Bとしてドイツ特許第3゜009.356号から
の1種類以上のカルボキシレート、ならびに望ましい場
合には、成分りとして式(XI)および/または(XI
I)の少なくとも1種類のカルボキシレートを含む、下
記で定義する液晶ベース混合物である。
31,226号からの化合物、および望ましい場合には
、成分Bとしてドイツ特許第3゜009.356号から
の1種類以上のカルボキシレート、ならびに望ましい場
合には、成分りとして式(XI)および/または(XI
I)の少なくとも1種類のカルボキシレートを含む、下
記で定義する液晶ベース混合物である。
本発明の他の対象はさらに成分Cとして光学的活性ドー
ピング物質を含むような液晶混合物である。
ピング物質を含むような液晶混合物である。
本発明による混合物は成分Aとして、ピリジン 環に
結合したアルコキシ基が一定の長さを有し、フェニル環
に位置するアルコキシラジカルが各場合に炭素数2だけ
変化する、式(1)の少なくとも2種類の5−アルコキ
シ−2−(アルコキシフェニル)¥ピリミジンおよび任
意に式(II)および/または式(mV)の化合物;望
ましい場合には成分Bとして式(V)、(Vl)、(■
)、(■)および(II>の1種類以上のカルボキシレ
ート:望ましい場合には成分Cとして、次の物質: 8) α−クロロカルボン酸とメソゲニックフェノール
との光学活性エステル、 b) N−アシルプロリンの光学活性エステル、c)
1.3−ジオキソラン−4−カルボン酸の光学活性
エステル、 6)オキシラン−2−カルボン酸の光学活性エステル、 8) テトラしドロフラン−2−カルボン酸とメソゲニ
ックフェノールとの光学活性エステル、f) 光字活性
アリール2.3−エポキシアルキルエーテル、 g) 光学活性1.3−ジオキソラン−4−イルエーテ
ルから成る群から選択した1種類以上の光学活性ドーピ
ング物質 ならびにさらに成分りとして、式XIまたはXUの少な
くとも1種類のカルボキシレートを含む、成分Aとして
式(…)の化合物を含まず、成分Bとして式(■)およ
び(■)の化合物を含まない液晶混合物が好ましい。
結合したアルコキシ基が一定の長さを有し、フェニル環
に位置するアルコキシラジカルが各場合に炭素数2だけ
変化する、式(1)の少なくとも2種類の5−アルコキ
シ−2−(アルコキシフェニル)¥ピリミジンおよび任
意に式(II)および/または式(mV)の化合物;望
ましい場合には成分Bとして式(V)、(Vl)、(■
)、(■)および(II>の1種類以上のカルボキシレ
ート:望ましい場合には成分Cとして、次の物質: 8) α−クロロカルボン酸とメソゲニックフェノール
との光学活性エステル、 b) N−アシルプロリンの光学活性エステル、c)
1.3−ジオキソラン−4−カルボン酸の光学活性
エステル、 6)オキシラン−2−カルボン酸の光学活性エステル、 8) テトラしドロフラン−2−カルボン酸とメソゲニ
ックフェノールとの光学活性エステル、f) 光字活性
アリール2.3−エポキシアルキルエーテル、 g) 光学活性1.3−ジオキソラン−4−イルエーテ
ルから成る群から選択した1種類以上の光学活性ドーピ
ング物質 ならびにさらに成分りとして、式XIまたはXUの少な
くとも1種類のカルボキシレートを含む、成分Aとして
式(…)の化合物を含まず、成分Bとして式(■)およ
び(■)の化合物を含まない液晶混合物が好ましい。
成分りとして式(XI)の少なくとも1種類のカルボキ
シレートと式(xi>の少なくとも1種類のカルボキシ
レートとの両方を含む液晶(LC)混合物が特に好まし
い。
シレートと式(xi>の少なくとも1種類のカルボキシ
レートとの両方を含む液晶(LC)混合物が特に好まし
い。
成分りとして、式(X1m) :
[式中aとbは相互に独立的に2〜14の整数である]
で示される少なくとも1種類のアルカノイルオキシ−2
−(4°−アルコキシフェニル)¥ピリミジンを含むL
C混合物も同様に特に好ましい。
−(4°−アルコキシフェニル)¥ピリミジンを含むL
C混合物も同様に特に好ましい。
成分りとして、式(XIb):
E式中、aとbは相互に独立的に2〜14の整数である
] で示される少なくとも1種類の2−(4”−アルカノイ
ルオキシフェニル)−ピリミジン−5−イルアルカノエ
ートを含む液晶混合物も好ましい。化合物(XIa)と
(XIb)の両方の種類は、#I造式■。
] で示される少なくとも1種類の2−(4”−アルカノイ
ルオキシフェニル)−ピリミジン−5−イルアルカノエ
ートを含む液晶混合物も好ましい。化合物(XIa)と
(XIb)の両方の種類は、#I造式■。
1%、Vおよび■の化合物と比べて、Sc相の他に明白
なネマチック相を示し、そのために混合物の粘度を高め
ることなく、好ましいネマチック相範囲を調節するため
の付加的な成分として適しているという事実によって顕
著である。従って、これらの成分はドイツ特許第3,8
31,226号からの混合物中のタイプ■の化合物の代
りに用いるなめに適している。
なネマチック相を示し、そのために混合物の粘度を高め
ることなく、好ましいネマチック相範囲を調節するため
の付加的な成分として適しているという事実によって顕
著である。従って、これらの成分はドイツ特許第3,8
31,226号からの混合物中のタイプ■の化合物の代
りに用いるなめに適している。
本発明による混合物は特に低い融点およびその他の上記
性質を有するので、電気光学的切換え要素およびディス
プレイ要素への使用に適している。
性質を有するので、電気光学的切換え要素およびディス
プレイ要素への使用に適している。
本発明の他の対象は式(X I ):
E式中、
−y−一−cu2−.−o−,−s−。
C1+1
、.14−=−si−,−0−,−CH2−■
CI。
NH,。
c=1〜12の整数、
d=o〜6の整数。
e=2〜9の整数、
但し、MがCH2であり、dが零であり、RはHもしく
はCH,以外であるかまたはMはCH2であってはなら
ない、MがCH□以外であるならば、dは零より大きく
なければならない]で示されるトランス−シクロヘキサ
ンカルボキシレートの液晶混合物への使用である。
はCH,以外であるかまたはMはCH2であってはなら
ない、MがCH□以外であるならば、dは零より大きく
なければならない]で示されるトランス−シクロヘキサ
ンカルボキシレートの液晶混合物への使用である。
式(XII)タイプのシクロヘキサンカルボン酸の混合
物成分としての使用は特に有利であることが意外にも実
証された。このように、この化合物の1種類の5〜40
%の添加さえもが融点を顕著に下げ、ネマチック相を3
〜30℃拡大し、Sc相を1〜15℃まで増大させる。
物成分としての使用は特に有利であることが意外にも実
証された。このように、この化合物の1種類の5〜40
%の添加さえもが融点を顕著に下げ、ネマチック相を3
〜30℃拡大し、Sc相を1〜15℃まで増大させる。
それ故、これらの物質は一方ではSc相範囲(従って適
用範囲)を拡大し、他方ではネマチック相の範囲を拡大
するために極めて適している。後者はしばしば、強誘電
性サンプルが完全に配向されるという結果を生ずる。
用範囲)を拡大し、他方ではネマチック相の範囲を拡大
するために極めて適している。後者はしばしば、強誘電
性サンプルが完全に配向されるという結果を生ずる。
式(Xll)の化合物の使用は本発明による混合物に低
融点をもたらすのみでなく、意外にも結晶化温度の低下
ををももたらす。
融点をもたらすのみでなく、意外にも結晶化温度の低下
ををももたらす。
この場合に式(XIIa)および式(XIIb):[式
中、R1は炭素数6〜16のアルキルラジカルであり、
ピリジンに結合した−CH2−単位は−〇−によって置
換することもできる1:E式中、R,は炭素数1〜6の
アルキルラジカルであり、R3は炭素数2〜6のアルキ
レンラジカル2フー であり、ピリミジンに結合した−CH2−単位は−〇−
によって置換することもできる]によって示される化合
物を用いることが好ましい。
中、R1は炭素数6〜16のアルキルラジカルであり、
ピリジンに結合した−CH2−単位は−〇−によって置
換することもできる1:E式中、R,は炭素数1〜6の
アルキルラジカルであり、R3は炭素数2〜6のアルキ
レンラジカル2フー であり、ピリミジンに結合した−CH2−単位は−〇−
によって置換することもできる]によって示される化合
物を用いることが好ましい。
本発明を次の実施例によってさらに説明する。
8》 次の6成分:
の混合物は次の液晶相範囲を示す:
18 Sc84 SA87 N 93 Ib)これに比
べて、式(XI)タイプの化合物を含まない事実によっ
てのみ上記混合物とは異なるトイツ特許第3.831.
22ロー3号で特許請求された液晶混合物は次の相範囲
を示す: X 13 Sc81 SA95 N 981式(XI)
タイプの化合物の添加は明らかにネマチック相の拡大と
融点の5℃の低下をもたらす。
べて、式(XI)タイプの化合物を含まない事実によっ
てのみ上記混合物とは異なるトイツ特許第3.831.
22ロー3号で特許請求された液晶混合物は次の相範囲
を示す: X 13 Sc81 SA95 N 981式(XI)
タイプの化合物の添加は明らかにネマチック相の拡大と
融点の5℃の低下をもたらす。
匠λ
8》 次の5成分:
の混合物は次の液晶相範囲を示す:
X 10 Sc85 SA918961b)これに比べ
て、式(XI)タイプの化合物を含まないという事実の
みによって上記混合物とは異なるドイツ特許3,831
,226.3号に特許請求されている液晶混合物は次の
相範囲を示す:X 13 SC80SA95 N 98
1従って式(XI)タイプの成分の添加はネマチック相
の拡大と融点の5℃の低下とをもたらす。
て、式(XI)タイプの化合物を含まないという事実の
みによって上記混合物とは異なるドイツ特許3,831
,226.3号に特許請求されている液晶混合物は次の
相範囲を示す:X 13 SC80SA95 N 98
1従って式(XI)タイプの成分の添加はネマチック相
の拡大と融点の5℃の低下とをもたらす。
8》 次の5成分:
の混合物は次の液晶相範囲を示す:
X 11 Sc81 SA87 N 931b)これに
比べて、式(X I b)タイプの化合物を含まない事
実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3,8
31,226.3号に特許請求されている液晶混合物は
次の相範囲を示す:X 13 Sc81 SA95
N 98 1式(X I b)タイプの成分の添加は明
らかにネマチック相の拡大と融点の低下をもたらす。
比べて、式(X I b)タイプの化合物を含まない事
実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3,8
31,226.3号に特許請求されている液晶混合物は
次の相範囲を示す:X 13 Sc81 SA95
N 98 1式(X I b)タイプの成分の添加は明
らかにネマチック相の拡大と融点の低下をもたらす。
8》 次の5成分:
5−オクチルオキシ−2−(4−へキシルオキシフェニ
ル)¥ピリミジン 22.3ie$ジフェニル)
¥ピリミジン 23.6モに!の混合物は
次の液晶相範囲を示す: X 11 Sc91 SA97 N 1111b)これ
に比べて、式(XII)の成分を含まない事実のみによ
って上記混合物とは異なるドイツ特許3.831,22
6.3号に特許請求された液晶混合物は次の相範囲を示
す: X 135C81SA95 N 98 1式(XII)
の化合物の添加は明らかにネマチック相の拡大と融点の
2℃の低下とをもたらす。
ル)¥ピリミジン 22.3ie$ジフェニル)
¥ピリミジン 23.6モに!の混合物は
次の液晶相範囲を示す: X 11 Sc91 SA97 N 1111b)これ
に比べて、式(XII)の成分を含まない事実のみによ
って上記混合物とは異なるドイツ特許3.831,22
6.3号に特許請求された液晶混合物は次の相範囲を示
す: X 135C81SA95 N 98 1式(XII)
の化合物の添加は明らかにネマチック相の拡大と融点の
2℃の低下とをもたらす。
a) 次の4成分:
の混合物は次の液晶相範囲を示す
X 19 Sc76 SA91 N 100 Ib)こ
れに比べて、式(XI)タイプの混合物を含まない事実
のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3,83
1,226.3号で特許請求された液晶混合物は次の相
範囲を示す: 122 Sc84 SA95 N 971従って、式(
XII)タイプの化合物の添加はネマチック相の拡大と
融点の低下をもたらす。
れに比べて、式(XI)タイプの混合物を含まない事実
のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3,83
1,226.3号で特許請求された液晶混合物は次の相
範囲を示す: 122 Sc84 SA95 N 971従って、式(
XII)タイプの化合物の添加はネマチック相の拡大と
融点の低下をもたらす。
8》 次の9成分:
の混合物は次の液晶相範囲を示す:
X −6SC70SA75 N 80.51b)これに
比べて、式(X I )タイプの化合物を含まない事実
のみによって上記混合物とは異なるドイラ特許3,83
1,226.3号に特許請求された液晶混合物は次の相
範囲を示す: ! −4Sc 83−5 SA フ4−5
N 79 1式(XI)タイプの化合物の添加は明ら
かに融点の低下をもたらす。
比べて、式(X I )タイプの化合物を含まない事実
のみによって上記混合物とは異なるドイラ特許3,83
1,226.3号に特許請求された液晶混合物は次の相
範囲を示す: ! −4Sc 83−5 SA フ4−5
N 79 1式(XI)タイプの化合物の添加は明ら
かに融点の低下をもたらす。
8)次の4成分:
の混合物は次の液晶相範囲を示す:
X 19 Sc79 N 1021
10℃/分の冷却速度で、この物質は−3℃の温度で結
晶化する。
晶化する。
b)これに比べて、式(xn>タイプの化合物を含まな
い事実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3
,831,226.3号に特許請求された液晶混合物は
次の相範囲を示す: ! 21.5 Sc 85 SA95 N 97.5
仕記条件下で、この混合物は12℃において結晶化する
。式(Xll)タイプの本発明による化合物は、融点の
低下と結晶化温度の明白な低下の両方と永マチック相範
囲の拡大をももたらす。
い事実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3
,831,226.3号に特許請求された液晶混合物は
次の相範囲を示す: ! 21.5 Sc 85 SA95 N 97.5
仕記条件下で、この混合物は12℃において結晶化する
。式(Xll)タイプの本発明による化合物は、融点の
低下と結晶化温度の明白な低下の両方と永マチック相範
囲の拡大をももたらす。
0) 比較例7bにおいて、式(XI)タイプの化合物
の代わりに次の化合物: キシレート 25モル%を含む他の比較混合物は次の相を示す:X
26 Scas N 1161 例7aと同じ条件下で、このサンプルは10℃において
結晶化する。
の代わりに次の化合物: キシレート 25モル%を含む他の比較混合物は次の相を示す:X
26 Scas N 1161 例7aと同じ条件下で、このサンプルは10℃において
結晶化する。
本発明による混合物7aは、低い融点をもち、非常に低
い温度においてのみ結晶化するという利点を有する。
い温度においてのみ結晶化するという利点を有する。
8》 次の7成分:
の混合物は次の液晶相を示す:
! −4Sc75 SA81 N 851b)これに比
べて、式(XI)タイプの化合物を含まない事実のみに
よって上記混合物とは異なるドイツ特許3,831.2
26号で特許請求された液晶混合物は次の相範囲を示す
: XフSc63 SA74 N 881 従って、式(X I )タイプの化合物の添加は、融=
3ロー 点の明白な低下をもたらす。
べて、式(XI)タイプの化合物を含まない事実のみに
よって上記混合物とは異なるドイツ特許3,831.2
26号で特許請求された液晶混合物は次の相範囲を示す
: XフSc63 SA74 N 881 従って、式(X I )タイプの化合物の添加は、融=
3ロー 点の明白な低下をもたらす。
8》 次の7成分:
の混合物は次の液晶相範囲を示す:
X −2Sc 77.5N961
b)これに比べて、式(XI)タイプの化合物を含まな
い事実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3
,831,226号に特許請求された液晶混合物は次の
相範囲を示す: X 2.5 S、 75 SA80 N 981式(X
I)タイプの化合物の添加は、融点の低下ネマチック相
の拡大をもたらす。
い事実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3
,831,226号に特許請求された液晶混合物は次の
相範囲を示す: X 2.5 S、 75 SA80 N 981式(X
I)タイプの化合物の添加は、融点の低下ネマチック相
の拡大をもたらす。
例1」−
8》 次の7成分ニ
オキシフェニル)¥ピリミジン 7.5t#$
5−オクチル−2−(4−ドデシルオキシフェニル)¥
ピリミジン 11.1tl$シレート
1フ、7モル2(X1)
タイプの化合物 15モル2の混合物
は次の液晶相範囲を示す: ! −11SC75N 941 h)これに比べて、式(XI)タイプの化合物を含まな
い事実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3
,831.226号で特許請求された液晶混合物は次の
相範囲を示す: ! −9SC72SA76 N 961成分XIの添加
は明らかに融点の低下をもたらす。
5−オクチル−2−(4−ドデシルオキシフェニル)¥
ピリミジン 11.1tl$シレート
1フ、7モル2(X1)
タイプの化合物 15モル2の混合物
は次の液晶相範囲を示す: ! −11SC75N 941 h)これに比べて、式(XI)タイプの化合物を含まな
い事実のみによって上記混合物とは異なるドイツ特許3
,831.226号で特許請求された液晶混合物は次の
相範囲を示す: ! −9SC72SA76 N 961成分XIの添加
は明らかに融点の低下をもたらす。
霞」」−
8》 液晶混合物を
例6aからの混合物80モ8%と、
から構成する。これは次の液晶相範囲を示す:X−14
Sc 79N951 10℃/分の冷却速度における結晶化温度は−28℃で
ある。
Sc 79N951 10℃/分の冷却速度における結晶化温度は−28℃で
ある。
例6aに比べて、式(Xll)タイプの成分の添加は融
点の低下とネマチック相範囲の拡大をもたらす。
点の低下とネマチック相範囲の拡大をもたらす。
5》 次の混合物は比較に用いる:
例6aからの混合物 8領Uπ
これは次の相範囲を示す:
X 18 Sc72.8 N 961
上記条件下での結晶化温度は−13℃である。
従って、本発明による式(Xll)タイプの成分の使用
は式(I)タイプの同様な成分の使用と比較して明白な
利点を有する。このように、式(XII)タイプの成分
を用いると、低い融点と明白に低い結晶化温度が観察さ
れる。
は式(I)タイプの同様な成分の使用と比較して明白な
利点を有する。このように、式(XII)タイプの成分
を用いると、低い融点と明白に低い結晶化温度が観察さ
れる。
匠Yλ
混合物を
例7bからの混合物 80毫身2
[式(XI)タイプの化合物]20毫身2から構成する
。これは次の液晶相範囲を示す:X 17 Sc87
SA91 N 961例7bからの混合物と比較すると
、式(XI)タイプの化合物の添加は融点の4.5℃の
低下をもたらす。
。これは次の液晶相範囲を示す:X 17 Sc87
SA91 N 961例7bからの混合物と比較すると
、式(XI)タイプの化合物の添加は融点の4.5℃の
低下をもたらす。
桝」ニド
混合物を
例12からの混合物 80tl$と
から構成する。これは次の相範囲を示す:X 15 S
c87 N 1111 例12からの混合物を比較すると、成分XUの添加は融
点の低下とネマチック相の幅の増加をもたらす。
c87 N 1111 例12からの混合物を比較すると、成分XUの添加は融
点の低下とネマチック相の幅の増加をもたらす。
儒ユAユ
8》次の5或分:
シルオキシフェニル)¥ピリミジン ZJ、Hti$
オキシフェニル)¥ピリミジン 20モkgの混
合物は次の液晶相範囲を示す: X 10 SC寡 85 SA寡 90
N寡 98 1b)これに比べて、ドーピング物質を含
まない事実のみによって上記強誘電性混合物とは異なる
ドイツ特許第A−3,831,226,3号による液晶
混合物は次の相範囲を示す: X 13 Sc 81 SA 95 N 981これと
比較すると、この強誘電性混合物は3℃低い融点を示す
: 匠LΣ 混合物を 例10bからの混合物 85モル2と、から構成する、
これは次の液晶相範囲を示す:X −14SC75N
961 式(XII)タイプの成分の添加は明らかに融点の5℃
の低下をもたらす。
オキシフェニル)¥ピリミジン 20モkgの混
合物は次の液晶相範囲を示す: X 10 SC寡 85 SA寡 90
N寡 98 1b)これに比べて、ドーピング物質を含
まない事実のみによって上記強誘電性混合物とは異なる
ドイツ特許第A−3,831,226,3号による液晶
混合物は次の相範囲を示す: X 13 Sc 81 SA 95 N 981これと
比較すると、この強誘電性混合物は3℃低い融点を示す
: 匠LΣ 混合物を 例10bからの混合物 85モル2と、から構成する、
これは次の液晶相範囲を示す:X −14SC75N
961 式(XII)タイプの成分の添加は明らかに融点の5℃
の低下をもたらす。
手続補正書彷式)
2、発明の名称
液晶混合物
3、補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、成分Aとして、式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、アルキルラジカルはnが6〜14の整数であり
、xが2〜14の整数である直鎖アルキルラジカルであ
る、但し式( I )で表される混合成分においてnは一
定であり、xは各場合に少なくともΔx=2だけ異なる
] で表される少なくとも2種類の5−アルコキシ−2−(
アルコキシフェニル)−ピリミジン、および任意に式(
II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、R^1は炭素数10〜16のアルキルラジカル
または炭素数8〜14のアルコキシラジカルであり、R
^2は炭素数2〜9のアルキルラジカルである] で表される1種類以上のシクロヘキサンカルボキシレー
ト、および任意に、式(IV): ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) [式中、mとpは相互に独立的に6〜14の整数である
] で表される1種類以上のアルキル−ピリミジン−アルコ
キシフェニル誘導体 を含有し、 さらに成分Bとして、式(V)、(VI)、(VII)、(
VIII)または(IX): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) [式中、kは6〜14の整数、およびlは2〜14の整
数でありうる]、 ▲数式、化学式、表等があります▼(VI) [式中、mは5〜14の整数、およびlは2〜14の整
数でありうる]、 ▲数式、化学式、表等があります▼(VII) [式中、pは7〜14の整数、およびrは4〜14の整
数でありうる]、 ▲数式、化学式、表等があります▼(VIII) [式中、sは6〜14の整数であり、tは6〜14の整
数でありうる]、および ▲数式、化学式、表等があります▼(IX) [式中、R^2=直鎖または分枝鎖C_1−C_1_2
アルキルまたはアルケニルであり、1個または2個の非
隣接CH_2基はOおよび/またはS原子によって置換
されうる、Y=F、Cl、Br、CNまたはCF_3で
あり、R^1=分枝鎖C_3−C_9アルキル、ベンジ
ルまたはフェニルである] によって表される1種類以上のカルボキシレートを任意
に含有し、または 成分Cとして、次の物質: a)α−クロロカルボン酸とメソゲニックフェノールと
の光学活性エステル、 b)N−アシルプロリンの光学活性エステル、 c)1,3−ジオキソラン−4−カルボン酸の光学活性
エステル、 d)オキシラン−2−カルボン酸の光学活性エステル、 e)テトラヒドロフラン−2−カルボン酸とメソゲニッ
クフェノールとの光学活性エステル、 f)光学活性アリール2,3−エポキシアルキルエーテ
ル、および g)光学活性1,3−ジオキソラン−4−イルエーテル
から成る群から選択した光学活性化合物を任意に含有し
、さらに 成分Dとして、式(X I ): ▲数式、化学式、表等があります▼(X I ) [式中、aとbは相互に独立的に2〜14の整数であり
、 ▲数式、化学式、表等があります▼または−O−基であ
る] で表される少なくとも1種類のカルボキシレート、およ
び/または式(XII): ▲数式、化学式、表等があります▼(XII) [式中、−A−=▲数式、化学式、表等があります▼、
▲数式、化学式、表等があります▼ −Y−=−CH_2−、−O−、−S−、 ▲数式、化学式、表等があります▼、−O−、CH_2
− ▲数式、化学式、表等があります▼、−O−、−CH_
2− −R=−H、−CH_3、▲数式、化学式、表等があり
ます▼、 c=1〜12の整数、 d=0〜6の整数、 e=2〜9の整数、 但し、MがCH_2、dが零である場合に、Aが▲数式
、化学式、表等があります▼であるならば、 RはHまたはCH_3以外の基である、さもなくばMは
CH_2であってはならない、 MがCH_2以外の基である場合には、 dは零より大でなければならない] で表される1種類以上のトランス−シクロヘキサン−カ
ルボキシレートを含む 液晶混合物。 2、成分Aとして式(II)の化合物を含まず、成分Bと
して式(VII)および式(VIII)の化合物を含まない、
請求項1記載の液晶混合物。 3、成分Dとして、式(X I )タイプの化合物の他に
少なくとも1種類の式(XII)タイプの化合物を含む、
請求項2記載の液晶混合物。 4、成分Dとして、構造式(X I ): ▲数式、化学式、表等があります▼(X I a) [式中、aとbは相互に独立的に2〜14の整数である
] で表される5−アルカノイルオキシ−2−(4’−アル
コキシフェニル)−ピリミジンを含む請求項1または2
記載の液晶混合物。 5、成分Dとして、構造式(X I b): ▲数式、化学式、表等があります▼(X I b) [式中、aとbは相互に独立的に2〜14の整数である
] で表される2−(4’−アルカノール−オキシフェニル
)−ピリミジン−5−イルアルカノエートを含む請求項
1記載の液晶混合物。 6、成分Dとして、構造式(XII)で表されるシクロヘ
キサンカルボキシレートを含む、請求項1または2記載
の液晶混合物。 7、請求項1記載の液晶混合物を含有する電気光学要素
。 8、請求項1〜6のいずれかに記載の液晶混合物の電気
光学切換え要素およびディスプレイ要素への使用。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3925971.4 | 1989-08-05 | ||
DE3925971A DE3925971A1 (de) | 1989-08-05 | 1989-08-05 | Fluessigkristalline, insbesondere ferroelektrische fluessigkristalline mischungen und ihre verwendung in elektrooptischen vorrichtungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03149289A true JPH03149289A (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=6386596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2209064A Pending JPH03149289A (ja) | 1989-08-05 | 1990-08-06 | 液晶混合物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0412409A3 (ja) |
JP (1) | JPH03149289A (ja) |
KR (1) | KR910004779A (ja) |
DE (1) | DE3925971A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2508125B2 (ja) * | 1986-09-09 | 1996-06-19 | 味の素株式会社 | フェニルピリミジン化合物及びこれを含有してなる液晶組成物 |
DE3731639A1 (de) * | 1987-09-19 | 1989-03-30 | Hoechst Ag | Fluessigkristalline phenylpyrimidin-cyclohexancarbonsaeureester, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung in fluessigkristallmischungen |
ATE100132T1 (de) * | 1987-09-19 | 1994-01-15 | Hoechst Ag | Fluessigkristalline, insbesondere ferroelektrische fluessigkristalline mischungen. |
CN1022409C (zh) * | 1987-11-25 | 1993-10-13 | 赫彻斯特股份公司 | 液晶环丙基烷基杂环化合物制备方法 |
-
1989
- 1989-08-05 DE DE3925971A patent/DE3925971A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-07-31 EP EP19900114644 patent/EP0412409A3/de not_active Withdrawn
- 1990-08-03 KR KR1019900011913A patent/KR910004779A/ko not_active Application Discontinuation
- 1990-08-06 JP JP2209064A patent/JPH03149289A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3925971A1 (de) | 1991-02-07 |
KR910004779A (ko) | 1991-03-29 |
EP0412409A2 (de) | 1991-02-13 |
EP0412409A3 (en) | 1991-12-11 |
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