JPH03148854A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH03148854A JPH03148854A JP28834889A JP28834889A JPH03148854A JP H03148854 A JPH03148854 A JP H03148854A JP 28834889 A JP28834889 A JP 28834889A JP 28834889 A JP28834889 A JP 28834889A JP H03148854 A JPH03148854 A JP H03148854A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- -1 argon ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ζ友 高い信頼性を持つスルーホールコンタクト
電極を形成することのできる半導体集積回路装置の製造
方法に関するものであ４ 従来の技術 半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、スルーホー
ル（第１層アルミニウム配線−第２層アルミニウム配線
間の接続孔）のアスペクト比が増大し、第２Ｊｌアルミ
ニウム配線の段差被覆性が低下するという問題が生じて
（る。特にアスペクト比が１程度になると、段差被覆性
（平坦部の配線膜厚とコンタクト部の配線膜厚の比率）
がＩＯ％程度になり、配線の信頼性の低下が非常に問題
となって（る。
電極を形成することのできる半導体集積回路装置の製造
方法に関するものであ４ 従来の技術 半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、スルーホー
ル（第１層アルミニウム配線−第２層アルミニウム配線
間の接続孔）のアスペクト比が増大し、第２Ｊｌアルミ
ニウム配線の段差被覆性が低下するという問題が生じて
（る。特にアスペクト比が１程度になると、段差被覆性
（平坦部の配線膜厚とコンタクト部の配線膜厚の比率）
がＩＯ％程度になり、配線の信頼性の低下が非常に問題
となって（る。
従来、このような問題を解決するために、テーパーエッ
チによりスルーホールを形成し、第２層配線の段差被覆
性を向上させるという技術がある（Ｔｏｍｉｏｋａ、Ｈ
，，Ｔａｎａｂｅ、Ｓ、ａｎｄｌＩｚｕｋａｒ１．に。
チによりスルーホールを形成し、第２層配線の段差被覆
性を向上させるという技術がある（Ｔｏｍｉｏｋａ、Ｈ
，，Ｔａｎａｂｅ、Ｓ、ａｎｄｌＩｚｕｋａｒ１．に。
、 ”Ａ ＮｅｗＲｅｌｆａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｏｂｌ
ｅｍ Ａｓｉｇｏｃｌａｔｅｄ ｗｌｔｈ Ａｒ ｆａ
ｎＳｐｕｔｔｅｒ Ｃｌｅａｎｌｎｇ ｏｆ Ｉ
ｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｖ１ａｓ、” （第２
７回 アニユアル プロシーリング りライアビリティ
フィジックス） ２７ｔｈ Ａｎｎｕａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｅｄｔｙｓ Ｒｅｌｌａｂｌｌｌｔｙ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ １９Ｂ！、ムｐｒ、１９ｇ！、：）＠こアルミニウ
ム配線の段差被覆性が向上するので、高い信頼性を持つ
スルーホールコンタクト電極ヲ形成することができる。
ｅｍ Ａｓｉｇｏｃｌａｔｅｄ ｗｌｔｈ Ａｒ ｆａ
ｎＳｐｕｔｔｅｒ Ｃｌｅａｎｌｎｇ ｏｆ Ｉ
ｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｖ１ａｓ、” （第２
７回 アニユアル プロシーリング りライアビリティ
フィジックス） ２７ｔｈ Ａｎｎｕａｌ Ｐｒｏｃ
ｅｅｄｔｙｓ Ｒｅｌｌａｂｌｌｌｔｙ Ｐｈｙｓｉｃ
ｓ １９Ｂ！、ムｐｒ、１９ｇ！、：）＠こアルミニウ
ム配線の段差被覆性が向上するので、高い信頼性を持つ
スルーホールコンタクト電極ヲ形成することができる。
ここで、その製造方法を第２図（Ａ）〜（Ｄ）に示す。
まず、シリコン基板仕に第１のシリコン酸化Ｈ２を形成
し、その後、第１のシリコン酸化Ｉ！Ｘ２上に第１層ア
ルミニウム配ａ３を形成する。この時、第１層アルミニ
ウム配線３の表面にはアルミニウムの自然酸化膜４が形
成される。さらに第１層アルミニウム配線３上に順次、
第２のシリコン酸化膜５、レジストパターン６を形成す
る（第２図（Ａ））。次にレジストパターン６をマスク
として、第２のシリコン酸化膜５を下ライエッチング法
により除去し、テーバーを持つスルーホールを形成し、
その後、レジストパターン６を除去する（第２図（Ｂ）
）。
し、その後、第１のシリコン酸化Ｉ！Ｘ２上に第１層ア
ルミニウム配ａ３を形成する。この時、第１層アルミニ
ウム配線３の表面にはアルミニウムの自然酸化膜４が形
成される。さらに第１層アルミニウム配線３上に順次、
第２のシリコン酸化膜５、レジストパターン６を形成す
る（第２図（Ａ））。次にレジストパターン６をマスク
として、第２のシリコン酸化膜５を下ライエッチング法
により除去し、テーバーを持つスルーホールを形成し、
その後、レジストパターン６を除去する（第２図（Ｂ）
）。
次にコンタクト抵抗を低くするために、アルゴン（Ａｒ
）スパッタエッチを行い、第１層アルミニウム配線３の
表面の自然酸化膜４を除去し、スルーホールコンタクト
底部のアルミニウム３を露出させる。この時、アルゴン
イオンフによってスルーホール側壁部の′Ｍ２のシリコ
ン酸化膜５がスパッタエッチさ札 スルーホール底部に
付着しコンタクト面積が減少する（第２図（Ｃ））。
）スパッタエッチを行い、第１層アルミニウム配線３の
表面の自然酸化膜４を除去し、スルーホールコンタクト
底部のアルミニウム３を露出させる。この時、アルゴン
イオンフによってスルーホール側壁部の′Ｍ２のシリコ
ン酸化膜５がスパッタエッチさ札 スルーホール底部に
付着しコンタクト面積が減少する（第２図（Ｃ））。
次に第２のシリコン酸化膜５及びスルーホール上に第２
層アルミニウム配線９を形成する（第２図（Ｄ））。
層アルミニウム配線９を形成する（第２図（Ｄ））。
発明が解決しようとする課題
上記製造方法の問題点を第２図を用いて次に述べも 上
記製造方法において、アルゴンスパッタエッチをけう啄
アルゴンイオンフによってスルーホール側壁部の第２
のシリコン酸化膜５がスパッタエッチされ スルーホー
ル底部に付着するの℃ コンタクト面積が減少すａ コ
ンタクト面積が減少すると その分配線中の電流密度が
増加するのでエレクトロマイグレーシ町ン寿命が減少し
信頼性上問題とな４ 本発明は上述の課題に鑑みて為されたちのて高い信頼性
を持つスルーホールコンタクト電極を形成することので
きる半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目
的とす４ 課題を解決するための手段 本発明は上述の課題を解決するた八 半導体基板上に第
１の絶縁膜を形成する工程と 前記第１の絶縁膜上に第
１の導電膜による配線を形成する工程と 前記第１の導
電膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記ｊＩＩ２
の絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記第１の導電膜の
表面酸化膜をフッ素系ガスを添加した不活性ガスを用い
たスパッタエッチ法により除去する工程と 前記第２の
絶縁膜及び前記接続孔上に第２の導電膜による配線を形
成する工程とを備えたものであも 作用 本発明は上述の構成によって、フッ素系ガスを添加した
不活性ガス雰囲気中において、スパッタエッチ法により
接続孔底部の第１の導電膜による配線の自然酸化膜を除
去する隊 接続孔の側壁部の第２のシリコン酸化膜が不
活性ガスイオンによりスパッタエッチされて接続孔底部
に付着す翫この時、付着したＭ２のシリコン酸化膜はフ
ッ素系ガスによりエッチング除去されるのス 接続孔に
おける配線の断面積が減少することはなも〜 したがっ
て、電流密度が増加することがないのでエレクトロマイ
グレーシジン寿命が延へ 高い信頼性を持つ接続孔を形
成することができも実施例 ｆｉ１図（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ本発明の一実施例に
おける半導体集積回路装置の製造工程を示す断面図であ
ａ 以上 本発明の実施例を第１図（Ａ）〜（Ｄ）を用
いて説明すも まし シリコン基板ｌＯ上に第１のシリコン酸化膜１１
を０．７μａｌｌ！尾 第１層アルミニウム配線１２を
０．８／Ｊ１１！１１９［、第２のシリコン酸化１１１
４を０．８μｌ膜厚となるように順次形成すも この啄
第１層アルミニウム配線１２の表面に自然酸化膜１３が
形成されも また 第１のシリコン酸化膜１１はボロン
及びリンを含んだＩＬｊＪ！１層アルミニウム配線１２
はシリコンや銅を添加した膜を使用しても良く〜 また
第２のシリコン酸化膜１４ＣＬ 通常プラズマＣＶ
Ｄ法により形成されたものを使用すａ そのＡ スルー
ホールを形成するためのレジストパターン１５を形成す
る（第１図（Ａ））。次にレジストパターン１５をマス
クとして第２のシリコン酸化膜１４をドライエッチング
法により除去し テーパーを持つスルーホールを形成す
も その徽 プラズマアッシング法及び発煙硝酸により
レジストパターン１５を除去す４ この時、第２のシリ
コン酸化膜１４のドライエッチングにζ友 ＣＨＦ、と
０２の混合ガスを用いた反応性リアクティブイオンエッ
チング法を用い名（第１図（Ｂ））。次に平行平板型装
置の真空反応室内において、フッ素系ガスであるＮＦｓ
ガス１６を添加したアルゴンガスを導入し プラズマ放
電によるスパッタエッチを行賎 スルーホール底部の第
１層アルミニウム配線１２の表面の自然酸化膜を除去し
清浄なアルミニウム表面を露出させも この啄 スル
ーホール側壁部の第２のシリコン酸化膜１４がアルゴン
イオン１７によりスパッタされスルーホール底部に付着
す４ しかし シリコン酸化膜のエッチングガスである
ＮＦＩを添加しているの℃ スルーホール底部に付着す
る第２のシリコン酸化Ｍ１４を速やかに除去できも し
たがって、不純物のない良好な界面を持つスルーホール
コンタクトを形成でき４ な叙 添加ガスとしてＳＦ・
を用いても良い（第１図（Ｃ））。次に基板を大気にさ
らすことなく真空中におい℃ スパッタリング法により
第２のシリコン酸化膜１４及び第１層アルミニウム配線
１２上に第２層アルミニウム配線１８を形成する（第１
図（Ｄ））。
記製造方法において、アルゴンスパッタエッチをけう啄
アルゴンイオンフによってスルーホール側壁部の第２
のシリコン酸化膜５がスパッタエッチされ スルーホー
ル底部に付着するの℃ コンタクト面積が減少すａ コ
ンタクト面積が減少すると その分配線中の電流密度が
増加するのでエレクトロマイグレーシ町ン寿命が減少し
信頼性上問題とな４ 本発明は上述の課題に鑑みて為されたちのて高い信頼性
を持つスルーホールコンタクト電極を形成することので
きる半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目
的とす４ 課題を解決するための手段 本発明は上述の課題を解決するた八 半導体基板上に第
１の絶縁膜を形成する工程と 前記第１の絶縁膜上に第
１の導電膜による配線を形成する工程と 前記第１の導
電膜上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記ｊＩＩ２
の絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記第１の導電膜の
表面酸化膜をフッ素系ガスを添加した不活性ガスを用い
たスパッタエッチ法により除去する工程と 前記第２の
絶縁膜及び前記接続孔上に第２の導電膜による配線を形
成する工程とを備えたものであも 作用 本発明は上述の構成によって、フッ素系ガスを添加した
不活性ガス雰囲気中において、スパッタエッチ法により
接続孔底部の第１の導電膜による配線の自然酸化膜を除
去する隊 接続孔の側壁部の第２のシリコン酸化膜が不
活性ガスイオンによりスパッタエッチされて接続孔底部
に付着す翫この時、付着したＭ２のシリコン酸化膜はフ
ッ素系ガスによりエッチング除去されるのス 接続孔に
おける配線の断面積が減少することはなも〜 したがっ
て、電流密度が増加することがないのでエレクトロマイ
グレーシジン寿命が延へ 高い信頼性を持つ接続孔を形
成することができも実施例 ｆｉ１図（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ本発明の一実施例に
おける半導体集積回路装置の製造工程を示す断面図であ
ａ 以上 本発明の実施例を第１図（Ａ）〜（Ｄ）を用
いて説明すも まし シリコン基板ｌＯ上に第１のシリコン酸化膜１１
を０．７μａｌｌ！尾 第１層アルミニウム配線１２を
０．８／Ｊ１１！１１９［、第２のシリコン酸化１１１
４を０．８μｌ膜厚となるように順次形成すも この啄
第１層アルミニウム配線１２の表面に自然酸化膜１３が
形成されも また 第１のシリコン酸化膜１１はボロン
及びリンを含んだＩＬｊＪ！１層アルミニウム配線１２
はシリコンや銅を添加した膜を使用しても良く〜 また
第２のシリコン酸化膜１４ＣＬ 通常プラズマＣＶ
Ｄ法により形成されたものを使用すａ そのＡ スルー
ホールを形成するためのレジストパターン１５を形成す
る（第１図（Ａ））。次にレジストパターン１５をマス
クとして第２のシリコン酸化膜１４をドライエッチング
法により除去し テーパーを持つスルーホールを形成す
も その徽 プラズマアッシング法及び発煙硝酸により
レジストパターン１５を除去す４ この時、第２のシリ
コン酸化膜１４のドライエッチングにζ友 ＣＨＦ、と
０２の混合ガスを用いた反応性リアクティブイオンエッ
チング法を用い名（第１図（Ｂ））。次に平行平板型装
置の真空反応室内において、フッ素系ガスであるＮＦｓ
ガス１６を添加したアルゴンガスを導入し プラズマ放
電によるスパッタエッチを行賎 スルーホール底部の第
１層アルミニウム配線１２の表面の自然酸化膜を除去し
清浄なアルミニウム表面を露出させも この啄 スル
ーホール側壁部の第２のシリコン酸化膜１４がアルゴン
イオン１７によりスパッタされスルーホール底部に付着
す４ しかし シリコン酸化膜のエッチングガスである
ＮＦＩを添加しているの℃ スルーホール底部に付着す
る第２のシリコン酸化Ｍ１４を速やかに除去できも し
たがって、不純物のない良好な界面を持つスルーホール
コンタクトを形成でき４ な叙 添加ガスとしてＳＦ・
を用いても良い（第１図（Ｃ））。次に基板を大気にさ
らすことなく真空中におい℃ スパッタリング法により
第２のシリコン酸化膜１４及び第１層アルミニウム配線
１２上に第２層アルミニウム配線１８を形成する（第１
図（Ｄ））。
以上のように本実施例によれば フッ素系ガスを添加し
た不活性ガス雰囲気中においてスパッタエッチ法により
第１の導電［！１２による配線の表面の自然酸化膜１３
を除去するの℃ 接続孔の側壁部の第２の絶縁膜１４が
不活性ガス１７によりスパッタされ接続孔底部に付着し
てｋ フッ素系ガスにより速やかに除去できも したが
って、付着した第２の絶縁膜１４によって接続孔におけ
る配線の断面積が減少することがないの℃ 高い信頼性
を持つ接続孔を形成することが可能となａ発明の効果 以上の説明から明かなよう番ζ 本発明によれ匡高い信
頼性を持つ接続孔を形成することが可能となり、工業的
に極めて価値あるものであ４
た不活性ガス雰囲気中においてスパッタエッチ法により
第１の導電［！１２による配線の表面の自然酸化膜１３
を除去するの℃ 接続孔の側壁部の第２の絶縁膜１４が
不活性ガス１７によりスパッタされ接続孔底部に付着し
てｋ フッ素系ガスにより速やかに除去できも したが
って、付着した第２の絶縁膜１４によって接続孔におけ
る配線の断面積が減少することがないの℃ 高い信頼性
を持つ接続孔を形成することが可能となａ発明の効果 以上の説明から明かなよう番ζ 本発明によれ匡高い信
頼性を持つ接続孔を形成することが可能となり、工業的
に極めて価値あるものであ４
第１図は本発明の一実施例における半導体集積回路装置
の製造工程を示す断面ａ 第２図は従来の半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図であａ ｌＯ・・・シリコン基ｔ ｔｔ・・・第１のシリコン
酸化膜１２・・・第１層アルミニウム配ＩｉＬ１３・・
・自然酸化膜１４・・・第２のシリコン酸化ｊｌＬ
１５・・・レジストパターン、１６・・・ＮＦｓガス
１７・・・アルゴンイオン、１８・・・第１層アルミニ
ウム配線 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名富 ｌ 図 １°６． °ｌ ｌｏ・ｌ斗１５ｂｉｘｙ′−７Ｉ／
／ ／ ／／／／４／１４第２Φシソゴン酸イ
ｂ膜・・・１＼＼＼＼斗″ 第１図 １ １ １ ７１６ＮＦ３カス ・・・Ｎ＼＼＼ヰ・・ ト＼＼＼＼トｔｚ 第２図
の製造工程を示す断面ａ 第２図は従来の半導体集積回
路装置の製造工程を示す断面図であａ ｌＯ・・・シリコン基ｔ ｔｔ・・・第１のシリコン
酸化膜１２・・・第１層アルミニウム配ＩｉＬ１３・・
・自然酸化膜１４・・・第２のシリコン酸化ｊｌＬ
１５・・・レジストパターン、１６・・・ＮＦｓガス
１７・・・アルゴンイオン、１８・・・第１層アルミニ
ウム配線 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名富 ｌ 図 １°６． °ｌ ｌｏ・ｌ斗１５ｂｉｘｙ′−７Ｉ／
／ ／ ／／／／４／１４第２Φシソゴン酸イ
ｂ膜・・・１＼＼＼＼斗″ 第１図 １ １ １ ７１６ＮＦ３カス ・・・Ｎ＼＼＼ヰ・・ ト＼＼＼＼トｔｚ 第２図
Claims (1)
- 半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記
第１の絶縁膜上に第１の導電膜による配線を形成する工
程と、前記第１の導電膜上に第２の絶縁膜を形成する工
程と、前記第２の絶縁膜に接続孔を設ける工程と、前記
第１の導電膜の表面酸化膜をフッ素系ガスを添加した不
活性ガスを用いたスパッタエッチ法により除去する工程
と、前記第２の絶縁膜及び前記接続孔上に第２の導電膜
による配線を形成する工程とを備えた半導体集積回路装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28834889A JPH03148854A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28834889A JPH03148854A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148854A true JPH03148854A (ja) | 1991-06-25 |
Family
ID=17729043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28834889A Pending JPH03148854A (ja) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06169018A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-11-06 JP JP28834889A patent/JPH03148854A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06169018A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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