JPH03147386A - 変調器付き分布帰還型半導体レーザ - Google Patents
変調器付き分布帰還型半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH03147386A JPH03147386A JP28490389A JP28490389A JPH03147386A JP H03147386 A JPH03147386 A JP H03147386A JP 28490389 A JP28490389 A JP 28490389A JP 28490389 A JP28490389 A JP 28490389A JP H03147386 A JPH03147386 A JP H03147386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- modulator
- light
- distributed feedback
- laser oscillation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 42
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000012010 growth Effects 0.000 abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 101150110330 CRAT gene Proteins 0.000 description 1
- 241001663154 Electron Species 0.000 description 1
- 230000005699 Stark effect Effects 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、変調器付き分布帰還型半導体レーザに関する
。
。
［従来の技術］
従来の変調器付き分布帰還型半導体レーザは、Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ、 、 Ｖｏｌ、 ２５．３３４
（１９８９）等に記載されているように、変調器の光
吸収層が、分布帰還型半導体レーザ部（以下、ＤＦＢ−
ＬＤ部と称す）の活性層で発生した光を吸収可能とする
ために、該活性層とは異なる材料もしくは組成で構成さ
れている。
ｔｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ、 、 Ｖｏｌ、 ２５．３３４
（１９８９）等に記載されているように、変調器の光
吸収層が、分布帰還型半導体レーザ部（以下、ＤＦＢ−
ＬＤ部と称す）の活性層で発生した光を吸収可能とする
ために、該活性層とは異なる材料もしくは組成で構成さ
れている。
しかしながら、上記従来の技術では、ＤＦＢ−ＬＤ部と
変調器とで構造が異なるものとなっているので、素子作
製において、選択成長を含む３回以上の結晶成長が必要
となり、作製工程が複雑で歩留りが低く、コストが高い
という欠点がある。
変調器とで構造が異なるものとなっているので、素子作
製において、選択成長を含む３回以上の結晶成長が必要
となり、作製工程が複雑で歩留りが低く、コストが高い
という欠点がある。
本発明は、上記従来の技術の有する欠点に鑑みてなされ
たもので、製造が容易で、効率のよいレーザ発振および
変調が行なえる変調器付き分布帰還型半導体レーザな提
供することを目的とするや ［課題を解決するための手段］ 本発明の変調器付き分布帰還型半導体レーザは、 活性層と光ガイド層とがセパレート層を挟んで積層され
、さらに、該光ガイド層上に光吸収層が積層された、レ
ーザ発振部と変調器とが、同一基板上で光の伝搬方向に
、分離溝を挟んで配置され、 前記レーザ発振部には、前記光ガイド層と光吸収層にわ
たって、光の伝搬方向に沿って、回折格子が形成されて
おり、 さらに、前記レーザ発振部と変調器に対して独立駆動を
可能とする１に極を有するものであり、また、活性層と
内部に光吸収層が設けられた光ガイド層とがセパレート
層を挟んで積層された、レーザ発振部と変調器とが同一
基板上で光の伝搬方向に、分離溝を挟んで配置され、 前記レーザ発振部には、前記先ガイド層に回折格子が形
成さねており、 さらに、前記レーザ発振部と変調器に対して独立駆動を
可能とする電極を有するものである。
たもので、製造が容易で、効率のよいレーザ発振および
変調が行なえる変調器付き分布帰還型半導体レーザな提
供することを目的とするや ［課題を解決するための手段］ 本発明の変調器付き分布帰還型半導体レーザは、 活性層と光ガイド層とがセパレート層を挟んで積層され
、さらに、該光ガイド層上に光吸収層が積層された、レ
ーザ発振部と変調器とが、同一基板上で光の伝搬方向に
、分離溝を挟んで配置され、 前記レーザ発振部には、前記光ガイド層と光吸収層にわ
たって、光の伝搬方向に沿って、回折格子が形成されて
おり、 さらに、前記レーザ発振部と変調器に対して独立駆動を
可能とする１に極を有するものであり、また、活性層と
内部に光吸収層が設けられた光ガイド層とがセパレート
層を挟んで積層された、レーザ発振部と変調器とが同一
基板上で光の伝搬方向に、分離溝を挟んで配置され、 前記レーザ発振部には、前記先ガイド層に回折格子が形
成さねており、 さらに、前記レーザ発振部と変調器に対して独立駆動を
可能とする電極を有するものである。
［作用］
レーザ発振部に電流を注入すると、活性層において光が
放出され、その光が回折格子で反射してレー・ザ発振が
起る。発振したレーザ光は光ガイド石を透過して変調器
を経て外部へ出射される。
放出され、その光が回折格子で反射してレー・ザ発振が
起る。発振したレーザ光は光ガイド石を透過して変調器
を経て外部へ出射される。
レーザ光は、光ガイド層を透過する際、光ガイド層上に
積層された光吸収層、あるいは光ガイド層の内部に設け
られた光吸収層によって吸収されるが、その吸収量は、
変調器に電圧を印加することによって変化するので、変
調器へ印加する電圧を変化させることでレーザ光の変調
を行なうことができる。また、レーザ発振部と変調器は
、分離溝により分離されているので、それらの電気的な
相互作用は遮断される。
積層された光吸収層、あるいは光ガイド層の内部に設け
られた光吸収層によって吸収されるが、その吸収量は、
変調器に電圧を印加することによって変化するので、変
調器へ印加する電圧を変化させることでレーザ光の変調
を行なうことができる。また、レーザ発振部と変調器は
、分離溝により分離されているので、それらの電気的な
相互作用は遮断される。
〔実施例］
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の変調器付き分布帰還型半導体レーザの
一実施例を示す断面図である。
一実施例を示す断面図である。
本実施例では、下面に共通電極１が取付けられた基板２
上に、バッファＮ３とクラッド層４が順に積層され、さ
らに、クラッドＮ４上には、光の伝搬方向に、分離溝１
２を挟んで、回折格子１４を備えた分布帰還型レーザ発
振部２０と変調器３０とが配置されている。
上に、バッファＮ３とクラッド層４が順に積層され、さ
らに、クラッドＮ４上には、光の伝搬方向に、分離溝１
２を挟んで、回折格子１４を備えた分布帰還型レーザ発
振部２０と変調器３０とが配置されている。
分布帰還型レーザ発振部２０と変調器３０は、同様なＭ
構成で、それぞれ、前述のクラッド層４側から、活性Ｎ
５、セパレートＮ６、光ガイド層７、光吸収層８、クラ
ッドＮ９およびキャップ層１０が順に積層されたもので
あり、さらに、キャップ層１０上には、分布帰還型レー
ザ発振部２０と変調器３０にそれぞれ独立駆動を可能と
１６電極１１．１３が設けられている。
構成で、それぞれ、前述のクラッド層４側から、活性Ｎ
５、セパレートＮ６、光ガイド層７、光吸収層８、クラ
ッドＮ９およびキャップ層１０が順に積層されたもので
あり、さらに、キャップ層１０上には、分布帰還型レー
ザ発振部２０と変調器３０にそれぞれ独立駆動を可能と
１６電極１１．１３が設けられている。
分布帰還型レーザ発振部２０と変調器３ｏの間に形成さ
れている分離溝１２は、本実施例ではその深さがクラッ
ド層９の一部に達するもので、電極１１．１３を介して
分布帰還型レーザ発振部２０および変調器３０における
電気的な相互作用を遮断する。この分離溝１２により、
電極１１．１３、キャップ層１０およびクラット層９の
一部については分布帰還型レーザ発振部２０と変調器３
０とで分割されることになるが、その他の光吸収層８、
光ガイド層７、セパレート層６および活性層５について
は分布帰還型レーザ発振部２０と変調器３０とに連続す
るものとなっている。さらに、光吸収層８および光ガイ
ド層７については、それら双方にわたって分布帰還型レ
ーザ発振部２０に対応する領域で回折格子１４が形成さ
れており、その領域では、光吸収層８は回折格子１４の
凸部にわずかに残るのみとなっている。
れている分離溝１２は、本実施例ではその深さがクラッ
ド層９の一部に達するもので、電極１１．１３を介して
分布帰還型レーザ発振部２０および変調器３０における
電気的な相互作用を遮断する。この分離溝１２により、
電極１１．１３、キャップ層１０およびクラット層９の
一部については分布帰還型レーザ発振部２０と変調器３
０とで分割されることになるが、その他の光吸収層８、
光ガイド層７、セパレート層６および活性層５について
は分布帰還型レーザ発振部２０と変調器３０とに連続す
るものとなっている。さらに、光吸収層８および光ガイ
ド層７については、それら双方にわたって分布帰還型レ
ーザ発振部２０に対応する領域で回折格子１４が形成さ
れており、その領域では、光吸収層８は回折格子１４の
凸部にわずかに残るのみとなっている。
ここで、分布帰還型レーザ発振部２０および変調器３０
を構成する各層の組立構造を表１に示す。
を構成する各層の組立構造を表１に示す。
表】
本実施例の変調器付き分布帰還型半導体レーザを作製す
る場合、第１回目の結晶成長により光吸収層８まで成膜
した後、分布帰還型レーザ発振部２０の領域に、回折格
子１４を形成する。そし７て、第２回目の結晶成長によ
りクラッドＮ９おＪ。
る場合、第１回目の結晶成長により光吸収層８まで成膜
した後、分布帰還型レーザ発振部２０の領域に、回折格
子１４を形成する。そし７て、第２回目の結晶成長によ
りクラッドＮ９おＪ。
びキャップ層１０を形成して成膜を終了する。
このように、活性層５および光吸収Ｎ６を、それぞれ分
布帰還型レーザ発振部２０と変調器３０とで同一構造ど
することで、２回の結晶成長で素子を作製可能となる。
布帰還型レーザ発振部２０と変調器３０とで同一構造ど
することで、２回の結晶成長で素子を作製可能となる。
上述のような構成の変調器付き分布帰還型半導体レーザ
では、変調器３０を若干順バイアスに保持した状態で、
分布帰還型レーザ発振部２０を順バイアス状態にして発
振しきい値以上の電流を注入すると、分布帰還型し〜ザ
発振部２０の領域の活性層５において電子と正孔とが結
合して光が放出され１回折格子１４で反射してレーザ発
振が起る０発振したレーザ光は変調器３０の光ガイド層
７を導波して出射される。レーザ光は、光ガイド層７を
導波する際、光ガイド層７上に積層されている吸収層８
によって吸収される可能性があるが、ここでは、分布帰
還型レーザ発振部２０においては、前述のように吸収層
８が回折格子Ｉ４の凸部にわずかに残っているだけなの
で影響は少なく、また、変調器３０側では順バイアスを
印加することにより、吸収損失分が補償されている。
では、変調器３０を若干順バイアスに保持した状態で、
分布帰還型レーザ発振部２０を順バイアス状態にして発
振しきい値以上の電流を注入すると、分布帰還型し〜ザ
発振部２０の領域の活性層５において電子と正孔とが結
合して光が放出され１回折格子１４で反射してレーザ発
振が起る０発振したレーザ光は変調器３０の光ガイド層
７を導波して出射される。レーザ光は、光ガイド層７を
導波する際、光ガイド層７上に積層されている吸収層８
によって吸収される可能性があるが、ここでは、分布帰
還型レーザ発振部２０においては、前述のように吸収層
８が回折格子Ｉ４の凸部にわずかに残っているだけなの
で影響は少なく、また、変調器３０側では順バイアスを
印加することにより、吸収損失分が補償されている。
次に、分布帰還型レーザ発振部２０のレーザ発振状態を
保持したまま、変調器３０を零または逆バイアス状態に
することにより、補償されていた吸収損失分が補償され
なくなる。このため、分布帰還型レーザ発振部２０で発
振して光ガイド層７を導波するレーザ光は変調器３０の
活性Ｎ５および吸収Ｎ８で吸収され、出力光は変調され
る。
保持したまま、変調器３０を零または逆バイアス状態に
することにより、補償されていた吸収損失分が補償され
なくなる。このため、分布帰還型レーザ発振部２０で発
振して光ガイド層７を導波するレーザ光は変調器３０の
活性Ｎ５および吸収Ｎ８で吸収され、出力光は変調され
る。
また、光吸収層８を、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）
とした場合、量子シュタルク効果（Ｑｕａｎｔ−ｕｍｎ
−Ｃｏｎｆｉｎｅｄ ５ｔａｒｋ Ｅｆｆｅｃｔ）によ
る、光の吸収端のシフトを利用した吸収量が大きなもの
となるため、変調度の高い変調器を構成することができ
る。
とした場合、量子シュタルク効果（Ｑｕａｎｔ−ｕｍｎ
−Ｃｏｎｆｉｎｅｄ ５ｔａｒｋ Ｅｆｆｅｃｔ）によ
る、光の吸収端のシフトを利用した吸収量が大きなもの
となるため、変調度の高い変調器を構成することができ
る。
さらに、光を放出する活性Ｍ５と光を吸収オる光吸収層
８とが光ガイド層７およびセパレート６を挟んで積層さ
れているので、活性層５は薄く、また、光吸収Ｈ８は厚
く形成することが可能となり、低発振しきい値で高変調
度の変調器付き分布帰還型半導体レーザな構成すること
ができる。
８とが光ガイド層７およびセパレート６を挟んで積層さ
れているので、活性層５は薄く、また、光吸収Ｈ８は厚
く形成することが可能となり、低発振しきい値で高変調
度の変調器付き分布帰還型半導体レーザな構成すること
ができる。
次に、本発明の他の実施例について第２図を参照して説
明する。
明する。
第２図は吸収層８を光ガイド層７内に設けた場合の例を
示す断面図であり、その他の層構成は前述の第１図に示
した実施例と同様である。
示す断面図であり、その他の層構成は前述の第１図に示
した実施例と同様である。
この場合、レーザ光が透過する光ガイド層７の内部の光
強度の比較的強い位置に、吸収層８をル）置し、その光
ガイド層７０分布帰還型レーザ発振部２０に対応する領
域に回折格子１４を形成する。
強度の比較的強い位置に、吸収層８をル）置し、その光
ガイド層７０分布帰還型レーザ発振部２０に対応する領
域に回折格子１４を形成する。
このような構成により、前述と同様にして分布帰還型レ
ーザ発振部２０で発振したレーザ光が光ガイド層７を透
過する際、吸収層８による光の吸収量が増大し、出力光
の消光比は大きなものとなる。
ーザ発振部２０で発振したレーザ光が光ガイド層７を透
過する際、吸収層８による光の吸収量が増大し、出力光
の消光比は大きなものとなる。
〔発明の効果］
本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載するような効果を奏する。
下に記載するような効果を奏する。
（１）活性層および光吸収層を、それぞれレーザ発振部
と変調器とで同一構造にすることにより、レーザ発振部
と変調器とを同−層構造で形成することができ、作製工
程の簡略化が達成され、歩留りの向上およびコストの低
減が可能となる。
と変調器とで同一構造にすることにより、レーザ発振部
と変調器とを同−層構造で形成することができ、作製工
程の簡略化が達成され、歩留りの向上およびコストの低
減が可能となる。
（２）光を放出する活性Ｍと光を吸収する光吸収層とが
、セパレート層を介して積層されるので、活性層を薄く
、また、光吸収層を厚く形成することが可能となり、低
発振しきい値で高変調度のデバイスを提供することがで
きる。
、セパレート層を介して積層されるので、活性層を薄く
、また、光吸収層を厚く形成することが可能となり、低
発振しきい値で高変調度のデバイスを提供することがで
きる。
（３）光吸収層を光ガイド層の内部に設けた場合、光の
吸収量が増大するので、変調の効率が向上する。
吸収量が増大するので、変調の効率が向上する。
第１図は本発明の変調器付き分布帰還型半導体レーザの
一実施例を示す断面図、第２図は本発明の他の実施例を
示す断面図である。 １・・・・・・共通電極 ２・・・・・・・・・・・
・・・・基板３・・・・・・バッファ層 ４．９・・・
・・・・・・クラッド層５・・・・・・活性層 ６
・・・・・・・・・・・・・・・セパレート層７・・・
・・・光ガイド層 ８・・・・・・・・・・・・・・・
光吸収層１０・・・キャップ層 １１．１３・・・電極
１２・・・分離層 １４・・・・・・・・・・・・
回折格子２０・・・分布帰還型レーザ発振部 ３０・・・変調器
一実施例を示す断面図、第２図は本発明の他の実施例を
示す断面図である。 １・・・・・・共通電極 ２・・・・・・・・・・・
・・・・基板３・・・・・・バッファ層 ４．９・・・
・・・・・・クラッド層５・・・・・・活性層 ６
・・・・・・・・・・・・・・・セパレート層７・・・
・・・光ガイド層 ８・・・・・・・・・・・・・・・
光吸収層１０・・・キャップ層 １１．１３・・・電極
１２・・・分離層 １４・・・・・・・・・・・・
回折格子２０・・・分布帰還型レーザ発振部 ３０・・・変調器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、活性層と光ガイド層とがセパレート層を挟んで積層
され、さらに、該光ガイド層上に光吸収層が積層された
、レーザ発振部と変調器とが、同一基板上で光の伝搬方
向に、分離溝を挟んで配置され、 前記レーザ発振部には、前記光ガイド層と光吸収層にわ
たって、光の伝搬方向に沿って、回折格子が形成されて
おり、 さらに、前記レーザ発振部と変調器に対して独立駆動を
可能とする電極を有することを特徴とする変調器付き分
布帰還型半導体レーザ。 ２、活性層と内部に光吸収層が設けられた光ガイド層と
がセパレート層を挟んで積層された、レーザ発振部と変
調器とが、同一基板上で光の伝搬方向に、分離溝を挟ん
で配置され、 前記レーザ発振部には、前記光ガイド層に光の伝搬方向
に沿って、回折格子が形成されており、 さらに、前記レーザ発振部と変調器に対して独立駆動を
可能とする電極を有することを特徴とする変調器付き分
布帰還型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28490389A JPH03147386A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 変調器付き分布帰還型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28490389A JPH03147386A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 変調器付き分布帰還型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03147386A true JPH03147386A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17684545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28490389A Pending JPH03147386A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 変調器付き分布帰還型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03147386A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706243A2 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser and method for producing the same |
| WO1997035367A1 (de) * | 1996-03-21 | 1997-09-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Integriert-optische laser/modulator-strahlungsquelle |
| JP2022506323A (ja) * | 2018-11-05 | 2022-01-17 | 華為技術有限公司 | 外部反射戻り光耐性レーザ |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28490389A patent/JPH03147386A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706243A2 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser and method for producing the same |
| EP0706243A3 (en) * | 1994-09-28 | 1996-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser with distributed reflector and method of making |
| US6107112A (en) * | 1994-09-28 | 2000-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser and method for producing the same |
| US6151351A (en) * | 1994-09-28 | 2000-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Distributed feedback semiconductor laser and method for producing the same |
| WO1997035367A1 (de) * | 1996-03-21 | 1997-09-25 | Siemens Aktiengesellschaft | Integriert-optische laser/modulator-strahlungsquelle |
| JP2022506323A (ja) * | 2018-11-05 | 2022-01-17 | 華為技術有限公司 | 外部反射戻り光耐性レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0486128A2 (en) | A semiconductor optical device and a fabricating method therefor | |
| JPH0194689A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPS60192379A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH03147386A (ja) | 変調器付き分布帰還型半導体レーザ | |
| US5841151A (en) | Quasi type II semiconductor quantum well device | |
| JP2000183449A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH03127889A (ja) | 変調器付き半導体レーザ | |
| JPH04781A (ja) | 半導体レーザの構造 | |
| JP2002131713A (ja) | 光半導体デバイス | |
| JPS6155276B2 (ja) | ||
| JP2827130B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPS63241978A (ja) | 分布帰還型半導体レ−ザ | |
| JPH0951147A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0282680A (ja) | 量子井戸レーザ | |
| JPH0312981A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS62176184A (ja) | 変調器付半導体発光装置 | |
| JP2719669B2 (ja) | 半導体発光ダイオード | |
| JPS62221186A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62165388A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH03204986A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH08264895A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01283891A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63248190A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2001024289A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH02303084A (ja) | 半導体レーザ装置 |