JPH03142821A - フォトレジスト用剥離剤 - Google Patents
フォトレジスト用剥離剤Info
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- JPH03142821A JPH03142821A JP28060889A JP28060889A JPH03142821A JP H03142821 A JPH03142821 A JP H03142821A JP 28060889 A JP28060889 A JP 28060889A JP 28060889 A JP28060889 A JP 28060889A JP H03142821 A JPH03142821 A JP H03142821A
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Landscapes
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- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、塩素系溶剤を含有しないフォトレジスト用
剥離剤に関する。
剥離剤に関する。
従来の技術
従来から、プリント基板、トランジスター、超ＬＳＩ等
の半導体デイバイス、液晶、および各種のコンパクトデ
ィスク等のエツチング等の加工処理工程においてはフォ
トレジストが汎用されている。フォトレジストには、光
照射によって溶剤に不溶になるネガティブフォトレジス
トと光照射によって溶剤に可溶になるポジティブフォト
レジストがあるが、いずれの場合も、エツチング等の加
工処理後はプリント基板等から剥離除去しなければなら
ない。
の半導体デイバイス、液晶、および各種のコンパクトデ
ィスク等のエツチング等の加工処理工程においてはフォ
トレジストが汎用されている。フォトレジストには、光
照射によって溶剤に不溶になるネガティブフォトレジス
トと光照射によって溶剤に可溶になるポジティブフォト
レジストがあるが、いずれの場合も、エツチング等の加
工処理後はプリント基板等から剥離除去しなければなら
ない。
このような目的のためには強酸と過酸化水素との混合液
、塩素系溶剤（例えばトリクロルエチレン、０−ジクロ
ルベンゼン等）にフェノールと有機スルホン酸を溶解さ
せた剥離剤（特開昭５３−６１４０２号公報参照）また
はアルキレングリコール等を主剤とする剥離剤等が使用
されている。
、塩素系溶剤（例えばトリクロルエチレン、０−ジクロ
ルベンゼン等）にフェノールと有機スルホン酸を溶解さ
せた剥離剤（特開昭５３−６１４０２号公報参照）また
はアルキレングリコール等を主剤とする剥離剤等が使用
されている。
しかしながら、強酸と過酸化水素との混合液は危険性が
大きくて取扱い上問題があるだけでなく、過酸化水素の
分解によって剥離能が経時的に劣化するという難点があ
り、塩素系溶剤の使用は、環境汚染や作業衛生等の見地
から各種の法律によって厳しく規制されており、また、
アルキレングリコール等を主剤とする剥離剤はネガティ
ブフォトレジストに対しては剥離効果を示さないという
欠点がある。
大きくて取扱い上問題があるだけでなく、過酸化水素の
分解によって剥離能が経時的に劣化するという難点があ
り、塩素系溶剤の使用は、環境汚染や作業衛生等の見地
から各種の法律によって厳しく規制されており、また、
アルキレングリコール等を主剤とする剥離剤はネガティ
ブフォトレジストに対しては剥離効果を示さないという
欠点がある。
発明が解決しようとする課題
この発明は、従来から使用されているフォトレジスト用
剥離剤の上記問題点を解決し、危険性が少なくて取扱い
上問題がなく、剥離能の経時的劣化もなく、ポジティブ
とネガティブの両方のフォトレジストに対して剥離効果
を示し、塩素系溶剤を含有しないフォトレジスト用剥離
剤を提供するためになされたものである。
剥離剤の上記問題点を解決し、危険性が少なくて取扱い
上問題がなく、剥離能の経時的劣化もなく、ポジティブ
とネガティブの両方のフォトレジストに対して剥離効果
を示し、塩素系溶剤を含有しないフォトレジスト用剥離
剤を提供するためになされたものである。
課題を解決するための手段
即ち本発明は、一般式（Ｉ）：
（式中、Ｘはハロゲン原子を示す）
で表わされるハロベンゼンスルホン酸１〜２０重量％お
よびフェノール系化合物５〜５０重量％含有するフォト
レジスト用剥離剤に関する。
よびフェノール系化合物５〜５０重量％含有するフォト
レジスト用剥離剤に関する。
一般式（１）において、Ｘはフッ素原子、塩素原子、臭
素原子および沃素原子等のハロゲン原子を示すが、コス
ト的には塩素原子を示す化合物が好ましい。
素原子および沃素原子等のハロゲン原子を示すが、コス
ト的には塩素原子を示す化合物が好ましい。
ハロゲン原子の置換位置はｐ−位が最も好ましいが、〇
−位およびｍ−位であってもよい。
−位およびｍ−位であってもよい。
また、ハロベンゼンスルホン酸は所望により２種以上併
用してもよい。
用してもよい。
一般式（１）で表わされるハロベンゼンスルホン酸の配
合量は、通常１〜２０重量％、好ましくは１〜１０重量
％であり、１重量％以下では十分な剥離効果が得難く、
２０重量％以上になっても剥離力が余り向上しないだけ
でなく、プリント基板等の金属が腐食されるようになる
ので好ましくない。
合量は、通常１〜２０重量％、好ましくは１〜１０重量
％であり、１重量％以下では十分な剥離効果が得難く、
２０重量％以上になっても剥離力が余り向上しないだけ
でなく、プリント基板等の金属が腐食されるようになる
ので好ましくない。
本発明で使用するフェノール系化合物としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、チモール、カテコー
ル、ピロガロール、レゾルシノール等が例示される。特
に好ましいフェノール系化合物はフェノール、キシレノ
ール、クレゾール等である。これらのフェノール性化合
物は所望により２種以上併用してもよい。
ール、クレゾール、キシレノール、チモール、カテコー
ル、ピロガロール、レゾルシノール等が例示される。特
に好ましいフェノール系化合物はフェノール、キシレノ
ール、クレゾール等である。これらのフェノール性化合
物は所望により２種以上併用してもよい。
フェノール系化合物の配合量は通常、５〜５０重量％、
好ましくは１０〜４０重量％である。５重量％以下では
十分な剥離効果が得られず、５０重量％以上になっても
それ以上の剥離効果が得゛られず、また粘度があがるた
め洗浄しにくくなり、好ましくない。
好ましくは１０〜４０重量％である。５重量％以下では
十分な剥離効果が得られず、５０重量％以上になっても
それ以上の剥離効果が得゛られず、また粘度があがるた
め洗浄しにくくなり、好ましくない。
本発明による剥離剤のベース溶剤としては、上記のハロ
ベンゼンスルホン酸とフェノール系化合物に対して相溶
性を有する非塩素系溶剤を使用すればよいが、特に好適
な溶剤は炭化水素系溶剤、例えばトルエン、キシレン、
クメン、デシルベンゼン、ドデシルベンゼン、ナフタレ
ン、メチルナフタレン、イソパラフィン等、就中、引火
点７０℃以上の芳香族系炭化水素（デシルベンゼン、ド
デシルベンゼン、メチルナフタレン、ジメチルナフタリ
ン等）である。これらの溶剤も所望により２種以上併用
してもよい。
ベンゼンスルホン酸とフェノール系化合物に対して相溶
性を有する非塩素系溶剤を使用すればよいが、特に好適
な溶剤は炭化水素系溶剤、例えばトルエン、キシレン、
クメン、デシルベンゼン、ドデシルベンゼン、ナフタレ
ン、メチルナフタレン、イソパラフィン等、就中、引火
点７０℃以上の芳香族系炭化水素（デシルベンゼン、ド
デシルベンゼン、メチルナフタレン、ジメチルナフタリ
ン等）である。これらの溶剤も所望により２種以上併用
してもよい。
本発明による剥離剤には上記の成分のほかに、所望によ
り、常套の添加剤、例えば界面活性剤（オクチルベンゼ
ンスルホン酸、ノニルベンゼンスルホン酸およびドデシ
ルベンゼンスルホン酸等の遊離スルホン酸等）および防
錆剤等を適宜配合してもよい。
り、常套の添加剤、例えば界面活性剤（オクチルベンゼ
ンスルホン酸、ノニルベンゼンスルホン酸およびドデシ
ルベンゼンスルホン酸等の遊離スルホン酸等）および防
錆剤等を適宜配合してもよい。
なお、本発明による剥離剤の好適な適用対象となるフォ
トレジストとしては、ゴム系ネガレジスト（例えば、東
京応化工業社製ＯＭＲ−８５、フジウェイコート５Ｃ−
４５０等）、ノボラック系ポジ型レジスト（例えば、東
京応化工業社製０ＦＰＲ−８００、シプレーＡＺ−１３
５０Ｊ等）があげられる。
トレジストとしては、ゴム系ネガレジスト（例えば、東
京応化工業社製ＯＭＲ−８５、フジウェイコート５Ｃ−
４５０等）、ノボラック系ポジ型レジスト（例えば、東
京応化工業社製０ＦＰＲ−８００、シプレーＡＺ−１３
５０Ｊ等）があげられる。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１〜７
シリコンウェハー（３インチ）に市販のネガティブ型フ
ォトレジスト（東京応化工業社製０Ｍｌｌ８５）を塗布
しく塗膜厚１μ）、露光しく１１ ｍＷ／ａｍ”、４０
５ｎｍ、１．５秒間）、現像後、後焼付は処理（１５０
℃、３０分間）に付すことによって被処理試験体Ｉを作
成した。
ォトレジスト（東京応化工業社製０Ｍｌｌ８５）を塗布
しく塗膜厚１μ）、露光しく１１ ｍＷ／ａｍ”、４０
５ｎｍ、１．５秒間）、現像後、後焼付は処理（１５０
℃、３０分間）に付すことによって被処理試験体Ｉを作
成した。
また、シリコンウェハー（３インチ）に市販のポジティ
ブ型フォトレジスト（東京応化工業社製０ＦＰＲ−８０
０）を塗布しく塗膜厚１μ）、１５０℃で３０分間後焼
付けすることによって被処理試験体■を作成した。
ブ型フォトレジスト（東京応化工業社製０ＦＰＲ−８０
０）を塗布しく塗膜厚１μ）、１５０℃で３０分間後焼
付けすることによって被処理試験体■を作成した。
被処理試験体１および■を、表−１の配合処方によって
調製した剥離剤１〜７を用いて処理し、フォトレジスト
塗膜が完全に溶解剥離するまでの時間を測定した。
調製した剥離剤１〜７を用いて処理し、フォトレジスト
塗膜が完全に溶解剥離するまでの時間を測定した。
測定結果を表−２に示す。
比較例Ｉ〜４
実施例１〜７の手順に準拠し、被処理試験体１および■
を、表−１の配合処方によって調製した剥離剤１′〜４
°を用いて処理し、フォトレジスト塗膜が完全に溶解剥
離するまでの時間を測定した。
を、表−１の配合処方によって調製した剥離剤１′〜４
°を用いて処理し、フォトレジスト塗膜が完全に溶解剥
離するまでの時間を測定した。
測定結果を表−２に示す。
表
発明の効果
本発明によるフォトレジスト用剥１１１ｉ剤は、環境汚
染や作業衛生等の観点から使用が大幅に規制されている
塩素系溶剤を含有せず、しかもフォトレジストの剥離能
の点において、従来から汎用されている剥離剤と比べて
全く遜色がなく、また、アルミニウム等の金属を腐食し
にくいので、エレクトロニクスの分野を含む広範囲の分
野におけるフォトレジスト用剥離剤として汎用できる。
染や作業衛生等の観点から使用が大幅に規制されている
塩素系溶剤を含有せず、しかもフォトレジストの剥離能
の点において、従来から汎用されている剥離剤と比べて
全く遜色がなく、また、アルミニウム等の金属を腐食し
にくいので、エレクトロニクスの分野を含む広範囲の分
野におけるフォトレジスト用剥離剤として汎用できる。
Claims (1)
- １．一般式（Ｉ）： ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） （式中、Ｘはハロゲン原子を示す） で表わされるハロベンゼンスルホン酸１〜２０重量％お
よびフェノール系化合物５〜５０重量％含有するフォト
レジスト用剥離剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28060889A JPH03142821A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | フォトレジスト用剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28060889A JPH03142821A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | フォトレジスト用剥離剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03142821A true JPH03142821A (ja) | 1991-06-18 |
Family
ID=17627409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28060889A Pending JPH03142821A (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | フォトレジスト用剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03142821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005202363A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Showa Denko Kk | 感光性組成物除去液 |
| JP2010231223A (ja) * | 2003-12-16 | 2010-10-14 | Showa Denko Kk | 感光性組成物除去液 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP28060889A patent/JPH03142821A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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