JPH01296248A - フォトレジスト用剥離剤 - Google Patents
フォトレジスト用剥離剤Info
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- JPH01296248A JPH01296248A JP12631588A JP12631588A JPH01296248A JP H01296248 A JPH01296248 A JP H01296248A JP 12631588 A JP12631588 A JP 12631588A JP 12631588 A JP12631588 A JP 12631588A JP H01296248 A JPH01296248 A JP H01296248A
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Classifications
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、塩素系溶剤を含有しないフォトレジスト用
剥離剤に関する。
剥離剤に関する。
従来の技術
従来から、プリント基板、トランジスター、超ＬＳＩ等
の半導体デイバイス、液晶、および各種のコンパクトデ
ィスク等のエツチング等の加工処理工程においては７オ
トレジストが汎用されている。７オトレジストには、光
照射によって溶剤に不溶になるネガティブ７オトレジス
トと光照射によって溶剤に可溶になるポジティブフォト
レジストがあるが、いずれの場合も、エツチング等の加
工処理後はプリント基板等から剥離除去しなければなら
ない。
の半導体デイバイス、液晶、および各種のコンパクトデ
ィスク等のエツチング等の加工処理工程においては７オ
トレジストが汎用されている。７オトレジストには、光
照射によって溶剤に不溶になるネガティブ７オトレジス
トと光照射によって溶剤に可溶になるポジティブフォト
レジストがあるが、いずれの場合も、エツチング等の加
工処理後はプリント基板等から剥離除去しなければなら
ない。
この目的のためには、比較的軽度の加工の場合にはトリ
クロロエチレン、１．１．ｌ−トリクロロエタンおよび
モノクロロベンゼン等の塩素系溶剤が使用され、また、
ハードニング、ドライ加工、インプラ加工等の耐性向上
加工の場合にはテトラクロロエチレンや０−ジクロロベ
ンゼン等の塩素系溶剤にフェノールを配合した剥離剤が
使用されている。
クロロエチレン、１．１．ｌ−トリクロロエタンおよび
モノクロロベンゼン等の塩素系溶剤が使用され、また、
ハードニング、ドライ加工、インプラ加工等の耐性向上
加工の場合にはテトラクロロエチレンや０−ジクロロベ
ンゼン等の塩素系溶剤にフェノールを配合した剥離剤が
使用されている。
しかしながら、この種の塩素系溶剤の使用は、環境汚染
や作業衛生等の見地から、各種の法律によって厳しく規
制されるようになっている。
や作業衛生等の見地から、各種の法律によって厳しく規
制されるようになっている。
このため、当該分野においては、塩素系溶剤を含有しな
い７オトレジスト用剥離剤の開発が要請されている。
い７オトレジスト用剥離剤の開発が要請されている。
発明が解決しようとする課題
この発明はこのような要請に応え、塩素系溶剤不含７オ
トレジスト用剥離剤を提供するためになされたものであ
る。
トレジスト用剥離剤を提供するためになされたものであ
る。
課題を解決するための手段
即ち本発明は、一般式［■１：
■、一般式［■１：
（Ｎｏりｎ−Ａｒ−−ＳＯｓＨ［Ｉ］
（式中、Ａｒは炭素原子数１−１２のアルキル基を有す
ることもあるベンゼンもしくはナフタレンの２価残基を
示し、ｎは１または２の数を示す）で表わされるニトロ
基含有芳香族スルホン酸０．１〜２０重量％およびフェ
ノール系化合物５〜６０重量％含有する７オトレジスト
用剥離剤に関する。
ることもあるベンゼンもしくはナフタレンの２価残基を
示し、ｎは１または２の数を示す）で表わされるニトロ
基含有芳香族スルホン酸０．１〜２０重量％およびフェ
ノール系化合物５〜６０重量％含有する７オトレジスト
用剥離剤に関する。
一般式［Ｉ］において、Ａｒは炭素原子数がｌ〜１２の
アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデ
シル基、ドデシル基等を１〜２個有することもあるベン
ゼンもしくはナフタレンの２価残基を示し、ｎは１また
は２の数を示す。
アルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデ
シル基、ドデシル基等を１〜２個有することもあるベン
ゼンもしくはナフタレンの２価残基を示し、ｎは１また
は２の数を示す。
式［Ｉ］で表わされる化合物としてはｍ−二トロベンゼ
ンスルホン酸、０−二トロトルエンーｐ−スルホンＬ
ｌ−ニトロナフタリン−４−スルホン酸、ｌ−二トロ
ナフタリン−５−スルホン酸等が例示される。
ンスルホン酸、０−二トロトルエンーｐ−スルホンＬ
ｌ−ニトロナフタリン−４−スルホン酸、ｌ−二トロ
ナフタリン−５−スルホン酸等が例示される。
これらのスルホン酸のうち、特に好ましいものはｍ−ニ
トロベンゼンスルホンＬ Ｏ−ニトロトルエン−ｐ−ス
ルホン酸等でアル。
トロベンゼンスルホンＬ Ｏ−ニトロトルエン−ｐ−ス
ルホン酸等でアル。
一般式［１１で表わされる化合物の配合量は通常、０．
１〜２０重量％、好ましくは０．５〜ｌＯ重量％である
。０．１重量％以下では十分な剥離効果が得られず、２
０重量％以上になるとプリント基板等が腐食されるよう
になるので好ましくない。
１〜２０重量％、好ましくは０．５〜ｌＯ重量％である
。０．１重量％以下では十分な剥離効果が得られず、２
０重量％以上になるとプリント基板等が腐食されるよう
になるので好ましくない。
本発明で使用するフェノール系化合物としては、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール、チモール、カテコー
ル、ピロガロール、レゾルシノール等が例示される。特
に好ましいフェノール系化合物はフェノール、キシレノ
ール、クレゾール等である。
ール、クレゾール、キシレノール、チモール、カテコー
ル、ピロガロール、レゾルシノール等が例示される。特
に好ましいフェノール系化合物はフェノール、キシレノ
ール、クレゾール等である。
フェノール系化合物の配合量は通常、５〜６０重量％、
好ましくは１０〜４０重量％である。５重量％以下では
十分な剥離効果が得られず、６０重量％以上になっても
それ以上の剥離効果が得られず、また粘度があがるため
洗浄しにくくなり、好ましくない。
好ましくは１０〜４０重量％である。５重量％以下では
十分な剥離効果が得られず、６０重量％以上になっても
それ以上の剥離効果が得られず、また粘度があがるため
洗浄しにくくなり、好ましくない。
本発明による剥離剤のベース溶剤としては、上記のニト
ロ基含有芳香族スルホン酸とフェノール系化合物に対し
て相溶性を有する非塩素系溶剤を使用すればよいが、特
に好適な溶剤は炭化水素系溶剤、例えばトルエン、キシ
レン、クメン、デシルベンゼン、ドテシルベンゼン、ナ
フタレン、メチルナフタレン、イソパラフィン等である
。
ロ基含有芳香族スルホン酸とフェノール系化合物に対し
て相溶性を有する非塩素系溶剤を使用すればよいが、特
に好適な溶剤は炭化水素系溶剤、例えばトルエン、キシ
レン、クメン、デシルベンゼン、ドテシルベンゼン、ナ
フタレン、メチルナフタレン、イソパラフィン等である
。
上記のニトロ基含有芳香族スルホン酸、フェノール系化
合物およびベース溶剤の各成分は、所望により２種以上
適宜併用してもよい。
合物およびベース溶剤の各成分は、所望により２種以上
適宜併用してもよい。
本発明による剥離剤には上記の成分のほかに、常套の添
加剤、例えば界面活性剤（ドデシルベンゼンスルホン酸
等の遊離スルホン酸等）、防錆剤等を適宜配合してもよ
い。
加剤、例えば界面活性剤（ドデシルベンゼンスルホン酸
等の遊離スルホン酸等）、防錆剤等を適宜配合してもよ
い。
なお、本発明による剥離剤の好適な適用対象となる７オ
トレジストとしては、ゴム系ネガレジスト（例えば、東
京応化工業社製ＯＭＲ−８５、フジウェイコートＳＣ−
４５０、等）、ノボラック系ポジ型レジスト（例えば、
東京応化工業社製ＯＦＰＲ−８００、シブＬ，−ＡＺ
− １ ３ ５ ０ Ｊ，等）があげられる。
トレジストとしては、ゴム系ネガレジスト（例えば、東
京応化工業社製ＯＭＲ−８５、フジウェイコートＳＣ−
４５０、等）、ノボラック系ポジ型レジスト（例えば、
東京応化工業社製ＯＦＰＲ−８００、シブＬ，−ＡＺ
− １ ３ ５ ０ Ｊ，等）があげられる。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１〜５
シリコンウェハー（３インチ）に市販のネガティブ型７
オトレジスト（東京応化工業社製ＯＭＲ−８５）を塗布
しく塗膜厚１μ）、前焼付は処理後（８０℃、３０分間
）、露光しくｌ１ｍＷ／ｃｍ”、４０５ｎｍ，１．５秒
間）、後焼付は処理（１５０℃、２０分間）に付すこと
によって被処理試験Ｉを作成しＩこ。
オトレジスト（東京応化工業社製ＯＭＲ−８５）を塗布
しく塗膜厚１μ）、前焼付は処理後（８０℃、３０分間
）、露光しくｌ１ｍＷ／ｃｍ”、４０５ｎｍ，１．５秒
間）、後焼付は処理（１５０℃、２０分間）に付すこと
によって被処理試験Ｉを作成しＩこ。
また、シリコンウェハー（３インチ）に市販のポジティ
ブ型フォトレジスト（東京応化工業社製０ＦＰＲ−８０
０）を塗布しく塗膜厚１μ）、８５°Ｃで３０分間前焼
付けした後、１２０°（！、１４０℃、１６０℃または
１８０℃でそれぞれ３０分間後焼付けすることによって
被処理試験体■−■を作成しＩこ。
ブ型フォトレジスト（東京応化工業社製０ＦＰＲ−８０
０）を塗布しく塗膜厚１μ）、８５°Ｃで３０分間前焼
付けした後、１２０°（！、１４０℃、１６０℃または
１８０℃でそれぞれ３０分間後焼付けすることによって
被処理試験体■−■を作成しＩこ。
被処理試験体Ｉ−■を、表−１の配合処方によって調製
した剥離剤１〜５を用いて処理し、フォトレジスト塗膜
が完全に溶解剥離するまでの時間を測定した。
した剥離剤１〜５を用いて処理し、フォトレジスト塗膜
が完全に溶解剥離するまでの時間を測定した。
測定結果を表−１に示す。
比較例１〜３
実施例１〜５の手順に準拠し、被処理試験体■〜Ｖを、
表−１の配合処方によって調製した剥離剤１′または市
販の剥離剤ＡおよびＢを用いて処理し、フォトレジスト
塗膜が完全に溶解剥離するまでの時間を測定した。
表−１の配合処方によって調製した剥離剤１′または市
販の剥離剤ＡおよびＢを用いて処理し、フォトレジスト
塗膜が完全に溶解剥離するまでの時間を測定した。
測定結果を表−１に示す。
発明の効果
汚染や作業衛生等の観点から使用が大幅に規制されてい
る塩素系溶剤を含有せず、しかも）オドレジストの剥離
能の点において、従来から汎用されている剥離剤と比べ
て全く遜色がないので、エレクトロニクスの分野を含む
広範囲の分野における７オトレジスト用剥離剤として汎
用できる。
る塩素系溶剤を含有せず、しかも）オドレジストの剥離
能の点において、従来から汎用されている剥離剤と比べ
て全く遜色がないので、エレクトロニクスの分野を含む
広範囲の分野における７オトレジスト用剥離剤として汎
用できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式［ I ］： （ＮＯ＿２）ｎ−Ａｒ−ＳＯ＿３Ｈ［ I ］ （式中、Ａｒは炭素原子数１−１２のアルキル基を有す
ることもあるベンゼンもしくはナフタレンの２価残基を
示し、ｎは１または２の数を示す）で表わされるニトロ
基含有芳香族スルホン酸０．１〜２０重量％およびフェ
ノール系化合物５〜６０重量％含有するフォトレジスト
用剥離剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12631588A JPH01296248A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | フォトレジスト用剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12631588A JPH01296248A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | フォトレジスト用剥離剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296248A true JPH01296248A (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=14932144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12631588A Pending JPH01296248A (ja) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | フォトレジスト用剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296248A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0584780A2 (en) * | 1992-08-28 | 1994-03-02 | Hitachi, Ltd. | Process for producing printed wiring board |
| CN104330959A (zh) * | 2014-10-25 | 2015-02-04 | 江阴市化学试剂厂有限公司 | 光刻胶剥离液制备方法 |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP12631588A patent/JPH01296248A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0584780A2 (en) * | 1992-08-28 | 1994-03-02 | Hitachi, Ltd. | Process for producing printed wiring board |
| EP0584780A3 (en) * | 1992-08-28 | 1995-08-02 | Hitachi Ltd | Process for the production of printed circuit boards. |
| CN104330959A (zh) * | 2014-10-25 | 2015-02-04 | 江阴市化学试剂厂有限公司 | 光刻胶剥离液制备方法 |
| CN104330959B (zh) * | 2014-10-25 | 2018-04-10 | 江阴市化学试剂厂有限公司 | 光刻胶剥离液制备方法 |
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