JPH03142689A - パターン認識方法及びその装置 - Google Patents

パターン認識方法及びその装置

Info

Publication number
JPH03142689A
JPH03142689A JP1279924A JP27992489A JPH03142689A JP H03142689 A JPH03142689 A JP H03142689A JP 1279924 A JP1279924 A JP 1279924A JP 27992489 A JP27992489 A JP 27992489A JP H03142689 A JPH03142689 A JP H03142689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image pattern
reference image
pattern
mask
correlation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1279924A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Kawabata
川端 数博
Naomi Yokoyama
横山 直美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1279924A priority Critical patent/JPH03142689A/ja
Publication of JPH03142689A publication Critical patent/JPH03142689A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体製造装置において半導体装置等のパ
ターンを認識する方法及び装置に関する。
〔従来の技術〕
第4図に従来のパターン認識装置の構成を示す。
半導体装置等の被認識物体(1)に対向してカメラ(2
)が配置されており、このカメラ(2)と2値化スレッ
ショルド設定部(3〉とが比較器(4〉が接続されてい
る。比較器(4)には入力画像メモリ(5〉が接続され
、入力画像メモリ(5)及び基準画像メモリ(7)が相
関器(6)に接続されている。さらに、相関器〈6)に
は認識判定アドレス計算部(8)が接続され、この認識
判定アドレス計算部(8)に相関スレッショルド設定部
(9ンが接続されている。
被認識物体(1)はカメラ(2)により撮像され、カメ
ラ(2〉からアナログの画像信号が比較器(4)に出力
される。この画像信号は比較器(4)において2値化ス
レッショルド設定部(3)に予め設定されているスレッ
ショルドレベルT1と比較されることにより2値化され
た後、入力画像パターンとして入力画像メモリ(5)に
格納される。
次に、この入力画像パターンは相関器(6〉に入力し、
ここで基準画像メモリ(ア)に予め登録されている基準
画像パターンとの相関演算が行われる。
すなわち、入力画像パターンと基準画像パターンがどの
程度一致したかを示す相関度が算出される。
相関度は、認識判定アドレス計算部(8)において相関
スレッショルド設定部(9)に予め設定されているスレ
ッショルドレベルT2と比較され、相関度がスレッショ
ルドレベルT2より高い場合には被認識物体(1)は認
識されたものと判定され、その位置が算出される。
ここで、入力画像パターンと基準画像パターンとの相関
度をパターンマツチング法により演算する方法を述べる
。パターンマツチング法は、2枚の画像を重ねて互いに
移動させ、両者が最も一致したときの相関度をとる方法
である。入力画像パターン及び基準画像パターンをそれ
ぞれ例えば第5A図及び第5B図に示すパターンとする
。これらの図において、斜線部(20a)〜(23a)
、(20b)及び<21b)はそれぞれ2値化の白レベ
ル部分を示し、他の部分(24a)及び(24b)は黒
レベル部分を示している。
第5A図の入力画像パターン上に第5B図の基準画像パ
ターンを重ねながらその位置を移動させていくと、基準
画像パターンが入力画像パターンの領域Aに位置したと
きに双方のパターンの一致が得られる。すなわち、入力
画像パターンの白レベル部分(20a)及び(21a)
と基準画像パターンの白レベル部分(zob)及び(2
1b)とがそれぞれ互いに重なり、残りの黒レベル部分
(24a)及び(24b)も互いに重なることとなる。
このときの重なり具合が完全であれば相関度は100%
となる。一方、第6図に示すように、入力画像パターン
の白レベル部分(20c)が一部欠けている場合には、
この欠けた部分は基準画像パターンと重ならないことに
なるので、その分だけ相関度が100%より低下する。
このようにして入力画像パターンと基準画像パターンと
の相関度が演算され、相関度がスレッショルドレベルT
2より高いときに被認識物体(1)の認識がなされる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、第7B図に示すように白レベル部分(2
5b)の面積比率が黒レベル部分(26b)に比べて小
さい基準画像パターンを用いる場合には、次のような問
題があった0例えば白レベル部分(25b)の面積比率
を20%とし、この基準画像パターンで第7A図のよう
に黒レベル部分(26a)のみからなる入力画像パター
ンの認識を行うことを考える。
この入力画像パターンには本来白レベル部分として現れ
る領域(25a)が存在するが、被認識物体(1〉の状
態あるいは周囲の状態により黒レベル部分となったもの
である。この場合、基準画像パターンの白レベル部分(
25b)は20%しかないので、基準画像パターンの位
置に拘わらずに相関度は80%となる。
従って、相関スレッショルド設定部り9〉のスレッショ
ルドレベルT2を70%に設定すると、基準画像パター
ンが入力画像パターン上のどこに位置してもその相関度
がスレッショルドレベルT2を越えるため被認識物体(
1)の認識がなされてしまう。すなわち、本来認識が要
求される領域Bとは異なる領域Cを誤認識することとな
る。
これを防止するには、相関スレッショルド設定部(9)
のスレッショルドレベルT2を高くする方法が考えられ
るが、第7B図のように白レベル部分(25b)の面積
比率が低い基準画像パターンでは、スレッショルドレベ
ルT2を90%程度の極めて高い値に設定する必要があ
り、認識の信憑性は薄いものとなる。また、基準画像パ
ターンを他のパターンに取り替えると、その度にスレッ
ショルドレベルT2も変えなければならない。
パターンマツチング法が2枚の画像を重ね合わせる点を
考慮すると、白レベル部分の面積比率が50%に近づく
程、認識結果の信憑性は高くなることがわかる。ところ
が、単に2値化スレッショルド設定部(3〉のスレッシ
ョルドレベルT、を変えることにより白レベル部分の面
積比率を50%に近づけようとすると、例えば第8図に
示すように白レベル部分(zob)と(21b)との間
に存在する本来黒レベル部分となるべき不安定な領域(
27b)が白レベル部分として登録されてしまい、パタ
ーン認識上好ましくない。
このように従来は被認識物体(1)のパターンによって
は認識の信頼性が低下するという問題点があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、被認識物体のパターンに拘わらずに信頼性の高
い認識を行うことのできるパターン認識方法及びその装
置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るパターン認識方法は、被認識物体の画像
を2値化することにより白レベル及び黒レベルからなる
入力画像パターンを形成し、予め白レベル及び黒レベル
から形成されている基準画像パターンの白レベル部分と
黒レベル部分との面積比がほぼ1:1となるようにマス
クを作成し、基準画像パターン上にマスクをかけて入力
画像パターンとの相関度を演算し、相関度が設定値より
高いときに被認識物体の位置を認識する方法である。
また、この発明に係るパターン認識装置は、被認識物体
を撮像する撮像手段と、撮像手段で得られた被認識物体
の画像を2値化して白レベル及び黒レベルからなる入力
画像パターンを形成する入力画像パターン形成手段と、
予め白レベル及び黒レベルから形成されている基準画像
パターンを格納する基準画像メモリと、基準画像パター
ンの白レベル部分と黒レベル部分との面積比がほぼ1:
1となるようにマスクを作成するマスク作成手段と、基
準画像パターン上にマスクをかけて入力画像パターンと
の相関度を演算する相関演算手段と、相関演算手段で演
算された相関度を設定値と比較しこの設定値より高いと
きに被認識物体の位置を認識する認識手段とを備えたも
のである。
〔作用〕
この発明に係るパターン認識方法においては、基準画像
パターンの白レベル部分と黒レベル部分との面積比がほ
ぼ1:1となるようにマスクを作成し、このマスクを基
準画像パターン上にかけた状態で入力画像パターンとの
相関度を演算する。
また、この発明に係るパターン認識装置では。
マスク作成手段が基準画像パターンの白レベル部分と黒
レベル部分との面積比がほぼ1:1となるようなマスク
を作成し、相関演算手段がこのマスクを基準画像パター
ン上にかけて入力画像パターンとの相関度を演算する。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を添付図面に基づいて説明する
第1図はこの発明の一実施例に係るパターン認識装置を
示すブロック図である。撮像手段となるカメラ(2〉が
半導体装置等の被認識物体(1)に対向して配置されて
おり、このカメラ(2)が比較器(4)に接続されてい
る。比較器(4)には2値化のためのスレッショルドレ
ベルT、が設定された2値化スレッショルド設定部(3
)が接続されており、この2値化スレッショルド設定部
(3)及び比較器(4)により入力画像パターン作成手
段が形成されている。
また、比較器(4)は入力画像メモリ(5)を介して相
関演算手段である相関器(6)に接続されている。
相関器(8)には基準画像メモリ(7〉が接続され、こ
の基準画像メモリ(7〉にマスク作成手段となる自動マ
スク作成部(10)が接続されている。さらに、自動マ
スク作成部(10)はマスクメモリ(11)を介して相
関器(6)に接続されている。また、相関器(6)には
認識判定アドレス計算部(8)が接続され、この認識判
定アドレス計算部(8)に認識判定のためのスレッショ
ルドレベルT2が設定された相関スレッショルド設定部
(9)が接続されている。これら認識判定アドレス計算
部(8)及び相関スレッショルド設定部(9)により認
識手段が形成されている。
次に、実施例の動作について説明する。まず、被認識物
体(1〉がカメラ(2)により撮像され、カメラ(2)
からアナログの画像信号が比較器(4)に出力される。
この画像信号は比較器(4〉において2値化スレッショ
ルド設定部(3)に予め設定されているスレッショルド
レベルT1と比較されることにより2値化され、白レベ
ル及び黒レベルからなる入力画像パターンとして入力画
像メモリ(5)に格納される。
一方、基準画像メモリ(7)には予め操作者により白レ
ベル及び黒レベルからなる基準画像パターンが登録され
格納されている。この基準画像パターンは自動マスク作
成部(10)により読み出され、ここで基準画像パター
ンの白レベル部分と黒レベル部分との面積比が1:1と
なるようなマスクが形成される。すなわち、基準画像パ
ターン上にマスクをかけたときに、マスク領域を無視し
それ以外の領域において白レベル部分と黒レベル部分の
面積が一致するようなマスクを形成する。自動マスク作
成部(10)で作成されたマスクはマスクメモリ(11
)に格納される。
その後、相関器(6)は入力画像メモリ(5)、基準画
像メモリ〈7)及びマスクメモリ(11〉からそれぞれ
入力画像パターン、基準画像パターン及びマスクを読み
出し、マスクを基準画像パターン上にがけた状態でこの
基準画像パターンと入力画像パターンとの相関度を演算
するにの相関度は、認識判定アドレス計算部(8)にお
いて相関スレッショルド設定部(9〉に予め設定されて
いるスレッショルドレベルT2と比較される。そして、
相関度がスレッショルドレベルT2より低い場合にはま
だ被認識物体(1)は認識されないと判定され、マスク
がかけられた基準画像パターンを入力画像パターン上で
所定の間隔で移動させた後、再び相関度を演算し、認識
判定アドレス計算部〈8)で認識の判定を行う、このよ
うにして基準画像パターンを移動させつつ相関度を求め
ていき、相関度がスレッショルドレベルT2より高くな
った場合に認識判定アドレス計算部(8)で被認識物体
(1)は認識されたものと判定され、その位置が算出さ
れる。
ここで、自動マスク作成部(10)によるマスクの作成
方法について第2図のフローチャートを参照して説明す
る。ただし、基準画像パターンにおいて白レベル部分の
面積が黒レベル部分の面積より小さいものとする。
まず、ステップ41で基準画像メモリ(7)から基準画
像パターンを読み出し、ステップ42で基準画像パター
ンの白レベル部分を探し出した後、さらにステップ43
で白レベル部分の中心線を演算する。
次に、ステップ44で隣接する白レベル部分間に不安定
なパターンが存在するか否か判別し、存在する場合には
ステップ45〜47に進んで第1の作成方法によりマス
クの作成を行う、すなわち、基準画像パターンの黒レベ
ル部分を一旦全てマスク領域とした後、ステップ43で
求めた白レベル部分の中心線を中心として線対称に白レ
ベル部分の周辺に所定の範囲の黒レベル部分を設定する
(ステップ45)、この黒レベル部分を所定量だけ拡張
しくステップ46)、白レベル部分の面積SIlと黒レ
ベル部分の面11Saとを比較する(ステップ47〉、
そして、S、>S、の場合には再びステップ46に戻っ
て黒レベル部分を拡張する。この操作を繰り返し、S1
1≦S8となったところで白レベル部分と黒レベル部分
との面積比がほぼ1;1になったと判断してマスクの作
成を終了する。さらに、ステップ48でこのマスクをマ
スクメモリ(11)に格納する。
この第1の作成方法により第5B図に示した基準画像パ
ターンを基にして作成したマスクを第3A図に示す、白
レベル部分(20b)及び(21b)の周辺に黒レベル
部分(24b)が位置し、黒レベル部分(24b)の外
側にマスク領域(31)及び(32〉が形成される。従
って、隣接する白レベル部分(20b)及び(21b)
の中間部に不安定なパターンが存在してもマスク領域(
31)によってマスキングされることとなる。
一方、ステップ44で隣接する白レベル部分間に不安定
なパターンが存在しない場合にはステップ49〜51に
進んで第2の作成方法によりマスクの作成を行う、すな
わち、ステップ43で求めた白レベル部分の中心線を中
心として線対称に白レベル部分の周辺に所定の範囲のマ
スク領域を設定する(ステップ49)。このマスク領域
を所定量だけ拡張しくステップ50)、白レベル部分の
面積Swと黒レベル部分の面積Saとを比較する(ステ
ップ51)、そして、S、<S、の場合には再びステッ
プ50に戻ってマスク領域を拡張する。この操作を繰り
返し、Sw≧S、となったところで白レベル部分と黒レ
ベル部分との面積比がほぼ1:1になったと判断してマ
スクの作成を終了する。さらに、ステップ48でこのマ
スクをマスクメモリ(11)に格納する。
この第2の作成方法により第5B図に示した基準画像パ
ターンを基にして作成したマスクを第3B図に示す、白
レベル部分(20b)及び(21b)の周辺にマスク領
域(33)、(34)及び(35)が形成される。
従って、白レベル部分(20b)及び(21b)の周縁
部が不安定な場合に有効である。
尚、基準画像パターンの白レベル部分の面積が黒レベル
部分の面積より大きい場合には、第2図のフローチャー
トにおける各ステップの白レベル部分と黒レベル部分と
を全て交換し、白レベル部分の上にマスク領域を形成す
ればよい。
また、第2図のステップ44における不安定パターンの
存在の有無の判別は、予め操作者が被認識物体(1)あ
るいは入力画像パターンがら判断し、その結果を自動マ
スク作成部(10〉に入力することにより行うことがで
きる。また、比較器(4)で入力画像を2値化する際に
自動的に不安定パターンを捜し出し、その結果を自動マ
スク作成部(1o)に入力させることもできる。
ステップ44の結果に応じて第1及び第2の方法のいず
れかを選択してマスクを作成したが、不安定パターンの
有無に拘わらずにこれらの方法の一方のみを用いてマス
クを作成してもよい。
また、マスクは操作者が作成してこれをマスクメモリ(
11)に登録することもできるが、上記実施例のように
自動マスク作成部(10)で自動的に作成すれば、マス
クに人為的差が生じず、安定した認識判定が可能になる
と共に処理時間の短縮化が図られる。
白レベル部分と黒レベル部分の面積比は1:1になるの
が好ましいが、これに限るものではない。
尚、この発明のパターン認識方法及び装置は半導体装置
の製造工程において用いられるワイヤボンド装置やグイ
ボンド装置等に広く適用することができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明に係るパターン認識方法
は、被認識物体の画像を2値化することにより白レベル
及び黒レベルからなる入力画像1<ターンを形成し、予
め白レベル及び黒レベルから形成されている基準画像パ
ターンの白レベル部分と黒レベル部分との面積比がほぼ
1:1となるようにマスクを作成し、基準画像パターン
上にマスクをかけて入力画像パターンとの相関度を演算
し、相関度が設定値より高いときに被認識物体の位置を
認識するので、被認識物体のパターンに拘わらずに信頼
性の優れた認識を行うことができる。
また、この発明に係るパターン認識装置は、被認識物体
を撮像する撮像手段と、撮像手段で得られた被認識物体
の画像を2値化して白レベル及び黒レベルからなる入力
画像パターンを形成する入力画像パターン形成手段と、
予め白レベル及び黒レベルから形成されている基準画像
パターンを格納する基準画像メモリと、基準画像パター
ンの白レベル部分と黒レベル部分との面積比がほぼ1:
1となるようにマスクを作成するマスク作成手段と、基
準画像パターン上にマスクをかけて入力画像パターンと
の相関度を演算する相関演算手段と、相関演算手段で演
算された相関度を設定値と比較しこの設定値より高いと
きに被認識物体の位置を認識する認識手段とを備えてい
るので、最適なマスクが自動的に作成され、操作者の個
人差によらない高信頼性のパターン認識が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例に係るパターン認識装置を
示すブロック図、第2図は実施例の自動マスク作成部の
動作を示すフローチャート、第3A図及び第3B図はそ
れぞれマスクを示す模式図、第4図は従来のパターン認
識装置を示すブロック図、第5A図、第5B図及び第6
図はそれぞれパターンマツチング法を示すための模式図
、第7A図、第7B図及び第8図はそれぞれ従来技術の
問題点を示す模式図である。 図において、(1)は被認識物体、(2〉はカメラ、(
3)は2値化スレッショルド設定部、(4)は比較器、
(6)は相関器、(7)は基準画像メモリ、(8)は認
識判定アドレス計算部、(9)は相関スレッショルド設
定部、(lO〉は自動マスク作成部、(20b)及び(
21b)は白レベル部分、(24b)は黒レベル部分、
(31)〜(35)はマスク領域である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被認識物体の画像を2値化することにより白レベ
    ル及び黒レベルからなる入力画像パターンを形成し、 予め白レベル及び黒レベルから形成されている基準画像
    パターンの白レベル部分と黒レベル部分との面積比がほ
    ぼ1:1となるようにマスクを作成し、 前記基準画像パターン上に前記マスクをかけて前記入力
    画像パターンとの相関度を演算し、前記相関度が設定値
    より高いときに前記被認識物体の位置を認識する ことを特徴とするパターン認識方法。
  2. (2)被認識物体を撮像する撮像手段と、 前記撮像手段で得られた前記被認識物体の画像を2値化
    して白レベル及び黒レベルからなる入力画像パターンを
    形成する入力画像パターン形成手段と、 予め白レベル及び黒レベルから形成されている基準面像
    パターンを格納する基準画像メモリと、前記基準画像パ
    ターンの白レベル部分と黒レベル部分との面積比がほぼ
    1:1となるようにマスクを作成するマスク作成手段と
    、 前記基準画像パターン上に前記マスクをかけて前記入力
    画像パターンとの相関度を演算する相関演算手段と、 前記相関演算手段で演算された相関度を設定値と比較し
    この設定値より高いときに前記被認識物体の位置を認識
    する認識手段と を備えたことを特徴とするパターン認識装置。
JP1279924A 1989-10-30 1989-10-30 パターン認識方法及びその装置 Pending JPH03142689A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1279924A JPH03142689A (ja) 1989-10-30 1989-10-30 パターン認識方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1279924A JPH03142689A (ja) 1989-10-30 1989-10-30 パターン認識方法及びその装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03142689A true JPH03142689A (ja) 1991-06-18

Family

ID=17617808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1279924A Pending JPH03142689A (ja) 1989-10-30 1989-10-30 パターン認識方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03142689A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6346583A (ja) * 1986-08-14 1988-02-27 Toshiba Seiki Kk パタ−ン認識方法
JPS63170789A (ja) * 1987-01-09 1988-07-14 Agency Of Ind Science & Technol パタ−ン類似度検出回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6346583A (ja) * 1986-08-14 1988-02-27 Toshiba Seiki Kk パタ−ン認識方法
JPS63170789A (ja) * 1987-01-09 1988-07-14 Agency Of Ind Science & Technol パタ−ン類似度検出回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1139469A (ja) 顔画像処理装置
JPH04198741A (ja) 形状欠陥検出装置
JPH03142689A (ja) パターン認識方法及びその装置
JPH05313736A (ja) 移動車両の障害物認識装置
JPH03201454A (ja) 半導体装置の位置合わせ方法
JPH07302346A (ja) 路面の白線検出方法
JPH0340183A (ja) コーナ検出装置
JPH09147113A (ja) 指紋照合方法及び装置
JPH02156383A (ja) パターンマッチング方法
JPS5971581A (ja) 画像認識方法
JPH0760459B2 (ja) コ−ナ検出装置
JPH0498468A (ja) 指紋照合装置における特徴点選別方法
JP3191373B2 (ja) パターン認識方法
JPS60200375A (ja) テンプレ−トマツチング方式
JPH08219720A (ja) 電子部品の接合部位置認識方法
JPH02206882A (ja) 画像処理装置
JPS61286704A (ja) 画像の境界線検出方法
JPS6360432B2 (ja)
KR100213346B1 (ko) 조정부품의 조정홈 검출장치 및 방법
JP2954498B2 (ja) 電子部品の接合部位置推認方法
JPH07120418B2 (ja) パタ−ン認識方法
JPH02307167A (ja) 位置認識装置
JP3333280B2 (ja) ボンディングワイヤ検査方法
JPS60256883A (ja) 関心領域抽出方法
JPS62233705A (ja) 位置検出方法