JPH03139616A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
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- JPH03139616A JPH03139616A JP27702989A JP27702989A JPH03139616A JP H03139616 A JPH03139616 A JP H03139616A JP 27702989 A JP27702989 A JP 27702989A JP 27702989 A JP27702989 A JP 27702989A JP H03139616 A JPH03139616 A JP H03139616A
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 4
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、表示パネルなどに利用しうる液晶素子に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
従来の液晶素子は以下のようにして形成されている。ま
ず、基板上の導電性被膜にフォトレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィー技術により電極パターンを形成後、
フォトレジストを除去する。次に、このようにして得ら
れた透明電極付き基板に、５ｉ０２などの絶縁膜をスパ
ッタリング等の成膜技術により形成する。さらに、上記
基板にポリイミド等の配向膜を印刷等により形成し、こ
れを焼成し、ラビング処理により配向処理する。その後
、通常のセル化工程および液晶の注入、封口な行ない液
晶素子を得ることができる。
ず、基板上の導電性被膜にフォトレジストを塗布し、フ
ォトリソグラフィー技術により電極パターンを形成後、
フォトレジストを除去する。次に、このようにして得ら
れた透明電極付き基板に、５ｉ０２などの絶縁膜をスパ
ッタリング等の成膜技術により形成する。さらに、上記
基板にポリイミド等の配向膜を印刷等により形成し、こ
れを焼成し、ラビング処理により配向処理する。その後
、通常のセル化工程および液晶の注入、封口な行ない液
晶素子を得ることができる。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術では、■透明電極パターンの形成工程、■
絶縁膜の形成工程、■配向膜の形成工程の３種の独立し
た工程を持つことが一般的である。
絶縁膜の形成工程、■配向膜の形成工程の３種の独立し
た工程を持つことが一般的である。
しかし、上記各工程では次のような欠点がある。
すなわち、透明電極パターン形成工程では、エツチング
後のフォトレジストの剥離が困難である。またフォトレ
ジストの完全な除去がなされているか否かの確認も極め
て困難である。また、通常のポジレジストの剥離液は、
強アルカリ性でありかつ加温した状態で使用するのが一
般的であるため、作業条件は極めて悪条件といえる。さ
らに、レジスト剥離が不完全であった場合レジストの残
渣が形成された絶縁膜の密着不良を起こし、上下基板間
のショート発生原因となる。
後のフォトレジストの剥離が困難である。またフォトレ
ジストの完全な除去がなされているか否かの確認も極め
て困難である。また、通常のポジレジストの剥離液は、
強アルカリ性でありかつ加温した状態で使用するのが一
般的であるため、作業条件は極めて悪条件といえる。さ
らに、レジスト剥離が不完全であった場合レジストの残
渣が形成された絶縁膜の密着不良を起こし、上下基板間
のショート発生原因となる。
絶縁膜の形成工程では、成膜時にゴミ等の異物が発生あ
るいは付着する頻度が高く、これが上下基板間のショー
ト発生や配向不良の原因となる。また、スパッター等の
真空成膜装置は生産処理能力が悪く、工程での律速条件
になる。
るいは付着する頻度が高く、これが上下基板間のショー
ト発生や配向不良の原因となる。また、スパッター等の
真空成膜装置は生産処理能力が悪く、工程での律速条件
になる。
配向膜形成工程では、一般に印刷による膜形成が行なわ
れ、印刷後の膜の焼成が高温でかつ長時間に及ぶという
欠点がある。
れ、印刷後の膜の焼成が高温でかつ長時間に及ぶという
欠点がある。
本発明の目的は、上記従来技術における工程上の欠点を
排除し、工程の大幅な削減およびコストダウンを可能な
ものにすることである。
排除し、工程の大幅な削減およびコストダウンを可能な
ものにすることである。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため本発明では、液晶と、この液晶
を挟んで対向する透明電極と、さらにこの液晶および透
明電極を間に配置して対向する基板とを備え、この液晶
は、透明電極を介して印加される電圧によって透過光の
偏光状態が変化する液晶表示素子において、透明電極上
にのみ高分子薄膜を備え、該高分子薄膜が、絶縁膜およ
び配向膜の機能を有するようにしている。
を挟んで対向する透明電極と、さらにこの液晶および透
明電極を間に配置して対向する基板とを備え、この液晶
は、透明電極を介して印加される電圧によって透過光の
偏光状態が変化する液晶表示素子において、透明電極上
にのみ高分子薄膜を備え、該高分子薄膜が、絶縁膜およ
び配向膜の機能を有するようにしている。
高分子薄膜としては、感光性ポリイミド、感光性ポリア
ミドまたはネガレジスト等が好ましい。
ミドまたはネガレジスト等が好ましい。
また、高分子薄膜は、ラビング処理により配向処理され
ていることが好ましい。
ていることが好ましい。
液晶は、強誘電性であることが好ましい。また、高分子
薄膜上の液晶の配向と、隣接電極間の高分子薄膜がない
部分の液晶の配向とが異なることが好ましい。
薄膜上の液晶の配向と、隣接電極間の高分子薄膜がない
部分の液晶の配向とが異なることが好ましい。
［作用］
従来の液晶素子は、第２図に示すように、基板上に、透
明電極、絶縁膜および配向膜が形成された２枚の基板間
に液晶が注入されたものであり、基板、透明電極、絶縁
膜および配向膜からなる４層構造である。一方、本発明
の液晶素子は、第１図に示すように、基板、透明電極お
よび高分子薄膜からなる３層構造であり、このことが工
程の大幅な削減につながっている。
明電極、絶縁膜および配向膜が形成された２枚の基板間
に液晶が注入されたものであり、基板、透明電極、絶縁
膜および配向膜からなる４層構造である。一方、本発明
の液晶素子は、第１図に示すように、基板、透明電極お
よび高分子薄膜からなる３層構造であり、このことが工
程の大幅な削減につながっている。
すなわち本発明では、透明電極パターン形成の際に、従
来使用されているフォトレジストの代わりとして、感光
性高分子薄膜を用いて、通常のエツチングまでのフォト
リソグラフィー工程を行なうことにより電極パターンを
形成し、さらに高分子薄膜を剥離することなくかつその
絶縁性を保ちつつラビングによる配向処理を行なった結
果、高分子薄膜が絶縁膜および配向膜としての機能を発
揮するものである。
来使用されているフォトレジストの代わりとして、感光
性高分子薄膜を用いて、通常のエツチングまでのフォト
リソグラフィー工程を行なうことにより電極パターンを
形成し、さらに高分子薄膜を剥離することなくかつその
絶縁性を保ちつつラビングによる配向処理を行なった結
果、高分子薄膜が絶縁膜および配向膜としての機能を発
揮するものである。
従って、フォトレジスト、絶縁膜および配向膜のような
高価な材料や、それぞれの膜を形成するための大掛かり
な装置を使用する必要が一切無しに、極めて有効な素子
構成が作成され、生産力の向上、製品のコストダウン化
が図れる。
高価な材料や、それぞれの膜を形成するための大掛かり
な装置を使用する必要が一切無しに、極めて有効な素子
構成が作成され、生産力の向上、製品のコストダウン化
が図れる。
［実施例］
Ｋ旌■ニ
ガラス基板表面にスパッタリングにより形成した厚さ２
０００人の酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）上に感光性ポ
リイミド（宇部興産■製、リソコート ＰＩ−４００、
固形分８．５％、溶媒ＮＭＰ主成分）をスピンナーにて
、塗布条件３５００ ｒ、ｐ、ｍ 、 ３０秒で塗布し
、塗布後直ちに６０℃で２０分間加熱乾燥した。次に、
６００ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２の光量で露光し、これを
ＰＩ−４００用現像液にて、室温で３０秒間現像した後
、２００℃で３０分間熱処理した。この時得られたポリ
イミドの膜厚は、約１６００人であった。さらにこの熱
処理した基板を塩酸、硝酸系エツチング液で３分間エツ
チングを行ない水洗し乾燥させて、電極パターンおよび
ポリイミド薄膜を形成した。
０００人の酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）上に感光性ポ
リイミド（宇部興産■製、リソコート ＰＩ−４００、
固形分８．５％、溶媒ＮＭＰ主成分）をスピンナーにて
、塗布条件３５００ ｒ、ｐ、ｍ 、 ３０秒で塗布し
、塗布後直ちに６０℃で２０分間加熱乾燥した。次に、
６００ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２の光量で露光し、これを
ＰＩ−４００用現像液にて、室温で３０秒間現像した後
、２００℃で３０分間熱処理した。この時得られたポリ
イミドの膜厚は、約１６００人であった。さらにこの熱
処理した基板を塩酸、硝酸系エツチング液で３分間エツ
チングを行ない水洗し乾燥させて、電極パターンおよび
ポリイミド薄膜を形成した。
このようにして得られた電極パターンと、該パターン上
に形成されかつ該パターンと同一形状の感光性ポリイミ
ド薄膜とを有する２枚の基板を公知のラビング処理によ
りそれぞれ配向処理し、これら基板を用いて通常の工程
に従ってセルを形成し、これに強誘電性液晶（チッソ社
製ｒｃｓ１０１４Ｊ）を注入し、封口することにより液
晶表示素子を作成した。
に形成されかつ該パターンと同一形状の感光性ポリイミ
ド薄膜とを有する２枚の基板を公知のラビング処理によ
りそれぞれ配向処理し、これら基板を用いて通常の工程
に従ってセルを形成し、これに強誘電性液晶（チッソ社
製ｒｃｓ１０１４Ｊ）を注入し、封口することにより液
晶表示素子を作成した。
上記液晶素子を例えば米国特許第
４．６５５．５８１号公報に記載のマルチブレクシング
駆動を行ったところ、上下基板間にはショートが発生せ
ず、電極上に形成された感光性ポリイミド薄膜は一般に
スパッタリング等で得られる５ｉｎ２絶縁膜などとほぼ
同程度の絶縁性を示した。また、上記感光性ポリイミド
薄膜によって、液晶は、通常用いられているポリイミド
配向膜による場合とほぼ同程度の均一で安定した配向を
示した。
駆動を行ったところ、上下基板間にはショートが発生せ
ず、電極上に形成された感光性ポリイミド薄膜は一般に
スパッタリング等で得られる５ｉｎ２絶縁膜などとほぼ
同程度の絶縁性を示した。また、上記感光性ポリイミド
薄膜によって、液晶は、通常用いられているポリイミド
配向膜による場合とほぼ同程度の均一で安定した配向を
示した。
衷】０」ス
ガラス基板表面にスパッリングにより形成した厚さ２０
００人の酸化インジウム膜上に感光性ポリアミド（宇部
興産鱈製、リソコート ＰＡ−１００、固形分０．５％
、溶媒ＮＭＰ主成分）をスピンナーにて、塗布条件２５
００ｒ、ｐ、＋ａ、３０秒で塗布し、これを６５℃で１
５分間加熱乾燥した。加熱乾燥後、露光（露光量４００
ｍＪ／ｃｍ２）し、ＰＡ−１００用現像液にて室温で３
０秒間現像を行ない、これを２３０℃で３０分間熱処理
をした。このとき得られたポリアミドの膜厚は、約１８
００人であった。次に上記熱処理を済ませた基板を、塩
酸塩化第２鉄系エツチング液で２，５分間エツチングを
行ない、水洗、乾燥させて、電極パターンおよびポリア
ミド薄膜を形成した。
００人の酸化インジウム膜上に感光性ポリアミド（宇部
興産鱈製、リソコート ＰＡ−１００、固形分０．５％
、溶媒ＮＭＰ主成分）をスピンナーにて、塗布条件２５
００ｒ、ｐ、＋ａ、３０秒で塗布し、これを６５℃で１
５分間加熱乾燥した。加熱乾燥後、露光（露光量４００
ｍＪ／ｃｍ２）し、ＰＡ−１００用現像液にて室温で３
０秒間現像を行ない、これを２３０℃で３０分間熱処理
をした。このとき得られたポリアミドの膜厚は、約１８
００人であった。次に上記熱処理を済ませた基板を、塩
酸塩化第２鉄系エツチング液で２，５分間エツチングを
行ない、水洗、乾燥させて、電極パターンおよびポリア
ミド薄膜を形成した。
このようにして得られた電極パターンと、該電極パター
ン上に形成されかつ該パターンと同一形状の感光性ポリ
アミド薄膜とを有する２枚の基板を通常のラビング処理
により配向処理をし、これら基板を用いて通常の工程に
従ってセルを形成し、これに強誘電性液晶（チッソ社製
ｒｃｓ１０１４Ｊ）を注入し封口することによって液晶
素子を作成した。
ン上に形成されかつ該パターンと同一形状の感光性ポリ
アミド薄膜とを有する２枚の基板を通常のラビング処理
により配向処理をし、これら基板を用いて通常の工程に
従ってセルを形成し、これに強誘電性液晶（チッソ社製
ｒｃｓ１０１４Ｊ）を注入し封口することによって液晶
素子を作成した。
上記液晶素子を実施例１と同様に駆動させたところ、上
下基板間ではショートが発生せず、電極上に形成された
感光性ポリアミド薄膜は一般にスパッタリング等で得ら
れる５ｉｎ２の絶縁膜と比較してほぼ同等の絶縁性を示
した。また、上記感光性ポリアミド薄膜によって、液晶
は、通常用いられているポリイミド配向膜による場合と
ほぼ同程度の均一でかつ安定した配向を示した。
下基板間ではショートが発生せず、電極上に形成された
感光性ポリアミド薄膜は一般にスパッタリング等で得ら
れる５ｉｎ２の絶縁膜と比較してほぼ同等の絶縁性を示
した。また、上記感光性ポリアミド薄膜によって、液晶
は、通常用いられているポリイミド配向膜による場合と
ほぼ同程度の均一でかつ安定した配向を示した。
なお、高分子薄膜の形成に際してはスピンナーだけでは
なく、一般に実施されているロールコータやスプレーを
用いることも可能であり、さらにはＬＢ法を用いること
も可能であることが確認された。
なく、一般に実施されているロールコータやスプレーを
用いることも可能であり、さらにはＬＢ法を用いること
も可能であることが確認された。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、素子形成におけ
る作業工程の大幅削減が可能となる。しかも、電極上の
高分子薄膜は、絶縁膜として一般的な５ｉｎ２絶縁膜と
ほぼ同程度の絶縁性を示すとともに、配向膜としては通
常のポリイミド配向膜と同様な配向を示すものとして形
成することができる。
る作業工程の大幅削減が可能となる。しかも、電極上の
高分子薄膜は、絶縁膜として一般的な５ｉｎ２絶縁膜と
ほぼ同程度の絶縁性を示すとともに、配向膜としては通
常のポリイミド配向膜と同様な配向を示すものとして形
成することができる。
従って、製品の生産能力の向上およびコストダウンを達
成することができる。
成することができる。
第１図は、本発明に係る液晶表示素子の構成図であり、
第２図は、従来の液晶表示素子の構成図である。
１１．２１・・・ガラス基板、
１２．２２・・・透明電極、
１３・・・感光性高分子膜、
１４．２５・・・液晶、
１５２６・・・スペーサー
１６．２７・・・シール剤、
２３・・・絶縁膜、２４・・・配向膜。
Claims (5)
- （１）液晶と、この液晶を挟んで対向する透明電極と、
さらにこの液晶および透明電極を間に配置して対向する
基板とを備え、この液晶は、透明電極を介して印加され
る電圧によって透過光の偏光状態が変化する液晶素子に
おいて、透明電極上にのみ高分子薄膜を備え、該高分子
薄膜が、絶縁膜および配向膜の機能を有することを特徴
とする液晶素子。 - （２）前記高分子薄膜が、感光性ポリイミド、感光性ポ
リアミドまたはネガレジストである、請求項１記載の液
晶素子。 - （３）前記高分子薄膜が、ラビング処理により配向処理
されている、請求項１記載の液晶素子。 - （４）前記液晶が、強誘電性を有する、請求項１記載の
液晶素子。 - （５）前記高分子薄膜上の液晶の配向と、隣接電極間の
高分子薄膜がない部分の液晶の配向が異なる、請求項１
記載の液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27702989A JPH03139616A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27702989A JPH03139616A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03139616A true JPH03139616A (ja) | 1991-06-13 |
Family
ID=17577783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27702989A Pending JPH03139616A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03139616A (ja) |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP27702989A patent/JPH03139616A/ja active Pending
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