JPH03138908A - 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法Info
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- JPH03138908A JPH03138908A JP1277428A JP27742889A JPH03138908A JP H03138908 A JPH03138908 A JP H03138908A JP 1277428 A JP1277428 A JP 1277428A JP 27742889 A JP27742889 A JP 27742889A JP H03138908 A JPH03138908 A JP H03138908A
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- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005469 granulation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003179 granulation Effects 0.000 abstract description 2
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- KOAWAWHSMVKCON-UHFFFAOYSA-N 6-[difluoro-(6-pyridin-4-yl-[1,2,4]triazolo[4,3-b]pyridazin-3-yl)methyl]quinoline Chemical compound C=1C=C2N=CC=CC2=CC=1C(F)(F)C(N1N=2)=NN=C1C=CC=2C1=CC=NC=C1 KOAWAWHSMVKCON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 125000004436 sodium atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器２電気機器で発生する異常電圧、ノ
イズ、パルス、静電気から半導体及び回路を保護すると
ころの５ｒＴｉＣｈを主成分とする電圧依存性非直線抵
抗体素子及びその製造方法に関するものである。
イズ、パルス、静電気から半導体及び回路を保護すると
ころの５ｒＴｉＣｈを主成分とする電圧依存性非直線抵
抗体素子及びその製造方法に関するものである。
従来の技術
従来、各種電子機器、電気機器で発生する異常電圧、ノ
イズ、パルス、静電気除去のためにバリスタ特性を有す
るＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタが使用されてきた
。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式
のように表すことができる。
イズ、パルス、静電気除去のためにバリスタ特性を有す
るＳｉＣバリスタやＺｎＯ系バリスタが使用されてきた
。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に次式
のように表すことができる。
！＝（Ｖ／Ｃ）α
ここで、■は電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。ＳｉＣバリスタの
電圧非直線指数αは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタでは
αが５０にも及ぶものがある。このようなバリスタは、
比較的高い電圧の吸収にはすぐれた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さく応答性が遅い
ため、バリスタ電圧以下の低い電圧や周波数の高いもの
の吸収に対してはほとんど効果を示さない。また、誘電
損６失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
であり、αは電圧非直線指数である。ＳｉＣバリスタの
電圧非直線指数αは２〜７程度、ＺｎＯ系バリスタでは
αが５０にも及ぶものがある。このようなバリスタは、
比較的高い電圧の吸収にはすぐれた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さく応答性が遅い
ため、バリスタ電圧以下の低い電圧や周波数の高いもの
の吸収に対してはほとんど効果を示さない。また、誘電
損６失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、低電圧のノイズなどの除去には、見掛は誘電率ε
が５Ｘ１０４程度で、誘電損失ｔａｎδが１％前後の半
導体コンデンサが利用されている。
が５Ｘ１０４程度で、誘電損失ｔａｎδが１％前後の半
導体コンデンサが利用されている。
しかし、このような半導体コンデンサは、サージなどに
よりある程度以上の電圧、電流が印加されると破壊した
り、コンデンサとしての機能を果たさな（なる。そこで
近年、５ｒＴｉ０３を主成分とし、バリスタ特性と、コ
ンデンサ特性の両方の機能を有するものが開発されてき
ている。
よりある程度以上の電圧、電流が印加されると破壊した
り、コンデンサとしての機能を果たさな（なる。そこで
近年、５ｒＴｉ０３を主成分とし、バリスタ特性と、コ
ンデンサ特性の両方の機能を有するものが開発されてき
ている。
発明が解決しようとする課題
５ｒＴｉ０３を主成分とする容量性バリスタは、バリス
タ電圧の温度係数が負の値を示し、このような容量性バ
リスタを高温中で使用したり、長時間使用すると素子が
発熱しバリスタ電圧が低下することにより、ひどい場合
にはショートの原因となりうる。さらに、高温中や長時
間使用する場合、バリスタ電圧が低下するのを見込んで
使用するため、実効的な制限電圧が増加し、各種電子機
器や電気機器に大きな負荷がかかると言う問題点も同時
に有している。従って、５ｒＴｉ０３を主成分とする容
量性バリスタにおいて、高温中や長時間使用中でのバリ
スタ電圧の低下を抑えるために、バリスタ電圧の温度係
数が正または０の値を示す必要がある。
タ電圧の温度係数が負の値を示し、このような容量性バ
リスタを高温中で使用したり、長時間使用すると素子が
発熱しバリスタ電圧が低下することにより、ひどい場合
にはショートの原因となりうる。さらに、高温中や長時
間使用する場合、バリスタ電圧が低下するのを見込んで
使用するため、実効的な制限電圧が増加し、各種電子機
器や電気機器に大きな負荷がかかると言う問題点も同時
に有している。従って、５ｒＴｉ０３を主成分とする容
量性バリスタにおいて、高温中や長時間使用中でのバリ
スタ電圧の低下を抑えるために、バリスタ電圧の温度係
数が正または０の値を示す必要がある。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもので、５ｒ
Ｔｉ０３を主成分とする電圧依存性非直線抵抗体素子及
びその製造方法を提供することを目的とするものである
。
Ｔｉ０３を主成分とする電圧依存性非直線抵抗体素子及
びその製造方法を提供することを目的とするものである
。
課題を解決するための手段
上記のような問題点を解決するために本発明は、原子価
制御により半導体化したＳｒ、Ｔｉ原子を主成分とする
ペロブスカイト型構造を有する酸化物に、ＮａＡ１！０
２を０．２〜５．０ｍｏｌ％含ませてなる電圧依存性非
直線抵抗体素子を提供するものである。さらに、５ｒＴ
ｉ０３の粉末を原料としＮｂ、Ｔａなとの原子価制御剤
を適量添加し、さらにＮａＡＱ０２を０．２〜５．０ｍ
ｏｌ％添加した混合粉末を成形し、還元雰囲気中や窒素
雰囲気中で１２００〜１５００℃の温度範囲で焼成し、
その後、空気中で９００〜１２００℃の温度範囲で熱処
理を行った後に各種方法で電極を設けた電圧依存性非直
線抵抗体素子の製造方法を提供するものである。
制御により半導体化したＳｒ、Ｔｉ原子を主成分とする
ペロブスカイト型構造を有する酸化物に、ＮａＡ１！０
２を０．２〜５．０ｍｏｌ％含ませてなる電圧依存性非
直線抵抗体素子を提供するものである。さらに、５ｒＴ
ｉ０３の粉末を原料としＮｂ、Ｔａなとの原子価制御剤
を適量添加し、さらにＮａＡＱ０２を０．２〜５．０ｍ
ｏｌ％添加した混合粉末を成形し、還元雰囲気中や窒素
雰囲気中で１２００〜１５００℃の温度範囲で焼成し、
その後、空気中で９００〜１２００℃の温度範囲で熱処
理を行った後に各種方法で電極を設けた電圧依存性非直
線抵抗体素子の製造方法を提供するものである。
作用
一般に５ｒＴｉ０３にＮｂ、Ｔａなどの原子を含む原子
価制御剤を適量添加し、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で
焼成した素子を空気中で熱処理を行い、その後、電極を
設けて形成した容量性バリスタでは、再酸化の度合が素
子の表面と内部で異なり不均一となる。その結果、表面
では酸素の濃度が多く内部では少ないといった酸素濃度
勾配を持つ。このような容量性バリスタの電子伝導メカ
ニズムは酸素濃度勾配が原因である非対称エネルギー障
壁によるものと考えられる。そこで、このような電子伝
導メカニズムを持つ容量性バリスタを高温中や長時間使
用すると、電子が熱エネルギーにより励起され、常温中
では乗り越えることが困難であったエネルギー障壁を容
易に乗り越えることが可能となり、結果としてバリスタ
電圧が低下する。さらに、このような非対称エネルギー
障壁を持つ容量性バリスタでは、バリスタ電圧に方向性
（分極）が生じ易（なる。そこで、この非対称エネルギ
ー障壁をなくす方法、すなわちでき上がった素子の酸素
濃度勾配を抑える方法として、次の二つの方法が考えら
れる。まず、第１の方法として、ＮａＡｅ０２を添加し
、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で焼成すると、Ｎａ原子
とＡｅ原子が５ｒＴｉＯｓの結晶中に固溶し、状態的に
不安定な格子歪みを生じる。そして、この様な素子を空
気中で熱処理を行うと、状態的に安定な格子歪みを抑え
る方向、すなわち酸化がされ易くなる方向に進み、結果
として素子の内部においても均一に再酸化が起こり酸素
濃度勾配が抑えられると考えられる。第２の方法として
空気中での熱処理温度を９００℃以上で行なうと、第１
の方法と同様に素子の白しにおいても均一に再酸化が起
こり酸素濃度勾配が抑えられると考えられる。従って、
この様な組成や製造方法で得られた容量性バＪスタでは
酸素濃度勾配がほとんどな（高温中や、長時間使用して
もバリスタ電圧の低下が抑えられることとなる。また、
この時、本発明のようにＮａＡｅ０２の添加量を０．２
〜５．０ｍｏｌ％の範囲に規定したのは、０．２ｍｏ
１％未満では添加効果が得られず、５．０ｍｏｌ％を超
えると焼結性や信頼性が低下するため容量性バリスタと
しての機能を果たさなくなるためである。なお、好まし
い範囲は、焼結性、信頼性を考えて、０．５〜２．０ｍ
ｏ １％の範囲である。
価制御剤を適量添加し、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で
焼成した素子を空気中で熱処理を行い、その後、電極を
設けて形成した容量性バリスタでは、再酸化の度合が素
子の表面と内部で異なり不均一となる。その結果、表面
では酸素の濃度が多く内部では少ないといった酸素濃度
勾配を持つ。このような容量性バリスタの電子伝導メカ
ニズムは酸素濃度勾配が原因である非対称エネルギー障
壁によるものと考えられる。そこで、このような電子伝
導メカニズムを持つ容量性バリスタを高温中や長時間使
用すると、電子が熱エネルギーにより励起され、常温中
では乗り越えることが困難であったエネルギー障壁を容
易に乗り越えることが可能となり、結果としてバリスタ
電圧が低下する。さらに、このような非対称エネルギー
障壁を持つ容量性バリスタでは、バリスタ電圧に方向性
（分極）が生じ易（なる。そこで、この非対称エネルギ
ー障壁をなくす方法、すなわちでき上がった素子の酸素
濃度勾配を抑える方法として、次の二つの方法が考えら
れる。まず、第１の方法として、ＮａＡｅ０２を添加し
、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で焼成すると、Ｎａ原子
とＡｅ原子が５ｒＴｉＯｓの結晶中に固溶し、状態的に
不安定な格子歪みを生じる。そして、この様な素子を空
気中で熱処理を行うと、状態的に安定な格子歪みを抑え
る方向、すなわち酸化がされ易くなる方向に進み、結果
として素子の内部においても均一に再酸化が起こり酸素
濃度勾配が抑えられると考えられる。第２の方法として
空気中での熱処理温度を９００℃以上で行なうと、第１
の方法と同様に素子の白しにおいても均一に再酸化が起
こり酸素濃度勾配が抑えられると考えられる。従って、
この様な組成や製造方法で得られた容量性バＪスタでは
酸素濃度勾配がほとんどな（高温中や、長時間使用して
もバリスタ電圧の低下が抑えられることとなる。また、
この時、本発明のようにＮａＡｅ０２の添加量を０．２
〜５．０ｍｏｌ％の範囲に規定したのは、０．２ｍｏ
１％未満では添加効果が得られず、５．０ｍｏｌ％を超
えると焼結性や信頼性が低下するため容量性バリスタと
しての機能を果たさなくなるためである。なお、好まし
い範囲は、焼結性、信頼性を考えて、０．５〜２．０ｍ
ｏ １％の範囲である。
従って、原子価制御により半導体化したＳｒ。
Ｔｉ原子を主成分とするペロブスカイト型構造を有する
容量性バリスタと、原子価制御により半導体化したＳｒ
、Ｔｉ原子を主成分とするペロブスカイト型構造を有す
る酸化物に、ＮａＡｅ０２を含ませてなる容量性バリス
タでは、その微細構造、電気特性が著しく異なり、互い
にして全く別の組成物と考えられる。
容量性バリスタと、原子価制御により半導体化したＳｒ
、Ｔｉ原子を主成分とするペロブスカイト型構造を有す
る酸化物に、ＮａＡｅ０２を含ませてなる容量性バリス
タでは、その微細構造、電気特性が著しく異なり、互い
にして全く別の組成物と考えられる。
実施例
以下に本発明について、実施例を挙げて具体的に説明す
る。まず、原料の５ｒＴｔ０３、原子価制御剤のＮｂｐ
Ｏｓ、バリスタ電圧の温度係数を改善するＮａＡｅ０２
を下記表に示す組成比になるように秤量、混合した。こ
れを乾燥後、自動乳鉢で粉砕した。その後、０．５ｗｔ
％ポリビニールアルコール溶液を添加し、１時間混合し
造粒した。造粒後、１ｔｏｎ／ｃｄの圧力で１２φＸ１
．０（ｎｗｎ）の円板状に成形し、次に空気中で４００
℃。
る。まず、原料の５ｒＴｔ０３、原子価制御剤のＮｂｐ
Ｏｓ、バリスタ電圧の温度係数を改善するＮａＡｅ０２
を下記表に示す組成比になるように秤量、混合した。こ
れを乾燥後、自動乳鉢で粉砕した。その後、０．５ｗｔ
％ポリビニールアルコール溶液を添加し、１時間混合し
造粒した。造粒後、１ｔｏｎ／ｃｄの圧力で１２φＸ１
．０（ｎｗｎ）の円板状に成形し、次に空気中で４００
℃。
２時間の条件で脱バインダーを行った。その後、Ｎ２：
Ｈ２＝１０：１の還元雰囲気中で１２００〜１５００℃
、２時間の条件で焼成した。このようにして得られた第
１．第２図に示す焼結体１を空気中で９００〜１２００
℃、２時間の条件で熱処理を行い、その後、外周を残す
ようにし電極２゜３を形成した。
Ｈ２＝１０：１の還元雰囲気中で１２００〜１５００℃
、２時間の条件で焼成した。このようにして得られた第
１．第２図に示す焼結体１を空気中で９００〜１２００
℃、２時間の条件で熱処理を行い、その後、外周を残す
ようにし電極２゜３を形成した。
このようにして得られた、Ｎ２： Ｈ２＝１０ ： １
の還元雰囲気中時で１０００℃、２時間の条件で焼成し
た焼結体を、空気中９００〜１２００℃。
の還元雰囲気中時で１０００℃、２時間の条件で焼成し
た焼結体を、空気中９００〜１２００℃。
２時間の条件で熱処理を行ない、Ｉｎ−Ｇａ電極を塗布
して形成した容量性バリスタの熱処理温度を９００，１
０００，１１００．１２００℃と変えた場合のバリスタ
電圧の温度係数の値を下記表に併せて示す。ここで、バ
リスタ電圧の温度係数の値は測定温度２０．８０℃での
バリスタ電圧ＶＯ，ＩｍＡ値の変化率から以下の式より
計算した。
して形成した容量性バリスタの熱処理温度を９００，１
０００，１１００．１２００℃と変えた場合のバリスタ
電圧の温度係数の値を下記表に併せて示す。ここで、バ
リスタ電圧の温度係数の値は測定温度２０．８０℃での
バリスタ電圧ＶＯ，ＩｍＡ値の変化率から以下の式より
計算した。
バリスタ電圧・温度係数△ＶＯ，）ａ＋Ａ×１００÷６
０ （５７℃） （以 下 余 白 ） まず、上記表について解説すると、試料番号１〜３は比
較例である。これらの試料ではバリスタ電圧の温度係数
が負の値となり、測定温度の上昇と共にバリスタ電圧の
値が低下し、添加剤の効果が得られないものである。こ
れに対し、その他の本発明の実施例にかかる試料番号４
〜Ｉ４ではバリスタ電圧の温度係数が正またはＯの値と
なり、測定温度が上昇してもバリスタ電圧の値が低下せ
ｉ′、添加剤の効果が得られるものである。
０ （５７℃） （以 下 余 白 ） まず、上記表について解説すると、試料番号１〜３は比
較例である。これらの試料ではバリスタ電圧の温度係数
が負の値となり、測定温度の上昇と共にバリスタ電圧の
値が低下し、添加剤の効果が得られないものである。こ
れに対し、その他の本発明の実施例にかかる試料番号４
〜Ｉ４ではバリスタ電圧の温度係数が正またはＯの値と
なり、測定温度が上昇してもバリスタ電圧の値が低下せ
ｉ′、添加剤の効果が得られるものである。
ここで、本実施例のようにＮａＡ１！０２の添加機を０
．２〜５．０ｍｏｌ％の範囲に規定したのは、０．２ｍ
ｏ １％未満では添加効果が得られず、５．Ｏｍｏ１％
を越えると焼結性や信頼性が低下するため容量性バリス
タとしての機能を果たさなくなるためである。また、熱
処理温度を９００〜１２００℃の範囲に規定したのは９
００℃未満では素子の内部まで均一に酸化されず酸素濃
度勾配を持ちバリスタ電圧の温度係数が負の値を示すこ
とやバリスタ電圧に方向性が生じるためで、１２００℃
を超えるとバリスタ電圧が上昇し、バリスタ特性が優先
しコンデンサ特性が低下し両特性のバランスが崩れるた
めに容量性バリスタとしての機能を果たさな（なるため
である。なお、本発明の実施例では、一部の組み合わせ
について示したが、他の組み合わせについても同様の効
果があることを確認した。さらに、本発明の実施例では
、焼成を還元雰囲気中で行う場合について説明したが、
これは窒素雰囲気中で焼成を行うようにしても良いもの
である。しかし、窒素雰囲気中で焼成を行った場合は、
半導体化が若干しにくい面があるため、還元雰囲気中で
焼成を行うよりも若干高温度（１４００〜１５Ｃ）０℃
）側で焼成する方が特性上は好ましいものである。
．２〜５．０ｍｏｌ％の範囲に規定したのは、０．２ｍ
ｏ １％未満では添加効果が得られず、５．Ｏｍｏ１％
を越えると焼結性や信頼性が低下するため容量性バリス
タとしての機能を果たさなくなるためである。また、熱
処理温度を９００〜１２００℃の範囲に規定したのは９
００℃未満では素子の内部まで均一に酸化されず酸素濃
度勾配を持ちバリスタ電圧の温度係数が負の値を示すこ
とやバリスタ電圧に方向性が生じるためで、１２００℃
を超えるとバリスタ電圧が上昇し、バリスタ特性が優先
しコンデンサ特性が低下し両特性のバランスが崩れるた
めに容量性バリスタとしての機能を果たさな（なるため
である。なお、本発明の実施例では、一部の組み合わせ
について示したが、他の組み合わせについても同様の効
果があることを確認した。さらに、本発明の実施例では
、焼成を還元雰囲気中で行う場合について説明したが、
これは窒素雰囲気中で焼成を行うようにしても良いもの
である。しかし、窒素雰囲気中で焼成を行った場合は、
半導体化が若干しにくい面があるため、還元雰囲気中で
焼成を行うよりも若干高温度（１４００〜１５Ｃ）０℃
）側で焼成する方が特性上は好ましいものである。
さらに、上記の実施例では、熱処理後の素子の両面にＩ
ｎ−Ｇａを塗布し、電極を形成し電気特性を測定したが
、Ａｇベーストなどの導電性ペーストを印刷し、５００
〜９００℃の温度範囲で焼付けて、電極を形成したり、
蒸着、スパッタリング２メツキなどの方法を用いて電極
を形成しても良いものである。
ｎ−Ｇａを塗布し、電極を形成し電気特性を測定したが
、Ａｇベーストなどの導電性ペーストを印刷し、５００
〜９００℃の温度範囲で焼付けて、電極を形成したり、
蒸着、スパッタリング２メツキなどの方法を用いて電極
を形成しても良いものである。
このようにして得られた本実施例の素子は、バリスタ電
圧の温度係数が正または０の値を示し、高温中や長時間
使用してもバリスタ電圧の低下を抑えられショートや実
効的制限電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧
の方向性が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性
が向上する。
圧の温度係数が正または０の値を示し、高温中や長時間
使用してもバリスタ電圧の低下を抑えられショートや実
効的制限電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧
の方向性が抑えられるため温度特性、信頼性、寿命特性
が向上する。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、
５ｒＴｉ０３を主成分とする容量性バリスタにおいて、
バリスタ電圧の温度係数が正またはＯの値を示し、また
、バリスタ電圧の方向性が抑えられるため温度特性、信
頼性、寿命特性が向上すると言う効果が得られる。
バリスタ電圧の温度係数が正またはＯの値を示し、また
、バリスタ電圧の方向性が抑えられるため温度特性、信
頼性、寿命特性が向上すると言う効果が得られる。
従来の容量性バリスタに比べれば、バリスタ電圧の温度
係数が正またはＯの値を示し、高温中や長時間使用して
もバリスタ電圧の低下を抑えられショートや実効的制限
電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧の方向性
が抑えられるため温度特性２信頼性、寿命特性が向上す
ることができる。
係数が正またはＯの値を示し、高温中や長時間使用して
もバリスタ電圧の低下を抑えられショートや実効的制限
電圧の増加が抑えられ、さらに、バリスタ電圧の方向性
が抑えられるため温度特性２信頼性、寿命特性が向上す
ることができる。
従って、本発明によれば温度特性、信頼性、寿命特性に
すぐれたノイズ、静電気から半導体及び回路を保護する
ことができる素子を得ることができ、その実用的効果は
極めて大きいものである。
すぐれたノイズ、静電気から半導体及び回路を保護する
ことができる素子を得ることができ、その実用的効果は
極めて大きいものである。
第１図は本発明の一実施例における電圧依存性非直線抵
抗体素子を示す上面図、第２図は同素子の断面図である
。 ｌ・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
抗体素子を示す上面図、第２図は同素子の断面図である
。 ｌ・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (2)
- （１）原子価制御により半導体化したＳｒ，Ｔｉ原子を
主成分とするペロブスカイト型構造を有する酸化物に、
ＮａＡｌＯ＿２を０．２〜５．０ｍｏｌ％含ませてなる
電圧依存性非直線抵抗体素子。 - （２）ＳｒＴｉＯ＿３の粉末を原料としＮｂ，Ｔａなど
の原子価制御剤を適量添加し、さらに ＮａＡｌＯ＿２を０．２〜５．０ｍｏｌ％添加した混合
粉末を成形し、還元雰囲気中や窒素雰囲気中で１２００
〜１５００℃の温度範囲で焼成し、その後、空気中で９
００〜１２００℃の温度範囲で熱処理を行った後に、各
種方法で電極を設けた電圧依存性非直線抵抗体素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277428A JP2725407B2 (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1277428A JP2725407B2 (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03138908A true JPH03138908A (ja) | 1991-06-13 |
| JP2725407B2 JP2725407B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=17583425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1277428A Expired - Lifetime JP2725407B2 (ja) | 1989-10-24 | 1989-10-24 | 電圧依存性非直線抵抗体素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2725407B2 (ja) |
-
1989
- 1989-10-24 JP JP1277428A patent/JP2725407B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2725407B2 (ja) | 1998-03-11 |
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