JPH03138579A - ディジタルic用試験装置 - Google Patents

ディジタルic用試験装置

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Publication number
JPH03138579A
JPH03138579A JP1276785A JP27678589A JPH03138579A JP H03138579 A JPH03138579 A JP H03138579A JP 1276785 A JP1276785 A JP 1276785A JP 27678589 A JP27678589 A JP 27678589A JP H03138579 A JPH03138579 A JP H03138579A
Authority
JP
Japan
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signal
circuit
sampling
output
digital
Prior art date
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Pending
Application number
JP1276785A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Motoike
本池 弘一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH03138579A publication Critical patent/JPH03138579A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明は高速ディジタルICの種々の特性を測定し、
その測定結果に基づいて良否判定を行うディジタルIC
用試験装置に関する。
(従来の技術) 半導体集積回路(IC)は出荷前に試験装置により最終
的な測定が行われ、良否判定がなされた後に良品のみが
出荷される。この測定及び良否判定の際に使用される試
験装置はアナログICJtjとディジタルIC用とに大
きく分けられており、どちらの場合にもD U T (
dcvicc undcr tcst)と称され、L、
C,Rの受動部品やアンプ等の能動部品と共にICが組
まれた試験回を用いて各種測定が行イつれる。
ここで従来のディジタルIC用試験装置について説明す
る。ディジタルIC用試験装置の基本的な試験項目には
、DC特性試験、機能試験、AC特性試験があげられる
。DC特性試験は一般にDUTの被測定端子にDC特性
試験部を接続して行われ、入力電流、出力電圧、消費電
流等の値が測定される。機能試験はDUTの入力端子に
各種パターンデータを印加し、出力が期待値と一致して
いるかどうかが判別される。AC特性試験では出力波形
の立ち上り、立ち下がり時間や伝搬遅延時間の測定が行
われる。このAC特性試験では機能試験部が使用される
。すなわち、DUTから出力される波形を定められた時
刻でコンパレータにより基準電圧とアナログ比較した後
、期待値との論理比較を行う機能試験部を用いて、前記
基準電圧と時刻とを変化させたときの期待値との論理比
較結果の波形を得て、その良否の境界の境界を知ること
により、AC特性を測定するものである。
このAC特性試験の場合、各回路相互のタイミング精度
が重要となっており、硯在、GaAs集積回路、HB 
T (hot electron basetrans
istor)    HE M T  (high  
electronIIlobility transi
stor)などの高速ディジタルICにおける高速度動
作時の特性を測定するにあたり、人力から出力までの信
号の伝達遅延時間や速度や出力信号レベルの経時変化の
測定が困難であることから、これらの測定が可能な測定
装置が望まれている。
(発明が解決しようとする課題) このように従来では、高速ディジタルICの高速度動作
時の特性を測定する際に、入力から出力までの信号の伝
達遅延時間の測定や出力信号レベルの経時変化の測定が
不可能であるという欠点がある。
この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その目的は、高速ディジタルICにおける入力か
ら出力に至る信号の伝達遅延時間の測定や出力信号レベ
ルの経時変化の測定を行うことができるディジタルIC
用試験装置を提供することにある。
[発明の構成コ (課題を解決するための手段) この発明のディジタルIC用試験装置は、供試1cが組
み込まれた被試験回路と、前記被試験回路に低給すべき
試験用信号を発生すると共にトリガ信号を発生する信号
源回路と、前記信号源回路で発生されたトリガ信号に基
づき前記被試験回路の論理出力信号と同期したサンプリ
ング信号並びにメモリアドレス信号を発生するサンプリ
ング信号発生回路と、前記サンプリング信号発生回路で
発生されたサンプリング信号に基づいて前記被試験回路
の論理出力信号電位をサンプリングする波形サンプリン
グ回路と、前記波形サンプリング回路でサンプリングさ
れた電位をディジタル値に変換するA/D変換回路と、
前記A/D変換回路の出力ディジタル値と前記サンプリ
ング信号発生回路で発生されたメモリアドレス信号に基
づき時間軸データとして記憶する記憶回路とから構成さ
れる。
(作用) サンプリング信号発生回路で発生されるサンプリング信
号に基づき、波形サンプリング回路で被試験回路の論理
出力信号電位がサンプリングされる。一方、このサンプ
リング信号に基づき、前記波形サンプリング回路のサン
プリング出力がA/D変換回路でディジタル値に変換さ
れる。変換されたディジタル値は、前記サンプリング信
号発生回路で発生されるメモリアドレス信号に基づき記
憶回路に時間軸データとして順次記憶される。
(実施例) 以下、図面を参照してこの発明を実施例により説明する
第1図はこの発明に係るディジタルIC用試験装置の構
成を示すブロック図である。例えばGaAs集積回路、
HB T (hot electron basetr
ansistor)   HE M T (high 
electronmobility transist
or)などの供試ICは、L、C。
Rの受動部品やアンプ等の能動部品と共にDUT(de
vice under LesL)1内に組み込まれて
いる。
(、;号源2はDUT 1に供給するための試験fム号
S1と、この信号S1と同期し、かっこの信号S]が供
給されたDUTlからの論理出力とも同期したトリが信
号S2を発生する。このトリガ信号S2はサンプリング
信号発生回路3に供給される。このサンプリング信号発
生回路3は前記信号S2に基づき、この信号S2に同期
したサンプリング信号S3とメモリアドレス信号S4と
を発生する。波形サンプリング回路4は前記信号s3に
基づいて前記DUTIからの論理出力信号をアンログ的
にサンプリングする。前記波形サンプリング回路4のサ
ンプリング電位(アナログ値)は、前記信号S3のタイ
ミングでA/D変換回路5に取り込まれ、ここでディジ
タル値に順次変換される。前記A/D変換回路5の出力
ディジタル値D]は前記メモリアドレス信号S4の値及
び出力タイミングで、連続した時間軸データとしてメモ
リ回路6に記憶される。
前記サンプリング信号発生回路3は、信号源2から出力
される前記トリガ信号s2のエツジの時刻をto、周期
をTとすると、tl(to≦tl<T)からt2(tl
<t2≦T)までの時間軸上で時間間隔Δtおきにサン
プリング信号S3とメモリアドレス信号S4とを発生す
る。そして、この時間間隔Δtの幅及び精度によって分
解性能が決定される。なお、この間隔Δtが極めて小さ
く、発生が困難な場合は、信号源2で複数のトリガ信号
S2を発生させ、ατ+Δt(αは正数)として複数種
のサンプリング信号を生成し、疑似的に微小間隔のサン
プリング信号を発生させることもできる。
前記波形サンプリング回路4は、サンプリング信号発生
回路3で発生されたサンプリング信号3のタイミングで
前記DUT 1の出力電位をアナログ的に取り込み、保
持する。
前記A/D変換回路5は、前記波形サンプリング回路4
で取り込まれ、保持されたアナログ値をディジタル値に
変換する回路であり、このA/D変換回路5の変換ビッ
ト数に比例して電位軸の分解性能が決定される。
前記メモリ回路6は、前記A/D変換回路5で得られた
ディジタル値を時間軸に従って順次記憶する回路である
このような構成によれば、微小間隔のサンプリング信号
に基づいてDUTlからの論理出力信号がメモリ回路6
に記憶されるので、メモリ回路6の記憶内容を読み出し
、基準のデータと比較、判定することによって、高速デ
ィジタルICの入力から出力までの信号の伝達延長時間
の測定並びに出力信号レベルの経時変化の測定を行うこ
とかできる。
第2図はこの発明に係るディジタルIC用試験装置の第
2の実施例の構成を示すブロック図であり、前記第1の
実施例装置に対し、予め比較用のデータを記憶する比較
値メモリ回路7と前記メモリ回路6の内容と前記比較値
メモリ回路7の内容とを比較して良否判定を行う比較回
路8を追加するようにしたものである。
第3図はこの発明に係るディジタルIC用試験装置の第
3の実施例に係る構成を示すブロック図である。この実
施例装置は、前記第2図の実施例装置において、DUT
l、信号源2及びザンプリング信号発生回路3以外の回
路、すなイっち、波形サンプリング回路4、A/D変換
回路5、メモリ回路6、比較値メモリ回路7及び比較回
路8をそれぞれ2系統以上設け、多系統とし、異なる2
種類以上の特性測定並びに比較、判定を並列的に行うこ
とにより試験時間の短縮化を図ると共に、出力端子間で
の位相のfllll定をもr+J能にしたものである。
[発明の効果] 以上説明したようにこの発明によれば、高速ディジタル
ICにおける入力から出力に至る信号の伝達遅延時間の
測定や出力信号の経時変化の測定を行うことができるデ
ィジタルIC用試験装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の第1の実施例による構成を示すブロ
ック図、第2図はこの発明の第2の実施例による構成を
示すブロック図、第3図はこの0 発明の第3図の実施例による構成を示すブロック図であ
る。 1・・・DUT、2・・・信号源、3・・・サンプリン
グ信号発生回路、4・・・波形サンプリング回路、5・
・・A/D変換回路、6・・・メモリ回路、7・・・比
較値メモリ回路、8・・・比較回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  供試ICが組み込まれた被試験回路と、 前記被試験回路に供給すべき試験用信号を発生すると共
    にトリガ信号を発生する信号源回路と、前記信号源回路
    で発生されたトリガ信号に基づき前記被試験回路の論理
    出力信号と同期したサンプリング信号並びにメモリアド
    レス信号を発生するサンプリング信号発生回路と、 前記サンプリング信号発生回路で発生されたサンプリン
    グ信号に基づいて前記被試験回路の論理出力信号電位を
    サンプリングする波形サンプリング回路と、 前記波形サンプリング回路でサンプリングされた電位を
    ディジタル値に変換するA/D変換回路と、 前記A/D変換回路の出力ディジタル値と前記サンプリ
    ング信号発生回路で発生されたメモリアドレス信号に基
    づき時間軸データとして記憶する記憶回路と を具備したことを特徴とするディジタルIC用試験装置
JP1276785A 1989-10-24 1989-10-24 ディジタルic用試験装置 Pending JPH03138579A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004081949A1 (ja) * 2000-08-31 2004-09-23 Hideo Takeuchi Dc試験装置及び半導体試験装置
WO2022082917A1 (zh) * 2020-10-19 2022-04-28 南京宏泰半导体科技有限公司 一种高速信号频率测量与信号完整性的测试方法

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WO2004081949A1 (ja) * 2000-08-31 2004-09-23 Hideo Takeuchi Dc試験装置及び半導体試験装置
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