JPH03137064A - セラミック素子の焼成方法 - Google Patents
セラミック素子の焼成方法Info
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- JPH03137064A JPH03137064A JP1274148A JP27414889A JPH03137064A JP H03137064 A JPH03137064 A JP H03137064A JP 1274148 A JP1274148 A JP 1274148A JP 27414889 A JP27414889 A JP 27414889A JP H03137064 A JPH03137064 A JP H03137064A
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- ceramic element
- ceramic
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックチップコンデンサ等のセラミック素
子の焼成方法に関するものである。
子の焼成方法に関するものである。
従来の技術
従来の技術をセラミックチップコンデンサを例にとり説
明する。多少の不純物（Ｓｉ０２゜Ｆｅ２Ｏ３等）を含
むＺ ｒ ０２． Ａｅ２０３． Ｍ ｇ Ｏ等の融着
防止材をチップコンデンサ素子にまぶし、アルミナ質か
らなるサヤに詰め、トンネル炉又は単炉にて焼成してい
た。
明する。多少の不純物（Ｓｉ０２゜Ｆｅ２Ｏ３等）を含
むＺ ｒ ０２． Ａｅ２０３． Ｍ ｇ Ｏ等の融着
防止材をチップコンデンサ素子にまぶし、アルミナ質か
らなるサヤに詰め、トンネル炉又は単炉にて焼成してい
た。
発明が解決しようとする課題
ところが、従来方法では融着防止材中に含まれる不純物
が焼成過程でチップコンデンサ素子と反応し、焼結体素
子表面の変色やピンホール、さらには表面が凹凸になる
という現象を誘発していた。この対策として、従来から
チップコンデンサ素子と同一成分の材料をチップコンデ
ンサ素子の焼成温度以上で焼成・粉砕して融着防止材と
して利用する試みがなされているが、この場合、チップ
コンデンサ素子と同一成分の焼成体は硬度が硬く粉砕に
労力がかかるとともに粉砕時に不純物の混入を招き、そ
の結果、焼成体素子表面の変色やピンホール及び素子表
面の凹凸を完全に抑制できないという問題があった。
が焼成過程でチップコンデンサ素子と反応し、焼結体素
子表面の変色やピンホール、さらには表面が凹凸になる
という現象を誘発していた。この対策として、従来から
チップコンデンサ素子と同一成分の材料をチップコンデ
ンサ素子の焼成温度以上で焼成・粉砕して融着防止材と
して利用する試みがなされているが、この場合、チップ
コンデンサ素子と同一成分の焼成体は硬度が硬く粉砕に
労力がかかるとともに粉砕時に不純物の混入を招き、そ
の結果、焼成体素子表面の変色やピンホール及び素子表
面の凹凸を完全に抑制できないという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、変色、ピ
ンホール及び表面の凹凸がないセラミック素子の焼成方
法を提供することを目的とするものである。
ンホール及び表面の凹凸がないセラミック素子の焼成方
法を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決する為、本発明の焼成方法は、チップ
コンデンサに代表されるセラミック素子を焼成する時に
用いる融着防止材として、焼成しようとするセラミック
素子と同一成分又はそのセラミック素子の主成分を添加
したものを用いることを特徴とするものである。
コンデンサに代表されるセラミック素子を焼成する時に
用いる融着防止材として、焼成しようとするセラミック
素子と同一成分又はそのセラミック素子の主成分を添加
したものを用いることを特徴とするものである。
具体的には、焼成しようとするセラミック素子と同一成
分又はそのセラミック素子の主成分を融着防止剤１００
部に対して１〜３０部添加したものが用いられ、セラミ
ック素子の焼成温度から５０℃の高い温度範囲で予め熱
処理して利用される。
分又はそのセラミック素子の主成分を融着防止剤１００
部に対して１〜３０部添加したものが用いられ、セラミ
ック素子の焼成温度から５０℃の高い温度範囲で予め熱
処理して利用される。
作用
本発明の融着防止材を用いてセラミック素子を焼成する
ことにより、焼結体素子表面の変色、ピンホール、さら
には表面の凹凸を完全に抑制する事が可能となる。この
焼結体素子表面の不純物との反応抑制により、高信頼度
、高品質のセラミック素子としてのチップコンデンサを
高歩留りで製造することが可能となる。
ことにより、焼結体素子表面の変色、ピンホール、さら
には表面の凹凸を完全に抑制する事が可能となる。この
焼結体素子表面の不純物との反応抑制により、高信頼度
、高品質のセラミック素子としてのチップコンデンサを
高歩留りで製造することが可能となる。
融着防止材に添加するセラミック素子と同一成分又はセ
ラミック素子の主成分の添加量を制限する理由は、第２
図からも理解されるように、融着防止材ＺｒＯ２１００
部に対しセラミック素子成分又は主成分の添加量が１部
未満では素子表面にピンホールが発生し、３０部を越え
ると融着防止材の熱処理時に添加材が焼結凝集し、１■
粒の融着防止材となり、粗粒の粉砕が必要となるととも
に焼成時のセラミック素子同志の融着防止効果が損なわ
れるためである。
ラミック素子の主成分の添加量を制限する理由は、第２
図からも理解されるように、融着防止材ＺｒＯ２１００
部に対しセラミック素子成分又は主成分の添加量が１部
未満では素子表面にピンホールが発生し、３０部を越え
ると融着防止材の熱処理時に添加材が焼結凝集し、１■
粒の融着防止材となり、粗粒の粉砕が必要となるととも
に焼成時のセラミック素子同志の融着防止効果が損なわ
れるためである。
実施例
本発明の一実施例を第１図のＢａＴｉＯ３ＣｅＯ２系材
料セラミックチップコンデンサの焼成フローチャートを
用いて説明する。先ず第１稀元素■製ＺｒＣｈ粉末（Ａ
Ｓ−２１００）１００部に対しセラミックチップコンデ
ンサの素子成分であるＢａＴｉＯ３−ＣｅＯ２を０，０
．５．１゜１０．２０．３０部秤量添加し、ｌｏｔ！（
７）ポリポット中で８Ｏｒｐｍの回転数で１時間混合す
る。そののち、混合されたＺｒ（ｈ粉末と素子成分混合
物をポットから取り出しアルミナ質サヤに詰め、１３３
０℃で２時間熱処理して融着防止材を作製した。
料セラミックチップコンデンサの焼成フローチャートを
用いて説明する。先ず第１稀元素■製ＺｒＣｈ粉末（Ａ
Ｓ−２１００）１００部に対しセラミックチップコンデ
ンサの素子成分であるＢａＴｉＯ３−ＣｅＯ２を０，０
．５．１゜１０．２０．３０部秤量添加し、ｌｏｔ！（
７）ポリポット中で８Ｏｒｐｍの回転数で１時間混合す
る。そののち、混合されたＺｒ（ｈ粉末と素子成分混合
物をポットから取り出しアルミナ質サヤに詰め、１３３
０℃で２時間熱処理して融着防止材を作製した。
次にセラミックチップコンデンサ焼成用のサヤにうずく
均一に前記した融着防止材を敷き、その上にＢａＴｉＯ
３−ＣｅＯ２系材料のセラミックチップコンデンサ積層
切断試料をのせ、さらにその上から融着防止材を軽くま
ぶしてサヤ詰めした。その後、トンネル炉又は単炉にて
１３２０℃で２時間焼成を行った。焼成後の素子表面は
５０倍の光学顕微鏡にて観察した。観察した結果を第２
図に示す。このようにて焼成されたセラミックチップコ
ンデンサの表面にはピンホールや凹凸の異常は全く見ら
れなかった。ここでＺｒＯ２粉末への添加材はＢａＴｉ
Ｏ３−ＣｅＯ２材を使用したが、主成分であるＢａＴｉ
Ｏ３を添加しても実施例と同様の効果が得られる。
均一に前記した融着防止材を敷き、その上にＢａＴｉＯ
３−ＣｅＯ２系材料のセラミックチップコンデンサ積層
切断試料をのせ、さらにその上から融着防止材を軽くま
ぶしてサヤ詰めした。その後、トンネル炉又は単炉にて
１３２０℃で２時間焼成を行った。焼成後の素子表面は
５０倍の光学顕微鏡にて観察した。観察した結果を第２
図に示す。このようにて焼成されたセラミックチップコ
ンデンサの表面にはピンホールや凹凸の異常は全く見ら
れなかった。ここでＺｒＯ２粉末への添加材はＢａＴｉ
Ｏ３−ＣｅＯ２材を使用したが、主成分であるＢａＴｉ
Ｏ３を添加しても実施例と同様の効果が得られる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、焼成しようとするセラミ
ック素子と同一成分又はそのセラミック素子の主成分を
添加した融着防止材を用いるため、変色、ピンホール及
び表面の凹凸が全くないセラミック素子の焼成が可能と
なり、高信頼度。
ック素子と同一成分又はそのセラミック素子の主成分を
添加した融着防止材を用いるため、変色、ピンホール及
び表面の凹凸が全くないセラミック素子の焼成が可能と
なり、高信頼度。
高品質のセラミック素子を高歩留りで製造する事が可能
となり、その産業的効果は大なるものがある。
となり、その産業的効果は大なるものがある。
第１図は本発明に係るセラミック素子の焼成方法の工程
フローチャート、第２図は本発明方法にて焼成されたセ
ラミック素子の表面ピンホール発生率を示す特性図であ
る。
フローチャート、第２図は本発明方法にて焼成されたセ
ラミック素子の表面ピンホール発生率を示す特性図であ
る。
Claims (3)
- （１）セラミック素子と同一成分又はセラミック素子の
主成分を添加した融着防止材を用いて焼成することを特
徴とするセラミック素子の焼成方法。 - （２）融着防止材に添加するセラミック素子と同一成分
又はセラミック素子の主成分の比率は融着防止材１００
部に対し１〜３０部である特許請求の範囲第（１）項記
載のセラミック素子の焼成方法。 - （３）セラミック素子と同一成分又はセラミック素子の
主成分を添加した融着防止材はセラミック素子の焼成に
先立ち、セラミック素子の焼成温度から５０℃高い温度
範囲で熱処理することを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載のセラミック素子の焼成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274148A JPH03137064A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | セラミック素子の焼成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274148A JPH03137064A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | セラミック素子の焼成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03137064A true JPH03137064A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17537694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274148A Pending JPH03137064A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | セラミック素子の焼成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03137064A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320271A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Taiyo Yuden Co Ltd | 融着防止用粉末およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1274148A patent/JPH03137064A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01320271A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Taiyo Yuden Co Ltd | 融着防止用粉末およびその製造方法 |
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