JPH0313652B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0313652B2 JPH0313652B2 JP56192113A JP19211381A JPH0313652B2 JP H0313652 B2 JPH0313652 B2 JP H0313652B2 JP 56192113 A JP56192113 A JP 56192113A JP 19211381 A JP19211381 A JP 19211381A JP H0313652 B2 JPH0313652 B2 JP H0313652B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- original plate
- optical
- photoresist
- recording
- guide groove
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光デイスクの光干渉型案内溝作製用原
板の製造法に関し、更に詳しくはレーザー光等の
コヒーレンスの高い光を干渉させて得られる干渉
縞を利用することによりなる精度のすぐれたしか
も検出の容易な案内溝を有し、ランダムアクセス
が容易で量産に適した光デイスク作製用原板の製
造法に関する。
板の製造法に関し、更に詳しくはレーザー光等の
コヒーレンスの高い光を干渉させて得られる干渉
縞を利用することによりなる精度のすぐれたしか
も検出の容易な案内溝を有し、ランダムアクセス
が容易で量産に適した光デイスク作製用原板の製
造法に関する。
光学記録方式は磁気記録方式にくらべて記録密
度が１桁以上高くすることができるすぐれた記録
方式であるが、特定の情報を所定の位置に記録
し、又、検出を行なうには記録位置を示す標識が
必要である。
度が１桁以上高くすることができるすぐれた記録
方式であるが、特定の情報を所定の位置に記録
し、又、検出を行なうには記録位置を示す標識が
必要である。
標識がないときは書き込まれる情報の位置の精
度は機械的な位置決めの精度によつて決めるしか
なく、准つて任意の位置への記録及びその位置か
らの再生や書き込まれた情報のメンテナンス（追
加、削除及び変更等）は不可能となつて、いわゆ
るランダムアクセスには適用し得ない。
度は機械的な位置決めの精度によつて決めるしか
なく、准つて任意の位置への記録及びその位置か
らの再生や書き込まれた情報のメンテナンス（追
加、削除及び変更等）は不可能となつて、いわゆ
るランダムアクセスには適用し得ない。
又、種々の情報を１枚の光デイスクを用いて記
録及び再生する際には、記録区域は同心円状に設
けられている方がレコードデイスク（音楽等の録
音板）のごときスパイラル上に設けるよりも、情
報群どうしの区別が必要である。しかしながら同
心円状に記録・再生する際の標識である光干渉型
案内溝を原板上に設けるには、従来、フオトレジ
スタ等を表面に形成した感材に対し、レーザー光
を用いて一本ずつ、即ち円を一つずつ露光した後
現像していたため、能率が悪く、しかも各円の隣
接する円との間隔（ピツチ）は機械的な精度によ
つて決めるしかなかつた。
録及び再生する際には、記録区域は同心円状に設
けられている方がレコードデイスク（音楽等の録
音板）のごときスパイラル上に設けるよりも、情
報群どうしの区別が必要である。しかしながら同
心円状に記録・再生する際の標識である光干渉型
案内溝を原板上に設けるには、従来、フオトレジ
スタ等を表面に形成した感材に対し、レーザー光
を用いて一本ずつ、即ち円を一つずつ露光した後
現像していたため、能率が悪く、しかも各円の隣
接する円との間隔（ピツチ）は機械的な精度によ
つて決めるしかなかつた。
本発明は上記の従来の欠点を解消せんがために
為されたものであつて、レーザー光の干渉を利用
した、作製の能率がよく、しかも精度のすぐれた
光干渉型案内溝を作成することが可能な原板の製
造法を開示するものである。即ち、本発明は基板
上に形成されたフオトレジスト層に、２光束のレ
ーザー光をマスク上のスリツトを通して照射する
と同時に、この基板上に形成されたフオトレジス
ト層を含む原板を回転台により回転させて、同心
円状の干渉縞を記録し、しかる後現像することに
より、前記干渉縞における光の強弱に応じた凹凸
を形成することを特徴とする光デイスクの光干渉
型案内溝作製用原板の製造法に関するものであ
る。
為されたものであつて、レーザー光の干渉を利用
した、作製の能率がよく、しかも精度のすぐれた
光干渉型案内溝を作成することが可能な原板の製
造法を開示するものである。即ち、本発明は基板
上に形成されたフオトレジスト層に、２光束のレ
ーザー光をマスク上のスリツトを通して照射する
と同時に、この基板上に形成されたフオトレジス
ト層を含む原板を回転台により回転させて、同心
円状の干渉縞を記録し、しかる後現像することに
より、前記干渉縞における光の強弱に応じた凹凸
を形成することを特徴とする光デイスクの光干渉
型案内溝作製用原板の製造法に関するものであ
る。
以下、本発明について詳細なる説明を行なう。
本発明に適する光デイスクの型としては、材
質、記録・再生の原理を問わないが、、量産を考
慮すると熱可塑性合成樹脂のシート又は板を基体
とし、光学記録層としては、Te、Bi、In、Pb等
の低融点金属薄膜、並びに該金属薄膜の積層体等
が好ましい。
質、記録・再生の原理を問わないが、、量産を考
慮すると熱可塑性合成樹脂のシート又は板を基体
とし、光学記録層としては、Te、Bi、In、Pb等
の低融点金属薄膜、並びに該金属薄膜の積層体等
が好ましい。
次に光デイスクの表面に設けられてなる光学的
記録及び再生時の記録位置を示すための光干渉型
案内溝について述べると第１図に模式的に示すよ
うに穴を有する光デイスク２の表面に符号１で示
すように同心円状に設けられてなる。第２図は第
１図の光デイスクの光干渉型案内溝の形状を示す
部分縦断面図であつて光干渉型案内溝１は凸部の
頂部３及び凹部の底部４が平担でかつそれらの面
は基体と平行である。第２図において凸部３の図
面の左右方向の巾は実際使用上0.5〜2μｍ、凹部
の巾は同様に0.5〜2μｍが好ましいがこの限りで
はない。又、凹部の底から凸部の頂までの高さ、
即ち光干渉型案内溝の深さとしては0.1〜10μｍが
可能であるが、光干渉型案内溝の深さは記録及び
再生紙に使用するレーザ光の波長と密接な関係を
有し、使用するレーザー光の波長をλとすると、
λ／４、λ／８、…であることが望ましい。
記録及び再生時の記録位置を示すための光干渉型
案内溝について述べると第１図に模式的に示すよ
うに穴を有する光デイスク２の表面に符号１で示
すように同心円状に設けられてなる。第２図は第
１図の光デイスクの光干渉型案内溝の形状を示す
部分縦断面図であつて光干渉型案内溝１は凸部の
頂部３及び凹部の底部４が平担でかつそれらの面
は基体と平行である。第２図において凸部３の図
面の左右方向の巾は実際使用上0.5〜2μｍ、凹部
の巾は同様に0.5〜2μｍが好ましいがこの限りで
はない。又、凹部の底から凸部の頂までの高さ、
即ち光干渉型案内溝の深さとしては0.1〜10μｍが
可能であるが、光干渉型案内溝の深さは記録及び
再生紙に使用するレーザ光の波長と密接な関係を
有し、使用するレーザー光の波長をλとすると、
λ／４、λ／８、…であることが望ましい。
以上のような光干渉型案内溝を有する光デイス
クにレーザー光を所要サイズのスポツト状にて照
射すると該案内溝の凸部の頂で反射した光と凹部
の底で反射した光とが、前記しごとくλ/4、λ/8、
…に相当する光路差を生じ光の干渉が起きて記録
位置の検出が容易に出来るものである。
クにレーザー光を所要サイズのスポツト状にて照
射すると該案内溝の凸部の頂で反射した光と凹部
の底で反射した光とが、前記しごとくλ/4、λ/8、
…に相当する光路差を生じ光の干渉が起きて記録
位置の検出が容易に出来るものである。
以上のような光干渉型案内溝を有する光デイス
クの製造方法について次に述べる。
クの製造方法について次に述べる。
第３図〜第６図は本発明の１実施例を示す図で
ある。
ある。
まずガラス等の適宜な平坦な基板１０ａにホト
レジスト液をスピンナーコーナイング等により塗
布し、ホトレジスト１０ｂを形成して、ホトレジ
スト原板１０を形成する。ホトレジスト１０ｂは
ポジ型であつても、ネガ型であつても差し支えな
い。このような原板を第３図に示すように、真空
チヤツク等により回転台１１上に固定しておき、
ホトレジスト原板上にマスク１２を近接させて固
定する。マスク１２は、第４図ａの平面図に示す
ように原板の半径方向に沿つてスリツト状の窓１
２ａを有するものである。この状態で回転台１１
を回転しつつ、レーザ光源５からのレーザ光をハ
ーフミラー６により２光束に分割し、ミラー７ａ
および７ｂにより反射させて２枚の凸レンズを１
組とするレンズ系８ａ，８ｂからなるビームエキ
スパンダでビーム径を拡大させた平面波を形成
し、角度θの交角をもつて２光束をマスク１２を
通してホトレジスト１０ｂに照射する。
レジスト液をスピンナーコーナイング等により塗
布し、ホトレジスト１０ｂを形成して、ホトレジ
スト原板１０を形成する。ホトレジスト１０ｂは
ポジ型であつても、ネガ型であつても差し支えな
い。このような原板を第３図に示すように、真空
チヤツク等により回転台１１上に固定しておき、
ホトレジスト原板上にマスク１２を近接させて固
定する。マスク１２は、第４図ａの平面図に示す
ように原板の半径方向に沿つてスリツト状の窓１
２ａを有するものである。この状態で回転台１１
を回転しつつ、レーザ光源５からのレーザ光をハ
ーフミラー６により２光束に分割し、ミラー７ａ
および７ｂにより反射させて２枚の凸レンズを１
組とするレンズ系８ａ，８ｂからなるビームエキ
スパンダでビーム径を拡大させた平面波を形成
し、角度θの交角をもつて２光束をマスク１２を
通してホトレジスト１０ｂに照射する。
コヒーレントな２つの平面波が照射されるとこ
れらの干渉が生じ、 ｄ＝λ／2sin（θ／２） で決まる等間隔のピツチｄの平行な直線状の干渉
縞が生ずることになる。その結果、ホトレジスト
１０ｂ上にはスリツト状の窓１２ａを通して、第
４図ｂの拡大図で示すような等間隔のピツチｄの
干渉縞ができ、これを現像すると第５図に示すよ
うにスリツト幅Ｗの平行かつ等間隔の凹凸が形成
されることになる。
れらの干渉が生じ、 ｄ＝λ／2sin（θ／２） で決まる等間隔のピツチｄの平行な直線状の干渉
縞が生ずることになる。その結果、ホトレジスト
１０ｂ上にはスリツト状の窓１２ａを通して、第
４図ｂの拡大図で示すような等間隔のピツチｄの
干渉縞ができ、これを現像すると第５図に示すよ
うにスリツト幅Ｗの平行かつ等間隔の凹凸が形成
されることになる。
したがつて、回転台１１を回転させながら２光
束で露光を行うと、ホトレジスト１０ｂ上には第
６図ａで示すように同心円状に干渉縞で露光され
たことになり、これを現像することにより第６図
ａの平面図、第６図ｂの斜視図に示すような同心
円状の凹凸が形成される。なお、マスク１２のス
リツト幅が広すぎると完全な同心円状にならず、
多角形のような形状の凹凸が形成されてしまうの
で、スリツト幅はなるべく狭いほうが好ましく、
干渉縞の精度を損なわないためには、スリツト幅
は0.1mm〜10mm位が好ましい。
束で露光を行うと、ホトレジスト１０ｂ上には第
６図ａで示すように同心円状に干渉縞で露光され
たことになり、これを現像することにより第６図
ａの平面図、第６図ｂの斜視図に示すような同心
円状の凹凸が形成される。なお、マスク１２のス
リツト幅が広すぎると完全な同心円状にならず、
多角形のような形状の凹凸が形成されてしまうの
で、スリツト幅はなるべく狭いほうが好ましく、
干渉縞の精度を損なわないためには、スリツト幅
は0.1mm〜10mm位が好ましい。
また、光干渉型案内溝の深さはレジスト層の厚
みによつて決まるが、現像をコントロールするこ
とにより深さを浅くすることも可能である。
みによつて決まるが、現像をコントロールするこ
とにより深さを浅くすることも可能である。
以上のように本発明によれば、ホトレジスト層
を形成した原板を回転させながら、２つの平面波
を干渉させてスリツトを通して露光することによ
り、１回転で等間隔同心円状の案内溝を形成する
ことができる。
を形成した原板を回転させながら、２つの平面波
を干渉させてスリツトを通して露光することによ
り、１回転で等間隔同心円状の案内溝を形成する
ことができる。
第１図及び第２図は光干渉型案内溝を有する光
デイスクの模式図及び部分縦断面図、第３図は原
板及び露光光学系を示す図、第４図はマスクの平
面図、第５図は現像により得られた凹凸を示す
図、第６図は同心円状干渉溝を示す図である。 １……光干渉型案内溝、２……光デイスク、３
……凸部の頂部、４……凹部の底部、５……レー
ザー光源、６……ハーフミラー、７，７ａ，７ｂ
……ミラー、８ａ，８ｂ……レンズ系、９……凸
面鏡、１０……フオトレジスト原板（１０ａ……
基板、１０ｂ……フオトレジスト）、１１……回
転台、１２……マスク。
デイスクの模式図及び部分縦断面図、第３図は原
板及び露光光学系を示す図、第４図はマスクの平
面図、第５図は現像により得られた凹凸を示す
図、第６図は同心円状干渉溝を示す図である。 １……光干渉型案内溝、２……光デイスク、３
……凸部の頂部、４……凹部の底部、５……レー
ザー光源、６……ハーフミラー、７，７ａ，７ｂ
……ミラー、８ａ，８ｂ……レンズ系、９……凸
面鏡、１０……フオトレジスト原板（１０ａ……
基板、１０ｂ……フオトレジスト）、１１……回
転台、１２……マスク。
Claims (1)
- １ 基板上に形成されたフオトレジスト層に、２
光束のレーザー光をマスク上のスリツトを通して
照射すると同時に、この基板上に形成されたフオ
トレジスト層を含む原板を回転台により回転させ
て、同心円状の干渉縞を記録し、しかる後現像す
ることにより、前記干渉縞における光の強弱に応
じた凹凸を形成することを特徴とする光デイスク
の光干渉型案内溝作製用原板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192113A JPS5894149A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光デイスクの光干渉型案内溝作製用原板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192113A JPS5894149A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光デイスクの光干渉型案内溝作製用原板の製造法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2510489A Division JPH0656672B2 (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 | 光ディスクの光干渉型案内溝作製用原板の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5894149A JPS5894149A (ja) | 1983-06-04 |
| JPH0313652B2 true JPH0313652B2 (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16285875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192113A Granted JPS5894149A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 光デイスクの光干渉型案内溝作製用原板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5894149A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284449A (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多数溝同時形成方法 |
| JP2754204B2 (ja) * | 1987-04-30 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 光記録媒体の製造方法 |
| DE3888006T2 (de) * | 1987-04-16 | 1994-07-21 | Canon Kk | Verfahren zur Herstellung von einem optischen Datenträger. |
| JPH02127648A (ja) * | 1988-11-08 | 1990-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤の製造方法 |
| US7459241B2 (en) | 2003-09-22 | 2008-12-02 | Seagate Technology Llc | Rotary apertured interferometric lithography (RAIL) |
| US8685628B2 (en) * | 2006-04-24 | 2014-04-01 | Stc.Unm | Large area patterning using interferometric lithography |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192113A patent/JPS5894149A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5894149A (ja) | 1983-06-04 |
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