JPH03134166A - スパッタ装置 - Google Patents

スパッタ装置

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JPH03134166A
JPH03134166A JP27299389A JP27299389A JPH03134166A JP H03134166 A JPH03134166 A JP H03134166A JP 27299389 A JP27299389 A JP 27299389A JP 27299389 A JP27299389 A JP 27299389A JP H03134166 A JPH03134166 A JP H03134166A
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cooling
magnet
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Kenichi Kubo
久保 謙一
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、スパッタ装置に関する。
(従来の技術) 一般に、スパッタ装置はイオン化するスパッタガスを導
入した気密容器内で、プラズマ中のイオンが負電圧の電
極であるターゲットに衝突してスパッタが行われ、陽極
側に設けられた半導体ウェハ等の試料の表面に薄膜を形
成するものである。
この種のスパッタ装置では、電極であるターゲットの母
材の種類によっても相違するが、プラズマ発生時の昇温
によりターゲットが例えば150℃を越えると、ターゲ
ット等に種々の弊害が発生し、適正な薄膜の形成を阻害
することになっていた。特に、生産性の向上を目的とし
て、スパッタリングスピードを上げるため、より多くの
電力をターゲットに供給しようとする時の大きな障害と
なっていた。
そこで、従来より前記ターゲットが所定温度例えば10
0℃を越えないように、ターゲットを冷却することが行
われている。
このターゲットの冷却方法としては、従来よりターゲッ
トを支持する熱伝導性の良好な保持部材に沿って冷却媒
体を循環させる直接冷却法と、ターゲット側部にクーリ
ングジャケットを配置し、この中に冷水管を設けた間接
冷却法等があった。
(発明が解決しようとする課題) ターゲットは、そのプラズマエロージョン領域外で保持
部材と締結される。
この締結状態で、ターゲットのスパッタが進行するに従
い加熱されるため、その際の熱膨張によってターゲット
に反りが発生し、ターゲット裏面と保持部材の対向する
面との間の密着性が悪化することがあった。この密着性
の悪化は、ターゲットの冷却が保持部材との熱伝導を利
用するため効率良く放熱することができず、したがって
ターゲットの有効な冷却を実施することができなかった
そこで、本発明の目的とするところは、披スパッタ材料
体のプラズマエロージョンエリアでの冷却ブロックとの
間の熱交換を良好とし、披スパ・ツタ材料体内部の温度
勾配を著しく減少させることができるスパッタ装置を提
供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、披スパッタ材料体を冷却ブロックに装着して
スパッタリングを行なうスパッタ装置において、 上記披スパッタ材料体のプラズマエロージョン領域を締
結具により上記冷却ブロックに固定したことを特徴とす
る。
(作 用) 本発明は、スパッタ実行中の温度上昇が特に著しく反り
が発生し易い披スパッタ材料体のプラズマエロージョン
エリアにて、締結具により冷却ブロックと固定している
。従って、披スパッタ材料体自体の温度上昇があっても
この披スパッタ材料体は締結具によって冷却ブロックに
支持されているので、披スパッタ材料体の反りを規制す
ることができ、この領域の密着性を確保することができ
、披スパッタ材料体と冷却ブロックとの間の熱交換を維
持することができる。
(実施例) 以下、本発明スパッタ装置の一実施例について図面を参
照して具体的に説明する。
第1図は、スパッタ装置の一例としてマグネトロン形ス
パッタ装置を示すもので、図示しない真空容器内には、
半導体ウェハ1とターゲット2とが対向して配置されて
いる。前記半導体ウェハ1は、ウェハ加熱機構3を含む
試料台4に支持されている。
前記ウェハ1の上方に配置される前記ターゲット2は、
保持部材5によって保持されている。このターゲット2
は、ウェハ1に形成すべき材料に応じてその母材が選択
され、例えばアルミニウム。
シリコン、タングステン、チタン、モリブデン。
クロム、コバルト、ニッケル等、あるいはこれらを素材
とする合金で形成され、場合によっては焼結金属等の熱
伝導性の悪い材料も用いられる。その形状も、断面段付
形状1円板状9円錐状、角板状、角錐状等向れでもよい
。このターゲット2には、負の直流電圧が印加され、カ
ソード電極を構成するものである。
前記保持部材5のさらに上方には、この保持部材5を支
持し、かつ、後述するマグネット10を回転自在に支持
するための基台6が設けられている。この基台6の中央
部には、中空筒状の円筒部6aが形成されている。そし
て、前記円筒部6aの周囲にはベアリング7が配置され
、このベアリング7によって回転円盤8が回転自在に支
持されている。そして、この回転円盤8の偏心した位置
に前記マグネット10が固着されている。一方、前記基
台6の上面にはマグネット回転用モータ11が固定され
、このモータ11の出力軸には第1のギア12が固着さ
れている。また、前記回転円盤8と同心にて第2のギア
13が固着され、この第1.第2のギア12.13が噛
合するようになっている。この結果、前記マグ木ット回
転用モータ11を駆動することで、この回転出力は第1
のギア12.第2のギア13を介して前記回転円盤8に
伝達され、前記マグネット10を回転駆動することにな
る。
前記保持部材5は、ターゲット2を冷却可能に保持し、
かつ、ターゲット2に負の直流電圧を印加する電極とし
て作用するものである。このために、保持部材5には複
数の冷却ジャケット15が配置されている。そして、こ
の冷却ジャケット15内に冷却媒体例えば冷却水を循環
させることで、保持部材5を冷却し、この保持部材5と
ターゲット2との間の熱交換によってプラズマ発生時の
ターゲット2の昇温を抑制するようになっている。また
、上記保持部材5は前記基台6の円筒部6aに挿通され
、この基台6に絶縁して支持された給電部材23の一端
にネジ止め固定されることで、ターゲット2への電圧印
加を可能としている。
尚、前記ターゲット2の周囲には、絶縁体16を介して
アノード電極17が設けられ、さらに、ウェハ1とター
ゲット2との間を必要に応じて遮ぎることが可能なよう
にシャッタ18が設けられ、このシャッタ18をシャッ
タ駆動機構19によって駆動可能としている。
前記ターゲット2は、−段又は複数段例えば−段の段付
きの円板状に形成され、第2図に示すようにスパッタリ
ング面を有する大径部21と、この大径部21の裏面側
中央にて突出形成された小径部22とから構成されてい
る。尚、上記大径部21の周縁部21aの直径をlIと
し、小径部22の周縁部22aの直径を12とする。一
方、前記ターゲット2を保持するための保持部材5は段
付き穴形状となっていて、前記ターゲット2の大径部2
1に対応する大径穴24と、前記小径部22に対応する
小径穴25とを有している。尚、大径穴24の内周面2
4aの直径を!、とし、小径穴25の内周面25aの直
径を14とする。そして、上記ターゲット2及び保持部
材5の大きさについては、常温下にあっては!、−14
の関係が以下のようになっている。
!、<1.、12 <14 ここで、前記大径部21と大径穴24との直径方向のギ
ャップ及び小径部22と小径穴22との直径方向のギャ
ップは、それぞれ以下のように設定されている。
すなわち、ターゲット2はプラズマ発生時の昇温により
熱膨張するため、前記大径部21の直径方向の熱膨張長
さが、前記大径部21.大径穴24の直径方向の間隙と
ほぼ同一となっている。
同様に、ターゲット2の熱膨張による前記小径部22の
熱膨張長さは、この小径部22.小径穴25の直径方向
の間隙とほぼ同一となっている。
したがって、ターゲット2の熱膨張により、大径部21
の周縁部21a及び小径部22の周縁部22aがそれぞ
れ膨張し、前記大径穴24.小径穴25のそれぞれの内
周面24a、25aにほぼ同様の密閉度で密着すること
になる。尚、同一温度の下にあっては、前記大径部21
と小径部22の膨張長さが相違するため、これらの周縁
部21a、22aとこれに対向する穴部の内周面24a
、25a間のギャップ距離はそれぞれ相違している。
上記ターゲット2のスパッタ面側は、スパッタ粒子の飛
翔方向を考慮してその中心側のテーパ面31と周縁側の
テーパ面32とを有し、かつ、昇温の激しいターゲット
2の中央部を保持部材5にクランプするようにしている
。このクランプは例えば第3図に示すように、ターゲッ
ト2の中心に段付き孔34を形成し、この段付き孔34
に締結具40を挿通して保持部材5のねじ孔27と連結
することで実現している。この段付き孔34は凹部36
と、その底面36aよりターゲット2の裏面に貫通する
貫通孔38から成る。また、前記締結具40は、中空筒
状スペーサ42と、これに挿通されて前記保持部材5の
ねじ孔27に螺合されるボルト44から成る。そして、
前記スペーサ42は、前記底面36aに当接しない位置
にフランジ42aを有している。なお、このフランジ4
2aが前記底面36aと対向する面が、ターゲット2の
反り規制面として作用する。
さらに、前記ターゲット2の小径部22には、その中心
より偏心した位置に2つのストッパ用孔39.39を有
している。そして、このストッパ用孔39.39と対向
する位置であって、前記保持部材5の小径穴25の底面
には、回転防止用ピン26.26が突出形成されている
次に、作用について説明する。
このスパッタ装置にてスパッタリングを行うために、ウ
ェハ1及びターゲット2をそれぞれ支持した状態で、こ
れらが配置される真空容器(図示せず)内の真空度を例
えば10−1〜10−’Torrに荒引きする。次に、
上記真空容器内の真空度を10−5〜10−’Torr
台に高真空引きし、その後この真空容器内にスパッタガ
ス例えばArガスを導入し、真空容器内を10−2〜1
0−’Torr台に設定する。ここで、ターゲット2に
給電部材23及び保持部材5を介して負電圧を印加する
と、このターゲット2のスパッタリング面側にプラズマ
が形成され、さらにこのターゲット2の裏面側にてマグ
ネット10を回転駆動することにより、このプラズマを
磁界によって閉込めたプラズマリング30を形成するこ
とができる。このプラズマリング30の形成によりイオ
ン化率が向上し、ターゲット2のスパッタリング面での
所定二ローションエリアにてスパッタが実行されること
になる。
ここで、ウェハ1に対する付着速度(デポジションレー
ト)を上げると、ターゲット2の表面温度が著しく上昇
し、所定温度を越えると適正な薄膜形成に支障が生じて
しまう。そこで、このターゲット2を有効に冷却する必
要があるが、本実施例では下記のようにしてその冷却を
実行している。
ターゲット2を構成する大径部21及び小径部22のそ
れぞれの周縁部21a、22aの直径!、、12は、こ
れに対向する保持部材5の大径穴24.小径穴25の内
周面24a、25aの直径1..14よりも常温下で小
さくなっているが、ターゲット2に負電圧を印加し、プ
ラズマの生成を行うことによりターゲット2が昇温する
と、上記大径部21.小径部22が熱膨張し、それぞれ
の周縁部21a、22aが保持部材5の対向する内周面
24a、25aに密着することになる。この領域の密着
性は、スパッタリング実行中にあってはターゲット2の
温度が所定温度以上を維持するため損われることがなく
、従ってターゲット2の周縁部21a、22aと保持部
材5の内周面24a、25aとの接触面にて効率の良い
熱交換を実施することが可能となる。しかも、ターゲッ
ト2の大径部21が保持部材5と接触する領域は、ター
ゲット2の比較的外周領域に近い領域の熱を放熱するこ
とに利用され、一方、ターゲット2の小径部22の接触
部分は、ターゲット2の中心領域の熱を保持部材5に放
熱することに利用されることになる。したがって、ター
ゲット2の直径方向の熱勾配を効率良く除去することが
でき、従来困難であったターゲット2の中心部の熱を効
率良く放熱することができるので、この部分の反りの発
生を低減することができる。
このように、ターゲット2及び保持部材5との確実な接
触を確保できる結果、前記保持部材5を負電圧の印加用
電極として兼用しても、その電気的接触を確実に確保で
きることになる。
尚、本実施例のターゲット2の構成のように、段部を形
成することによってターゲット2の中央領域の放熱効果
を増大させる効果があるが、さらに加えて従来の平板形
状のターゲットと比べれば段部の周縁の接触面積を確保
することにより、より広い冷却面を確保できる点でも優
れている。
また、上記のようにターゲット2を段付き形状とするこ
とにより、下記のような効果を奏することも可能である
。すなわち、ターゲット2のエロージョンエリアの外、
内の境界よりそれぞれ外側。
内側に存在する大径部21.小径部22の周縁部21a
、22aでの冷却を促進することによって、上記エロー
ジョンエリアに対向する領域である前記保持部材5の冷
却領域5a(第1図参照)の厚さを薄くすることができ
る。従って、ターゲットスパッタ面とマグネット10と
の距離を変えることなく、ターゲット2の上記大径部2
1の肉厚を前記冷却領域5aの厚さを薄くした分だけ厚
く確保することが可能となり、このためターゲット2の
寿命を延ばすことが可能となる。また、このようにして
も、保持部材5とターゲット2との全体の厚さは従来と
同様に維持できるので、マグネット10の磁界を高める
必要もない。
さらに、第1図に示すようにターゲット2の中心部裏面
側に位置する箇所と、ターゲット2の周縁部に対応する
位置に冷却ジャケットを設けることにより効果的に冷却
できる。従来はターゲットの裏面全域に亘って冷却媒体
を循環させ、マグネット10を冷却媒体中で回転させる
構成を採用せざるを得なかった。本実施例では、第1図
のように配置するのみでよいので、ターゲット2の裏面
に近接したマグネット10及びこのマグネット10を回
転駆動するための構造体を大気中にさらすことが可能と
なり、このため、冷却水等による腐蝕が発生することな
く信頼性を向上することができる。
さらに、本実施例ではターゲット2の中央側を締結具4
0を介して保持部材5に対してクランプすることによっ
て、特に昇温の著しいターゲット2の中央一部の反りを
規制している。ここで、本実施例では、ターゲット2の
中央凹部36の底面36aが、スペーサ42のフランジ
42aに当接するまで、ターゲット2の反りを許容する
ことで、ターゲット2がさらに熱によって膨張しようと
する場合の逃げ場を確保している。このようにしても、
ターゲット2と保持部材5との主な冷却面の密着性を確
保できるので、十分な冷却効果を期待でき、しかも反り
の自由度を与えることで、ターゲット2の破損を防止で
き、その長寿命化を図れる。あるいは、第4図に示すよ
うに、締結具4゜によってターゲット2の反りを完全に
防止するものであってもよい。
また、上記マグネット10の回転速度としては、その磁
界の均一性を高めるためには10rpm以上で回転する
ことが好ましいが、2 Orpmを越えるとターゲット
10に生ずる渦電流により、ターゲット2が回転するこ
とが確認された。本実施例では、上記の回転速度以上で
マグネット1oをたとえ回転させても、回転防止用ピン
26とストッパ用孔39との係合によりターゲット2の
回転を防止できる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
締結具40としては、ターゲット2の中央部を保持部材
5に締結するものであれば、上記実施例の部材に限らず
、他の種々の締結手段として構成できる。また、ターゲ
ット2と冷却ブロックとしての保持部材5との冷却手段
としても、上記実施例に限定されるものではない。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、披スパッタ材料
体の中央部を冷却ブロックと締結でき、披スパッタ材料
体の反りを規制することで冷却ブロックとの間の熱交換
を促進でき、しかも、その締結具によりスパッタリング
動作に支障を生ずることがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明を適用したスパッタ装置の一例を示t
ti略断面図、 第2図は、ターゲット、保持部材の取付は構造を説明す
るための概略斜視図、 第3図はターゲットと保持部材との連結構造を示す概略
断面図、 第4図は、締結部材の変形例を示す概略断面図である。 2・・・披スパッタ材料体、 5・・・冷却ブロック、 21・・・大径部、21a・・・周縁部、22・・・小
径部、22a・・・周縁部、24・・・大径穴、25・
・・小径穴、24g、25a・・・内周面、 36・・・凹部、38・・・貫通孔、 40・・・締結具。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被スパッタ材料体を冷却ブロックに装着してスパ
    ッタリングを行なうスパッタ装置において、上記披スパ
    ッタ材料体のプラズマエロージョン領域を締結具により
    上記冷却ブロックに固定したことを特徴とするスパッタ
    装置。
  2. (2)請求項(1)において、 上記被スパッタ材料体のスパッタ表面中心部に凹部を形
    成し、この凹部の底面より被スパッタ材料体の裏面に通
    ずる貫通孔を形成し、上記凹部に収まる頭部を有する締
    結具を上記貫通孔を介して上記冷却ブロックに固定する
    ことで、上記被スパッタ材料体を上記冷却ブロックに装
    着したスパッタ装置。
  3. (3)請求項(2)において、 上記凹部の底面と、これと対向する上記締結具の反り規
    制面との間にクリアランスを設けたスパッタ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5733182A (en) * 1994-03-04 1998-03-31 Fujitsu Limited Ultra flat polishing
WO2013005827A1 (ja) * 2011-07-07 2013-01-10 住友化学株式会社 スパッタリングターゲット

Citations (1)

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JPS6345368A (ja) * 1986-08-13 1988-02-26 Toshiba Corp スパツタ装置

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