JPH03130630A - 温度検出回路網 - Google Patents
温度検出回路網Info
- Publication number
- JPH03130630A JPH03130630A JP26811689A JP26811689A JPH03130630A JP H03130630 A JPH03130630 A JP H03130630A JP 26811689 A JP26811689 A JP 26811689A JP 26811689 A JP26811689 A JP 26811689A JP H03130630 A JPH03130630 A JP H03130630A
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- JP
- Japan
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- platinum
- bridge circuit
- sides
- temperature
- temperature sensor
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- Pending
Links
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- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、温度測定や電子口″jaの温度禰償なとを行
う方法として広く用いられているブリッジ方式の温度検
出回路に関するものである。
う方法として広く用いられているブリッジ方式の温度検
出回路に関するものである。
[従来の技術]
従来、ブリッジ方式の温度検出回路を構成する場合はブ
リッジ3辺の抵抗と、1辺の温度センサをそれぞれ独立
した部品を用いていた。
リッジ3辺の抵抗と、1辺の温度センサをそれぞれ独立
した部品を用いていた。
このため3辺の抵抗の抵抗温度特性がそれぞれ異なり、
周回温度の変化によりブリッジの働きが正規の状態では
なくなりしはしば誤った温度検出をしていた。
周回温度の変化によりブリッジの働きが正規の状態では
なくなりしはしば誤った温度検出をしていた。
また、個々の抵抗はブリッジのバランスを考慮して抵抗
値精度゛の極めて高い高価な抵抗を使わなければならな
かった。
値精度゛の極めて高い高価な抵抗を使わなければならな
かった。
ざらに1工度センチを別けけし、バラ〉スをとるなとブ
リッジ回路作製には多大な時間と費用を必要としていた
。
リッジ回路作製には多大な時間と費用を必要としていた
。
本発明は、二のブリッジ方式の温度検出回路を同一基板
上に作製することにより安b、高性能、そして取扱の簡
便さを実現し、提供しようとするものである。
上に作製することにより安b、高性能、そして取扱の簡
便さを実現し、提供しようとするものである。
[発明が解決しようとする問題点]
従来の方法、すなわち独立した抵抗3個と温度センサ1
個からなるブリッジ回路に於ては抵抗温度特性が揃った
抵抗を用いない限り周囲の温度が変化するとブリッジ出
力に誤差が生じるという問題があり、その上抵抗温度特
性の揃った抵抗は非常に高価であるという欠点もあった
・また、部品を4個接続するための時間も要しブリッジ
回路の組立は容易ではなく、構成全体のサイズが大きく
゛なる欠点もあった。
個からなるブリッジ回路に於ては抵抗温度特性が揃った
抵抗を用いない限り周囲の温度が変化するとブリッジ出
力に誤差が生じるという問題があり、その上抵抗温度特
性の揃った抵抗は非常に高価であるという欠点もあった
・また、部品を4個接続するための時間も要しブリッジ
回路の組立は容易ではなく、構成全体のサイズが大きく
゛なる欠点もあった。
本発明は、電気的絶縁性基板表面に温度センサ素子を形
成した1地2辺または3辺の抵抗素子を同時に形成しブ
リッジ回路を構成することにより上記の問題点を解決し
たものである。
成した1地2辺または3辺の抵抗素子を同時に形成しブ
リッジ回路を構成することにより上記の問題点を解決し
たものである。
[実施nす1]
本発明の実施例を第1図から第3図に基づいて説明する
。この実施例に於ては1辺が5 m mの正方形で厚さ
が 0.4mmのアルミナ系基板を用い、その表面゛に
電子ビーム蒸着法によ・り白金を蒸着した後、大気中で
これを1100”Cで1時間加熱した0次いでフォトエ
ツチング法により100Ωの白金抵抗バタンを形成し白
金温度センサを第1図の如く形成した。
。この実施例に於ては1辺が5 m mの正方形で厚さ
が 0.4mmのアルミナ系基板を用い、その表面゛に
電子ビーム蒸着法によ・り白金を蒸着した後、大気中で
これを1100”Cで1時間加熱した0次いでフォトエ
ツチング法により100Ωの白金抵抗バタンを形成し白
金温度センサを第1図の如く形成した。
次いで上記白金バタンの上に電子ビーム法でニクロムを
主成分とする抵抗材料を蒸着し、フォトエツチング法に
より第2図の如くブリッジ回路の3辺の抵抗′を形成し
た。この後300”Cで1時間の熱処理を大気中で行っ
た。
主成分とする抵抗材料を蒸着し、フォトエツチング法に
より第2図の如くブリッジ回路の3辺の抵抗′を形成し
た。この後300”Cで1時間の熱処理を大気中で行っ
た。
次いで上記バタン上;こz 3とし・てバラジュウムと
金を層状に電子ビーム蒸着法により蒸着しフォトエツチ
ング法によりブリッジ回路の接続点とf%を第3図の如
く形成した。
金を層状に電子ビーム蒸着法により蒸着しフォトエツチ
ング法によりブリッジ回路の接続点とf%を第3図の如
く形成した。
次いで白金温度センサとそれぞれの抵抗の抵抗値をレー
ザ光線により調整した。
ザ光線により調整した。
次いで半田により第3図のA−A’間のN、極を接続し
た。このようにして得られた各素子の特性を表1に示す
。
た。このようにして得られた各素子の特性を表1に示す
。
表に
のようにして製造し・た第3図のブリッジ回路を用い、
温度と出力を測定した結果を表2の(A)欄に示す。ま
た比較のため従来の構成で第4図の如くブリッジ回路を
製造した。その出力電圧特性を表2の(B)l に示
す。
温度と出力を測定した結果を表2の(A)欄に示す。ま
た比較のため従来の構成で第4図の如くブリッジ回路を
製造した。その出力電圧特性を表2の(B)l に示
す。
表2
上記表2に示す結果から明らかなように本発明に係わる
実施例のブリッジ回路網により周囲温度に全く影響さ°
゛れない設計値通りの電圧出力を得ることができた。
実施例のブリッジ回路網により周囲温度に全く影響さ°
゛れない設計値通りの電圧出力を得ることができた。
従来の構成では8(計値とのズレが同口温度lこより生
じてくるという欠点があったが、本発明により非常に高
精度の温度測定が可能になった。
じてくるという欠点があったが、本発明により非常に高
精度の温度測定が可能になった。
[実施1!)12 ]
この実施例に於いては実施例1が1辺のみ白金温度セン
サであフたのに対し、第5図の如く基板上にlOOΩと
900Ωの白金抵抗パタンを2辺形成した後、ブリッジ
回路の他の2辺の抵抗を第6図の如く形成した。次に第
7図の如く電極を形成した後、白金温度センサと抵抗の
抵抗値をSl!Iat、、た0次いで第7図のA−A’
間の電極を半田により接続した0本実施例によれば2回
のセンサをブリッジ回路内に絹み込んだためセンサがI
Iの回路よりも大きな出力電圧が得られた。
サであフたのに対し、第5図の如く基板上にlOOΩと
900Ωの白金抵抗パタンを2辺形成した後、ブリッジ
回路の他の2辺の抵抗を第6図の如く形成した。次に第
7図の如く電極を形成した後、白金温度センサと抵抗の
抵抗値をSl!Iat、、た0次いで第7図のA−A’
間の電極を半田により接続した0本実施例によれば2回
のセンサをブリッジ回路内に絹み込んだためセンサがI
Iの回路よりも大きな出力電圧が得られた。
すの正直図、第2図及び’W、6(21!よ第1図及び
第5図の表面に抵抗膜を蒸着し、フォトエツチング法で
バタン形成した後の正面図、第3図及び第7図は第2図
の表面にt極膜を蒸着しフォトエツチング法でバタン形
成した完成品の正面図である。第4図は個別素子で構成
した従来の回路と各素子の抵抗温度特性値である。
第5図の表面に抵抗膜を蒸着し、フォトエツチング法で
バタン形成した後の正面図、第3図及び第7図は第2図
の表面にt極膜を蒸着しフォトエツチング法でバタン形
成した完成品の正面図である。第4図は個別素子で構成
した従来の回路と各素子の抵抗温度特性値である。
l、電気的絶縁基板 2.白金抵抗バタン3、抵抗膜パ
タン 4.電極膜
タン 4.電極膜
第1図及び第5図は本発明品の白金温度セン篤40
走@圧原:5v
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ブリッジ回路で温度を検出する回路に於て1辺の温
度センサと3辺の抵抗を同一基板上に形成することを特
徴とする温度検出回路網。 2、ブリッジ回路で温度を検出する回路に於て2辺の温
度センサと2辺の抵抗を同一基板上に形成することを特
徴とする温度検出回路網。 3、特許請求範囲1項及び、2項記載の回路網に於て温
度センサとして白金温度センサを用いた回路網。 4、温度センサを基板上に形成し熱処理を施す第1の工
程と、ブリッジ回路の他の辺の抵抗を同時に基板上に形
成し熱処理を行う第2の工程を、シリーズに組み合わせ
た請求範囲1項及び2項及び3項の温度検出回路網。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26811689A JPH03130630A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 温度検出回路網 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26811689A JPH03130630A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 温度検出回路網 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03130630A true JPH03130630A (ja) | 1991-06-04 |
Family
ID=17454111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26811689A Pending JPH03130630A (ja) | 1989-10-17 | 1989-10-17 | 温度検出回路網 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03130630A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8270537B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-09-18 | Fujitsu Ten Limited | Antenna device, demodulating device and receiving device |
WO2022210573A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 温度センサ |
-
1989
- 1989-10-17 JP JP26811689A patent/JPH03130630A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8270537B2 (en) | 2008-03-26 | 2012-09-18 | Fujitsu Ten Limited | Antenna device, demodulating device and receiving device |
WO2022210573A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 温度センサ |
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