JPH0311942Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0311942Y2 JPH0311942Y2 JP1981133411U JP13341181U JPH0311942Y2 JP H0311942 Y2 JPH0311942 Y2 JP H0311942Y2 JP 1981133411 U JP1981133411 U JP 1981133411U JP 13341181 U JP13341181 U JP 13341181U JP H0311942 Y2 JPH0311942 Y2 JP H0311942Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- switch
- capacitor
- variable resistor
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、理想的な特性が得られるラウドネス
コントロール回路に関するものである。
コントロール回路に関するものである。
ラウドネスコントロール回路は、ダイナミツク
サウンドシステム回路（DSS回路）とも称される
ものであり、従来は例えば第１図に示す構成が用
いられていた。同図に於いて、R1，R2は抵抗、
Rvは可変抵抗、C1，C2はコンデンサ、SWはスイ
ツチであり、前段の回路からの信号が入力端子
INに加えられ、可変抵抗Rvで調整されたレベル
の信号が出力端子OUTから後段の増幅器等の回
路に出力される。通常、抵抗R1は数ＫΩ、抵抗
R2は数100Ω〜数ＫΩ、可変抵抗Rvは数10KΩ、
可変抵抗Rvのタツプ抵抗Rtはほぼ半分の抵抗値、
コンデンサC1は約10-8F、コンデンサC2は10-6〜
10-7F程度に選定されている。
サウンドシステム回路（DSS回路）とも称される
ものであり、従来は例えば第１図に示す構成が用
いられていた。同図に於いて、R1，R2は抵抗、
Rvは可変抵抗、C1，C2はコンデンサ、SWはスイ
ツチであり、前段の回路からの信号が入力端子
INに加えられ、可変抵抗Rvで調整されたレベル
の信号が出力端子OUTから後段の増幅器等の回
路に出力される。通常、抵抗R1は数ＫΩ、抵抗
R2は数100Ω〜数ＫΩ、可変抵抗Rvは数10KΩ、
可変抵抗Rvのタツプ抵抗Rtはほぼ半分の抵抗値、
コンデンサC1は約10-8F、コンデンサC2は10-6〜
10-7F程度に選定されている。
スイツチSWをoffに切換えると、コンデンサ
C1，C2は回路の動作に関係がないものとなり、
入力信号と出力信号との周波数特性は変化せず、
可変抵抗Rvにより調整された出力信号レベルと
なる。又スイツチSWをonに切換えると、コンデ
ンサC1，C2による影響により、例えば1kHzの近
傍の中域成分に対して、30〜200Hz近傍の低域成
分及び５〜14kH近傍の高域成分が増強される周
波数特性となる。
C1，C2は回路の動作に関係がないものとなり、
入力信号と出力信号との周波数特性は変化せず、
可変抵抗Rvにより調整された出力信号レベルと
なる。又スイツチSWをonに切換えると、コンデ
ンサC1，C2による影響により、例えば1kHzの近
傍の中域成分に対して、30〜200Hz近傍の低域成
分及び５〜14kH近傍の高域成分が増強される周
波数特性となる。
スイツチSWの切換えによつて中域成分のレベ
ルが変化しないのが理想的であり、スイツチSW
をoffに切換えたときの周波数特性が第２図の曲
線Ａであるとすると、スイツチSWをonに切換え
たときの周波数特性が曲線Ｂに示すように変化す
れば良いが、高域及び低域のブーストレベルを更
に大きくしようとすると、コンデンサC1，C2の
影響により曲線Ｃに示すように、中域のレベルも
上昇するものであつた。
ルが変化しないのが理想的であり、スイツチSW
をoffに切換えたときの周波数特性が第２図の曲
線Ａであるとすると、スイツチSWをonに切換え
たときの周波数特性が曲線Ｂに示すように変化す
れば良いが、高域及び低域のブーストレベルを更
に大きくしようとすると、コンデンサC1，C2の
影響により曲線Ｃに示すように、中域のレベルも
上昇するものであつた。
本考案は、前述の如き従来の欠点を改善したも
のであり、簡単な構成により、理想的なラウドネ
スコントロールを可能とすることを目的とするも
のである。以下実施例について詳細に説明する。
のであり、簡単な構成により、理想的なラウドネ
スコントロールを可能とすることを目的とするも
のである。以下実施例について詳細に説明する。
第３図は本考案の実施例の回路図であり、R11
〜R13は第１〜第３の抵抗、C11，C12は第１、第
２のコンデンサ、Rvは可変抵抗、SWはスイツチ
である。コンデンサC11と抵抗R13との直列回路が
可変抵抗Rvと並列に接続され、可変抵抗Rvのタ
ツプにコンデンサC12と抵抗R12との直列回路が接
続され、スイツチSWは、コンデンサC12と抵抗
R12との接続点を、可変抵抗Rvのタツプと、コン
デンサC11と抵抗R13との接続点との何れかに切換
接続するものである。
〜R13は第１〜第３の抵抗、C11，C12は第１、第
２のコンデンサ、Rvは可変抵抗、SWはスイツチ
である。コンデンサC11と抵抗R13との直列回路が
可変抵抗Rvと並列に接続され、可変抵抗Rvのタ
ツプにコンデンサC12と抵抗R12との直列回路が接
続され、スイツチSWは、コンデンサC12と抵抗
R12との接続点を、可変抵抗Rvのタツプと、コン
デンサC11と抵抗R13との接続点との何れかに切換
接続するものである。
スイツチSWをon即ちコンデンサC11と抵抗R13
との接続点側に切換接続すると、抵抗R12に並列
に抵抗R13が接続され、コンデンサC11，C12が直
列に接続されることになる。従つて高域成分及び
低域成分は増強されるが、抵抗R12，R13の並列
接続により全体的にレベルを低下させるので、中
域成分は、コンデンサC11によるレベル増加が抑
制される。
との接続点側に切換接続すると、抵抗R12に並列
に抵抗R13が接続され、コンデンサC11，C12が直
列に接続されることになる。従つて高域成分及び
低域成分は増強されるが、抵抗R12，R13の並列
接続により全体的にレベルを低下させるので、中
域成分は、コンデンサC11によるレベル増加が抑
制される。
又、スイツチSWをoff即ち図示のように可変抵
抗Rvのタツプ側に切換接続してコンデンサC12を
短絡した状態にすれば、高域成分及び低域成分の
増強はなく、このときの周波数特性を第４図の曲
線ａとすると、スイツチSWをonに切換えたとき
は、曲線ｂの周波数特性となる。各定数の選定に
より、更に高域及び低域のブーストレベルを大き
くした場合は曲線ｃの周波数特性となる。即ち中
域成分のレベルを殆んど変化しないようにするこ
とができる。
抗Rvのタツプ側に切換接続してコンデンサC12を
短絡した状態にすれば、高域成分及び低域成分の
増強はなく、このときの周波数特性を第４図の曲
線ａとすると、スイツチSWをonに切換えたとき
は、曲線ｂの周波数特性となる。各定数の選定に
より、更に高域及び低域のブーストレベルを大き
くした場合は曲線ｃの周波数特性となる。即ち中
域成分のレベルを殆んど変化しないようにするこ
とができる。
前述の如くスイツチSWをoffからonに切換え
ることにより、高域成分と低域成分とを増強する
ことができ、全体としてのレベルが上昇すること
になるが、抵抗R13を選定することにより、第４
図の曲線ｂを曲線ｄの如く、中域成分を低下させ
て、全体としてのレベルが変化しないようにする
こともできる。
ることにより、高域成分と低域成分とを増強する
ことができ、全体としてのレベルが上昇すること
になるが、抵抗R13を選定することにより、第４
図の曲線ｂを曲線ｄの如く、中域成分を低下させ
て、全体としてのレベルが変化しないようにする
こともできる。
又スイツチSWをoffに切換えたとき、コンデン
サC11と抵抗R13との直列回路が可変抵抗Rvに並
列に接続された状態となり、抵抗R13の選定によ
つては高域レベルが少し低下する場合がある。こ
のような場合は、前段の回路で予め高域補償を行
なつておけば何ら問題はない。
サC11と抵抗R13との直列回路が可変抵抗Rvに並
列に接続された状態となり、抵抗R13の選定によ
つては高域レベルが少し低下する場合がある。こ
のような場合は、前段の回路で予め高域補償を行
なつておけば何ら問題はない。
以上説明したように、本考案は、第３の抵抗
R13を選定することにより、スイツチSWをon，
offに切換えたときの中域成分のレベルが変化し
ないようにすることができ、それによつて理想的
なラウドネスコントロールを行なわせることがき
るものとなる。
R13を選定することにより、スイツチSWをon，
offに切換えたときの中域成分のレベルが変化し
ないようにすることができ、それによつて理想的
なラウドネスコントロールを行なわせることがき
るものとなる。
第１図は従来のラウドネスコントロール回路、
第２図はそのスイツチ切換えによる周波数特性曲
線図、第３図は本考案の実施例の回路、第４図は
そのスイツチ切換えによる周波数特性曲線図であ
る。 R11〜R13は第１〜第３の抵抗、C11，C12は第
１、第２のコンデンサ、SWはスイツチ、INは入
力端子、OUTは出力端子である。
第２図はそのスイツチ切換えによる周波数特性曲
線図、第３図は本考案の実施例の回路、第４図は
そのスイツチ切換えによる周波数特性曲線図であ
る。 R11〜R13は第１〜第３の抵抗、C11，C12は第
１、第２のコンデンサ、SWはスイツチ、INは入
力端子、OUTは出力端子である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 入力信号を加える第１の抵抗Ｒ１１と直列に接
続され、出力信号のレベルを調整する可変抵抗
Rvと、 該可変抵抗Rvと並列に接続された第１のコン
デンサＣ１１と第３の抵抗Ｒ１３との直列回路
と、 前記可変抵抗Rvのタツプに接続された第２の
コンデンサＣ１２と第２の抵抗Ｒ１２との直列回
路と、 前記第１のコンデンサＣ１１と前記第３の抵抗
Ｒ１３との接続点及び前記可変抵抗Rvのタツプ
とを個別接点とし、前記第２のコンデンサＣ１２
と前記第２の抵抗Ｒ１２との接続点を共通接点と
するスイツチSWとからなることを特徴とするラ
ウドネスコントロール回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13341181U JPS5840926U (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | ラウドネスコントロ−ル回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13341181U JPS5840926U (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | ラウドネスコントロ−ル回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840926U JPS5840926U (ja) | 1983-03-17 |
| JPH0311942Y2 true JPH0311942Y2 (ja) | 1991-03-22 |
Family
ID=29926874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13341181U Granted JPS5840926U (ja) | 1981-09-08 | 1981-09-08 | ラウドネスコントロ−ル回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5840926U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS551050Y2 (ja) * | 1974-09-20 | 1980-01-12 |
-
1981
- 1981-09-08 JP JP13341181U patent/JPS5840926U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5840926U (ja) | 1983-03-17 |
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