JPH03114171A - 正特性サーミスタ装置 - Google Patents

正特性サーミスタ装置

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JPH03114171A
JPH03114171A JP25306589A JP25306589A JPH03114171A JP H03114171 A JPH03114171 A JP H03114171A JP 25306589 A JP25306589 A JP 25306589A JP 25306589 A JP25306589 A JP 25306589A JP H03114171 A JPH03114171 A JP H03114171A
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JP
Japan
Prior art keywords
main surface
electrodes
main
temperature coefficient
positive temperature
Prior art date
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Pending
Application number
JP25306589A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazushi Saito
斉藤 一志
Michikazu Takeuchi
竹内 通一
Sho Kotani
小谷 捷
Sumihiro Yasuda
安田 純博
Yusuke Sasaki
雄介 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
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Publication of JPH03114171A publication Critical patent/JPH03114171A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、正特性サーミスタ素体の相対する主面の一方
が主たる発熱面となる面発熱タイプの正特性サーミスタ
装置に関し、主面の他方を凹凸面とすることにより、主
面間で見た高温度発熱領域を、主たる発熱面となる主面
の一方側に偏らせ、熱の利用効率を向上させるようにし
たものである。
〈従来の技術〉 この種の正特性サーミスタ装置としては、例えば特公昭
56−14221号公報に記載されたものが知られてい
る。第22図は従来の正特性サーミスタ装置の平面図、
第23図は第22図Bl −81線上における拡大断面
図であり、1は正特性サーミスタ素体、2.3は対の電
極である。
正特性サーミスタ素体1は平板状であって、相対する主
面A、Bのうち、主面A上に対の電極2.3を有する。
電g12.3は、正特性サーミスタ素体1の相対する辺
に沿って設けられたリード電極201.301と、枝電
極211〜214.311〜314とを有している。電
極2に属する技工1211〜214と、電極3に属する
枝電極311〜314は、間隔W1を隔てて交互配列と
なるように配置されている。従って、枝MX極211〜
214と、枝電極311〜314との間に形成される各
間隔W1を発熱面S、〜S7とする面発熱タイプの正特
性サーミスタ装置が得られる。主たる発熱面となる主面
Aと対向する主面Bは、通常、実質的に平坦な平面とな
る。
被加熱体に対する熱結合に当っては、第24図に示すよ
うに、主面Aを被加熱体4に面接触させ、主面B側から
支持部5によって支持する。
〈発明が解決しようとする課題〉 上述したように、従来のこの種の正特性サーミスタ装置
においては、主たる発熱面となる主面Aと対向する主面
Bが実質的に平坦な平面となっていて、主面Aの表面積
が実質的に等しい。このため、主面Bにおける放熱と、
主面Aにおける放熱との間の差が小さくなり、高温領域
が主面Aから主面B側に向かう比較的深い位置に位置す
る。このことは、熱が正特性サーミスタ素体の内部に籠
り、主面Aにおける熱利用効率を低下させることを意味
する。
そこで、本発明の課題は、上述する従来の問題点を解決
し、主面間で見た高温度発熱領域を、主たる発熱面とな
る主面の一方側に偏らせ、熱の利用効率を向上させた正
特性サーミスタ装置を提供することである。
〈課題を解決するための手段〉 上述する課題解決のため、本発明は、正特性サーミスタ
素体の相対する主面の一方が主たる発熱面となる正特性
サーミスタ装置であって、前記主面の他方は、凹凸面と
なっていることを特徴とする。
〈作用〉 主たる発熱面となる主面と対向する主面の他方が凹凸面
となっているので、主面の他方の表面積及び放熱面が増
え、放熱作用が大きくなる。しかも、主面の他方が凹凸
面となっているため、主面の他方に支持部材を密着させ
た場合でも、両者間に凹凸によるギャップを生じ、ギャ
ップを介した放熱作用が得られる。
このため、主面間で見た高温度発熱領域が、主たる発熱
面となる主面の一方側に偏り、熱の利用効率が向上する
〈実施例〉 第1図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の平面図、
第2図は同しくその底面図、第3図は第1図A IA 
I線上における断面図、第4図は第1図AI Ar!j
A上における拡大断面図、第5図は同じく第1図A2−
A2線上における拡大断面図である。図において、6は
正特性サーミスタ素体、7.8は対の電極である。電極
7.8のそれぞれは、複数本の枝電極711〜716.
811〜817と、枝電極711〜716.811〜8
17を共通に接続するリード電極701.801とを有
している。これらの各電極は導電膜として被着形成され
ている。
正特性サーミスタ素体6の主面Aには間隔W2を隔てて
複数の溝部601.602が設けられている。対の電極
7.8の枝電極711〜716.811〜817は、正
特性サーミスタ素体6に設けた溝部601.602の内
壁面に被着させである。枝電極711〜716.811
〜817は、溝部601.602の内部に充填して被着
させてもよい。
電極7.8を形成した面Aと対向する面Bは凹部603
と凸部604とを有する凹凸面となっている。実施例で
は、第2図〜第4図から明らかなように、凹凸パターン
の代表例として、断面形状が三角状であって、高さがり
、の凸部604を、定の間隔で繰返す条状の繰返しパタ
ーンとして不しである。ただし、後で説明するように、
点状パターン等であってもよい。また、条状バターの場
合でも、直線、曲線の何れも含み得る。
溝部601.602は、幅をdl、深さをhlとしたと
き、d r < h r となるように形成する。
1例として、幅d、=0.2mmとしたとき、深さhl
は1mm以上に設定する。従って、この場合には幅d1
及び深さり、に関して、dl  (h+が成立する。こ
のとき、間隔W2は1.5mm程度に設定するのが望ま
しい。
リード電極701.801は、正特性サーミスタ素体6
の相対する辺に沿って設けられている。
リード電極701.801が設けられている正特性サー
ミスタ素体6の辺は、第5図に拡大して示す如く、主面
Aから深さり、で落ち込む段面605.606となって
いる。段面605.606の深さhlが導電膜として形
成されるリード電極701.801の厚みtよりも大き
い。
従ってリード電極701.801の表面と、正特性サー
ミスタ素体6の主面Aの表面との間に、深さhlと厚み
tの差で与えられるギャップG1が生じている。リード
電極701のある段面605は枝電極711〜716の
設けられた溝部601と連なっており、また、リード電
極801のある段面606は枝電極811〜817の設
けられた溝部602と連なっている。図示はされていな
いが、電極7.8のリード電極701.801を複数に
分割できる。リード電極701または801を複数に分
割した場合には、発熱コントロールが可能になる。
第6図は上記実施例の正特性サーミスタ装置の使用状態
を示す図、第7図は同じく拡大断面図である。9はリー
ド端子、10は被加熱体、11は支持部材である。正特
性サーミスタ装置は、主面Aを被加熱体10に面接触さ
せ、主面B側から支持部材11によって支持しである。
ここで、発熱面となる主面Aと対向する主面Bが、凹部
603及び凸部604とによる凹凸面となっているので
、主面Bの表面積及び放熱面が増え、放熱作用が大きく
なる。しかも、主面Bが凹凸面となっているため、主面
Bに支持部材11を密着させた場合でも、主面Bと支持
部材11との間に、凹凸によるギャップを生じ、ギャッ
プを介した放熱作用が得られる。このため、主面A−B
間で見た高温度発熱領域が、主たる発熱面となる主面A
側に偏り、熱の利用効率が向上する。
また、溝部601.602は、幅をd8、深さをhlと
したとき、di <h、どなるように形成しであるので
、幅d1が深さり、に比して小さくなり、主面Aにおい
て実質的に発熱に寄与しない平面積が従来よりも減少し
、主面Aの全体として見た場合、単位面積当りの発熱量
が従来よりも増大する。また、発熱に寄与しない面積が
減少することから、反射的に発熱面S、〜S12の面積
が増大する。しかも、形成できる溝部601.602の
本数及び枝電極数が従来よりも増大し、発熱面31〜S
12の数が増大する。また、幅d1に対する深さhlの
関係が従来と逆転し、深さり、の増大により電極の有効
面積が増大するので、単位面積当りの発熱量が一層増大
する。
更に、リード電極701.801が設けられている正特
性サーミスタ素体6の辺は、主面Aから深さhlで落ち
込む段面605.606となっているので、ギャップG
1内に、給電端子9を位置させることにより、発熱面と
なる正特性サーミスタ素体6の主面Aを、被加熱体10
に対して熱的に密に結合させることができる。
電極7.8のパターン、凹部603及び凸部604のパ
ターン、形状または正特性サーミスタ6の外形形状等は
、種々に変形できる。次に、その例を第8図〜第21図
を参照して説明する。
まず、第8図の実施例では隣接する凸部604の間隔を
広げて凹部603の幅を拡大して例を示している。従っ
て、凹部603及び凸部604の数が第1図〜第5図の
実施例よりも少なくなる。
凸部604は、最小限、2個まで減少できる。
第9図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の別の実施
例における平面図、第10図は同じくその底面図を示し
ている。この実施例の特徴は、正特性サーミスタ素体6
の外形形状が三角形状にし、主面Aに三角外形に適合す
る枝電極711〜717.811〜816を設けると共
に、主面Bに凹部603及び凸部604を設けたことで
ある。凸部604は、枝電極711〜717.811〜
816に対応するように設けられており、その残りが凹
部603となっている。
第11図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の別の実
施例における平面図、第12図は同じくその底面図であ
る。この実施例の特徴は、主面Aに電極7.8を間隔W
を隔てて渦巻状に形成すると共に、主面Bに前記電極7
.8の渦巻パターンに対応する凸部604及び凹部60
3を設けたことである。従って、電極7.8のそれぞれ
は、枝電極を持たない連続する1本の導体となる。
第13図は別の実施例における平面図、第14図は同じ
くその底面図を示している。この実施例の特徴は、正特
性サーミスタ素体6を円板状に形成し、その主面A上に
、電8i7.8の枝電極711〜718.811〜81
6を円弧状に形成すると共に、主面Bに枝電極711〜
718.811〜816のパターンに対応した円弧状の
凸部604及び凹部603を形成したことである。
上記実施例では、凹部603及び凸部604は条状に形
成されているが、点状に形成することもできる。第15
図〜第18図はその例を示す底面図、第19図は第18
図A3−A3線上における断面図である。これらの図面
に示すように、凸部604または凹部603は、円形状
(第15図)、4角形状(第16図)、6角形状(第1
7図)または角錐形(第18図及び第19図)等の適当
な形状とし、主面Bに点在させることも可能である。
第20図は角錐形の凸部604を主面Bに点在させた例
を示している。凸部6040個数は任意でよい。第21
図は主面Bを縁取るように凸部604を設けた例を示し
ている。凸部604の途中に切込みを入れてもよい。
図示は省略したが、主面Bを機械的手段または化学的手
段によって粗面化して微小な凹凸による凹凸面とするこ
とによっても、同様の作用効果が期待できる。
〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明に係る正特性サーミスタ装置
は、正特性サーミスタ素体の相対する主面の一方が主た
る発熱面となる正特性サーミスタ装置であって、主面の
他方は凹凸面となっているので、主面間で見た高温度発
熱領域を、主たる発熱面となる主面の一方側に偏らせ、
熱の利用効率を向上させた面発熱タイプの正特性サーミ
スタ装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の平面図、
第2図は同じくその底面図、第3図は第1図A +  
A +線上における断面図、第4図は第1図A、−A、
線上における拡大断面図、第5図は同じく第1図A 2
  A 2線上における拡大断面図、第6図は本発明に
係る正特性サーミスタ装置の使用状態を示す図、第7図
は同じく拡大断面図、第8図は本発明に係る正特性サー
ミスタ装置の別の実施例における断面図、第9図は本発
明に係る正特性サーミスタ装置の別の実施例における平
面図、第10図は同じくその底面図、第11図は本発明
に係る正特性サーミスタ装置の更に別の実施例における
平面図、第12図は同じくその底面図、第13図は本発
明に係る正特性サーミスタ装置の更に別の実施例におけ
る平面図、第14図は同じくその底面図、第15図〜第
18図は凹凸パターンの実施例を示す各底面図、第19
図は第18図A 3  A s線上における断面図、第
20図は本発明に係る正特性サーミスタ装置の別の実施
例における斜視図、第21図は同じく更に別の実施例に
おける斜視図、第22図は従来の正特性サーミスタ装置
の平面図、第23図は第22図B1−B1線上における
断面図、第24図は従来の正特性サーミスタ装置の問題
点を示す図である。 6・・・正特性サーミスタ素体 601. 602 ・ ・溝部  03 ・凹部 604 ・ ・凸部 7.8 ・ ・ ・電極 第 1 +yd し。 第 第 ズ イJ 図 [7 シj 第 8 図 :4 第 15図 第 6 図 第 7 図 第 8 図 第20図 第21 図 第22図 第23ズ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  正特性サーミスタ素体の相対する主面の一方が主たる
    発熱面となる正特性サーミスタ装置であって、 前記主面の他方は、凹凸面となっていることを特徴とす
    る正特性サーミスタ装置。
JP25306589A 1989-09-28 1989-09-28 正特性サーミスタ装置 Pending JPH03114171A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25306589A JPH03114171A (ja) 1989-09-28 1989-09-28 正特性サーミスタ装置

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JP25306589A JPH03114171A (ja) 1989-09-28 1989-09-28 正特性サーミスタ装置

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JPH03114171A true JPH03114171A (ja) 1991-05-15

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ID=17246004

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JP25306589A Pending JPH03114171A (ja) 1989-09-28 1989-09-28 正特性サーミスタ装置

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JP (1) JPH03114171A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000055866A1 (en) * 1999-03-16 2000-09-21 Joubert Gideon Jacobus Johanne A gamma-ray source for use in radiography
JP2009544160A (ja) * 2006-07-20 2009-12-10 エプコス アクチエンゲゼルシャフト Ptc特性ならびに高い導電率と熱伝導率とを有する抵抗素子

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2000055866A1 (en) * 1999-03-16 2000-09-21 Joubert Gideon Jacobus Johanne A gamma-ray source for use in radiography
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