JPH03111807A - 光アイソレータ - Google Patents
光アイソレータInfo
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- JPH03111807A JPH03111807A JP25004289A JP25004289A JPH03111807A JP H03111807 A JPH03111807 A JP H03111807A JP 25004289 A JP25004289 A JP 25004289A JP 25004289 A JP25004289 A JP 25004289A JP H03111807 A JPH03111807 A JP H03111807A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光源から発した光が光学系の端面で反射し光
源に戻るのを防止するための光アイソレータに関するも
のである。
源に戻るのを防止するための光アイソレータに関するも
のである。
【従来の技術１
光源からの光を光学系を介して伝達しようとすると、光
学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば光
ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した光
はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多くは
伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズやフ
ァイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻って
その端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレータが使
用されている。光アイソレータは、第１図に示すように
、偏光子ｌ、ファラデー回転子３および検光子ｌをこの
順に並べたものである。 偏光子ｌは矢印ｙ方向に偏光方向を持っている。 ファラデー回転子３は磁界Ｓ−Ｎ中に置かれており、透
過する光の偏光面を入射側から視て時計方向（図示の出
射側から視ると反時計方向）に４５゜回転させる。検光
子２は、偏光子ｌに対し偏光方向が上記の４５°回転し
た矢印ｙ −ｗ ｚ方向になっている。 光源からの光０は、矢印ｏｙ力方向偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子ｌを通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
４５°回転して検光子２の偏光方向ｙ −＊ ｚに合致
するため、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面
Ｑ ｙ −Ｉ Ｚ ）のうち、多くは次の光学系、例え
ば光ファイバ（不図示）に入射するが、一部は光ファイ
バの端面で表面反射する。 その反射光Ｒ（偏光面Ｒｙ −ｅ ｚ ）が上記とは逆
向に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が
反時計方向に４５°回転する。そのため反射光は、偏光
面Ｒｚが偏光子１と直交するので透過することがない。 したがって反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がその
偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、すな
わち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、偏
光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が少
ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求さ
れている。 一方、第１図に示すように光アイソレータの光学端面を
、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が一偏光
子、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に
戻り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、
光学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置すること
で、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例え
ば特開昭６４−２０５２２号公報には、偏光子、ファラ
デー回転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー
回転子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにし
た光アイソレータが開示されている。 【発明が解決しようとする課題】 しかし同公報に開示された構成の光アイソレータでは、
消光性能および挿入損失ともに不充分である。 表面反射成分を光路外に除去するために偏光子等の各光
学素子を傾けることは有効であるが、従来のように単に
傾けるだけでは、別な要素により消光性能が低下したり
挿入損失が増加したりするという問題があった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿入
損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
学系の端面で反射した光が光源に戻ってくる。例えば光
ファイバによる信号伝送で、レーザー光源から発した光
はレンズを介してファイバ端面に投影され、その多くは
伝送光としてファイバ内部に入ってゆくが、レンズやフ
ァイバの端面で表面反射をしてレーザー光源まで戻って
その端面で再度表面反射し、ノイズとなってしまう。 このようなノイズを消去するため、光アイソレータが使
用されている。光アイソレータは、第１図に示すように
、偏光子ｌ、ファラデー回転子３および検光子ｌをこの
順に並べたものである。 偏光子ｌは矢印ｙ方向に偏光方向を持っている。 ファラデー回転子３は磁界Ｓ−Ｎ中に置かれており、透
過する光の偏光面を入射側から視て時計方向（図示の出
射側から視ると反時計方向）に４５゜回転させる。検光
子２は、偏光子ｌに対し偏光方向が上記の４５°回転し
た矢印ｙ −ｗ ｚ方向になっている。 光源からの光０は、矢印ｏｙ力方向偏光面を持つ偏光だ
けが偏光子ｌを通過し、ファラデー回転子３で偏光面が
４５°回転して検光子２の偏光方向ｙ −＊ ｚに合致
するため、検光子２を透過する。その透過光Ｏ（偏光面
Ｑ ｙ −Ｉ Ｚ ）のうち、多くは次の光学系、例え
ば光ファイバ（不図示）に入射するが、一部は光ファイ
バの端面で表面反射する。 その反射光Ｒ（偏光面Ｒｙ −ｅ ｚ ）が上記とは逆
向に検光子２を透過し、ファラデー回転子３で偏光面が
反時計方向に４５°回転する。そのため反射光は、偏光
面Ｒｚが偏光子１と直交するので透過することがない。 したがって反射光Ｒがノイズになることを防止できる。 このような光アイソレータでは、偏光子や検光子がその
偏光方向と直交する偏光面を有する光を消す性能、すな
わち消光性能が充分に高いことが求められる一方で、偏
光方向と同方向の偏光面を有する光の透過率の損失が少
ないこと、すなわち挿入損失が充分に低いことが要求さ
れている。 一方、第１図に示すように光アイソレータの光学端面を
、光源からの光軸と垂直に配置すると、入射光が一偏光
子、ファラデー回転子、検光子の表面で反射して光源に
戻り、ノイズとなってしまう。このノイズを防ぐには、
光学端面を光源からの光軸に対して傾けて配置すること
で、表面反射光を光路外に外すことが有効である。例え
ば特開昭６４−２０５２２号公報には、偏光子、ファラ
デー回転子、検光子を個別に傾け、偏光子、ファラデー
回転子、検光子の表面反射光が光源に戻らないようにし
た光アイソレータが開示されている。 【発明が解決しようとする課題】 しかし同公報に開示された構成の光アイソレータでは、
消光性能および挿入損失ともに不充分である。 表面反射成分を光路外に除去するために偏光子等の各光
学素子を傾けることは有効であるが、従来のように単に
傾けるだけでは、別な要素により消光性能が低下したり
挿入損失が増加したりするという問題があった。 本発明は、このような点を改善し、消光性能および挿入
損失が優れた光アイソレータを提供するものである。
前記課題を解決するための本発明を適用した光アイソレ
ータを、第１図により説明する。 同図に示すように２本発明の光アイソレータは、偏光子
ｌ、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー
回転子３、および検光子２を順に並べたもので、光源と
光学系（不図示）の中間に配置されている。偏光子１の
持つ偏光方向ｙと光源から光学系に至る光軸Ｃとにより
形成される面を基準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたとき
、偏光子ｌおよびファラデー回転子３を基準面ｃ−ｙが
保たれる方向に角度θｙ＝１〜７°傾斜させる。光軸Ｃ
と偏光方向ｙに直交する方向Ｚとにより形成される面を
基準直交面ｃ−ｚ（第２図参照）として、基準直交面ｃ
−ｚが保たれる方向への偏光子ｌおよびファラデー回転
子３の傾斜θＺが１゜以下である。 上記構成では、光アイソレータ中の偏光子ｌおよびファ
ラデー回転子を傾斜させたが、別な構成として偏光子、
ファラデー回転子および検光子からなる光アイソレータ
全体を上記と同様に傾斜させてもよい。
ータを、第１図により説明する。 同図に示すように２本発明の光アイソレータは、偏光子
ｌ、光の進行方向の磁界Ｓ→Ｎ中に置かれたファラデー
回転子３、および検光子２を順に並べたもので、光源と
光学系（不図示）の中間に配置されている。偏光子１の
持つ偏光方向ｙと光源から光学系に至る光軸Ｃとにより
形成される面を基準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたとき
、偏光子ｌおよびファラデー回転子３を基準面ｃ−ｙが
保たれる方向に角度θｙ＝１〜７°傾斜させる。光軸Ｃ
と偏光方向ｙに直交する方向Ｚとにより形成される面を
基準直交面ｃ−ｚ（第２図参照）として、基準直交面ｃ
−ｚが保たれる方向への偏光子ｌおよびファラデー回転
子３の傾斜θＺが１゜以下である。 上記構成では、光アイソレータ中の偏光子ｌおよびファ
ラデー回転子を傾斜させたが、別な構成として偏光子、
ファラデー回転子および検光子からなる光アイソレータ
全体を上記と同様に傾斜させてもよい。
上記のように光アイソレータの素子を傾斜させたことに
より、各光学素子表面で起こる表面反射成分は光軸から
外れ、光源に戻ることがな（なるから、光源のノイズを
減らすことができる。傾斜角度を上記の角度範囲内にし
たことにより、光アイソレータとしての消光性能が充分
に高く、挿入損失が充分に低いまま表面反射成分が光源
に戻ることを防止できる。
より、各光学素子表面で起こる表面反射成分は光軸から
外れ、光源に戻ることがな（なるから、光源のノイズを
減らすことができる。傾斜角度を上記の角度範囲内にし
たことにより、光アイソレータとしての消光性能が充分
に高く、挿入損失が充分に低いまま表面反射成分が光源
に戻ることを防止できる。
【実施例］
以下、本発明の実施例を図面により詳細に説明する。
第１図に示すように本発明の光アイソレータは、偏光子
ｌ、磁界Ｓ−Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、およ
び検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザー
と光ファイバの中間に配置されている。 偏光子１と検光子２は同質の構成であるが、配置位置に
より機能が異なっているものである。偏光子ｌ（または
検光子２）はガラスの三角プリズムｌａに誘電体積層膜
１ｂを積層してあり、さらにその上から三角プリズムＩ
Ｃを接合しである。 三角プリズム１ａの低面角度は、自己の屈折率と誘電体
積層膜１ｂの屈折率との間にブリュスター角度を満たす
関係になっている。偏光子１と検光子２の光入射面およ
び光出射面には夫々反射防止の薄膜コーティングが施さ
れている。また上下面および両側面ば迷光を吸収するた
めに黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）単結晶の一部をＧａ、Ｍｇ、 Ｚｒ
で置換した厚さ ５００μｍの基板に、ガーネット（Ｂ
ｉＧｄＴｂ） ｓ （ＦｅＧａ） ｓｏ ＋ ＊単結晶
を液相エキビタルシャルで４００μｍの厚さに着けてか
ら ３８０μｍの厚さまでに研磨したものである。光入
射面および光出射面には夫々反射防止膜、上下面および
両側面には黒塗りが施されている。 偏光子ｌとファラデー回転子３は、偏光子ｌの持つ偏光
方向ｙと光軸Ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｙ（
第２図参照）としたとき、偏光子■およびファラデー回
転子３を基準面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝ １
〜７°傾斜させる。また光軸Ｃと偏光方向ｙに直交する
方向Ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｚ（第２
図参照）として、基準直交面ｃ−ｚが保たれる方向への
偏光子１およびファラデー回転子３の傾斜角度θＺは１
゜以下が好ましい。 角度θｙは１〜７°で、角度θＺは１゜以下が好ましい
という根拠は、上記によって得られた偏光子ｌ（または
検光子２、ともに偏光ビームスプリッタＰＢＳ）につき
挿入損失の入射角依存性および消光性能の入射角依存性
を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第３図
に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光子
ｌの持つ偏光方向ｙと光軸Ｃとにより形成される面を基
準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたとき、偏光子ｌを基準
面ｃ−ｙが保たれる方向に角度６ｙだけ傾斜させてゆ（
。また入射角度θ２にするには、光軸Ｃと偏光方向ｙに
直交する方向Ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ−
ｚとしたとき、偏光子１を基準直交面Ｃ−Ｚが保たれる
方向に角度θＺだけ傾斜させてゆく。前記したように偏
光子ｌはプリズムｌａに誘電体積層膜１ｂを積層してあ
り、さらにその上からプリズムＩＣを接合しであるが、
誘電体積層膜ｔｂを積層したプリズムｌａの側から光を
入射させた場合（光路０、）と、プリズムｌｃの側から
光を入射させた場合（光路０□）の両方について、挿入
損失および消光性能の変化を調べた。 第４図には偏光子である偏光ビームスプリッタＰＢＳに
ついての入射角度θｙまたはθＺに対する挿入損失の変
化を示しである。同図に示すように入射角θｙが７°以
内で変化しても挿入損失の変化があまりない。プリズム
ｌａの側から光を入射させた光路ＯＩを採るほうが、逆
方向から入射する光路０□を採るより挿入損失が０．０
２〜０．０３ｄＢ程度低いことが分かった。入射角の変
化による挿入損失の変化は、入射角θＺが変化したとき
のほうが、入射角θｙが変化したときより入射角依存性
が強い。挿入損失の値から、偏光子の傾き角度θＺの許
容範囲は±３°程度までである。また入射角θＺが変化
したときにおいても、光路０＋を採るほうが、光路Ｏ３
を採るより挿入損失が０．０２〜０．０３ｄＢ程度低い
ことがわかった。 第５図には偏光子である偏光ビームスプリッタＰＢＳに
ついての入射角度θｙまたはθ２に対する消光性能の変
化を示しである。同図に示すように入射角θｙが変化し
ても消光性能の変化があまりない、一方、入射角θ２が
変化した場合の消光性能の変化は大きく、消光比４０ｄ
Ｂ以上が得られる角度θＺの許容範囲は±１°程度の狭
い範囲である。また光路Ｏ１を採るほうが、光路０．を
採るより、若干消光比が低い値である。 第４図に示した挿入損失と第５図に示した消光比性能か
ら、偏光ビームスプリッタＰＢＳを偏光子および検光子
として光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除
去するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよ
うに単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向お
よびその方向によって規制されるべき角度の限界が必要
なことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度
θ２方向べの傾けは避けることが好ましく１°以下程度
である。角度θｙ力方向の傾けは、角度θＺ方向への傾
けより許容され、１〜７°傾けても挿入損失と消光性能
の劣化は殆どない。 また、第４図と第５図に示した結果から、誘電体積層膜
１ｂを積層したプリズムｌａの側から光を入射させ（光
路０１を採る）、反射光が逆方向から入射する（光路０
２を採る）ようにすることが好ましいことがわかる。 前記第１図に示した光アイソレータで、偏光子ｌ、ファ
ラデー回転子３、および検光子２を全（傾けないで構成
した光アイソレータ（従来の構成）では、消光性能が３
０ｄＢ以下である。偏光子ｌ、ファラデー回転子３およ
び検光子２には反射防止が施しであるが、０．１％の表
面反射があるため、その反射光が戻って消光性能があま
り良くない。挿入損失は０．３ｄＢ以下であった。 これに対し、前記第１図に示した光アイソレータで、偏
光子１およびファラデー回転子３を角度θｙ＝７″傾け
、角度θ２は傾けずに構成し、消光性能を調べたところ
４０ｄＢ以上であった。また偏光子１５フアラデ一回転
子３および検光子２の表面反射により光源へ戻る反射光
は検出されなかった。 挿入損失は０．３ｄＢ以下で変わらなかった。同じ（第
１図に示した光アイソレータで、偏光子ｌ、ファラデー
回転子３および検光子２．すなわち光アイソレータ全体
を角度Ｂｙ＝ ７°傾けて構成し、消光性能を調べたと
ころやはり４０ｄＢ以上であった。また偏光子ｌ、ファ
ラデー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ
戻る反射光も検出されなかった。挿入損失は０．３ｄＢ
以下であった。 さらに比較のため、前記第１図に示した光アイソレータ
で、偏光子ｌおよびファラデー回転子３を角度６ｙは傾
けないで、角度θＺ＝３６傾けて構成し、消光性能を調
べたところ３０ｄＢ以下に劣化した。偏光子ｌ、ファラ
デー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ戻
る反射光は検出されなかった。。同じく第１図に示した
光アイソレータで、偏光子ｌ、ファラデー回転子３およ
び検光子２、すなわち光アイソレータ全体を角度θｙは
傾けないで、角度θｚ＝３°傾けて構成し、消光性能を
調べたところやはり３０ｄＢ以下に劣化した。偏光子ｌ
、ファラデー回転子３および検光子２の表面反射により
光源へ戻る反射光も検出されなかった。 挿入損失は、偏光子１等を全く傾けないで構成した光ア
イソレータ（従来の構成）に比べ０．２ｄＢ以上大きく
なった。 【発明の効果】 以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータは、
光学素子を傾斜させたことにより、表面反射成分が光源
に戻ることがなくなるから、消光性能を高く保ち光源の
ノイズを減らすことができる。傾斜方向を特定し、その
角度を制限したことにより、挿入損失が充分に低いまま
消光性能を高く保つことができる。
ｌ、磁界Ｓ−Ｎ中に置かれたファラデー回転子３、およ
び検光子２を順に並べたもので、例えば半導体レーザー
と光ファイバの中間に配置されている。 偏光子１と検光子２は同質の構成であるが、配置位置に
より機能が異なっているものである。偏光子ｌ（または
検光子２）はガラスの三角プリズムｌａに誘電体積層膜
１ｂを積層してあり、さらにその上から三角プリズムＩ
Ｃを接合しである。 三角プリズム１ａの低面角度は、自己の屈折率と誘電体
積層膜１ｂの屈折率との間にブリュスター角度を満たす
関係になっている。偏光子１と検光子２の光入射面およ
び光出射面には夫々反射防止の薄膜コーティングが施さ
れている。また上下面および両側面ば迷光を吸収するた
めに黒塗りがされている。 ファラデー回転子３は、ＧＧＧ （ガドリニウム、ガリ
ウム、ガーネット）単結晶の一部をＧａ、Ｍｇ、 Ｚｒ
で置換した厚さ ５００μｍの基板に、ガーネット（Ｂ
ｉＧｄＴｂ） ｓ （ＦｅＧａ） ｓｏ ＋ ＊単結晶
を液相エキビタルシャルで４００μｍの厚さに着けてか
ら ３８０μｍの厚さまでに研磨したものである。光入
射面および光出射面には夫々反射防止膜、上下面および
両側面には黒塗りが施されている。 偏光子ｌとファラデー回転子３は、偏光子ｌの持つ偏光
方向ｙと光軸Ｃとにより形成される面を基準面ｃ−ｙ（
第２図参照）としたとき、偏光子■およびファラデー回
転子３を基準面ｃ−ｙが保たれる方向に角度θｙ＝ １
〜７°傾斜させる。また光軸Ｃと偏光方向ｙに直交する
方向Ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ−ｚ（第２
図参照）として、基準直交面ｃ−ｚが保たれる方向への
偏光子１およびファラデー回転子３の傾斜角度θＺは１
゜以下が好ましい。 角度θｙは１〜７°で、角度θＺは１゜以下が好ましい
という根拠は、上記によって得られた偏光子ｌ（または
検光子２、ともに偏光ビームスプリッタＰＢＳ）につき
挿入損失の入射角依存性および消光性能の入射角依存性
を測定することによりにより決定された。 測定にあたって、入射光角度をθｙにするには、第３図
に示すように、光路Ｏを固定のままにしておき、偏光子
ｌの持つ偏光方向ｙと光軸Ｃとにより形成される面を基
準面ｃ−ｙ（第２図参照）としたとき、偏光子ｌを基準
面ｃ−ｙが保たれる方向に角度６ｙだけ傾斜させてゆ（
。また入射角度θ２にするには、光軸Ｃと偏光方向ｙに
直交する方向Ｚとにより形成される面を基準直交面ｃ−
ｚとしたとき、偏光子１を基準直交面Ｃ−Ｚが保たれる
方向に角度θＺだけ傾斜させてゆく。前記したように偏
光子ｌはプリズムｌａに誘電体積層膜１ｂを積層してあ
り、さらにその上からプリズムＩＣを接合しであるが、
誘電体積層膜ｔｂを積層したプリズムｌａの側から光を
入射させた場合（光路０、）と、プリズムｌｃの側から
光を入射させた場合（光路０□）の両方について、挿入
損失および消光性能の変化を調べた。 第４図には偏光子である偏光ビームスプリッタＰＢＳに
ついての入射角度θｙまたはθＺに対する挿入損失の変
化を示しである。同図に示すように入射角θｙが７°以
内で変化しても挿入損失の変化があまりない。プリズム
ｌａの側から光を入射させた光路ＯＩを採るほうが、逆
方向から入射する光路０□を採るより挿入損失が０．０
２〜０．０３ｄＢ程度低いことが分かった。入射角の変
化による挿入損失の変化は、入射角θＺが変化したとき
のほうが、入射角θｙが変化したときより入射角依存性
が強い。挿入損失の値から、偏光子の傾き角度θＺの許
容範囲は±３°程度までである。また入射角θＺが変化
したときにおいても、光路０＋を採るほうが、光路Ｏ３
を採るより挿入損失が０．０２〜０．０３ｄＢ程度低い
ことがわかった。 第５図には偏光子である偏光ビームスプリッタＰＢＳに
ついての入射角度θｙまたはθ２に対する消光性能の変
化を示しである。同図に示すように入射角θｙが変化し
ても消光性能の変化があまりない、一方、入射角θ２が
変化した場合の消光性能の変化は大きく、消光比４０ｄ
Ｂ以上が得られる角度θＺの許容範囲は±１°程度の狭
い範囲である。また光路Ｏ１を採るほうが、光路０．を
採るより、若干消光比が低い値である。 第４図に示した挿入損失と第５図に示した消光比性能か
ら、偏光ビームスプリッタＰＢＳを偏光子および検光子
として光アイソレータに用いる場合、表面反射成分を除
去するため偏光子および検光子を傾けるには、従来のよ
うに単に偏光子等を傾けるだけではなく、傾ける方向お
よびその方向によって規制されるべき角度の限界が必要
なことがわかる。挿入損失と消光性能の関係から、角度
θ２方向べの傾けは避けることが好ましく１°以下程度
である。角度θｙ力方向の傾けは、角度θＺ方向への傾
けより許容され、１〜７°傾けても挿入損失と消光性能
の劣化は殆どない。 また、第４図と第５図に示した結果から、誘電体積層膜
１ｂを積層したプリズムｌａの側から光を入射させ（光
路０１を採る）、反射光が逆方向から入射する（光路０
２を採る）ようにすることが好ましいことがわかる。 前記第１図に示した光アイソレータで、偏光子ｌ、ファ
ラデー回転子３、および検光子２を全（傾けないで構成
した光アイソレータ（従来の構成）では、消光性能が３
０ｄＢ以下である。偏光子ｌ、ファラデー回転子３およ
び検光子２には反射防止が施しであるが、０．１％の表
面反射があるため、その反射光が戻って消光性能があま
り良くない。挿入損失は０．３ｄＢ以下であった。 これに対し、前記第１図に示した光アイソレータで、偏
光子１およびファラデー回転子３を角度θｙ＝７″傾け
、角度θ２は傾けずに構成し、消光性能を調べたところ
４０ｄＢ以上であった。また偏光子１５フアラデ一回転
子３および検光子２の表面反射により光源へ戻る反射光
は検出されなかった。 挿入損失は０．３ｄＢ以下で変わらなかった。同じ（第
１図に示した光アイソレータで、偏光子ｌ、ファラデー
回転子３および検光子２．すなわち光アイソレータ全体
を角度Ｂｙ＝ ７°傾けて構成し、消光性能を調べたと
ころやはり４０ｄＢ以上であった。また偏光子ｌ、ファ
ラデー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ
戻る反射光も検出されなかった。挿入損失は０．３ｄＢ
以下であった。 さらに比較のため、前記第１図に示した光アイソレータ
で、偏光子ｌおよびファラデー回転子３を角度６ｙは傾
けないで、角度θＺ＝３６傾けて構成し、消光性能を調
べたところ３０ｄＢ以下に劣化した。偏光子ｌ、ファラ
デー回転子３および検光子２の表面反射により光源へ戻
る反射光は検出されなかった。。同じく第１図に示した
光アイソレータで、偏光子ｌ、ファラデー回転子３およ
び検光子２、すなわち光アイソレータ全体を角度θｙは
傾けないで、角度θｚ＝３°傾けて構成し、消光性能を
調べたところやはり３０ｄＢ以下に劣化した。偏光子ｌ
、ファラデー回転子３および検光子２の表面反射により
光源へ戻る反射光も検出されなかった。 挿入損失は、偏光子１等を全く傾けないで構成した光ア
イソレータ（従来の構成）に比べ０．２ｄＢ以上大きく
なった。 【発明の効果】 以上詳細に説明したように本発明の光アイソレータは、
光学素子を傾斜させたことにより、表面反射成分が光源
に戻ることがなくなるから、消光性能を高く保ち光源の
ノイズを減らすことができる。傾斜方向を特定し、その
角度を制限したことにより、挿入損失が充分に低いまま
消光性能を高く保つことができる。
第１図は光アイソレータの実施例を示す斜視図、第２図
は光アイソレータの傾きを説明する図、第３図は偏光子
を示す斜視図、第４図は光アイソレータの挿入損失を示
す図、第５図は光アイソレータの消光比性能を示す図で
ある。 ｌ・・・偏光子 ２・・・検光子３・・・
ファラデー回転子 １ａ、１ｃ・・・三角プリズム ｌｂ・・・誘電体積層膜 第１ 図
は光アイソレータの傾きを説明する図、第３図は偏光子
を示す斜視図、第４図は光アイソレータの挿入損失を示
す図、第５図は光アイソレータの消光比性能を示す図で
ある。 ｌ・・・偏光子 ２・・・検光子３・・・
ファラデー回転子 １ａ、１ｃ・・・三角プリズム ｌｂ・・・誘電体積層膜 第１ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光源と光学系の中間に配置され、偏光子、光の進行
方向の磁界中に置かれたファラデー回転子、および検光
子からなる光アイソレータにおいて、偏光子の持つ偏光
方向と光源から光学系に至る光軸とにより形成される面
を基準面とし、該光軸と該偏光方向に直交する面とによ
り形成される面を基準直交面として、偏光子およびファ
ラデー回転子を前記基準面が保たれる方向に１〜７゜傾
斜させ、前記基準直交面が保たれる方向への該偏光子お
よび該ファラデー回転子の傾斜が１゜以下であることを
特徴とする光アイソレータ。 ２、光源と光学系の中間に配置され、偏光子、光の進行
方向の磁界中に置かれたファラデー回転子および検光子
からなる光アイソレータにおいて、偏光子の持つ偏光方
向と光源から光学系に至る光軸とにより形成される面を
基準面とし、該光軸と該偏光方向に直交する面とにより
形成される面を基準直交面として、光アイソレータを前
記基準面が保たれる方向に１〜７゜傾斜させ、前記基準
直交面が保たれる方向への光アイソレータの傾斜が１゜
以下であることを特徴とする光アイソレータ。 ３、前記偏光子および検光子２がプリズムに誘電体積層
膜を積層した構造を有する偏光ビームスプリッタであり
、該プリズム側から前記光源の光が入射することを特徴
とする請求項第１項または第２項に記載の光アイソレー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250042A JP3006687B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光アイソレータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1250042A JP3006687B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光アイソレータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03111807A true JPH03111807A (ja) | 1991-05-13 |
| JP3006687B2 JP3006687B2 (ja) | 2000-02-07 |
Family
ID=17201958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1250042A Expired - Lifetime JP3006687B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 光アイソレータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3006687B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016142980A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | ソニー株式会社 | 光増幅装置、及び光源装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334778A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Asahi Optical Co Ltd | 磁気ヘツド調整装置 |
| JPH01131519A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1250042A patent/JP3006687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6334778A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Asahi Optical Co Ltd | 磁気ヘツド調整装置 |
| JPH01131519A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレータ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016142980A1 (ja) * | 2015-03-12 | 2016-09-15 | ソニー株式会社 | 光増幅装置、及び光源装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3006687B2 (ja) | 2000-02-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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