JPH03109654A - 画像メモリ - Google Patents

画像メモリ

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JPH03109654A
JPH03109654A JP1247570A JP24757089A JPH03109654A JP H03109654 A JPH03109654 A JP H03109654A JP 1247570 A JP1247570 A JP 1247570A JP 24757089 A JP24757089 A JP 24757089A JP H03109654 A JPH03109654 A JP H03109654A
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM

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  • Multimedia (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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  • Dram (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は画像メモリに関するものである。
(従来の技術) エンジニアリングワークステーション(EWS)やコン
ピュータグラフィックス(CG)等の高速データ処理及
びその表示に適したメモリとして、近年デュアルポート
ビデRAM (以下DPRAMともいう)が注目されて
いる。このDPRAMは、ランダムアクセス可能なメモ
リアレイ(例えばDRAM)を有しているランダムアク
セスボート(以下RAMボートともいう)と、このRA
Mボートとは非同期的に巡回的にシリアルアクセスされ
るシリアルアクセスメモリを有しているシリアルアクセ
スボート(以下SAMポートともいう)とを備えている
。DPRAMにおいては、RAMボートとSAMボート
との間でデータを転送するのでこの転送サイクル時のみ
RAMボートとSAMポートの間でタイミングを同期さ
せる必要がある。この転送サイクルにおけるタイミング
を第8図を参照して説明する。RAMボートのメモリア
レイ1のある行Rのデータを、シリアルアクセスを間断
なく行っているSAMポートのシリアルアクセスメモリ
2に転送する場合、(第8図(a)参照)、転送を制御
する外部信号をDTをまず立下げる(第8図(b)の時
刻T1参照)。そして、信号RASが立下がる時に外部
信号DTが“L”レベルであれば転送サイクルに入る。
この転送サイクルでは、通常のRAMサイクルと同様に
ローアドレスおよびカラムアドレスをそれぞれRAS及
びCASの立下がり(第8図(b)の時刻T 及びT3
参照)に同期して与えるが、通常のRAMサイクルとは
異なりローアドレスは転送すべきメモリアレイ1の行を
示し、カラムアドレスは転送完了後の新しいシリアルサ
イクルを始める位置となるTAPアドレスを示している
そして、外部信号DTが立上った次のシリアルサイクル
(第8図(b)の時刻T6参照)から転送されたデータ
をTAPアドレスを先頭にして出力する。外部信号DT
の立上タイミング(時刻T5)は、シリアルクロック信
号SCの立上げ(時刻T )から次の立上げ(時刻T6
)までの間に行う必要が有り、その時間間隔t 1 (
−T5−T4)およびt  (−76−75)に、制限
がある。そしてシリアルクロック信号SCのサイクルタ
イムは30〜40nsecであるため、時間間隔tl。
t2に対する制約は応用する上においてきついものであ
る。そこでこれを緩和するためにスブリ・ソト転送方式
が考えられた。
このスプリット転送方式を第9図を参照して説明する。
スプリット転送方式が用いられるSAMポートのシリア
ルアクセスメモリ2は第9図(a)に示すようにSAM
 (L)とSAM (U)の2つに分けられている。こ
の分割されたSAM (L)とSAM (U)はTAP
アドレスの最上位ビット(以下、MSBともいう)の“
0”と“1”にそれぞれ対応しており、それぞれ独立に
データ転送を行うことができる。今、SAM (L)が
シリアルアクセスを受けているときに転送サイクルが生
じてRAMボートのメモリアレイ1の行Rの転送を行う
場合を考える。ローアドレスが行Rを表すことは第8図
の場合と同様であるが、TAPアドレスのMSBは無視
されてシリアルアクセスを受けていない側のMSB(今
の場合“1″)にセ・ソトされる。
また、転送動作を行うのはセットされたMSB側のSA
M (U)であり、転送されたデータはシリアルアクセ
スが進みSAM (L)からSAM(U)に移った時に
MSBが新たにセットされたTAPアドレスからアクセ
スされる。第9図の場合、シリアルアドレス0〜127
までに転送サイクルが生じるとシリアルアドレス128
〜255か行Rの対応する部分から転送を受ける、そし
てシリアルアクセスが127まで進み次のSCサイクル
に入るとTAPアドレスがアクセスされ、更にシリアル
アクセスが継続する。このようにシリアルアクセスが行
われている分割されたシリアルアクセスメモリ部と転送
が行われる分割されたシリアルアクセスメモリ部とが異
なり、またTAPアドレスにアクセスする前サイクルの
アドレスが決まっているため、第8図の場合のようなタ
イミングの制約が無い。
(発明が解決しようとする課題) さて、このようなスプリット転送方式を用いて表示画面
データを高速処理するデータバッファの構成方法を次に
考えてみる。
DPRAMのランダムアクセスメモリとしてはDRAM
が使われる。このためDRAMのベージモードを使用す
ることによって同一行のデータなら、ローアドレスが変
化する場合の1/2〜1/3の時間でデータをアクセス
することが出来る。
また、この−行のデータはSAM部からシリアル出力さ
れるデータに対応し、このシリアルデータが表示画面の
ビクセルデータとなるわけで、画面上これらビクセルを
どのように配置するかが高速な画面処理では重要になる
。画面処理上はなるべく正方形領域のビクセルが高速に
処理出来る方がいかなるパターン処理に対しても高速に
なる。即ち、縦、横、斜めのいかなる方向にも高速な画
面処理が出来る。そこでベージモードでアクセス出来る
一行のデータを表示画面のスキャン方向に対してどのよ
うに縦方向に割り当てるかが重要になる。
画面をスキャン方向に4コのDPRAM、縦方向に4コ
のDPRAMで構成するいわゆるタイルとして4X4を
採用した場合を考えてみる。第10図は一行のデータが
256ビツト、シリアルアクセスメモリ(以下、SAM
ともいう)の深さが256ビツトであるスプリット転送
方式のDPRAMを用いた場合を示している。また、画
面サイズは簡単のためにスキャン方向に1536ピクセ
ルとする。第10図(a)においてRO。
R1,R2・・・はランダムアクセスメモリ(以下RA
Mという)の行を示し、これらのカラム方向0〜127
のLと128〜255のUはスプリット転送における二
分割されたSAMにそれぞれ転送されるカラムを示す。
スキャン方向の1536ピクセルは、この方向が4個の
デバイスM。
M2.M3.M4で構成されるので、分割された部分S
AMの3コ(−1536/ (4X128))分のデー
タに相当する。そこで部分SAMのしとUを縦方向のビ
クセルに割り当てると、−行のベージモードによるアク
セスで、より正方形に近い画面処理出来ることになる。
すなわち、RAM部のデータをROL、RIU、R2L
、ROU。
RIL、R2U・・・の順にスプリット転送する。
SAM部からはシリアルにデータが出力されビクセルを
スキャンして行くので、画面上のデータ構成は第10図
(b)の斜線で示した領域が行ROのデータから成って
いる。この領域はベージモードで何処にでもアクセス出
来る。したがって、画面はベージモードでアクセス出来
るような第10図(b)に示す斜線のタイルで敷き詰め
られて高速な画面処理が可能となる。
ここで、スキャン方向のデータ構成についてもう少し詳
しく見てみる。第11図に4コのDPRAMのシリアル
データからどのようにビクセルが構成されるかを示す。
デバイスM1〜M4のSAM2からのデータは並直変換
(第11図(a)参照)をされてシリアルアウトされ画
面のビクセルを一点一点構成する。こうすることによっ
て画面表示のためのシリアルアウトの四分の−のスピー
ドでSAM2からのシリアルアクセスをすればよ<、S
AM2にかかる負担を軽減できる。
このように並直変換を行ったときのピクセルデータはス
キャン方向に順番にMl、M2.M3゜M4のDPRA
Mからのデータの繰り返しとなる(第11図(b)参照
)。第10図(b)に示すタイルのROLなどの枠はこ
のようなデータ構成になっている。
さて、ここで画面サイズが上述の場合と異なる場合を考
えてみる。第12図はスキャン方向のビクセル数が10
24の場合であるタイルのサイズを上述と同じく4×4
とすると、1024ピクセルは2コ(−1024/ (
4X128) )の部分SAM部に相当する。
このとき、−行の分割データのLとUが縦方向のビクセ
ル配置に対応するようにするには、第12図(a)に示
すような順番でスプリット転送を行う必要がある。すな
わち、ROL、RIU。
ROU、RIL・・・の順に転送すれば第12図(b)
の斜線領域を自由にベージモードでアクセス出来るよう
になる。しかし、この時の転送はSAMに対してLとU
が交差しており従来のDPRAMではこのような転送は
出来ない。もちろんタイルの大きさを変えればこの画面
サイズでも交差転送無しにバッファを構成できるが、表
示画面ごとにバッファメモリーシステムの設計を変えな
くてはならない。又、スキャン方向のタイルの数は、第
10図(b)の場合から分かるように必ず奇数でないと
交差転送が生じるから、必ずしも画面サイズに対して無
駄の無いメモリ容量の最適なタイルサイズを選択できる
とは限らない。
本発明は上記事情を考慮してなされたものであって、表
示画面のサイズ毎にバッファメモリシステムを変える必
要のない画像メモリを提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
(課題を解決するための手段) 本発明は、ランダムにアクセス可能なランダムアクセス
メモリと、巡回的にシリアルアクセスされるメインレジ
スタを有するシリアルアクセスメモリと、ランダムアク
セスメモリとシリアルアクセスメモリとの間のデータ転
送を行うデータ転送手段とを備えている画像メモリにお
いて、シリアルアクセスの番地を指定する指定手段を設
け、シリアルアクセスメモリはメインレジスタの他にプ
リレジスタを更に有し、データ転送手段はランダムアク
セスメモリからシリアルアクセスメモリのメインレジス
タにデータ転送する場合にプリレジスタを介して行い、
シリアルアクセスは指定手段によって指定された番地に
基づいて行うことを特徴とする。
(作 用) このように構成された本発明の画像メモリによれば、ラ
ンダムアクセスメモリからシリアルアクセスメモリのメ
インレジスタへのデータ転送がデータ転送手段によって
シリアルアクセスメモリのプリレジスタを介して行われ
る。そしてメインレジスタへ転送されたデータのシリア
ルアクセスが指定手段によって指定された番地に基づい
て行われる。これにより、ランダムアクセスメモリから
シリアルアクセスメモリへのデータ転送を制約なしに行
うことができるとともに、シリアルアクセスメモリから
表示画面に送出するデータの長さを任意に設定すること
が可能となり、バッファメモリシステムを変えることな
しに各種サイズの表示画面にも対応することができる。
(実施例) 第1図に本発明による画像メモリの一実施例を示す。こ
の実施例の画像メモリは、ランダムアクセスメモリ(以
下、RAMともいう)1と、シリアルアクセスメモリ(
以下、SAMともいう)2と、データ転送手段4と、指
定手段5とを備えている。SAM2は、プリレジスタ2
Aと、巡回的にシリアルアクセスされるメインレジスタ
2Bとを有している。データ転送手段4はRAMIとS
AM2との間のデータ転送を行い、RAMIからSAM
2のメインレジスタ2Bにデータを転送する場合プリレ
ジスタ2Aを介して行う。
指定手段5はメインレジスタ2Bのシリアルアクセスの
番地(先頭番地N及び最終番地La5t )を指定する
次に上記実施例の作用を第2図を参照して説明する。メ
インレジスタ2Bがシリアルアクセス中に、RAM1か
らSAM2にデータを転送する転送サイクルが入ると、
従来と同様にローアドレスはSAM2に転送されるRA
MIの行を示し、カラムアドレスはこの行のデータが新
にシリアルアクセスされる時の先頭番地であるTAPア
ドレスを示している。しかし、この転送サイクルの時点
でデータ転送手段によって実際に転送が行われるのはR
AMIとプリレジスタ2Aとの間でのみであり、従来の
ものと異なり第8図に示すようなタイミングの制約もな
いし外部からは転送が行われたことは分からない。そこ
でこの転送をヒドン転送サイクルと呼ぶことにする。こ
のヒドン転送すイクルでは■τ)が立下ってからt1時
間経過の後に一定の時間△1の間だけRAM1からプリ
レジスタ2Aへのデータ転送が行われる。その後は転送
されたデータはプリレジスタ2Aに保持される。ここで
シリアルアクセスが進んで指定手段5によって指定され
た番地になると、データ転送手段4によってプリレジス
タ2Aからメインレジスタ2Bへの転送が行われる。第
2図においてLas tと示されているSCサイクルが
予め指定された番地である。この番地の信号SCの立ち
上りから一定の時間tまたつとプリレジスタ2Aからメ
インレジスタ2Bへの転送が一定の時間△2だけ行われ
、その後再びプリレジスタ2人とメインレジスタ2Bは
お互いに分離される。SCサイクルLas tの次のS
Cサイクルは転送された行のデータをTAPアドレスす
なわちカラムアドレスNからシリアル出力を行う。
以上述べたヒドン転送サイクル方式でのプリレジスタ2
Aからメインレジスタ2Bへの転送が行われる最終番地
の設定の仕方には幾つかのやり方が考えられる。この代
表的なものを第3図と第4図に示す。
第3図はシリアルアクセスの先頭番地と最終番地がヒド
ン転送サイクルで与えられるやり方である。第3図にお
いてa→a′のシリアルアクセスが終わるとプリレジス
タ2人からメインレジスタ2Bへ行R1のデータが転送
され、その後引き続きb−b’のシリアルアクセスが行
われる。次に、b→b′のシリアルアクセスが終わると
プリレジスタ2Aからメインレジスタ2Bへ行R21の
データが転送され、引き続きC−’ C’のシリアルア
クセスが行われる。そして、c−+c′のシリアルアク
セスが終わるとプリレジスタ2Aがらメインレジスタ2
Bへ行R3のデータが転送され、引き続きd→d′のシ
リアルアクセスが行われる。さてその最終番地の与え方
には2通りの方法が考えられる。
ひとつの最終番地の与え方としては、a−+a′のシリ
アルアクセス期間のヒドン転送時に、次のシリアルアク
セスb−b’の先頭番地すと最終番地b′を設定する。
この場合、現在シリアルアクセス中のメインレジスタ2
Bの最終番地は決まっているので、もしもヒドン転送が
最終番地のアクセスまでに生じなければa′にアクセス
が達した時につぎの先頭番地が設定されていないので、
再びaからのシリアルアクセスを行うか、ある予め決め
られた番地から番地までをシリアルアクセスすることに
なる。
もうひとつの最終番地の与え方としては、a→a′のシ
リアルアクセス期間のヒドン転送時に、現在行っている
シリアルアクセスの最終番地であるa′とつぎのシリア
ルアクセスの先頭番地すを設定する。この場合、もしも
ヒドン転送を行わないと、現在シリアルアクセス中のア
クセスの最終番地が設定されないので、このシリアルア
クセスが継続されてSAM2のレジスタを巡回的に、ヒ
ドン転送サイクルで最終番地が設定されるまで、アクセ
スし続ける。
第4図においては、最終番地は直接路えられず、先頭番
地から最終番地までの増加分△が、ヒドン転送サイクル
とは別に一律に設定される。ヒドン転送サイクルではつ
ぎのシリアルアクセスサイクルの先頭番地のみが設定さ
れる。すなわち、シリアルサイクルa→(a+Δ)の期
間のヒドンの転送時に、つぎのシリアルサイクルの先頭
番地すが設定され、最終番地a+Δになると、行R1の
データがプリレジスタ2人からメインレジスタ2Bへ転
送されて、このデータのシリアルアクセスが番地すから
開始される。つぎに、シリアルサイクルb→(b+△)
の期間のヒドン転送時に、っぎのシリアルサイクルの先
頭番地Cが設定され、最終番地b+Δになると、行R2
(今の場合行R1に同じ)のデータがプリレジスタ2A
からメインレジスタ2Bに転送されて、このデータのシ
リアルアクセスが番地Cから開始される。次にシリアル
サイクルC→(C+Δ)の期間のヒドン転送時に次のシ
リアルサイクルの先頭番地dが設定され、最終番地C+
△になると、行R3のデータがプリレジスタ2Aからメ
インレジスタ2Bへ転送されて、このデータのシリアル
アクセスが番地dから開始される。この場合、現在のシ
リアルアクセス中のレジスタの最終番地は決まっている
ので、もしもヒドン転送が最終番地のアクセスまでに生
じなければ、a→(a+Δ)のシリアルアクセスの場合
を例にとると、a+△にアクセスが達した時につぎの先
頭番地が設定されていないので、再びaからのシリアル
アクセスを行うか、ある予め決められた番地から番地ま
でをシリアルアクセスすることになる。
以上述べてきた最終番地の設定方法において、ヒドン転
送サイクルによる最終番地の設定がなされなかった時の
シリアルアクセスの処理の方法は上記以外も可能である
。例えば、最終番地の設定方法に関係なく、シリアルア
クセスが継続されてSAM2のメインレジスタ2Bを巡
回的に、ヒドン転送サイクルで最終番地が設定されるま
で、アクセスし続けるようにもできる。
さて、このように転送動作を行うと画面のデータがどの
ように効率的に行なわれるようになるかをつぎに説明す
る。
第5図を参照してRAM1内のデータ構造と表示画面1
0でのビクセルの対応関係を説明する。
RAM内で高速にアクセスできるカラム方向には、表示
画面10のなるべく正方形に近いビクセル領域を対応さ
せたほうが画面10の高速処理に適していることは前に
説明した通りである。そこで、第5図に示すように表示
画面10の8ライン分のデータについて考えると、RA
MIのある行のカラム方向の部分のデータは、表示画面
10で8つのラインにまたがる矩形領域のビクセルデー
タに対応させる。また、表示画11jloに示すひとつ
のラインのピクセルデータである斜線部は、RAMIの
矩形領域1の斜線部に対応させる。残りのRAMと表示
画面10の矩形領域の対応についても同様に関係づけて
行く。ここで、表示画面10の表示の際のスキャンはラ
イン1.ライン2゜ライン3.・・・の順に行われる。
一方RAM1からSAM2へのデータ転送はひとつの行
ずつ行われるので、まず領域1をSAM2でスキャンし
、つぎに領域2、つぎに領域3、・・・とシリアルアク
セスが可能であるようにヒドン転送を行う必要がある。
この際、ヒドン転送であるので従来の場合のようなタイ
ミングの制約が無い。
RAMIと表示画面10のデータの対応関係を第6図(
a)、(b)に更に具体的に示す。第6図(a) 、(
b)においては、表示画面10はラインが1024個の
ビクセルで構成されているとし、4×4のタイルで画面
を構成するものとする。
RAMIは512カラムから成り、これを第6図(a)
に示すようにaからhまでの8つの領域に分割する。い
ま、各行をに、 L、 M、 N、・・・と呼び、例え
ば行にの領域aのデータをKaと表せば、KaからKh
のデータは第6図(b)に示すように画面10において
斜線で示す矩形領域を構成する。そこでタイルを構成す
るビクセルはライン方向に256、縦方向に32となり
、画面10の正方形に近い領域をRAMIのカラム方向
の高速アクセス、例えばベージモードでアクセスできる
ようになり、画面10の高速処理が行える。
次に、表示画面データのヒドン転送を用いた具体的なR
AMIからSAM2への転送方法とSAM2のシリアル
アクセス方法を第7図を衾照して説明する。第7図(a
)に示すRAMIの1から8の領域は、第6図(a)に
示す領域とほぼ同一であるが領域間にデータの空白領域
のあることを想定している。8ライン分の画面データは
カラム番地のa〜63、b〜127、c〜191、d〜
255、e〜31つ、f〜383、g〜447、h〜5
11の行のRO〜R3にあることになる。第7図(b)
は下方に向って時間の増加を、横方向にはSAM2のカ
ラムアドレスを示し、さらに並んでプリレジスタ2B内
に入っているデータの行アドレスの時間変化とヒドン転
送サイクルのタイミングとTAPアドレスを示している
。転送サイクルのところに示す記号NR。
HRはそれぞれノーマルリード転送とヒドンリード転送
の略である。ノーマルリード転送とは外部信号DTが“
H”のときのSCのサイクルでの従来のリアルタイムの
転送のことである。またヒドンリード転送での最終番地
の設定方法は、現在シリアルアクセスしているSAM2
の最終番地と、次にシリアルアクセスするSAM2のT
APアドレスを設定するものを考えている。
さて時間の流れに従って順に動作を説明して行く。まず
TAPアドレスがaであるノーマルリードを行ROに行
い、プリレジスタ2人とメインレジスタ2Bに行ROの
データを移して、番地aからシリアルアクセスを始める
。つぎに63番地までのシリアルアクセスの間に先頭番
地がaで最終番地が63であるようなヒドンリードを行
R1に対して行う。この時点でプリレジスタの内容は行
R1のデータになる。アクセスが63番地になると、プ
リレジスタ2Aからメインレジスタ2Bへの転送が自動
的に行なわれると共に番地aから切れ口なく行R1のデ
ータがシリアル出力される。
同様にして行R3までのデータ転送とシリアルアクセス
を行う。一方、表示画面10のスキャン方向(ライン方
向)は第7図(b)に示すように4つの領域に分割され
て、各々が一つの行に対応しているとしているので、こ
の段階でライン1のデータ転送が終わる。次にライン1
の最後のアドレス番地である63番地までにシリアルア
クセスが達する間に、先頭番地がbで最終番地が63で
あるようなヒドンリードを行ROに対して行う。この時
点でプリレジスタ2人の内容は行ROのデータになる。
アクセスが63番地になるとプリレジスタ2人からメイ
ンレジスタ2Bへの転送が自動的に行われると共に番地
すから切れ目なく行ROのデータがシリアル出力される
。つぎに12727番地のシリアルアクセスの間に先頭
番地がbで最終番地が127であるようなヒドンリード
を行R1に対して行う。この時点でプリレジスタの内容
は行R1のデータになる。アクセスが12727番地る
とプリレジスタからメインレジスタへの転送が自動的に
行われると共に番地すから切れ目なく行R1のデータが
シリアル出力される。同様にして行R3までのデータ転
送とシリアルアクセスを行う。ライン2のデータ転送と
シリアルアクセスが終了するとライン3以後、TAPア
ドレスの先頭番地と最終番地が第7図(b)に示すよう
に変っていくだけで同様な動作を続ける。
以上説明したように本実施例によれば、シリアルアクセ
スメモリにプリレジスタとメインレジスタを設けて、ラ
ンダムアクセスメモリとプリレジスタの間でのみデータ
転送を行うヒドン転送を設定したので、従来のリアルタ
イム転送の場合のようなりリティカルタイミングを必要
とせずに転送動作を行うことができる上に、一連のシリ
アル出力の幅を指定する先頭番地と最終番地が設定可能
であるため、シリアルアクセスメモリを任意の長さに分
割して使うことができる。このため、どのような表示画
面サイズのシステムに対しても転送サイクルとTAPア
ドレスをコントロールすることにより対応できる。この
時、高速なベージモードサイクルで画面処理の出来るビ
クセル領域は正方形に可及的に近くでき画面のどの方向
の画面修正も高速に行なうことができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ランダムアクセスメモリからシリアル
アクセスメモリへのデータ転送を制約なしに行うことが
できるとともに、シリアルアクセスメモリから表示画面
に送出するデータの長さを任意に設定することが可能と
なり、バッファメモリシステムを変えることなしに各種
サイズの表示画面にも対応することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による画像メモリの実施例を示すブロッ
ク図、第2図は第1図に示す実施例の動作を説明するタ
イミングチャート、第3図は一連のシリアルサイクルの
先頭番地と最終番地を独立に設定した場合のデータ転送
を説明する説明図、第4図は一連のシリアルサイクルの
先頭番地と最終番地までの一定の増分を設定した場合の
データ転送を説明する説明図、第5図は表示画面の矩形
領域のデータを高速に処理する場合のRAMデータと表
示画面のビクセルとの対応関係を示す概念図、第6図は
第5図に示す対応関係を具体的に説明する説明図、第7
図は第6図で説明した具体的な対応関係を用いた場合の
RAMデータの表示画面への転送方法を説明する説明図
、第8図は従来の画像メモリを説明する説明図、第9図
は従来のスプリット転送方式を説明する説明図、第10
図はスプリット転送方式で出来るだけ正方形ピクセル領
域をページモードサイクルでアクセス可能な従来の転送
方法を説明する説明図、第11図は4つのデバイスのS
AMボートとスキャン方向のピクセルの対応を説明する
説明図、第12図はスプリット転送方式で出来るだけで
正方形ピクセル領域をページモードサイクルでアクセス
可能な従来の転送方法を用いた場合の従来の画像メモリ
の問題点を説明する説明図である。 1・・・RAM、2・・・SAM、2A・・・プリレジ
スタ、2B・・・メインレジスタ、4・・・データ転送
手段、5・・・指定手段。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ランダムにアクセス可能なランダムアクセスメモリ
    と、巡回的にシリアルアクセスされるメインレジスタを
    有するシリアルアクセスメモリと、前記ランダムアクセ
    スメモリとシリアルアクセスメモリとの間のデータ転送
    を行うデータ転送手段とを備えている画像メモリにおい
    て、 シリアルアクセスの番地を指定する指定手段を設け、前
    記シリアルアクセスメモリは前記メインレジスタの他に
    プリレジスタを更に有し、前記データ転送手段は前記ラ
    ンダムアクセスメモリからシリアルアクセスメモリのメ
    インレジスタにデータを転送する場合に前記プリレジス
    タを介して行い、シリアルアクセスは前記指定手段によ
    って指定された番地に基づいて行うことを特徴とする画
    像メモリ。 2、前記指定手段はシリアルアクセスの先頭番地及び最
    終番地を指定することを特徴とする請求項1記載の画像
    メモリ。 3、前記指定手段はシリアルアクセスの先頭番地と、最
    終番地を設定する番地増加分とを指定することを特徴と
    する請求項1記載の画像メモリ。 4、前記指定手段はシリアルアクセスの最終番地と次に
    シリアルアクセスされるレジスタデータの先頭番地とを
    指定することを特徴とする請求項1記載の画像メモリ。 5、前記データ転送手段はデータ転送指令に基づいてシ
    リアルアクセスが前記指定手段によって指定された最終
    番地に達する前に前記ランダムアクセスメモリから前記
    プリレジスタにデータを転送し、シリアルアクセスが前
    記最終番地に達した直後に前記プリレジスタから前記メ
    インレジスタにデータを転送することを特徴とする請求
    項2乃至4のいずれかに記載の画像メモリ。
JP1247570A 1989-09-22 1989-09-22 画像メモリ Expired - Lifetime JPH0743928B2 (ja)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2724932B2 (ja) * 1991-12-03 1998-03-09 三菱電機株式会社 デュアルポートメモリ
JPH05182455A (ja) * 1991-12-30 1993-07-23 Sony Corp メモリ装置
JPH07160572A (ja) * 1993-12-10 1995-06-23 Toshiba Corp 画像メモリシステム
US6538764B2 (en) * 1996-04-12 2003-03-25 Canon Kabushiki Kaisha Printing apparatus, information processing apparatus, data processing method for use in such an apparatus, and storage medium storing computer-readable program
US5680365A (en) * 1996-05-16 1997-10-21 Mitsubishi Semiconductor America, Inc. Shared dram I/O databus for high speed operation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58133698A (ja) * 1982-02-02 1983-08-09 Nec Corp 半導体メモリ装置
JPS62222340A (ja) * 1986-03-25 1987-09-30 Toshiba Corp デユアル・ポ−ト・メモリ
JPS63220339A (ja) * 1987-03-10 1988-09-13 Fujitsu General Ltd マルチ・ポ−トram回路
JPS63311697A (ja) * 1987-06-15 1988-12-20 Hitachi Ltd 半導体記憶装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4649516A (en) * 1984-06-01 1987-03-10 International Business Machines Corp. Dynamic row buffer circuit for DRAM
US4683555A (en) * 1985-01-22 1987-07-28 Texas Instruments Incorporated Serial accessed semiconductor memory with reconfigureable shift registers
CA1293565C (en) * 1986-04-28 1991-12-24 Norio Ebihara Semiconductor memory

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58133698A (ja) * 1982-02-02 1983-08-09 Nec Corp 半導体メモリ装置
JPS62222340A (ja) * 1986-03-25 1987-09-30 Toshiba Corp デユアル・ポ−ト・メモリ
JPS63220339A (ja) * 1987-03-10 1988-09-13 Fujitsu General Ltd マルチ・ポ−トram回路
JPS63311697A (ja) * 1987-06-15 1988-12-20 Hitachi Ltd 半導体記憶装置

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