JPH03108365A - 混成集積回路基板 - Google Patents
混成集積回路基板Info
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- JPH03108365A JPH03108365A JP1243328A JP24332889A JPH03108365A JP H03108365 A JPH03108365 A JP H03108365A JP 1243328 A JP1243328 A JP 1243328A JP 24332889 A JP24332889 A JP 24332889A JP H03108365 A JPH03108365 A JP H03108365A
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-
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- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は混成集積回路基板に関し、特に絶縁性基板上に
半導体チップ等の放熱を行うヒートシンクを搭載した混
成集積回路基板に関する。
半導体チップ等の放熱を行うヒートシンクを搭載した混
成集積回路基板に関する。
（従来の技術）
周知の如く、パワートランジスターチップ（半導体チッ
プ）を実装した混成集積回路基板が多用されている。第
２図は、従来の混成集積回路基板の一例を示す。
プ）を実装した混成集積回路基板が多用されている。第
２図は、従来の混成集積回路基板の一例を示す。
図中の１は、絶縁性基板である。この基板１上には、導
体層２ａ、２ｂが形成されている。これらの導体層は、
印刷、焼成により形成される。−方の導体層２ａ上には
、半田層３ａを介してボンディング用バッド４が形成さ
れている。他方の導体層２ｂ上には半田層３ｂを開して
ヒートシンク５が形成され、このヒートシンク５上にダ
イボンド層６を介して半導体チップ７が実装されている
。
体層２ａ、２ｂが形成されている。これらの導体層は、
印刷、焼成により形成される。−方の導体層２ａ上には
、半田層３ａを介してボンディング用バッド４が形成さ
れている。他方の導体層２ｂ上には半田層３ｂを開して
ヒートシンク５が形成され、このヒートシンク５上にダ
イボンド層６を介して半導体チップ７が実装されている
。
前記半導体チップ７とボンディング用パッド４間には、
ボンディングワイヤ８が設けられている。
ボンディングワイヤ８が設けられている。
ところで、第２図の混成集積回路基板において、ヒート
シンク５と導体層２ｂは半田層２ｂを介して接続されて
いるため、半田層２ｂ内にボイドが発生すると、熱伝導
率が低下する。また、局部発熱が生じ、半導体チップ７
にクラックが発生したりあるいは動作不良を起こす。
シンク５と導体層２ｂは半田層２ｂを介して接続されて
いるため、半田層２ｂ内にボイドが発生すると、熱伝導
率が低下する。また、局部発熱が生じ、半導体チップ７
にクラックが発生したりあるいは動作不良を起こす。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、半田層のボ
イド発生や局部発熱に起因する支障を回避し、又ヒート
シンクから絶縁性基板への放熱性に優れた混成集積回路
基板を提供することを目的とする。
イド発生や局部発熱に起因する支障を回避し、又ヒート
シンクから絶縁性基板への放熱性に優れた混成集積回路
基板を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明は、絶縁性基板と、この絶縁性基板上に載置され
たヒートシンクとを具備した混成集積回路基板において
、前記絶縁性基板と前記ヒートシンクとは焼成導体層に
より固着されていることを特徴とする混成集積回路基板
である。
たヒートシンクとを具備した混成集積回路基板において
、前記絶縁性基板と前記ヒートシンクとは焼成導体層に
より固着されていることを特徴とする混成集積回路基板
である。
本発明によれば、絶縁制基板と例えば半導体チップ等の
発熱性電気素子を搭載するヒートシンクとを半田層を用
いることなく焼成導体層のみで固着するため、ヒートシ
ンクから絶縁性基板への放熱の低下が生じることなく、
そのため局部発熱。
発熱性電気素子を搭載するヒートシンクとを半田層を用
いることなく焼成導体層のみで固着するため、ヒートシ
ンクから絶縁性基板への放熱の低下が生じることなく、
そのため局部発熱。
発熱性電気素子の障害発生を防止できる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
図中の１１は、絶縁性基板としてのアルミナ基板である
。この基板１１上には、導体層１２ａ、 １２ｂが形成
されている。一方の導体層１２ａ上には、半田層１３を
介してボンディング用パッド１４が形成されている。他
方の導体層１２ｂ上にはヒートシンク１５が形成され、
このヒートシンク１５上にダイボンド層１６を介して例
えば半導体チップ１７等の発熱性電気素子が実装されて
いる。前記半導体チップ１７とボンディング用パッド１
４間にはボンディングワイヤ１８が設けられ、アルミナ
基板１１に印加された他の印刷回路（図示せず）と半導
体チップ１７が電気的に接続されている。
。この基板１１上には、導体層１２ａ、 １２ｂが形成
されている。一方の導体層１２ａ上には、半田層１３を
介してボンディング用パッド１４が形成されている。他
方の導体層１２ｂ上にはヒートシンク１５が形成され、
このヒートシンク１５上にダイボンド層１６を介して例
えば半導体チップ１７等の発熱性電気素子が実装されて
いる。前記半導体チップ１７とボンディング用パッド１
４間にはボンディングワイヤ１８が設けられ、アルミナ
基板１１に印加された他の印刷回路（図示せず）と半導
体チップ１７が電気的に接続されている。
こうした構成の混成集積回路基板は、次のように製造さ
れる。
れる。
まず、アルミナ基板１１上の所定の個所に、例えば銅粉
末、ガラスフリット、バインダーなどを混練した導体ペ
ーストをスクリーン印刷する。次に、ヒートシンク材を
搭載し、１２０℃、１０分程度の乾燥を行う。ここで、
ヒートシンク材としては、前述の導体ペーストとの焼結
が可能で、かつ熱伝導性の良い材料のものがよく、本実
施例の場合にはＣｕを主成分とするＣｕ合金が最適であ
るが、モリブンデン、更にはＮｉメツキなどでもよい。
末、ガラスフリット、バインダーなどを混練した導体ペ
ーストをスクリーン印刷する。次に、ヒートシンク材を
搭載し、１２０℃、１０分程度の乾燥を行う。ここで、
ヒートシンク材としては、前述の導体ペーストとの焼結
が可能で、かつ熱伝導性の良い材料のものがよく、本実
施例の場合にはＣｕを主成分とするＣｕ合金が最適であ
るが、モリブンデン、更にはＮｉメツキなどでもよい。
つづいて、銅粉末を主体とした導体ペーストの酸化を避
けるため６００℃の窒素雰囲気中で前記導体ペーストの
焼成を行う。これにより、前記導電ペーストが焼結され
て導体層１２ａ、 １２ｂが形成され、ヒートシンク１
５は焼成導体層によりアルミナ基板ｌｌ上に固着される
。次いで、前記ヒートシンク１５上に半導体チップ１７
をダイボンド層１Ｂを介してダイボンドする。更に、ボ
ンディング用パッド１４を半田層１３を介して形成する
。最後に、ワイヤボンディング法により前記半導体チッ
プ１７とパッド１４をボンディングワイヤ１８で接続し
て混成集積回路基板を製作した。
けるため６００℃の窒素雰囲気中で前記導体ペーストの
焼成を行う。これにより、前記導電ペーストが焼結され
て導体層１２ａ、 １２ｂが形成され、ヒートシンク１
５は焼成導体層によりアルミナ基板ｌｌ上に固着される
。次いで、前記ヒートシンク１５上に半導体チップ１７
をダイボンド層１Ｂを介してダイボンドする。更に、ボ
ンディング用パッド１４を半田層１３を介して形成する
。最後に、ワイヤボンディング法により前記半導体チッ
プ１７とパッド１４をボンディングワイヤ１８で接続し
て混成集積回路基板を製作した。
上記実施例によれば、６００℃の窒素雰囲気中で焼成を
行うことにより、前記導電ペーストが焼結されて導体層
１２ａ、 １２ｂが形成される。従って、従来のように
ヒートシンクと導体層間に半田層を介在させる必要がな
いため、ヒートシンク１５からアルミナ基板１１への放
熱性が向上する。また、従来のようなヒートシンクの下
部のに半田層が不要になることから、半田の使用量を少
なくでき、コスト低減を図ることができる。
行うことにより、前記導電ペーストが焼結されて導体層
１２ａ、 １２ｂが形成される。従って、従来のように
ヒートシンクと導体層間に半田層を介在させる必要がな
いため、ヒートシンク１５からアルミナ基板１１への放
熱性が向上する。また、従来のようなヒートシンクの下
部のに半田層が不要になることから、半田の使用量を少
なくでき、コスト低減を図ることができる。
なお、上記実施例では、導体ペーストとして銅系の材料
を用いてヒートシンクと絶縁性基板との固着を行なって
いるが、これに限らない。例えば、銀パラジウム系等既
存の材料も使用でき、その焼成雰囲気、温度についても
導体ペーストの材料に応じて適宜変化させる事ができる
。
を用いてヒートシンクと絶縁性基板との固着を行なって
いるが、これに限らない。例えば、銀パラジウム系等既
存の材料も使用でき、その焼成雰囲気、温度についても
導体ペーストの材料に応じて適宜変化させる事ができる
。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、絶縁制基板と例えば
半導体チップ等の発熱性電気素子を搭載するヒートシン
クとを半田層を用いることなく焼成導体層のみで固着す
るため、ヒートシンクから絶縁性基板への放熱の低下が
生じることなく、そのため局部発熱１発熱性電気素子の
障害発生を防止できる混成集積回路基板を提供できる。
半導体チップ等の発熱性電気素子を搭載するヒートシン
クとを半田層を用いることなく焼成導体層のみで固着す
るため、ヒートシンクから絶縁性基板への放熱の低下が
生じることなく、そのため局部発熱１発熱性電気素子の
障害発生を防止できる混成集積回路基板を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係る混成集積回路基板の断
面図、第２図は従来の混成集積回路基板の断面図である
。 ｌｌ・・・アルミナ基板、１２ａ 、 １２ｂ・・・導
体層、１３．・・・半田層、１４・・・ボンディング用
パッド、１５・・・ヒートシンク、１６・・・ダイボン
ド層、１７・・・半導体チップ、１８・・・ボンディン
グワイヤ。
面図、第２図は従来の混成集積回路基板の断面図である
。 ｌｌ・・・アルミナ基板、１２ａ 、 １２ｂ・・・導
体層、１３．・・・半田層、１４・・・ボンディング用
パッド、１５・・・ヒートシンク、１６・・・ダイボン
ド層、１７・・・半導体チップ、１８・・・ボンディン
グワイヤ。
Claims (1)
- 絶縁性基板と、この絶縁性基板上に載置されたヒートシ
ンクとを具備した混成集積回路基板において、前記絶縁
性基板と前記ヒートシンクとは焼成導体層により固着さ
れていることを特徴とする混成集積回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243328A JPH03108365A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 混成集積回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243328A JPH03108365A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 混成集積回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03108365A true JPH03108365A (ja) | 1991-05-08 |
Family
ID=17102192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1243328A Pending JPH03108365A (ja) | 1989-09-21 | 1989-09-21 | 混成集積回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03108365A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104813760A (zh) * | 2014-03-18 | 2015-07-29 | 华为终端有限公司 | 一种散热组件及电子设备 |
-
1989
- 1989-09-21 JP JP1243328A patent/JPH03108365A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104813760A (zh) * | 2014-03-18 | 2015-07-29 | 华为终端有限公司 | 一种散热组件及电子设备 |
| US10103087B2 (en) | 2014-03-18 | 2018-10-16 | Huawei Device (Dongguan) Co., Ltd. | Heat dissipation assembly and electronic device |
| US10497641B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-12-03 | Huawei Device Co., Ltd. | Heat dissipation assembly and electronic device |
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