JPH031058A - 吸収冷凍機 - Google Patents
吸収冷凍機Info
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- JPH031058A JPH031058A JP13524589A JP13524589A JPH031058A JP H031058 A JPH031058 A JP H031058A JP 13524589 A JP13524589 A JP 13524589A JP 13524589 A JP13524589 A JP 13524589A JP H031058 A JPH031058 A JP H031058A
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Landscapes
- Cold Air Circulating Systems And Constructional Details In Refrigerators (AREA)
- Sorption Type Refrigeration Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は吸収冷凍機に関し、特に■、ガスを排出するた
めのパラジウムセル等を備えた吸収冷凍機に関する。
めのパラジウムセル等を備えた吸収冷凍機に関する。
(ロ)従来の技術
例えば特開昭60−248973号公報には吸収冷凍機
にて発生したH、ガスを排出するためのパラジウムセル
を不凝縮ガスのガス貯室に接続した吸収冷凍機が開示さ
れている。
にて発生したH、ガスを排出するためのパラジウムセル
を不凝縮ガスのガス貯室に接続した吸収冷凍機が開示さ
れている。
(ハ)発明が解決しようとする課題
上記従来の技術に示したようなパラジウムセルを用いた
吸収冷凍機では、吸収冷凍機の能力が大きくなるのに伴
い不凝縮ガスの発生量が増加するため、冷凍能力が大き
い吸収冷凍機には複数個のパラジウムセルが設けられて
いた。そして、パラジウムセルが吸収冷凍機の運転中H
,ガス波度に関係なく総て運転されており、それぞれの
パラジウムセルに設けられたヒータが通電されている。
吸収冷凍機では、吸収冷凍機の能力が大きくなるのに伴
い不凝縮ガスの発生量が増加するため、冷凍能力が大き
い吸収冷凍機には複数個のパラジウムセルが設けられて
いた。そして、パラジウムセルが吸収冷凍機の運転中H
,ガス波度に関係なく総て運転されており、それぞれの
パラジウムセルに設けられたヒータが通電されている。
このため、H,ガス濃度が低い場合にも総てのパラジウ
ムセルのヒータに通電され、無駄にパラジウムセルが運
転され、運転コストが上昇するという問題が発生してい
た。又、複数のH,ガス排出装置を不凝縮ガス貯留タン
クの液位に基づいて制御する吸収冷凍機が特開昭60−
256769号に開示されているが貯留タンクの液位は
H,ガス以外のOl又はN、ガス等の不凝縮ガスによっ
ても変化し、パラジウムセルの運転をH,ガスの濃度に
より正確に制御することは困難であった。
ムセルのヒータに通電され、無駄にパラジウムセルが運
転され、運転コストが上昇するという問題が発生してい
た。又、複数のH,ガス排出装置を不凝縮ガス貯留タン
クの液位に基づいて制御する吸収冷凍機が特開昭60−
256769号に開示されているが貯留タンクの液位は
H,ガス以外のOl又はN、ガス等の不凝縮ガスによっ
ても変化し、パラジウムセルの運転をH,ガスの濃度に
より正確に制御することは困難であった。
本発明は吸収冷凍機のH,ガス排出装置の能力をH,ガ
ス濃度に基づいて制御し、H,ガス排出装置の運転コス
トを低減することを目的とする。
ス濃度に基づいて制御し、H,ガス排出装置の運転コス
トを低減することを目的とする。
(ニ)課題を解決するための手段
本発明は上記課題を解決するために、吸収器(3)、再
生器(1)、凝縮器(6)、及び蒸発器により冷凍サイ
クルを構成すると共に、この冷凍サイクルに■、ガス排
出装置(18A> 、 (18B) 、 (18C)を
設けた吸収冷凍機において、冷凍サイクルのH,ガスの
分圧を検出する濃度センサ(40)と、この濃度センナ
(40)からの信号を入力信号としてH8ガスの分圧と
設定値とを比較して信号を出力する比較装置(44A)
と、この比較装置(44A)からの信号によりH!ガス
排出装置(18A) 、 (18B) 、 (18C)
の能力を変化させる制御装置(44)とを備えた吸収冷
凍機を提供するものである。
生器(1)、凝縮器(6)、及び蒸発器により冷凍サイ
クルを構成すると共に、この冷凍サイクルに■、ガス排
出装置(18A> 、 (18B) 、 (18C)を
設けた吸収冷凍機において、冷凍サイクルのH,ガスの
分圧を検出する濃度センサ(40)と、この濃度センナ
(40)からの信号を入力信号としてH8ガスの分圧と
設定値とを比較して信号を出力する比較装置(44A)
と、この比較装置(44A)からの信号によりH!ガス
排出装置(18A) 、 (18B) 、 (18C)
の能力を変化させる制御装置(44)とを備えた吸収冷
凍機を提供するものである。
又、冷凍サイクルにH,ガスを排出するための複数のパ
ラジウムセル(18A) 、 (18B) 、 (18
C)を設けた吸収冷凍機において、冷凍サイクルのH,
ガスの分圧を検出する濃度センサ(40)と、この濃度
センサ(40)からの信号を入力信号として旧ガスの分
圧と設定値とを比較して信号を出力する比較装置(44
A)と、この比較装置(44A)からの信号によりパラ
ジウムセル(18A> 、 (18B) 、 (18C
)の通電個数を制御する制御装置(44)とを備えた吸
収冷凍機を提供するものである。
ラジウムセル(18A) 、 (18B) 、 (18
C)を設けた吸収冷凍機において、冷凍サイクルのH,
ガスの分圧を検出する濃度センサ(40)と、この濃度
センサ(40)からの信号を入力信号として旧ガスの分
圧と設定値とを比較して信号を出力する比較装置(44
A)と、この比較装置(44A)からの信号によりパラ
ジウムセル(18A> 、 (18B) 、 (18C
)の通電個数を制御する制御装置(44)とを備えた吸
収冷凍機を提供するものである。
さらに、冷凍サイクルにH,ガスを排出するパラジウム
セル(18A)を設けた吸収冷凍機において、冷凍サイ
クルの■、ガスの分圧を検出する濃度センサ(40)と
、この濃度センサ(40)からの信号を入力信号として
H,ガスの分圧と設定値とを比較して信号を出力する比
較装ff(44A)と、この比較装置(44A)からの
信号によりパラジウムセル(18A)に設けられたヒー
タ(20A)への供給電力を制御する制御装置(44)
とを備えた吸収冷凍機を提供するものである。
セル(18A)を設けた吸収冷凍機において、冷凍サイ
クルの■、ガスの分圧を検出する濃度センサ(40)と
、この濃度センサ(40)からの信号を入力信号として
H,ガスの分圧と設定値とを比較して信号を出力する比
較装ff(44A)と、この比較装置(44A)からの
信号によりパラジウムセル(18A)に設けられたヒー
タ(20A)への供給電力を制御する制御装置(44)
とを備えた吸収冷凍機を提供するものである。
(ホ)作用
吸収冷凍機の運転時、再生器(1〉等でH,ガスが発生
し1.H,ガス分圧が上昇したときには、比較装置(4
4AΣから制御装置(44)が入力する信号が変化して
制御装置(44)が動作し、H,ガス排出装置(18A
) 、 (18B) 、 (18C)の運転個数、又は
Htガス排出装置(18A) 、 (18B) 、 (
18C)への供給電力が増加し、H。
し1.H,ガス分圧が上昇したときには、比較装置(4
4AΣから制御装置(44)が入力する信号が変化して
制御装置(44)が動作し、H,ガス排出装置(18A
) 、 (18B) 、 (18C)の運転個数、又は
Htガス排出装置(18A) 、 (18B) 、 (
18C)への供給電力が増加し、H。
ガスの排出量が増え、又、H,ガス分圧が低下したとき
には、比較装置(44A)から信号を入力する制御装置
(44)が動作し、H,ガス排出装置(L8A) 、
(18B> 、 (18C)の運転個数、又は各排出装
置(18A) 、 (18B) 、 (18C)への供
給電力が減少しH,ガスの排出量が減少し、H,ガス分
圧の変化に対応したH、ガス排出装置(18A) 、
(18B> 、 (18C)の運転を行うことが可能に
なる。
には、比較装置(44A)から信号を入力する制御装置
(44)が動作し、H,ガス排出装置(L8A) 、
(18B> 、 (18C)の運転個数、又は各排出装
置(18A) 、 (18B) 、 (18C)への供
給電力が減少しH,ガスの排出量が減少し、H,ガス分
圧の変化に対応したH、ガス排出装置(18A) 、
(18B> 、 (18C)の運転を行うことが可能に
なる。
又、旧゛ガス分圧が変化したとき、比較装置(44A)
からの信号の変化に基づいて制御装置(44)が動作し
、パラジウムセル(18A) 、 (18B> 、 (
18C)の通電個数が変化し、H,ガス分圧の変化に応
じてパラジウムセル(18A) 、 (18B) 、
(18C)を運転させることが可能になる。
からの信号の変化に基づいて制御装置(44)が動作し
、パラジウムセル(18A) 、 (18B> 、 (
18C)の通電個数が変化し、H,ガス分圧の変化に応
じてパラジウムセル(18A) 、 (18B) 、
(18C)を運転させることが可能になる。
さらに、H,ガス分圧が変化したとき、制御装置(44
)が比較装置(44A)から入力する信号が変化し、制
御装置(44)の動作によりパラジウムセル(18A)
のヒータ(20A)への供給電力が変化するため、旧ガ
ス分圧の変化に応じてパラジウムセル(18A)のH,
ガス排出能力を変化させることが可能になる。
)が比較装置(44A)から入力する信号が変化し、制
御装置(44)の動作によりパラジウムセル(18A)
のヒータ(20A)への供給電力が変化するため、旧ガ
ス分圧の変化に応じてパラジウムセル(18A)のH,
ガス排出能力を変化させることが可能になる。
(へ)実施例
以下、本発明の第1の実施例を図面に基づいて詳細に説
明する。
明する。
第1図は二重効用吸収冷凍機を示したものであり、この
吸収冷凍機は冷媒に水(tt、O)、吸収液に臭化リチ
ウム(LiBr)水溶液を使用したものである。
吸収冷凍機は冷媒に水(tt、O)、吸収液に臭化リチ
ウム(LiBr)水溶液を使用したものである。
第1図において、(1)は高温再生器、(2)は低温再
生器、(3)は吸収器、(4)は高温熱交換器、(5)
は低温熱交換器、(6)は凝縮器、(7)は蒸発器であ
り、それぞれは配管により接続されている。又、(8)
は高温再生器(1)に設けられたバーナ、(10)は凝
縮、低温再生器胴、(11)は蒸発、吸収器胴である。
生器、(3)は吸収器、(4)は高温熱交換器、(5)
は低温熱交換器、(6)は凝縮器、(7)は蒸発器であ
り、それぞれは配管により接続されている。又、(8)
は高温再生器(1)に設けられたバーナ、(10)は凝
縮、低温再生器胴、(11)は蒸発、吸収器胴である。
さらに、(12〉は吸収器(3)と高温再生器(1)と
の間に配管された稀液管であり、この稀液管(12)の
途中には第1ポンプ(13)が設けられている。
の間に配管された稀液管であり、この稀液管(12)の
途中には第1ポンプ(13)が設けられている。
又、(15)は油気装置であり、(16)は気液分離器
、(17)は気液分離器(16)に設けられたエゼクタ
−(17A)はエゼクタ−(17)に接続された流入管
である。 (18A) 、 (18B>及び(18C)
はそれぞれ気液分離器(16)の上部のガス貯室(16
A)に配管接続されたパラジウムセル(H,ガス排出装
置)、(P)は真空ポンプである。ここでパラジウムセ
ル(18A)は第1図に示したように不凝縮ガス中のH
,(水素)ガスを透過させるパラジウム金属もしくはそ
の合金製のH,ガス放出管(19A)、及びこの管を昇
温する電気ヒータ(20A)等から構成されている。
、(17)は気液分離器(16)に設けられたエゼクタ
−(17A)はエゼクタ−(17)に接続された流入管
である。 (18A) 、 (18B>及び(18C)
はそれぞれ気液分離器(16)の上部のガス貯室(16
A)に配管接続されたパラジウムセル(H,ガス排出装
置)、(P)は真空ポンプである。ここでパラジウムセ
ル(18A)は第1図に示したように不凝縮ガス中のH
,(水素)ガスを透過させるパラジウム金属もしくはそ
の合金製のH,ガス放出管(19A)、及びこの管を昇
温する電気ヒータ(20A)等から構成されている。
そして、他のパラジウムセル(18B> 、 (18C
)も同様にH,ガス放出管(19B) 、 (19C)
、及びヒータ(20B>、 (20C)を備えている。
)も同様にH,ガス放出管(19B) 、 (19C)
、及びヒータ(20B>、 (20C)を備えている。
又、(40)はガス貯室(L6A)に接続されたH、ガ
ス濃度センサであり、この濃度センサ(40〉はH,ガ
スの濃度に応じて変化する気体中の超音波速度に基づい
てH,ガスの分圧を求めるものである。 (44A)は
濃度センサ(40)からの信号に基づいて動作する比較
装置であり、この比較装置t(44A)は濃度センサ(
40)により検出されたH、ガス分圧と設定値とを比較
し、信号を出力する。
ス濃度センサであり、この濃度センサ(40〉はH,ガ
スの濃度に応じて変化する気体中の超音波速度に基づい
てH,ガスの分圧を求めるものである。 (44A)は
濃度センサ(40)からの信号に基づいて動作する比較
装置であり、この比較装置t(44A)は濃度センサ(
40)により検出されたH、ガス分圧と設定値とを比較
し、信号を出力する。
(41) 、 (42)、及び(43)はそれぞれパラ
ジウムセル(18A) 、 (18B)、及び(18C
)のヒータ(20A)、(20B)、及び(20C)の
通電スイッチであり、これらスイッチ(41) 、 (
42)、及び(43)は制御装置(44)からの信号、
に基づいて動作する。制御装置(44)は比較装置(4
4A)からの信号に基づいて動作する。そして、制御装
置(44)はH8ガス分圧が第1設定値(例えばlQn
wn)Ig)より低いとき、スイッチ(41)のみへO
N信号を出力し、第2図に示したようにパラジウムセル
の通電個数を1個に制御する。又、制御装置(44)は
H,ガス分圧が第1設定値以上で第2設定値(例えば2
01111Hg)より低いとき、スイッチ(41)、及
びスイッチ(42)へON信号を出力してパラジウムセ
ルの通電個数を2個に制御し、さらに、■、ガス分圧が
第2設定値以上で第3設定値(例えば30vlnHg)
より低いときスイッチ(41)。
ジウムセル(18A) 、 (18B)、及び(18C
)のヒータ(20A)、(20B)、及び(20C)の
通電スイッチであり、これらスイッチ(41) 、 (
42)、及び(43)は制御装置(44)からの信号、
に基づいて動作する。制御装置(44)は比較装置(4
4A)からの信号に基づいて動作する。そして、制御装
置(44)はH8ガス分圧が第1設定値(例えばlQn
wn)Ig)より低いとき、スイッチ(41)のみへO
N信号を出力し、第2図に示したようにパラジウムセル
の通電個数を1個に制御する。又、制御装置(44)は
H,ガス分圧が第1設定値以上で第2設定値(例えば2
01111Hg)より低いとき、スイッチ(41)、及
びスイッチ(42)へON信号を出力してパラジウムセ
ルの通電個数を2個に制御し、さらに、■、ガス分圧が
第2設定値以上で第3設定値(例えば30vlnHg)
より低いときスイッチ(41)。
(42) 、 (43)へON信号を出力し、各パラジ
ウムセルの通電個数が3個に制御される。ここで、第2
図には、パラジウムセルカ÷5個まで設けられた場合の
パラジウムセルへの通電個数が示されている。
ウムセルの通電個数が3個に制御される。ここで、第2
図には、パラジウムセルカ÷5個まで設けられた場合の
パラジウムセルへの通電個数が示されている。
又、(21)〜(24)は溶液管、(25)〜(27)
は冷媒液管、(28) 、 (29)はそれぞれ冷却管
、及び冷水管、(25A)は暖房用配管である。そして
、溶液管(21)は稀液管(12)から分かれ、エゼク
タ−(17)に接続されている。又、(30)は不凝縮
ガス管(以下ガス管という)であり、このガス管(30
)は吸収器(3)の内部で開口し、エゼクタ−(17)
に接続されている。さらに、(31)は濃液管であり、
この濃液管(31)の一端はエゼクタ−(17)に接続
され、他端は溶液管(24〉の途中に接続されている。
は冷媒液管、(28) 、 (29)はそれぞれ冷却管
、及び冷水管、(25A)は暖房用配管である。そして
、溶液管(21)は稀液管(12)から分かれ、エゼク
タ−(17)に接続されている。又、(30)は不凝縮
ガス管(以下ガス管という)であり、このガス管(30
)は吸収器(3)の内部で開口し、エゼクタ−(17)
に接続されている。さらに、(31)は濃液管であり、
この濃液管(31)の一端はエゼクタ−(17)に接続
され、他端は溶液管(24〉の途中に接続されている。
又、(32)は溶液管であり、この溶液管(32)の一
端は吸収器(3)内に上方へ開口し、他端は気液分離器
(16)の下部に接続されている。又、(33)は冷媒
液管(27)の途中に設けられた第2ポンプである。
端は吸収器(3)内に上方へ開口し、他端は気液分離器
(16)の下部に接続されている。又、(33)は冷媒
液管(27)の途中に設けられた第2ポンプである。
上記吸収冷凍機の運転時、吸収器(3)に留った稀液は
第1ポンプ(13)の運転により稀液管(12)を介し
て高温再生器(1)へ送られる。そして、高温再生器(
1)にて加熱され、稀液から蒸発した冷媒は冷媒管(2
5)を通り低温再生器(2)を経て凝縮器(6)へ流れ
る。このように凝縮器(6)へ流れ込んだ冷媒と、低温
再生器(2)にて蒸発して凝縮器(6)へ流れ、凝縮器
(6)にて冷却管(28)を流れる水と熱交換して凝縮
した冷媒とが凝縮器(6)から蒸発器(7)へ流れる。
第1ポンプ(13)の運転により稀液管(12)を介し
て高温再生器(1)へ送られる。そして、高温再生器(
1)にて加熱され、稀液から蒸発した冷媒は冷媒管(2
5)を通り低温再生器(2)を経て凝縮器(6)へ流れ
る。このように凝縮器(6)へ流れ込んだ冷媒と、低温
再生器(2)にて蒸発して凝縮器(6)へ流れ、凝縮器
(6)にて冷却管(28)を流れる水と熱交換して凝縮
した冷媒とが凝縮器(6)から蒸発器(7)へ流れる。
そして、第2ポンプ(33)の運転により冷媒が蒸発器
(7)内の冷水管(29)の上方から散布され、例えば
7°Cに温度低下した冷水が蒸発器(7)から流出する
。又、蒸発器(7)にて気化した冷媒が吸収器(3)へ
流れる。
(7)内の冷水管(29)の上方から散布され、例えば
7°Cに温度低下した冷水が蒸発器(7)から流出する
。又、蒸発器(7)にて気化した冷媒が吸収器(3)へ
流れる。
一方、高温再生器(1)にて加熱濃縮された中間液が高
温再生器(1)から高温熱交換器(4)を介して低温再
生器(2)へ流れる。そして、中間液は低温再生器(2
)にて冷媒管(25)を流れる冷媒により加熱され濃縮
し、濃液になる。そして、この濃液は低温熱交換器(5
)を経て吸収器(3)へ流れ散布される。吸収器(3)
にて濃液は蒸発器(7)から流れて来た冷媒を吸収し、
希液になり、吸収器(3)の下部に留る。
温再生器(1)から高温熱交換器(4)を介して低温再
生器(2)へ流れる。そして、中間液は低温再生器(2
)にて冷媒管(25)を流れる冷媒により加熱され濃縮
し、濃液になる。そして、この濃液は低温熱交換器(5
)を経て吸収器(3)へ流れ散布される。吸収器(3)
にて濃液は蒸発器(7)から流れて来た冷媒を吸収し、
希液になり、吸収器(3)の下部に留る。
又、第1ポンプ(13)の運転により吸収器(3)から
流出した希液の一部は溶液管(21)を通り、エゼクタ
−(17)を流れる。又、圧力が低い吸収器(3)内に
滞留したH、ガス等の不凝縮ガスはガス管(30)を介
してエゼクタ−(17)を流れる希液に引かれる。又、
低温熱交換器(5)にて熱交換して温度低下した後溶液
管(24)を流れる濃液は濃液管(31)を介してエゼ
クタ−(17)を流れる希液に引かれる。
流出した希液の一部は溶液管(21)を通り、エゼクタ
−(17)を流れる。又、圧力が低い吸収器(3)内に
滞留したH、ガス等の不凝縮ガスはガス管(30)を介
してエゼクタ−(17)を流れる希液に引かれる。又、
低温熱交換器(5)にて熱交換して温度低下した後溶液
管(24)を流れる濃液は濃液管(31)を介してエゼ
クタ−(17)を流れる希液に引かれる。
そして、不凝縮ガスと濃液と希液とが一緒になり流入管
(17A)を通り、気液分離器(16)内へ流れる。気
液分離器(16)では濃液と希液とが混った溶液と不凝
縮ガスとが分離し、上部に不凝縮ガスが留まり、下部に
溶液が留まる。
(17A)を通り、気液分離器(16)内へ流れる。気
液分離器(16)では濃液と希液とが混った溶液と不凝
縮ガスとが分離し、上部に不凝縮ガスが留まり、下部に
溶液が留まる。
ここで、ガス貯室(16A)内のH,ガスの分圧が第1
設定値より低いときには、濃度センサ(40)からの信
号に基づいて動作する比較装置(44A)からの信号に
より制御装置(44)が動作し、スイッチ(41)へO
N信号が出力される。そして、ヒータ(20A)に通電
されパラジウムセル(18A)を介してH,ガスが外部
へ排出される。又、吸収冷凍機の内部で発生するH、ガ
スの量が増加し、ガス貯室(16A)内のH,ガス分圧
が第1設定値以上で第2設定値より低くなったときには
、濃度センサ(40)からの信号に基づいて動作する比
較装置(44A)からの信号により制御装置(44)が
動作し、スイッチ(41)、及びスイッチ(42)へO
N信号を出力する。そして、スイッチ(41) 、 (
42)がオンし、ヒータ(20A) 、 (20B)に
通電されパラジウムセル(18A) 、 (18B)を
介してH,ガスが外部へ排出される。さらに、■!ガス
の発生量が増え、ガス貯室(16A)内のH,ガス分圧
が第2設定値以上になったときには、濃度センサ(40
)からの信号に基づいて比較装置(44A)が動作する
。比較装置(44A)からの信号により制御装置(44
)が動作し、スイッチ(41) 、 (42)、及び(
43〉へON信号が出力される。そして、各スイッチ(
41)。
設定値より低いときには、濃度センサ(40)からの信
号に基づいて動作する比較装置(44A)からの信号に
より制御装置(44)が動作し、スイッチ(41)へO
N信号が出力される。そして、ヒータ(20A)に通電
されパラジウムセル(18A)を介してH,ガスが外部
へ排出される。又、吸収冷凍機の内部で発生するH、ガ
スの量が増加し、ガス貯室(16A)内のH,ガス分圧
が第1設定値以上で第2設定値より低くなったときには
、濃度センサ(40)からの信号に基づいて動作する比
較装置(44A)からの信号により制御装置(44)が
動作し、スイッチ(41)、及びスイッチ(42)へO
N信号を出力する。そして、スイッチ(41) 、 (
42)がオンし、ヒータ(20A) 、 (20B)に
通電されパラジウムセル(18A) 、 (18B)を
介してH,ガスが外部へ排出される。さらに、■!ガス
の発生量が増え、ガス貯室(16A)内のH,ガス分圧
が第2設定値以上になったときには、濃度センサ(40
)からの信号に基づいて比較装置(44A)が動作する
。比較装置(44A)からの信号により制御装置(44
)が動作し、スイッチ(41) 、 (42)、及び(
43〉へON信号が出力される。そして、各スイッチ(
41)。
(42) 、 (43)がONt、、ヒータ(20A)
、 (20B)、及び(20C)に通電されパラジウ
ムセル(18A) 、 (18B)、及び(18c)を
介してH,ガスが外部へ排出される。
、 (20B)、及び(20C)に通電されパラジウ
ムセル(18A) 、 (18B)、及び(18c)を
介してH,ガスが外部へ排出される。
又、H,ガスの発生量が減少し、Hよガス分圧が第2設
定値又は第1設定値より低くなったときには、濃度セン
サ(40)からの信号に基づいて比較装置1(44A)
が動作する。そして、比較装置(44A)からの信号に
より制御装置(44)が動作し、スイッチ(43) 、
(42)へ順次OFF信号が出力される。そして、ヒ
ータ(20C) 、 (20B)は順次非通電になり、
パラジウムセル(18C) 、 (18B)からのH,
ガスの排出は順次停止する。
定値又は第1設定値より低くなったときには、濃度セン
サ(40)からの信号に基づいて比較装置1(44A)
が動作する。そして、比較装置(44A)からの信号に
より制御装置(44)が動作し、スイッチ(43) 、
(42)へ順次OFF信号が出力される。そして、ヒ
ータ(20C) 、 (20B)は順次非通電になり、
パラジウムセル(18C) 、 (18B)からのH,
ガスの排出は順次停止する。
又、気液分離器(16)内の圧力が高くなった場合には
真空ポンプ(P)が運転され、H,ガス、又は丸ガス等
の不凝縮ガスが外部へ排出される。又、気液分離器(1
6)の溶液が設定水位を越えた場合には、溶液は溶液管
(32〉を介して吸収器(3)へ流れる。上記の如く、
エゼクタ−(17)に不凝縮ガスが引かれているとき、
エゼクタ−(17)より下流側の溶液は希液と濃液とが
混っているため、その飽和蒸気圧はエゼクタ−(17)
に希液のみを流したときの飽和蒸気圧より低くなる。こ
の結果、エゼクタ−(17)での不凝縮ガスの吸引力は
増加する。
真空ポンプ(P)が運転され、H,ガス、又は丸ガス等
の不凝縮ガスが外部へ排出される。又、気液分離器(1
6)の溶液が設定水位を越えた場合には、溶液は溶液管
(32〉を介して吸収器(3)へ流れる。上記の如く、
エゼクタ−(17)に不凝縮ガスが引かれているとき、
エゼクタ−(17)より下流側の溶液は希液と濃液とが
混っているため、その飽和蒸気圧はエゼクタ−(17)
に希液のみを流したときの飽和蒸気圧より低くなる。こ
の結果、エゼクタ−(17)での不凝縮ガスの吸引力は
増加する。
上記第1の実施例に示した吸収冷凍機によれば、ガス貯
室(16A)のH,ガス分圧を濃度センサ(40)が直
接検出し、H,ガス分圧に基づいて比較装置<44A)
が動作する。比較装置(44A)からの信号を入力した
制御装置(44)は信号を出力し、H2ガス分圧が高く
なったときには正確にパラジウムセル(18A)の外に
パラジウムセル(18B>、及び(18C)が順次運転
を開始し、H,ガスの排出量を増加させ、H,ガスの滞
留による吸収冷凍機の成績係数の低下を回避できる。又
、ガス貯室(16A)のH,ガス分圧が低下したときに
は、濃度センサ(40)からの信号に基づいて比較装置
(44A)が信号を出力し、この信号により制御装置(
44)が動作し、スイッチ(43) 、 (42)、及
び(41)を順次0FFI、、ヒータ(20C) 、
(20B)への通電を停止させ、パラジウムセル(18
C) 。
室(16A)のH,ガス分圧を濃度センサ(40)が直
接検出し、H,ガス分圧に基づいて比較装置<44A)
が動作する。比較装置(44A)からの信号を入力した
制御装置(44)は信号を出力し、H2ガス分圧が高く
なったときには正確にパラジウムセル(18A)の外に
パラジウムセル(18B>、及び(18C)が順次運転
を開始し、H,ガスの排出量を増加させ、H,ガスの滞
留による吸収冷凍機の成績係数の低下を回避できる。又
、ガス貯室(16A)のH,ガス分圧が低下したときに
は、濃度センサ(40)からの信号に基づいて比較装置
(44A)が信号を出力し、この信号により制御装置(
44)が動作し、スイッチ(43) 、 (42)、及
び(41)を順次0FFI、、ヒータ(20C) 、
(20B)への通電を停止させ、パラジウムセル(18
C) 。
(18B)の運転を止めることができ、H,ガス分圧に
応じたパラジウムセル(18B) 、 <18C)の運
転制御を行うことができる。又、H,ガス分圧が低下し
たにもかかわらずパラジウムセル(18B)、及び(1
8C)が無駄に運転されることを防止できる。この結果
、パラジウムセル(18B)、及び(18C)の運転コ
ストを低減することができる。又、パラジウムセルを2
個、又は3個以上備えた吸収冷凍機においても、例えば
、第2図に示したように、濃度センサ(40)が検出し
たH、ガスの分圧に応じて、それぞれのパラジウムセル
に設けられたヒータへの通電を制御することにより同様
の作用効果を得ることができる。
応じたパラジウムセル(18B) 、 <18C)の運
転制御を行うことができる。又、H,ガス分圧が低下し
たにもかかわらずパラジウムセル(18B)、及び(1
8C)が無駄に運転されることを防止できる。この結果
、パラジウムセル(18B)、及び(18C)の運転コ
ストを低減することができる。又、パラジウムセルを2
個、又は3個以上備えた吸収冷凍機においても、例えば
、第2図に示したように、濃度センサ(40)が検出し
たH、ガスの分圧に応じて、それぞれのパラジウムセル
に設けられたヒータへの通電を制御することにより同様
の作用効果を得ることができる。
以下第2の実施例について説明する。ガス貯室(16A
)に設けられたパラジウムセル(18A>をH,ガスの
排出能力が大きいものと交換し、他のパラジウムセル(
18B) 、 (18C)を取り外す。パラジウムセル
(18A>のヒータ(20A >への供給電力を比較装
置(44A)からの信号に基づいて動作する制御装置(
44)により制御する。そして、H,ガス分圧が上昇し
たとき比較装置(44A)からの信号により制御装置<
44)が動作し、パラジウムセル(18A)のヒータ(
20A)への電力供給量を増加させ、又、■、ガスの分
圧が低下したとき、比較装置(44A)からの信号に基
づいて制御装置(44)が動作し、ヒータ(20A)へ
の電力供給量を減少させる。このようにヒータ(20A
)への電力供給量を制御した場合にも、■、ガス分圧が
低下したとき濃度センサ(40)により分圧の低下を確
実に検出してヒータ(20A)の消費電力を低減させる
ことができ、パラジウムセル(18A)の運転コストを
低減することができ、H,ガス分圧が上昇したときには
パラジウムセル(18A)の能力を上昇させ、H,ガス
による成績係数の低下を防止することができる。
)に設けられたパラジウムセル(18A>をH,ガスの
排出能力が大きいものと交換し、他のパラジウムセル(
18B) 、 (18C)を取り外す。パラジウムセル
(18A>のヒータ(20A >への供給電力を比較装
置(44A)からの信号に基づいて動作する制御装置(
44)により制御する。そして、H,ガス分圧が上昇し
たとき比較装置(44A)からの信号により制御装置<
44)が動作し、パラジウムセル(18A)のヒータ(
20A)への電力供給量を増加させ、又、■、ガスの分
圧が低下したとき、比較装置(44A)からの信号に基
づいて制御装置(44)が動作し、ヒータ(20A)へ
の電力供給量を減少させる。このようにヒータ(20A
)への電力供給量を制御した場合にも、■、ガス分圧が
低下したとき濃度センサ(40)により分圧の低下を確
実に検出してヒータ(20A)の消費電力を低減させる
ことができ、パラジウムセル(18A)の運転コストを
低減することができ、H,ガス分圧が上昇したときには
パラジウムセル(18A)の能力を上昇させ、H,ガス
による成績係数の低下を防止することができる。
(ト)発明の効果
本発明は以上のように構成された吸収冷凍機であり、H
zガスの分圧を検出する濃度センサからの信号に基づい
て制御装置が動作し、H,ガスの分圧が変化したとき比
較装置から信号を入力した制御装置が動作し、H,ガス
排出装置の能力をH,ガス分圧に応じて変化させること
ができ、又、■、ガス排出装置を必要に応じて無駄なく
運転させ、運転コストの低減を図ることができる。
zガスの分圧を検出する濃度センサからの信号に基づい
て制御装置が動作し、H,ガスの分圧が変化したとき比
較装置から信号を入力した制御装置が動作し、H,ガス
排出装置の能力をH,ガス分圧に応じて変化させること
ができ、又、■、ガス排出装置を必要に応じて無駄なく
運転させ、運転コストの低減を図ることができる。
又、H,ガス排出用に設けられた複数個のパラジウムセ
ルの運転個数を濃度センサが検出する旧ガスの分圧に基
づいて制御することにより、H,ガスの分圧が変化した
ときにはそれに応じてパラジウムセルの運転個数を変化
させ、それぞれのパラジウムセルを無駄なく運転するこ
とができ、この結果、運転コストの低減を図ることがで
き、又、H。
ルの運転個数を濃度センサが検出する旧ガスの分圧に基
づいて制御することにより、H,ガスの分圧が変化した
ときにはそれに応じてパラジウムセルの運転個数を変化
させ、それぞれのパラジウムセルを無駄なく運転するこ
とができ、この結果、運転コストの低減を図ることがで
き、又、H。
ガスの分圧が高いときにはパラジウムセルの運転個数を
増加さ七、■、ガスを効率良く排出でき、吸収冷凍機の
成績係数の低下を防止できる。
増加さ七、■、ガスを効率良く排出でき、吸収冷凍機の
成績係数の低下を防止できる。
さらに、パラジウムセルに設けられたヒータへの電力供
給量を濃度センサが検出する■、ガスの分圧に基づいて
制御装置により制御することにより、■、ガスの分圧が
変化したときはパラジウムセルのヒータへの電力供給量
を変化させ、■、ガスの分圧に応じた能力にてバラジウ
l、セルを運転することができ、無駄な運転を抑え、パ
ラジウムセルの電力消費量を低減して運転コストの低減
を図ることができ、又、H,ガスの分圧が高いときには
、ヒータへの電力供給量を増加させ、パラジウムセルに
よるH、ガス排出量を増加し、吸収冷凍機の成績係数の
低下を防I)、できる。
給量を濃度センサが検出する■、ガスの分圧に基づいて
制御装置により制御することにより、■、ガスの分圧が
変化したときはパラジウムセルのヒータへの電力供給量
を変化させ、■、ガスの分圧に応じた能力にてバラジウ
l、セルを運転することができ、無駄な運転を抑え、パ
ラジウムセルの電力消費量を低減して運転コストの低減
を図ることができ、又、H,ガスの分圧が高いときには
、ヒータへの電力供給量を増加させ、パラジウムセルに
よるH、ガス排出量を増加し、吸収冷凍機の成績係数の
低下を防I)、できる。
第1図は本発明の一実施例を示す吸収冷凍機の回路構成
図、第2図はH,ガス分圧とパラジウムセルの通電個数
との関係図である。 (1)・・・再生器、 〈3〉・・・吸収器、 (6)
・・・凝縮器、 (7)・・・蒸発器、 (18A)
、 (18B) 、 (18C)・・・パラジウムセル
、 (20A) 、 (20B) 、 (20C)−1
:−タ、 (40)・・・濃度センサ、 (44A)・
・・比較装置、(44)・・・制御装置。
図、第2図はH,ガス分圧とパラジウムセルの通電個数
との関係図である。 (1)・・・再生器、 〈3〉・・・吸収器、 (6)
・・・凝縮器、 (7)・・・蒸発器、 (18A)
、 (18B) 、 (18C)・・・パラジウムセル
、 (20A) 、 (20B) 、 (20C)−1
:−タ、 (40)・・・濃度センサ、 (44A)・
・・比較装置、(44)・・・制御装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、吸収器、再生器、凝縮器、及び蒸発器等により冷凍
サイクルを構成すると共に、この冷凍サイクルにH_2
ガス排出装置を設けた吸収冷凍機において、冷凍サイク
ルのH_2ガスの分圧を検出する濃度センサと、この濃
度センサからの信号を入力信号としてH_2ガスの分圧
と設定値とを比較して信号を出力する比較装置と、この
比較装置からの信号によりH_2ガス排出装置の能力を
変化させる制御装置とを備えたことを特徴とする吸収冷
凍機。 2、吸収器、再生器、凝縮器、及び蒸発器等により冷凍
サイクルを構成すると共に、この冷凍サイクルにH_2
ガスを排出するための複数個のパラジウムセルを設けた
吸収冷凍機において、冷凍サイクルのH_2ガスの分圧
を検出する濃度センサと、この濃度センサからの信号を
入力信号としてH_2ガスの分圧と設定値とを比較して
信号を出力する比較装置と、この比較装置からの信号に
より上記パラジウムセルの通電個数を制御する制御装置
とを備えたことを特徴とする吸収冷凍機。 3、吸収器、再生器、凝縮器、及び蒸発器等をそれぞれ
配管接続し、冷凍サイクルを構成すると共に、この冷凍
サイクルにH_2ガスを排出するためのパラジウムセル
を設けた吸収冷凍機において、冷凍サイクルのH_2ガ
スの分圧を検出する濃度センサと、この濃度センサから
の信号を入力信号としてH_2ガスの分圧と設定値とを
比較して信号を出力する比較装置と、この比較装置から
の信号により上記パラジウムセルに設けられたヒータへ
の電力供給量を制御する制御装置とを備えたことを特徴
とする吸収冷凍機。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13524589A JPH031058A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 吸収冷凍機 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13524589A JPH031058A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 吸収冷凍機 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH031058A true JPH031058A (ja) | 1991-01-07 |
Family
ID=15147202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13524589A Pending JPH031058A (ja) | 1989-05-29 | 1989-05-29 | 吸収冷凍機 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH031058A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010033418A2 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Raytheon Company | Sensing and estimating in-leakage air in a subambient cooling system |
US7935180B2 (en) | 2008-10-10 | 2011-05-03 | Raytheon Company | Removing non-condensable gas from a subambient cooling system |
-
1989
- 1989-05-29 JP JP13524589A patent/JPH031058A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010033418A2 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Raytheon Company | Sensing and estimating in-leakage air in a subambient cooling system |
WO2010033418A3 (en) * | 2008-09-19 | 2010-05-06 | Raytheon Company | Sensing and estimating in-leakage air in a subambient cooling system |
US8055453B2 (en) | 2008-09-19 | 2011-11-08 | Raytheon Company | Sensing and estimating in-leakage air in a subambient cooling system |
US7935180B2 (en) | 2008-10-10 | 2011-05-03 | Raytheon Company | Removing non-condensable gas from a subambient cooling system |
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