JPH03104865A - 蒸着装置 - Google Patents

蒸着装置

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JPH03104865A
JPH03104865A JP24046289A JP24046289A JPH03104865A JP H03104865 A JPH03104865 A JP H03104865A JP 24046289 A JP24046289 A JP 24046289A JP 24046289 A JP24046289 A JP 24046289A JP H03104865 A JPH03104865 A JP H03104865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mask
coordinate
vapor deposition
reference side
Prior art date
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Pending
Application number
JP24046289A
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English (en)
Inventor
Ryohei Yokoyama
良平 横山
Masaru Kitamura
優 北村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) 本発明は、例えば蒸着膜の膜厚を調節するマスクを備え
た蒸着装置に関する。
(従来の技術) 一般的な蒸着装置は、第5図に示されるような基本構成
をもっている。図中に示される蒸着装置1の本体は真空
容器2からなり、この真空容器2は内部が図示しない真
空ポンプにより真空状態に保持されるよう構成され、底
部から真空容器2内に電子ビーム蒸発源3が設けられて
いる。そして、天井部の中心上部にはモータ4が設けら
れており、このモータ4の回転軸5が上記真空容器2に
貫通して内部に延長されている。このモータ4の回転軸
5の端部には基板ホルダ6が保持されている。この基板
ホルダ6の下面には基板7が保持されている。この基板
7と上記電子ビーム蒸発源3との間にはシャッタ8が設
けられており、このシャッタ8は真空容器2の側面に結
合された駆動機構9によって駆動されるようになってる
。そして、上記基板7を回転した状態で電子ビーム蒸発
源3を作動し、シャッタ8を所定時間開放し、蒸着膜を
形成する。
このような蒸着装置1は蒸着膜の膜厚を平均化するため
に、基板を回転させているが高い効果を得るものではな
かった。
基板を回転して蒸着膜を形成した場合のデータについて
第6図を参照して説明する。図中に示されるように基板
の表面に形成された蒸着膜は回転の中心において一番厚
く形成され、ほぼ球面を形成するように外周部で薄くな
っている。
これはコンピュータによるシミュレーションによる結果
でも第7図に示されるように同様である。
(発明が解決しようとする課題) 一般の蒸着装置は基板を回転させることにより、蒸着膜
の厚さを均一にする努力が行われているが、高い効果を
得るものではなかった。
本発明は上記課題に着目してなされたものであり、蒸着
膜厚分布を極めて均一に形成できる蒸着装置を提供する
ことを目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) (1)真空状態に保たれる真空容器を設け、この真空容
器内に基板ホルダを設け、この基板ホルダを回転駆動す
る回転機構を設け、上記基板ホルダに固定された基板に
向けて蒸着材を蒸発させる蒸着源を設け、上記基板ホル
ダとの間にシャッタを設け、このシャッタと上記基板ホ
ルダとの間にマスクを挿入し、このマスクを基板の中心
位置からX座標上に基準辺を延長し、この基準辺から基
板の回転方向に延長されX座標に沿って曲率が変化する
マスク延長辺を設けた平面視形状に形成し、かつ、上記
基板に平行な平面上で上紀X座標の基板の中心に対応す
る原点に直交するY座標を設定し、このマスクは上記マ
スクと基板間の距離をk、マスクを使用しない場合に形
成される蒸着膜の曲率半径をR1基板の半径方向の任意
距離をxO、基板の半径寸法をr,X座標とY座標との
原点と上記基板の半径方向の任意距離xOの位置におけ
る周方向寸法εに対応するマスク延長辺上の一点とを直
線でむすびこの直線と上記基板の基準辺との挟み角をθ
とし、 /I−1丁一k の式を満足する条件で形成した蒸着装置。
(2〉真空状態に保たれる真空容器を設け、この真空容
器内に基板ホルダを設け、この基板ホルダを回転駆動す
る回転機構を設け、上記基板ホルダに固定された基板に
向けて蒸着材を蒸発させる蒸着源を設け、上記基板ホル
ダとの間にシャッタを設け、このシャッタと上記基板ホ
ルダとの間にマスクを挿入し、上記マスクを基板のほぼ
径方向に振動する加振装置を設け、上記マスクを基板の
中心位置から径方向に延びるX座標に沿って基準辺を延
長しこの基準辺から基板の回転方向に延長されX座標に
沿って曲率が変化するマスク延長辺を設けた平面視形状
に形成し、かつ、上記基板に平行な平面上で上記径方向
Xに直交する方向をY方向とし、このマスクは上記マス
クと基板間の距離k1マスクを使用しない場合に形威さ
れる蒸着膜の曲率半径をR,基板の半径方向の任意距離
をXO%基板の半径寸法をrSX座標とY座標の原点と
上記任意距M X oの位置における周方向寸法εに対
応するマスク延長辺上の一点とを直線でむすびこの直線
と上記基板の基準辺との挾み角をθとし、 の式を満足する条件で形或した蒸着装置。
(作 用) (1)マスクを使用しない場合の蒸着膜の曲率に基づい
て、この曲率を減少し膜厚を基板の全面にわたってほぼ
均一にする式を導き、この式によって得られる曲線で基
板の中心から径方向に延長されるマスクを形成し、この
マスクを蒸着源と基板との間に挿入し、上記基板を回転
しながら蒸着することで、極めて均一な蒸着膜厚分布を
得ることができる。
(2)マスクを使用しない場合の蒸着膜の曲率に基づい
て、この曲率を減少し膜厚を基板の全面にわたってほぼ
均一にする式を導き、この式によって得られる曲線を基
板の中心から径方向に延長されるマスクを形成し、この
マスクを蒸着源と基板との間に挿入し、かつマスクを基
板の径方向に振動し、上記基板を回転しながら蒸着する
ことで、極めて均一な蒸着膜厚分布を得ることができる
また、マスクを径方向に振動することにとり、基板中心
部が常にマスクに覆われることを防止し、中心部の膜厚
も均一にすることができる。
(実施例) 本発明における一実施例を第1図乃至第4図を参照して
説明する。図中に示される蒸着装置15の本体は密閉容
器16からなり、この密閉容器16は図示しない真空ポ
ンプによって真空状態を保持するようになっている。
そして、上記密閉容器16の底部には電子ビーム蒸発源
17が設けられている。なお、この電子ビーム蒸発源1
7は融点の高い蒸着材を使用する場合にEBガンを使用
し、また、融点の低い蒸着材を使用する場合にはクヌー
ドセンセル(Kセル)を使用することが考えられる。
そして、上記密閉容器16の天井部の上部にはモータ1
8が設けられている。このモータ18の回転軸19は上
記天井部を貫通して密閉容器16内に延長され、先端部
には基板ホルダ20が結合されている。この基板ホルダ
20の下面には円盤状の基板21が保持される。そして
、基板21を保持した基板ホルダ20はモータ18によ
って回転駆動されるようになっている。
また、上記電子ビーム蒸発源17と基板ホルダ20に保
持された基板21との間にはシャツタ22が挿入されて
おり、このシャッタ22は密閉容器16の側面に設けら
れた駆動機構23によって駆動されるようになっている
。また、基板ホルダ20とシャッタ22との間にはマス
ク24が挿入されている。このマスク24は後述するよ
うな形状をもち、支持軸25によって支持されている。
この支持軸25の基端は上記密閉容器16の側壁面を貫
通して外壁面に結合された加振装置26によって振動さ
れるようになっている。
以下、上記マスク24の形状について説明すれば、上記
マスク24は第3図に示されるように基板21の中心か
ら径方向に直線的に形成された基準辺27と、この基準
辺27から基板21の回転方向に延長して形成されその
曲率が所定の条件のもとに変化するマスク延長辺28と
から形成された輪郭をもつ平板からなっている。ここで
、上記マスク延長辺28は以下に示す条件を満たし、基
板の中心点に対応するX,Y座標の原点から半径rの円
に交差する曲線Aと、上記半径rの円に曲線Aの外周側
端が交差する部分から上記基準辺27の外径側の端部ま
での半径rの円弧部分とによって形成されている。
ここで、図中において基板21の中心を通る一方向をX
座標と規定し、このX座標に対して基板21の中心部分
で直交するY座標を設定する。
図中において膜厚分布は円弧の一部とみなすことができ
る。
X2+Y2−R2       ・・・(1)そして、
基板の円盤形状は(2)式で示される。
X2+y2” r2        −(2)X座標の
任意の位置XQでの膜厚δは(3)式で示される。
δ一71T丁7丁一k      ・・・(3)?こで
、kはマスク24から基板21までの距離である。
そして、マスク24のxOの位置での基準辺27からマ
スク延長辺28までの周方向の寸広εは(4)式で示さ
れる。
ε一X0 ・θ         ・・・(4)ここで
、θは基準辺27および、上記X,Y座標の原点とx■
の周方向の曲線Aに対応する点pとを結ぶ直線との挟み
角である。
マスク24を設けない場合の膜厚δの分布を均一にする
に必要な上記εとδの関係は(5)式で示される。
でxoの位置に蒸着をする相対時間とも見れる。
また、Cはマスク24により補正された膜厚で一定であ
る。δはマスクを使用しない場合のX(,の位置での膜
厚を示す。
したがって、Cの膜厚を幾らにとるかにより異なるが、
今、(3)式でxO −bにおける膜厚はδ− R” 
 −b’  −k       ・・・(6)である。
この(6)式における膜厚を一定とするとδ一V4「7
−二石’ −k−C    ・・・(7)式が得られる
上記(5)式と(7)式とを基に 一l頁2   62   <          ・・
・(8)を得る。
なお、マスク24を使用して実際に膜厚δを均一化する
ためには、基板21の縁部に形成された最小の膜厚部分
を基準にして、中央部の膜厚を減少させることになる。
つまり、一定とする膜厚寸法δはx(,−rを条件とす
るのが妥当である。
そこで、上記(8)式をxO−b−rとおいてθについ
て展開すれば φ<” −x丁一k ・・・(9)を得る。
そして、上記X,Y座標中において、X(,の位置にお
けるθを算出することで、X座標の任意の位置X。の位
置に対応し曲線Aに交差する一点pを得ることができる
。これにより、X座標に沿って基板21の半径「の位置
までの各位置におけるεが確定されるとともに、曲線A
を得ることができる。
つまり、マスク24を設けない場合にX座漂に沿って変
化する膜厚分布をマスク24の形状によって補正するこ
とができる。基板21が回転されるので、マスク24の
周方向の長さεを各部に対応して形成することで、膜厚
分布を均一化できる。
上述のように形成されたマスク24は加振装置26によ
って第4図に示されるように基板21の径方向に振動さ
れる。この振動幅寸広dは上記X,Y座漂の原点部分を
中心iとしてほぼ同一距離を往復する状態で振動するよ
うになっている。これにより回転する基板21の中心部
分が常にマスク24により、覆われることを防止できる
。ここで、基板21の回転速度は一般に最大で約2 0
 rpa+であるが、上記加振装置26の振動数は特に
限定されず、ゆっくりとして揺動状態でもほぼ同じ効果
を得ることができる。
上述のように (9)式で得られた曲線Aは膜厚δを均一にするために
必要な補正値であり、X座標の各部における周方向の寸
法εを決定している。この曲線Aによりマスク延長辺2
8のX,Y座標の原点から半径「までの部分を形成する
ことで、周方向に回転する基板21の一回転に対するマ
スキング時間をX座標に沿って変化させ、これにより、
均一な膜厚分布を得ることができる。
[発明の効果] (1〉基板を回転して蒸着を行う蒸着装置に、従来構造
の蒸着装置には使用されていなかったマスクを使用し、
このマスクは基板の中心から径方向であるX座標に沿っ
て対応する基準辺と、この基準辺から周方向に延長され
たマスク延長辺とを備えた平面視形状をもっている。そ
して、上記マスク延長辺は R’ −xT−k 式で得られたθとX。により決定される。つまり、マス
クの上記基準辺からマスク延長辺までの周方向の寸法ε
が、基板が回転するときの蒸着時間を決定しているので
、マスクを使用しない場合のX座標上の膜厚分布の変化
に応じて蒸着時間を調節する状態にマスクの周方向の寸
法εを決定できる。これにより、従来のマスクを用いな
い蒸着装置に比較して、均一性の極めて高い蒸着膜を得
る蒸着装置を提供できる。
〈2〉基板を回転して蒸着を行う蒸着装置に、従来構造
の蒸着装置には使用されていなかったマスクを使用し、
このマスクは基板の中心から径方向に対応するX座標に
直線的に対応する基準辺と、この基準辺から周方向に延
長されたマスク延長辺とを備えた平面視形状をもってい
る。そして、上記マスク延長辺は 式で得られたθとXoにより決定される。つまり、マス
クの上記基準辺からマスク延長辺までの周方向の寸法ε
が、基板が回転するときの蒸着時間を決定しているので
、マスクを使用しない場合のX座標に沿う膜厚分布の変
化に応じて蒸着時間を調節する状態にマスクの周方向の
寸法εを決定できる。これにより、従来のマスクを用い
ない蒸着装置に比較して、均一性の極めて高い蒸着膜を
得ることができる。また、マスクを基板のほぼ径方向に
振動させることで、基板の中心部を連続して覆うことを
防止して、中心部の膜厚をも均一にすることができる蒸
着装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明における一実施例であり、第
1図は蒸着装置の正断面図、第2図は基板の側断面とマ
スクの曲線AをX−Y座標中に示しマスクの形状を説明
する膜厚とマスクの関係図、第3図は回転する基板とこ
の基板に対して設けられたマスクとを示す斜視図、第4
図はマスクが基板に対して振動する様子を示す下面図、
第5図乃至第7図は従来例であり、第5図は蒸着装置の
正断面図、第6図は基板の径方向距離と膜厚寸法との関
係図、第7図はシミュレーションによって得られた基板
の径方向距離と膜厚比との関係図である。 15・・・蒸着装置、16・・・密閉容器、18・・・
モータ(回転機構) 17・・・電子ビーム蒸着源、1
つ・・・回転軸(回転機構)、20・・・基仮ホルダ、
21・・・基板、22・・・シャッタ、24・・・マス
ク、26・・・加振装置、27・・・基準辺、28・・
・マスク延長辺、29・・・蒸着膜。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)内部が真空状態に保たれる真空容器と、上記真空
    容器内に設けられた基板ホルダと、この基板ホルダを回
    転駆動する回転機構と、上記基板ホルダに固定された基
    板に向け蒸着材を蒸発させる蒸着源と、上記基板ホルダ
    と蒸着源との間に設けられたシャッタとを具備した蒸着
    装置において、上記シャッタと上記基板ホルダとの間に
    マスクを挿入し、このマスクは基板の中心位置から径方
    向に延びるX座標上に延長された基準辺と、この基準辺
    から基板の回転方向に延長されX座標に沿って曲率が変
    化するマスク延長辺とを備えた平面視形状をもち、上記
    基板に平行な平面上で上記X座標に基板の中心に対応す
    る原点で直交するY座標を設定し、上記マスクと基板と
    の距離をk、マスクを使用しない場合に形成される蒸着
    膜の曲率半径をR、基板の半径方向の任意距離をx_0
    、基板の半径寸法をr、上記X座標とY座標との原点と
    上記任意距離x_0の位置に周方向寸法εで対応するマ
    スク延長辺上の一点とを直線でむすびこの直線と上記基
    準辺−との挟み角をθとした場合に、θ=2π・(√(
    R^2−x^2_0)−√(R^2−r^2))/(√
    (R^2−x^2_0)−k)の式を満たす条件で形成
    したことを特徴とする蒸着装置。
  2. (2)内部が真空状態に保たれる真空容器と、上記真空
    容器内に設けられた基板ホルダと、この基板ホルダを回
    転駆動する回転機構と、上記基板ホルダに固定された基
    板に向け蒸着材を蒸発させる蒸着源と、上記基板ホルダ
    と蒸着源との間に設けられたシャッタとを具備した蒸着
    装置において、上記シャッタと上記基板ホルダとの間に
    マスクを挿入し、このマスクを上記基板のほぼ径方向に
    振動する加振装置を設け、上記マスクは基板の中心位置
    から径方向に延びるX座標上に形成された基準辺と、こ
    の基準辺から基板の回転方向に延長されX座標に沿って
    曲率が変化するマスク延長辺とを備えた平面視形状をも
    ち、上記基板に平行な平面上で上記X座標に基板の中心
    に対応する原点で直交するY座標を設定し、上記マスク
    と基板との距離をk、マスクを使用しない場合に形成さ
    れる蒸着膜の曲率半径をR、基板の半径方向の任意距離
    をx_0,基板の半径寸法をr、上記X座標とY座標と
    の原点と上記基板の任意距離x_0の位置に周方向寸法
    εで対応するマスク延長辺上の一点とを直線でむすびこ
    の直線と上記基準辺との挟み角をθとした場合に、 θ=2π・(√(R^2−x^2_0)−√(R^2−
    r^2))/(√(R^2−x^2_0)−k)の式を
    満たす条件で形成したことを特徴とする蒸着装置。
JP24046289A 1989-09-16 1989-09-16 蒸着装置 Pending JPH03104865A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100477747B1 (ko) * 2002-07-11 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 증착장치 및 증착장치용 차단부재의 설계방법
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JP2019516865A (ja) * 2016-05-24 2019-06-20 イマジン・コーポレイション 高精度シャドーマスク堆積システム及びその方法
US11275315B2 (en) 2016-05-24 2022-03-15 Emagin Corporation High-precision shadow-mask-deposition system and method therefor

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