JPH03104859A - 真空蒸着用原料成型体及び薄膜形成方法 - Google Patents
真空蒸着用原料成型体及び薄膜形成方法Info
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- JPH03104859A JPH03104859A JP24064889A JP24064889A JPH03104859A JP H03104859 A JPH03104859 A JP H03104859A JP 24064889 A JP24064889 A JP 24064889A JP 24064889 A JP24064889 A JP 24064889A JP H03104859 A JPH03104859 A JP H03104859A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、主に透明電導性薄膜を真空蒸着法で形成する
際に用いられる原料成型体及びかかる成型体を用いた真
空蒸着法による薄膜形成方法に関するものである。
際に用いられる原料成型体及びかかる成型体を用いた真
空蒸着法による薄膜形成方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、酸化物からなる薄膜を真空蒸着法によって形成す
る場合、その酸化物原料には、第3及び第4図に断面図
を示したように、円柱形状、あるいは円盤状の酸化物圧
粉体、または酸化物焼結体(ベレット)が用いられてい
た。
る場合、その酸化物原料には、第3及び第4図に断面図
を示したように、円柱形状、あるいは円盤状の酸化物圧
粉体、または酸化物焼結体(ベレット)が用いられてい
た。
しかし、従来の酸化物原料(ペレット)は、電子ビーム
の照射される上面から、摺鉢状に蒸発、消費されるため
に(第4図参照)、原料の利用効率は、わずか20〜4
0重量%に過ぎず、非常に原料効率が悪いという欠点を
有していた。
の照射される上面から、摺鉢状に蒸発、消費されるため
に(第4図参照)、原料の利用効率は、わずか20〜4
0重量%に過ぎず、非常に原料効率が悪いという欠点を
有していた。
また、従来の昇華性原料(ベレット)例えばITOの原
料では、蒸着時に高さimm程度の針状の残さが無数に
残り、スビッティングを起こして異常放電が発生したり
、ベレットが割れることなどにより、蒸着が不安定にな
るなどの問題点を有していた。
料では、蒸着時に高さimm程度の針状の残さが無数に
残り、スビッティングを起こして異常放電が発生したり
、ベレットが割れることなどにより、蒸着が不安定にな
るなどの問題点を有していた。
又、粉末の原料では、蒸着装置の中を舞ってしまい,成
膜した膜のビンホールの原因になるため使用できなかっ
た。
膜した膜のビンホールの原因になるため使用できなかっ
た。
[発明の解決しようとする課題]
本発明の目的は、従来の蒸着用酸化物原料(ベレット)
が有していた前述の問題点を解消しようとするものであ
り、加えて、酸化物原料を球状に成形することで、真空
状態を破らずに、容易に、原料の供給を可能とすること
を目的とするものである。
が有していた前述の問題点を解消しようとするものであ
り、加えて、酸化物原料を球状に成形することで、真空
状態を破らずに、容易に、原料の供給を可能とすること
を目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、真空蒸着法によって透明電導性薄膜を形成する際に
用いられる酸化物原料成型体において、その形状が、略
球形であることを特徴とする真空蒸着用原料成型体及び
形状が略球状である原料成型体を原料として、真空蒸着
法によって薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方
法を提供するものである。
り、真空蒸着法によって透明電導性薄膜を形成する際に
用いられる酸化物原料成型体において、その形状が、略
球形であることを特徴とする真空蒸着用原料成型体及び
形状が略球状である原料成型体を原料として、真空蒸着
法によって薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方
法を提供するものである。
本発明において、酸化物原料成型体は、転がり易いため
に自動フィーダー等で連続供給し易い、あるいは、再配
列し易いために、高い密度で充填し易いなどの理由で、
球形であることが望ましい。略楕円球形でも、本発明の
特徴を何らそぐわない。
に自動フィーダー等で連続供給し易い、あるいは、再配
列し易いために、高い密度で充填し易いなどの理由で、
球形であることが望ましい。略楕円球形でも、本発明の
特徴を何らそぐわない。
また、上記の理由に加え、蒸発が原料成型体全表面で均
一に起こり、原料が効率よく利用できるという点から、
原料或型体の個々の直径は、1mm〜50mm程度であ
ることが好ましい。
一に起こり、原料が効率よく利用できるという点から、
原料或型体の個々の直径は、1mm〜50mm程度であ
ることが好ましい。
本発明の蒸着用酸化物原料は、球状の原料成型体をハー
スに一個、あるいは、多数個充填して用いられる。
スに一個、あるいは、多数個充填して用いられる。
さらに、本発明の原料成型体は、蒸着時の熱割れ防止の
理由から、粉体を球状に成形した後、焼結した物が好ま
しく、特に、その焼結温度は、1000℃以上であるこ
とが好ましい。
理由から、粉体を球状に成形した後、焼結した物が好ま
しく、特に、その焼結温度は、1000℃以上であるこ
とが好ましい。
かかる原料成型体は、例えば、次に示すような方法で作
製できる。
製できる。
ラバープレス法、一軸ブレス法、造粒法等で酸化物原料
粉末を成形して作製する。あるいは、その成型体を大気
中l000℃以上で焼成し、作製する。
粉末を成形して作製する。あるいは、その成型体を大気
中l000℃以上で焼成し、作製する。
本発明の原料成型体の酸化物原料としては、ITO(錫
を含んだ酸化インジウム)、A1などを含んだ酸化亜鉛
、アンチモンなどを含んだ酸化スズ等が挙げられる。
を含んだ酸化インジウム)、A1などを含んだ酸化亜鉛
、アンチモンなどを含んだ酸化スズ等が挙げられる。
[作用]
本発明の原料成型体は、球状であるために、転がり易い
と同時に、再配列し易く、自動フィーダー等で連続供給
し易く、蒸着原料を収納するハースに高い密度で充填で
きるという特徴を有する。
と同時に、再配列し易く、自動フィーダー等で連続供給
し易く、蒸着原料を収納するハースに高い密度で充填で
きるという特徴を有する。
また、昇華性の原料の場合には、本発明の原料成型体は
球状であるために、かかる成型体を用いて蒸着を行うと
蒸発部分に発生する針状の残さがほとんど残らず、非常
に安定した蒸着が可能であるという特徴を有する。
球状であるために、かかる成型体を用いて蒸着を行うと
蒸発部分に発生する針状の残さがほとんど残らず、非常
に安定した蒸着が可能であるという特徴を有する。
さらに、原料成型体の直径が小さい場合には、個々の原
料成型体間の空間が狭すぎるために、蒸着の際電子ビー
ムが回り込みにくくなり、ペレット全表面からの均一な
原料の蒸発が起き難くなったり、ベレットの直径が、電
子ビームの径よりも大きい場合に、電子ビームの照射さ
れた部分でしか原料の蒸発が起きないという問題が生じ
るが、本発明のように、原料成型体の直径を1mm〜5
0mm程度とすることで、ペレット全表面から均一に原
料の蒸発が起き、その結果、原料成型体は、ほとんど残
部を残さず、非常に効率よく消費され、又安定した放電
が実現できるという特徴を有する。
料成型体間の空間が狭すぎるために、蒸着の際電子ビー
ムが回り込みにくくなり、ペレット全表面からの均一な
原料の蒸発が起き難くなったり、ベレットの直径が、電
子ビームの径よりも大きい場合に、電子ビームの照射さ
れた部分でしか原料の蒸発が起きないという問題が生じ
るが、本発明のように、原料成型体の直径を1mm〜5
0mm程度とすることで、ペレット全表面から均一に原
料の蒸発が起き、その結果、原料成型体は、ほとんど残
部を残さず、非常に効率よく消費され、又安定した放電
が実現できるという特徴を有する。
加えて、原料成型体を粉体から球状に成形した後、高温
で焼結することによって、原料成型体を構成している微
粒子同士の結合が強くなるとともに、他の形状に比較し
て、蒸着時の加熱によって生じる熱ストレスの分布は均
一になり、割れにくいという特徴も有する。
で焼結することによって、原料成型体を構成している微
粒子同士の結合が強くなるとともに、他の形状に比較し
て、蒸着時の加熱によって生じる熱ストレスの分布は均
一になり、割れにくいという特徴も有する。
[実施例]
錫を含んだ酸化インジウム(ITO)粉体を球形の穴を
持つゴムに充填し、ラバープレス機でプレスし、その成
型体を大気中1500℃で焼成し、直径10mmの球形
のITO原料成型体を作製した。
持つゴムに充填し、ラバープレス機でプレスし、その成
型体を大気中1500℃で焼成し、直径10mmの球形
のITO原料成型体を作製した。
このときのITOのかさ密度は、およそ4. 4g/c
cであった。
cであった。
直径1.0mmの焼結した球状の錫を含んだ酸化インジ
ウム(ITO)ベレットを蒸着用ハース■にかかる多数
個充填し、350℃に加熱したガラス基板上に、電子ビ
ーム蒸着によりITO薄膜を成膜した。
ウム(ITO)ベレットを蒸着用ハース■にかかる多数
個充填し、350℃に加熱したガラス基板上に、電子ビ
ーム蒸着によりITO薄膜を成膜した。
蒸着は、スビッティングもみられず、非常に安定してい
た。
た。
蒸着速度、及び、酸素流量を最適化することによって、
従来と同等の透明で比抵抗が2.0×10−4Ωcmの
ITO薄膜が得られた。
従来と同等の透明で比抵抗が2.0×10−4Ωcmの
ITO薄膜が得られた。
使用後のITOペレットは、直径が1〜9mmで、すべ
てのペレットは割れずに、ほぼ球形を保っていた。
てのペレットは割れずに、ほぼ球形を保っていた。
すなわち、ITOペレットは、均一に蒸発していること
が示された(第1図、第2図)。
が示された(第1図、第2図)。
また、針状の残さもほとんど観察されず、原料の利用効
率は、70〜80重量%であった。
率は、70〜80重量%であった。
また、ITOの原料成型体の直径を5mm、1 5mm
、25mmに変えて行っても、良好な結果が同様に得ら
れた。
、25mmに変えて行っても、良好な結果が同様に得ら
れた。
[発明の効果]
本発明の蒸着用原料成型体は、原料の蒸発が原料成型体
の全面で均一に起こるため、高密度に充填した原料を効
率よく利用でき、その結果、原料コストも安くできる。
の全面で均一に起こるため、高密度に充填した原料を効
率よく利用でき、その結果、原料コストも安くできる。
特に昇華性材料からなる原料成型体を用いて真空蒸着法
により薄膜形成を行う場合、原料成型体において、針状
の残さの生成や割れが生じないために、長時間安定な蒸
着が可能となる。
により薄膜形成を行う場合、原料成型体において、針状
の残さの生成や割れが生じないために、長時間安定な蒸
着が可能となる。
また、本発明の原料成型体は、球状であるために、転が
り易《、原料の輸送や補給が容易にできる。
り易《、原料の輸送や補給が容易にできる。
例えば、ハースに向けて滑り台状のフィーダーを設ける
ことにより、蒸着中でも真空状態を破らずに原料成型体
をフィーダーを通して容易に供給できる。
ことにより、蒸着中でも真空状態を破らずに原料成型体
をフィーダーを通して容易に供給できる。
このため、1バッチの作業時間を短縮できるだけでなく
、インライン式の蒸着装置の使用も容易となり、生産性
も飛躍的に向上するという効果も有する。
、インライン式の蒸着装置の使用も容易となり、生産性
も飛躍的に向上するという効果も有する。
第l図、第2図は、本発明の蒸着用ITO原料成型体の
一使用例を示す断面図である。 第l図は、使用前の原料充填の一例を示す断面図であり
、第2図は、その使用後の様子を示す断面図である。 第3図、第4図は、従来の円柱状のITO原料の一使用
例を示す断面図である。 第3図は、使用前の原料充填の一例を示す断面図であり
、第4図は、その使用後の様子を示す断面図である。 図中の番号1は蒸着ハース、2は本発明のITO原料成
型体(使用前)、3は本発明のITO原料成型体(使用
後) 4は従来のITO原料成型体(使用前) 5は従
来のITO原料成型体(使用後)、6は針状の残さを示
している。 第 1 図 第 斗 図
一使用例を示す断面図である。 第l図は、使用前の原料充填の一例を示す断面図であり
、第2図は、その使用後の様子を示す断面図である。 第3図、第4図は、従来の円柱状のITO原料の一使用
例を示す断面図である。 第3図は、使用前の原料充填の一例を示す断面図であり
、第4図は、その使用後の様子を示す断面図である。 図中の番号1は蒸着ハース、2は本発明のITO原料成
型体(使用前)、3は本発明のITO原料成型体(使用
後) 4は従来のITO原料成型体(使用前) 5は従
来のITO原料成型体(使用後)、6は針状の残さを示
している。 第 1 図 第 斗 図
Claims (5)
- 1.真空蒸着法によって透明電導性薄膜を形成する際に
用いられる酸化物原料成型体において、その形状が、略
球形であることを特徴とする真空蒸着用原料成型体。 - 2.形状が略球状である原料成型体を原料として、真空
蒸着法によって薄膜を形成することを特徴とする薄膜形
成方法。 - 3.原料成型体の直径が、1mm〜50mmであること
を特徴とする請求項1記載の真空蒸着用 原料成型体又は請求項2記載の薄膜形成 方法。 - 4.原料成型体が、昇華性材料からなることを特徴とす
る請求項1又は3記載の真空蒸着用原料成型体又は請求
項2又は3記載の薄膜 形成方法。 - 5.原料成型体が、スズを0〜20重量%含んだインジ
ウム酸化物(ITO)からなることを特徴とする請求項
1,3,4いずれか1項記載の真空蒸着用原料成型体又
は請求項2〜4いずれか1項記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24064889A JPH03104859A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 真空蒸着用原料成型体及び薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24064889A JPH03104859A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 真空蒸着用原料成型体及び薄膜形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03104859A true JPH03104859A (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=17062622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24064889A Pending JPH03104859A (ja) | 1989-09-19 | 1989-09-19 | 真空蒸着用原料成型体及び薄膜形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03104859A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010031384A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | 光学薄膜および光学部品 |
JP2010261094A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Mitsubishi Materials Corp | Au−Sn合金蒸着用粒状材およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-09-19 JP JP24064889A patent/JPH03104859A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010261094A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Mitsubishi Materials Corp | Au−Sn合金蒸着用粒状材およびその製造方法 |
JP2010031384A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | 光学薄膜および光学部品 |
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