JPH03102717A - 電流リード用導体の製造方法 - Google Patents
電流リード用導体の製造方法Info
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- JPH03102717A JPH03102717A JP1241148A JP24114889A JPH03102717A JP H03102717 A JPH03102717 A JP H03102717A JP 1241148 A JP1241148 A JP 1241148A JP 24114889 A JP24114889 A JP 24114889A JP H03102717 A JPH03102717 A JP H03102717A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、雷流供給源から液体Ｈ ｅ等で冷却された超
電導マグネント等の超電導素子へ・電流を供給する為に
用いられる電流リード用導体の製造方法に関する。
電導マグネント等の超電導素子へ・電流を供給する為に
用いられる電流リード用導体の製造方法に関する。
超電導マグネノトを用いた低温機器としてＳＭＥＳ発電
機、ＭＨＤ発主機、該融合炉、｛．２生気浮上列車、医
療用ＭＲ Ｉ、加速器用マグネノト等が開発され一部で
実用化されている． ところで上記のような低温機器への電流の供給は、外部
電源から電流リード用導体を介してなされており、上記
電流リード用導体にはＣｕ，ＣｕＡｇ，Ｃｕ−Ｐ等の金
属材料が用いられている。
機、ＭＨＤ発主機、該融合炉、｛．２生気浮上列車、医
療用ＭＲ Ｉ、加速器用マグネノト等が開発され一部で
実用化されている． ところで上記のような低温機器への電流の供給は、外部
電源から電流リード用導体を介してなされており、上記
電流リード用導体にはＣｕ，ＣｕＡｇ，Ｃｕ−Ｐ等の金
属材料が用いられている。
しかしながら上記金属材料製導体は、大篭流通電に伴う
ジュール発熱や外部からの熱流入が多く、冷媒が大鼠に
革発してしま゜うという問題があった。
ジュール発熱や外部からの熱流入が多く、冷媒が大鼠に
革発してしま゜うという問題があった。
このようなことから電流リード用導体として、液体Ｈｅ
温度（４．２ Ｋ）に冷却することにより抵抗が０にな
りジュール熱．を生しないＮｂ−ＴｉやＮ ｂ．Ｓ ｎ
等の金属又は金属間化合物超電導体を用いることが提案
されたが、これらの超電導々体は液体Ｈ ｅ温度に冷却
される低／！！機器．近傍以外には用いることができず
、その効果を十分発現できなかった。
温度（４．２ Ｋ）に冷却することにより抵抗が０にな
りジュール熱．を生しないＮｂ−ＴｉやＮ ｂ．Ｓ ｎ
等の金属又は金属間化合物超電導体を用いることが提案
されたが、これらの超電導々体は液体Ｈ ｅ温度に冷却
される低／！！機器．近傍以外には用いることができず
、その効果を十分発現できなかった。
最近になって、岐体Ｎｚ／！１度で超主導となる臨界温
度（Ｔ，）が８０〜ｌ２５Ｋと高いＹＢａｚＣｕ．３０
ｖ ，Ｂ ｉｚＳ ｒ．Ｃａ Ｃｕｚ○８、ＢｉＳｒｚ
ＣａｚＣｕｚＯ＋ａ、Ｔｌ２ＢａｚＣａＣｕｚＯｓ 、
ＴＩ！．ＪａｚＣａｚＣｕ３０＋ｏ等のセラミノクス超
電導体が見出された。
度（Ｔ，）が８０〜ｌ２５Ｋと高いＹＢａｚＣｕ．３０
ｖ ，Ｂ ｉｚＳ ｒ．Ｃａ Ｃｕｚ○８、ＢｉＳｒｚ
ＣａｚＣｕｚＯ＋ａ、Ｔｌ２ＢａｚＣａＣｕｚＯｓ 、
ＴＩ！．ＪａｚＣａｚＣｕ３０＋ｏ等のセラミノクス超
電導体が見出された。
これらのセラξツクス超電導体はＴ，が高い為これを電
流リード用導体に用いた場合低温機器側からの液体Ｈ
ｅの冷却効果を十分に活用でき、又セラも冫クス超電導
体は、Ｃｕ等の金属材料と異なり熱伝導性が低いので外
部からの熱流入が少ない等のメリノトがあり、電流リー
ド用導体として実用化が期待されていた。
流リード用導体に用いた場合低温機器側からの液体Ｈ
ｅの冷却効果を十分に活用でき、又セラも冫クス超電導
体は、Ｃｕ等の金属材料と異なり熱伝導性が低いので外
部からの熱流入が少ない等のメリノトがあり、電流リー
ド用導体として実用化が期待されていた。
しかしながら上記セラミックス超電導体は脆い為、これ
を所望形状に加工するには、例えばセラミノクス超電導
粉体をＡｇやＡｕ等の金属製チューブに充填し、これに
押出、プレス、ロール圧延、引抜き、スエージング等の
伸延加工を施すことによりなされているが、上記セラミ
ックス超電導体は硬質の為これを充填する金属製チュー
ブには、材料に加工性のよい純度の高い金属材料を断Ｆ
Ｍ積比率で３０〜５０％以上の肉厚にして用いており、
従って上記金属製チューブが伸延加工されてなる電流リ
ード用導体の被覆金属層からは多鼠の熱が低温ＷＩ器へ
流入し、その結果冷媒の液体Ｈ ｅが大贋に消失して経
済性を損なうという問題があった。
を所望形状に加工するには、例えばセラミノクス超電導
粉体をＡｇやＡｕ等の金属製チューブに充填し、これに
押出、プレス、ロール圧延、引抜き、スエージング等の
伸延加工を施すことによりなされているが、上記セラミ
ックス超電導体は硬質の為これを充填する金属製チュー
ブには、材料に加工性のよい純度の高い金属材料を断Ｆ
Ｍ積比率で３０〜５０％以上の肉厚にして用いており、
従って上記金属製チューブが伸延加工されてなる電流リ
ード用導体の被覆金属層からは多鼠の熱が低温ＷＩ器へ
流入し、その結果冷媒の液体Ｈ ｅが大贋に消失して経
済性を損なうという問題があった。
本発明はかかる状況に鑑み鋭意研究を行った結果なされ
たもので、その目的とするところは、ジュール発熱がな
く且つ外部からの熱流入を抑制し得る電流リード用導体
の製造方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、ジュール発熱がな
く且つ外部からの熱流入を抑制し得る電流リード用導体
の製造方法を提供することにある。
即ち本発明は、表面の少なくとも一部を１１金属層で被
覆したセラミックス超電導体又はその＋’＋ｉＴ駆物質
の成形体を所定温度にて加熱焼結してセラミックス超電
導々体となし、しかるのち該セラミノクス超電導々体の
前記貴金属層に合金化処理を施して該貴金属層の熱伝導
性を低下させることを特徴とするものである。
覆したセラミックス超電導体又はその＋’＋ｉＴ駆物質
の成形体を所定温度にて加熱焼結してセラミックス超電
導々体となし、しかるのち該セラミノクス超電導々体の
前記貴金属層に合金化処理を施して該貴金属層の熱伝導
性を低下させることを特徴とするものである。
本発明方法においてセラミックス超電導体とは前述のＹ
ＢａｔＣｕｚＯｑ等のＴ，が液体Ｎ２温度（７７Ｋ）以
上のセラミックス超電導体であり、その前駆物質とはセ
ラミノクス超電導体となし得る原料物質からセラミノク
ス超電導体に合威されるまでの中間体、例えばセラミッ
クス超電導体構成元素の混合体又は共沈混合物又は酸素
欠損型複合酸化物又は上記構威元素の合金等が使用可能
でこれらの前駆物質は酸素含有雰囲気中で加熱処理する
ことによりセラミノクス超電導体に反応するものである
。
ＢａｔＣｕｚＯｑ等のＴ，が液体Ｎ２温度（７７Ｋ）以
上のセラミックス超電導体であり、その前駆物質とはセ
ラミノクス超電導体となし得る原料物質からセラミノク
ス超電導体に合威されるまでの中間体、例えばセラミッ
クス超電導体構成元素の混合体又は共沈混合物又は酸素
欠損型複合酸化物又は上記構威元素の合金等が使用可能
でこれらの前駆物質は酸素含有雰囲気中で加熱処理する
ことによりセラミノクス超電導体に反応するものである
。
又上記セラξノクス超電導体又はその１１１１駆物質の
成形体は所定温度にて加熱焼粘することにより、１１１
Ｉ者にあっては威形体の焼結、該焼結体への酸素の補給
、結晶構造の調整及び再結晶等がなされ、又後者にあっ
てはこれにセラミックス超電導体への反応が付加されて
、セラξ冫クス超電導ｈ体となるものである。
成形体は所定温度にて加熱焼粘することにより、１１１
Ｉ者にあっては威形体の焼結、該焼結体への酸素の補給
、結晶構造の調整及び再結晶等がなされ、又後者にあっ
てはこれにセラミックス超電導体への反応が付加されて
、セラξ冫クス超電導ｈ体となるものである。
以下に本発明方法を図を参照して説明する。
第１．２図にセラコソクス超電導体の表面を金属層で被
覆したセラミノクス超電導成形体の実施例を斜視図をも
って示した。
覆したセラミノクス超電導成形体の実施例を斜視図をも
って示した。
即ち第１図に示した成形体は、丸棒状のセラミノクス超
電導圧紛体Ｌの周囲に青金属層２を被：Ｗしたものであ
る。又第２図に示した成形体は板状のセラミノクス超電
導圧扮体１の上下面に貴金属層２を被覆したもので、セ
ラミックス超電導圧扮体ｌの端部は外方に露出している
． 上記威形体上の貴金属層２には、Ａｇ，Ａｕ、Ｐｄ，Ｐ
ｔ，［ｒ，Ｒｈ等の貴金属を用いるのが超電導体と非反
応性の上、加工性に富み好ましいものである。
電導圧紛体Ｌの周囲に青金属層２を被：Ｗしたものであ
る。又第２図に示した成形体は板状のセラミノクス超電
導圧扮体１の上下面に貴金属層２を被覆したもので、セ
ラミックス超電導圧扮体ｌの端部は外方に露出している
． 上記威形体上の貴金属層２には、Ａｇ，Ａｕ、Ｐｄ，Ｐ
ｔ，［ｒ，Ｒｈ等の貴金属を用いるのが超電導体と非反
応性の上、加工性に富み好ましいものである。
而して上記の如き成形体を所定温度にて加熱焼結してセ
ラミックス超雷導々体に反応せしめたのち、第３図に示
したように上記セラ旦ソクス超電導々体の接続部４を除
く実質長さ部分３の被渭貴金属層２に合金化処理が施さ
れる。
ラミックス超雷導々体に反応せしめたのち、第３図に示
したように上記セラ旦ソクス超電導々体の接続部４を除
く実質長さ部分３の被渭貴金属層２に合金化処理が施さ
れる。
この合金化処理は１ｈ貴金属層上に昇揮金属をメ７’Ｆ
、ＰＶＤ，ＣＶＤ、ペースト状物塗布、半Ｈｌ付け、ク
ランド等の方法により股状に形成し、しかるのちこれを
加熱して上記異種金属を該貴金属層内に拡散させて合金
化するものである。異種金属としてはＺｎ，Ｉ ｎ，Ｃ
ｄ，Ｃｕ．Ｍｇ，Ｂｅ、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ、Ｃｒ，Ｔｉ
ＳＭｎ，Ｚｒ，Ａ１，Ｇａ，ＲＥ （希土類元素）等が
微星で当該貴金属層の熱伝導性を大きく低下させるので
適している。
、ＰＶＤ，ＣＶＤ、ペースト状物塗布、半Ｈｌ付け、ク
ランド等の方法により股状に形成し、しかるのちこれを
加熱して上記異種金属を該貴金属層内に拡散させて合金
化するものである。異種金属としてはＺｎ，Ｉ ｎ，Ｃ
ｄ，Ｃｕ．Ｍｇ，Ｂｅ、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ、Ｃｒ，Ｔｉ
ＳＭｎ，Ｚｒ，Ａ１，Ｇａ，ＲＥ （希土類元素）等が
微星で当該貴金属層の熱伝導性を大きく低下させるので
適している。
合金化処理の方法としては前記方法の他イオン注入法や
金属薄気内に保持して合金化する方法等も有用である。
金属薄気内に保持して合金化する方法等も有用である。
低温機器又は外部電源と接続する端末部は合金化処理を
施さずに、電気抵抗を低いままとしてジュール発熱を抑
えるのが望ましい。
施さずに、電気抵抗を低いままとしてジュール発熱を抑
えるのが望ましい。
更に改良された電流リード用専体は、第４図に示した如
く接続部４を除くセラミックス超電導々体の実質長さ部
分３の貴金属層２を薄肉化するもので、当該部分を薄肉
化することで熱流入量を一層減少させることができる。
く接続部４を除くセラミックス超電導々体の実質長さ部
分３の貴金属層２を薄肉化するもので、当該部分を薄肉
化することで熱流入量を一層減少させることができる。
而して薄肉化は、全長に亘り薄肉化し、あとから端末に
接続部を設ける方法によってもよい。又合金化処理は薄
肉化の前又は後のいずれの工程で行っても差支えない。
接続部を設ける方法によってもよい。又合金化処理は薄
肉化の前又は後のいずれの工程で行っても差支えない。
剃肉化の方法としては、化学エノチング法、機械的ミー
リング法等任意の方法が通用される．以上単芯超電導々
体について説明したが、本発明方法は複数の超電導々体
を埋込んだ多芯超電導々体にも同様に適用することがで
きる。
リング法等任意の方法が通用される．以上単芯超電導々
体について説明したが、本発明方法は複数の超電導々体
を埋込んだ多芯超電導々体にも同様に適用することがで
きる。
本発明方法では、表面の少なくとも一部に貴金属層を被
覆した高Ｔ，のセラミックス超電導々体の前記貴金Ｉｉ
１層に合金化処理を施して電流リード用導体となすので
、得られた電流リード用導体はその使用時において低温
機器側からの冷却効果によってセラミックス超電導々体
のジュール発熱が抑えられ、又前記貴金属層の熱伝導性
が低下して外部からの低温ａ器への熱流入が仰制できる
。
覆した高Ｔ，のセラミックス超電導々体の前記貴金Ｉｉ
１層に合金化処理を施して電流リード用導体となすので
、得られた電流リード用導体はその使用時において低温
機器側からの冷却効果によってセラミックス超電導々体
のジュール発熱が抑えられ、又前記貴金属層の熱伝導性
が低下して外部からの低温ａ器への熱流入が仰制できる
。
なお、貴金属層の合金化処理は、セラミックス超電導々
体の所定の伸延加工を行ったのち施すのでセラミックス
超電導々体の伸延加工性をＩ員なうようなことがない。
体の所定の伸延加工を行ったのち施すのでセラミックス
超電導々体の伸延加工性をＩ員なうようなことがない。
また貴金属層の合金化処理の前又は後工程において該貴
金属層を薄肉化することにより、電流リード用導体から
の熱流入は更に低凍される。
金属層を薄肉化することにより、電流リード用導体から
の熱流入は更に低凍される。
〔実施例Ｊ
以下に本発明を実施例により詳細に説明する．実施例ｌ
Ｂｉ．０＋ 、ＳｒＯ，Ｃａｂ，ＣｕＯの粉末をＢｉ：
Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕが原子比で２＝２：ｌ：２になるよう
に配合して混合し、この混合粉末を大気中にて８００゜
Ｃ３０Ｈ仮焼戒し、この仮焼成体を粉砕分級してＢ ｉ
ｔｓ ｒｚｃａＣｕ．Ｏ、の仮焼威扮未となし、しかる
のちこの仮焼成粉末を外径２６ｍＩＩ１内径１８而のＡ
ｇ製チューブに充填し、次いでこれを溝型ロールにて伸
延加工して４閣φの腺材となし、次いでこの線材を平ロ
ール圧延してＰｌさ０．３ＩＩＩＩＩｌ幅７ｍｍのテー
プ材となした。
Ｓｒ：Ｃａ：Ｃｕが原子比で２＝２：ｌ：２になるよう
に配合して混合し、この混合粉末を大気中にて８００゜
Ｃ３０Ｈ仮焼戒し、この仮焼成体を粉砕分級してＢ ｉ
ｔｓ ｒｚｃａＣｕ．Ｏ、の仮焼威扮未となし、しかる
のちこの仮焼成粉末を外径２６ｍＩＩ１内径１８而のＡ
ｇ製チューブに充填し、次いでこれを溝型ロールにて伸
延加工して４閣φの腺材となし、次いでこの線材を平ロ
ール圧延してＰｌさ０．３ＩＩＩＩＩｌ幅７ｍｍのテー
プ材となした。
而して得たテープ材をＯ！気流中で８６０ ’Ｃ ３０
Ｈ加黙焼枯してＡｇ層を被覆した酸化物超電導々体と
なし、しかるのちこの酸化物超電導々体のＡｇ層にＺｎ
を３−メノキし、次いでこれを４５０’Ｃ２ＨＡｒ気疏
中で加熱処理して電流リート川導体となした。
Ｈ加黙焼枯してＡｇ層を被覆した酸化物超電導々体と
なし、しかるのちこの酸化物超電導々体のＡｇ層にＺｎ
を３−メノキし、次いでこれを４５０’Ｃ２ＨＡｒ気疏
中で加熱処理して電流リート川導体となした。
実胞例２
丈施例ｌにおいて、ＡＨ層へのＺｎのメノキ１・ｔさを
１０μｍとし、加熱処理条件を４５０“Ｃ４＋１とした
他は実施例ｌと同し方法により電流リート用導体を製逍
した。
１０μｍとし、加熱処理条件を４５０“Ｃ４＋１とした
他は実施例ｌと同し方法により電流リート用導体を製逍
した。
実施例３
実施例ｌにおいて、ＡｇＮにＺｎを３ｐｖａメッキした
上に更にＣｄを５ｎメッキし、加蝕処理条件を５００゜
Ｃ２Ｈとした他は実施例ｌと同し力法により電流リード
用導体を製造した。
上に更にＣｄを５ｎメッキし、加蝕処理条件を５００゜
Ｃ２Ｈとした他は実施例ｌと同し力法により電流リード
用導体を製造した。
実施例４
実施例１〜３において、Ａｇ層を被覆した酸化物超電導
々体のＡｇｌ３の表面を稀蛸酸によりエノチングして表
面をｌ５一除去した他は実施例１〜３とそれぞれ同し方
法により電流リート用導体を製造した。
々体のＡｇｌ３の表面を稀蛸酸によりエノチングして表
面をｌ５一除去した他は実施例１〜３とそれぞれ同し方
法により電流リート用導体を製造した。
比較例ｌ
実施例１又は４において、Ａｇ層の合金化処理を施さな
かった他は実施例ｌ又は４と同し方法により電流リート
用導体を製遣した。
かった他は実施例ｌ又は４と同し方法により電流リート
用導体を製遣した。
斯くの如くして得られた各々の電流リード用導体につい
て４．２Ｋ及び７７ＫにおけるＪ，及び金属層の熱伝導
率を／ｌｌ！ｌ定した。結果は主な製逍条件を併記して
第１表に示した。
て４．２Ｋ及び７７ＫにおけるＪ，及び金属層の熱伝導
率を／ｌｌ！ｌ定した。結果は主な製逍条件を併記して
第１表に示した。
第１表より明らかなように本発明方法品（Ｎｏ１〜６）
はセラくノクス超電導々体表面の金属被覆層を合金化し
た為に比較方法品（Ｎｏ？、８）に較べて熱伝導率が著
しく低下した。
はセラくノクス超電導々体表面の金属被覆層を合金化し
た為に比較方法品（Ｎｏ？、８）に較べて熱伝導率が著
しく低下した。
中でもＮｏ４〜６の電流リード用導体は、セラミックス
超電導々体上のＡｇ被覆層表面をエッチングにより除去
して薄肉化し、これを合金化したので合金濃度が高まり
熱伝導率が一層低下し、薄肉化効果と相俟って外部から
の熱流入が大幅に抑制された。
超電導々体上のＡｇ被覆層表面をエッチングにより除去
して薄肉化し、これを合金化したので合金濃度が高まり
熱伝導率が一層低下し、薄肉化効果と相俟って外部から
の熱流入が大幅に抑制された。
本発明方法品（Ｎｏ１〜６）は、セラミックス超電導々
体表面のＡｇ被覆層を合金化した分だけＪＬが比較方法
品（Ｎｏ７．８）より低下したがその差は僅かなもので
あった。
体表面のＡｇ被覆層を合金化した分だけＪＬが比較方法
品（Ｎｏ７．８）より低下したがその差は僅かなもので
あった。
〔効果］
以上述べたように本発明方法によれば、Ｊ，が高い値に
保持され且つク，さ伝導率の低い電流リート用導体が得
られ、この導体を用いると液体ＩＩ ｃ等の冷媒の蒸発
量を低く抑えることが可能であり、工業上顕著な効果を
奏する．
保持され且つク，さ伝導率の低い電流リート用導体が得
られ、この導体を用いると液体ＩＩ ｃ等の冷媒の蒸発
量を低く抑えることが可能であり、工業上顕著な効果を
奏する．
第１．２図は、金属層で被覆したセラミックス超電導威
形体の実施例を示すそれぞれ斜視図、第３．４図は前記
或形体の金属層をそのまま又は薄肉化したのち当該金Ｘ
層に合金化処理を施す実施第１図 第２図
形体の実施例を示すそれぞれ斜視図、第３．４図は前記
或形体の金属層をそのまま又は薄肉化したのち当該金Ｘ
層に合金化処理を施す実施第１図 第２図
Claims (1)
- 表面の少なくとも一部を貴金属層で被覆したセラミッ
クス超電導体又はその前駆物質の成形体を所定温度にて
加熱焼結してセラミックス超電導々体となし、しかるの
ち該セラミックス超電導々体の前記貴金属層に合金化処
理を施して該貴金属層の熱伝導性を低下させることを特
徴とする電流リード用導体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241148A JP2670362B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 電流リード用導体の製造方法 |
| US07/562,205 US5296456A (en) | 1989-08-09 | 1990-08-03 | Ceramic superconductor wire and method of manufacturing the same |
| KR1019900012102A KR910005499A (ko) | 1989-08-09 | 1990-08-07 | 세라믹스 초전도도체 및 그 제조방법 |
| EP90115234A EP0412527B1 (en) | 1989-08-09 | 1990-08-08 | Ceramic superconductor wire and method of manufacturing the same |
| DE69026659T DE69026659T2 (de) | 1989-08-09 | 1990-08-08 | Keramischer supraleitender Draht und Verfahren zu dessen Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1241148A JP2670362B2 (ja) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | 電流リード用導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102717A true JPH03102717A (ja) | 1991-04-30 |
| JP2670362B2 JP2670362B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17069981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1241148A Expired - Lifetime JP2670362B2 (ja) | 1989-08-09 | 1989-09-18 | 電流リード用導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2670362B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017500698A (ja) * | 2013-11-27 | 2017-01-05 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 超電導体テープ製造のためのイオン注入 |
-
1989
- 1989-09-18 JP JP1241148A patent/JP2670362B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017500698A (ja) * | 2013-11-27 | 2017-01-05 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 超電導体テープ製造のためのイオン注入 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2670362B2 (ja) | 1997-10-29 |
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