JPH0310066A - 透明導電膜の被覆方法 - Google Patents
透明導電膜の被覆方法Info
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- JPH0310066A JPH0310066A JP14344789A JP14344789A JPH0310066A JP H0310066 A JPH0310066 A JP H0310066A JP 14344789 A JP14344789 A JP 14344789A JP 14344789 A JP14344789 A JP 14344789A JP H0310066 A JPH0310066 A JP H0310066A
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明で低抵抗の錫をドープした酸化インジウ
ム（ＩＴＯ膜）を基板に被覆する方法、とりわけ基板を
高温に加熱することな（透明で低抵抗のＩＴＯ膜を被覆
する方法に関するものである。
ム（ＩＴＯ膜）を基板に被覆する方法、とりわけ基板を
高温に加熱することな（透明で低抵抗のＩＴＯ膜を被覆
する方法に関するものである。
カラー液晶表示装置に用いられる有機樹脂からなるカラ
ーフィルタが配置されたガラス基板や、タッチパネルセ
ンサーに用いられる有機樹脂基板のような熱に弱い基板
にｆＴＯ透明導電膜を被覆する場合、基板を高温に加熱
することなく被覆することが必要である。従来、基板を
高温に加熱することなく透明なＩＴＯ膜を被覆する方法
としては、 八ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ、 ３４． ５１５ （１９７９）に
開示されているように、減圧された酸素を含む雰囲気中
で、酸化錫を含む酸化インジウムをターゲットとして、
前記ターゲットをアルゴンイオンでスパツクするイオン
ビームスパッタリングの方法が知られている。
ーフィルタが配置されたガラス基板や、タッチパネルセ
ンサーに用いられる有機樹脂基板のような熱に弱い基板
にｆＴＯ透明導電膜を被覆する場合、基板を高温に加熱
することなく被覆することが必要である。従来、基板を
高温に加熱することなく透明なＩＴＯ膜を被覆する方法
としては、 八ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ
ｅｔｔｅｒｓ、 ３４． ５１５ （１９７９）に
開示されているように、減圧された酸素を含む雰囲気中
で、酸化錫を含む酸化インジウムをターゲットとして、
前記ターゲットをアルゴンイオンでスパツクするイオン
ビームスパッタリングの方法が知られている。
しかしながら前記開示された方法では、基板をとくに加
熱しない場合、得られるＩＴＯ膜の抵抗率は約６ Ｘ
１０−’Ω１程度である。したがって、たとえば１０Ω
／口の面積抵抗の導電膜を得るためには、６００ｎｍと
いう厚い膜厚が必要で、このため微細電極の加工が容易
にできないという問題がある。したがって、より低い抵
抗率を有するＩＴＯ膜を、基板を高温に加熱することな
く、すなわち前記した有機樹脂が大きく劣化しない、１
６０〜１８０℃以下の低温で被覆することが望まれてい
る。
熱しない場合、得られるＩＴＯ膜の抵抗率は約６ Ｘ
１０−’Ω１程度である。したがって、たとえば１０Ω
／口の面積抵抗の導電膜を得るためには、６００ｎｍと
いう厚い膜厚が必要で、このため微細電極の加工が容易
にできないという問題がある。したがって、より低い抵
抗率を有するＩＴＯ膜を、基板を高温に加熱することな
く、すなわち前記した有機樹脂が大きく劣化しない、１
６０〜１８０℃以下の低温で被覆することが望まれてい
る。
本発明は、上記した問題点を解決するためになされたも
のであって、膜を被覆するときの基板を高温に加熱する
ことなく、より低抵抗率のＩＴＯ透明導電膜を被覆する
方法を提供するものである。
のであって、膜を被覆するときの基板を高温に加熱する
ことなく、より低抵抗率のＩＴＯ透明導電膜を被覆する
方法を提供するものである。
本発明は、減圧され制御された雰囲気中で、イオンビー
ムガンから加速して放出された不活性ガスイオンを、酸
化錫を含む酸化インジウムの焼結体またはインジウム錫
合金からなるターゲットに衝突させ、前記ターゲット物
質をスパッタリングさせることにより基板上に透明な錫
をドープした酸化インジウム導電膜を被覆する方法であ
って、前記ターゲット物質をスパッタリングすると同時
に、第２のイオンビームガンから酸素イオンと不活性ガ
スイオンとの混合ガスイオンを加速して放出させ、前記
イオンを基板に衝突させて堆積する膜の酸化を促進させ
ることを特徴とする錫をドープした酸化インジウム透明
導電膜を被覆する方法である。衝突することによりター
ゲット物質をスパッタするガスイオンとして、スパッタ
用のイオンビームガンに供給されるガスは不活性ガスが
用いられ、通常アルゴンが安価であることから好んで用
いられる。また第２のイオンビームガンから加速して放
出されるガスイオンは、酸素イオンと不活性ガスイオン
の混合ガスイオンを用いることができ、不活性ガスとし
てはアルゴンガスが、前記と同様の理由で好んで用いら
れる。そして第２のイオンビームガンから加速され放出
されるガスイオンは、スパッタされたターゲット物質が
基板上に堆積すると同時に、堆積中の膜表面に衝突させ
られる。前記した第２のイオンビームガンから基板へ飛
来する酸素イオンや不活性ガスイオンの運動エネルギは
、通常数１０ｅＶがら数１００ｅνの範囲内に調整され
る。
ムガンから加速して放出された不活性ガスイオンを、酸
化錫を含む酸化インジウムの焼結体またはインジウム錫
合金からなるターゲットに衝突させ、前記ターゲット物
質をスパッタリングさせることにより基板上に透明な錫
をドープした酸化インジウム導電膜を被覆する方法であ
って、前記ターゲット物質をスパッタリングすると同時
に、第２のイオンビームガンから酸素イオンと不活性ガ
スイオンとの混合ガスイオンを加速して放出させ、前記
イオンを基板に衝突させて堆積する膜の酸化を促進させ
ることを特徴とする錫をドープした酸化インジウム透明
導電膜を被覆する方法である。衝突することによりター
ゲット物質をスパッタするガスイオンとして、スパッタ
用のイオンビームガンに供給されるガスは不活性ガスが
用いられ、通常アルゴンが安価であることから好んで用
いられる。また第２のイオンビームガンから加速して放
出されるガスイオンは、酸素イオンと不活性ガスイオン
の混合ガスイオンを用いることができ、不活性ガスとし
てはアルゴンガスが、前記と同様の理由で好んで用いら
れる。そして第２のイオンビームガンから加速され放出
されるガスイオンは、スパッタされたターゲット物質が
基板上に堆積すると同時に、堆積中の膜表面に衝突させ
られる。前記した第２のイオンビームガンから基板へ飛
来する酸素イオンや不活性ガスイオンの運動エネルギは
、通常数１０ｅＶがら数１００ｅνの範囲内に調整され
る。
本発明にかかる方法の、膜を被覆中の雰囲気の全圧力は
、０．０１３〜０．１３ Ｐａの範囲内に調整すること
が好ましい。全圧力が０．０１３Ｐａより小さいと、タ
ーゲットをスパッタリングする不活性ガスイオンの数が
少なくなるので、スパッタリングの速度が小さくなり、
したがって膜の被覆スピードが低下するので好ましくな
く、０．１３Ｐａより大きくなるとスパッタされたター
ゲット物質が基板に到達するまでに、多くのガス分子と
衝突し散乱されるため、膜の被覆スピードが低下し好ま
しくない。上記した全圧力は、スパッタ用イオンビーム
ガンおよび第２のイオンビームガンから真空槽中に放出
されるガス量および真空槽内のガスの排気スピードによ
り調節することができる。
、０．０１３〜０．１３ Ｐａの範囲内に調整すること
が好ましい。全圧力が０．０１３Ｐａより小さいと、タ
ーゲットをスパッタリングする不活性ガスイオンの数が
少なくなるので、スパッタリングの速度が小さくなり、
したがって膜の被覆スピードが低下するので好ましくな
く、０．１３Ｐａより大きくなるとスパッタされたター
ゲット物質が基板に到達するまでに、多くのガス分子と
衝突し散乱されるため、膜の被覆スピードが低下し好ま
しくない。上記した全圧力は、スパッタ用イオンビーム
ガンおよび第２のイオンビームガンから真空槽中に放出
されるガス量および真空槽内のガスの排気スピードによ
り調節することができる。
本発明に用いられるターゲット物質としては、酸化錫を
含む酸化インジウムの粉末を焼結した焼結体を用いても
、インジウム錫合金を用いてもよい、酸化錫を含む酸化
インジウムの焼結体は、酸化錫の含有量は５〜１５重量
％の範囲内であることが、得られる膜の抵抗率を小さく
する上で好ましい。またインジウム錫合金の組成は得ら
れる膜の抵抗率を小さくする上で錫の含有量を５〜１５
重量％の範囲内にすることが好ましい。
含む酸化インジウムの粉末を焼結した焼結体を用いても
、インジウム錫合金を用いてもよい、酸化錫を含む酸化
インジウムの焼結体は、酸化錫の含有量は５〜１５重量
％の範囲内であることが、得られる膜の抵抗率を小さく
する上で好ましい。またインジウム錫合金の組成は得ら
れる膜の抵抗率を小さくする上で錫の含有量を５〜１５
重量％の範囲内にすることが好ましい。
第２のイオンビームガンから真空槽中に放出される酸素
と不活性ガスとからなるガスの組成は、得られる膜の抵
抗率が小さくなるように定められる。前記した酸化物の
焼結体をターゲットとする場合は、第２のイオンビーム
ガンに供給するガスの組成として、酸素は０．５〜２０
体積％であることが好ましく、前記インジウム錫合金を
ターゲットとする場合は、第２のイオンビームガンに供
給するガスの組成として、酸素は１５〜５０体積％が好
ましい。
と不活性ガスとからなるガスの組成は、得られる膜の抵
抗率が小さくなるように定められる。前記した酸化物の
焼結体をターゲットとする場合は、第２のイオンビーム
ガンに供給するガスの組成として、酸素は０．５〜２０
体積％であることが好ましく、前記インジウム錫合金を
ターゲットとする場合は、第２のイオンビームガンに供
給するガスの組成として、酸素は１５〜５０体積％が好
ましい。
膜を基板上に被覆すると同時に、膜表面に運動エネルギ
をもって衝突する酸素イオンは、化学的に活性であるた
め、膜を酸化させ、透−明化する。
をもって衝突する酸素イオンは、化学的に活性であるた
め、膜を酸化させ、透−明化する。
さらに、堆積中の膜に運動エネルギをもって衝突するの
で、膜物質の基板表面での微視的な移動を生じさせ、膜
の結晶性を向上させ、電気伝導率を向上させる。また酸
素イオンと同時に第２のイオンビームガンから堆積中の
膜表面に運動エネルギをもって衝突する不活性ガスのイ
オンは、基板表面をわずかにエツチングすることにより
表面を清浄にし、導電膜の基板への密着性を向上させる
とともに、膜中に不純物が混入するのを防止する。
で、膜物質の基板表面での微視的な移動を生じさせ、膜
の結晶性を向上させ、電気伝導率を向上させる。また酸
素イオンと同時に第２のイオンビームガンから堆積中の
膜表面に運動エネルギをもって衝突する不活性ガスのイ
オンは、基板表面をわずかにエツチングすることにより
表面を清浄にし、導電膜の基板への密着性を向上させる
とともに、膜中に不純物が混入するのを防止する。
本発明を以下に実施例に基づいて説明する。
第１図は、本発明を実施するための真空成膜装置の概略
図であり、第１図において、一体のアースされた真空槽
ｌは、真空ポンプ（図示せず）により排気されている。
図であり、第１図において、一体のアースされた真空槽
ｌは、真空ポンプ（図示せず）により排気されている。
この真空槽ｌの中央下部にはカソード３が台２の上に、
ある角度を持って配置され、このカソード３の上面にタ
ーゲット４がボンディングされている。カソード３は、
アース電位に接続されている。カソード３に対向する位
置にはスパッタ用のイオンビームガン５が設けられ、こ
のイオンビームガン５はスイッチ６を介してスパッタ用
イオンビームガン用の電源７に接続されている。イオン
ビームガン５にはバルブ８を備えたガス供給管９が設け
られ、この供給管を通じて組成が制御された混合ガスが
供給できるようになっている。真空槽１の下部には第２
のイオンビームガンｌＯが設けられ、スイッチ１１を介
して第２のイオンビームガン用電源１２に接続されてい
る。
ある角度を持って配置され、このカソード３の上面にタ
ーゲット４がボンディングされている。カソード３は、
アース電位に接続されている。カソード３に対向する位
置にはスパッタ用のイオンビームガン５が設けられ、こ
のイオンビームガン５はスイッチ６を介してスパッタ用
イオンビームガン用の電源７に接続されている。イオン
ビームガン５にはバルブ８を備えたガス供給管９が設け
られ、この供給管を通じて組成が制御された混合ガスが
供給できるようになっている。真空槽１の下部には第２
のイオンビームガンｌＯが設けられ、スイッチ１１を介
して第２のイオンビームガン用電源１２に接続されてい
る。
第２のイオンビームガン１０にはバルブ１３を備えたガ
ス供給管１４が設けられ、この供給管を通じて組成が制
御された混合ガスが供給できるようになっている。真空
槽１の上部には基板テーブル１５が設けられ、中心軸１
６の廻りを回転するようになっている。基板テーブル１
５の上部にはヒーター１７が設けられ、必要により基板
２２を加熱できるようになっている。イオンビームガン
５．１０の前にはそれぞれ開閉可能なシャッター１８．
１９が設けられている。
ス供給管１４が設けられ、この供給管を通じて組成が制
御された混合ガスが供給できるようになっている。真空
槽１の上部には基板テーブル１５が設けられ、中心軸１
６の廻りを回転するようになっている。基板テーブル１
５の上部にはヒーター１７が設けられ、必要により基板
２２を加熱できるようになっている。イオンビームガン
５．１０の前にはそれぞれ開閉可能なシャッター１８．
１９が設けられている。
実施例１
基板テーブル１５に厚さ１ｆｌのガラス板上に赤、青、
緑のモザイク状のカラフィルタが設けられた基板をセッ
トした。
緑のモザイク状のカラフィルタが設けられた基板をセッ
トした。
カソード３に酸化錫１０重量％酸化インジウム９０重量
％の焼結体ターゲット４を取り付け、真空槽１内を６．
７ Ｘ １０−’Ｐａ以下の圧力に排気した後、バルブ
８を開にしてＡｒガスを導入し、真空槽ｌ内の圧力を２
Ｘ ｌ Ｏ−”Ｐａに調節した。さらに、ガス供給管
１４のバルブ１３を開け、アルゴンと酸素の混合ガスを
導入し、真空槽ｌ内の圧力を３．３ Ｘ ｌ Ｏ−”Ｐ
ａになるように調節した。ヒーター２１を用いて、基板
温度が１８０℃になるように調節し、基板テーブル１５
を回転させた。シャッター１８．１９を閉じておき、電
源７，１２がらスイッチ６．１１を閉じてイオンビーム
ガン５゜ＩＯを作動させた。スイッチ６を閉にしてスパ
ッタ用イオンビームガン用内でアルゴンイオンを生成し
、ターゲット４に、このイオンを加速して照射しターゲ
ットをスパッタした。さらに、スイッチ１１を閉にして
、第２のイオンビームガン内に生じたイオンを真空槽内
へ放出させた。しかるにシャッタ１８．１９を開いて、
所定時間スパッタをおこない、約２００ｎｍの錫をドー
プした酸化インジウム膜を基板上に被覆した。第２のイ
オンビームガンのガス組成およびイオンの加速電圧を変
えてサンプル１〜４を得た。得られた膜の面積抵抗と膜
厚から膜の抵抗率を測定して、その値を第１表に示した
。サンプル１〜４とも透明で、抵抗率は３Ｘ１０−’Ω
口以下であった。
％の焼結体ターゲット４を取り付け、真空槽１内を６．
７ Ｘ １０−’Ｐａ以下の圧力に排気した後、バルブ
８を開にしてＡｒガスを導入し、真空槽ｌ内の圧力を２
Ｘ ｌ Ｏ−”Ｐａに調節した。さらに、ガス供給管
１４のバルブ１３を開け、アルゴンと酸素の混合ガスを
導入し、真空槽ｌ内の圧力を３．３ Ｘ ｌ Ｏ−”Ｐ
ａになるように調節した。ヒーター２１を用いて、基板
温度が１８０℃になるように調節し、基板テーブル１５
を回転させた。シャッター１８．１９を閉じておき、電
源７，１２がらスイッチ６．１１を閉じてイオンビーム
ガン５゜ＩＯを作動させた。スイッチ６を閉にしてスパ
ッタ用イオンビームガン用内でアルゴンイオンを生成し
、ターゲット４に、このイオンを加速して照射しターゲ
ットをスパッタした。さらに、スイッチ１１を閉にして
、第２のイオンビームガン内に生じたイオンを真空槽内
へ放出させた。しかるにシャッタ１８．１９を開いて、
所定時間スパッタをおこない、約２００ｎｍの錫をドー
プした酸化インジウム膜を基板上に被覆した。第２のイ
オンビームガンのガス組成およびイオンの加速電圧を変
えてサンプル１〜４を得た。得られた膜の面積抵抗と膜
厚から膜の抵抗率を測定して、その値を第１表に示した
。サンプル１〜４とも透明で、抵抗率は３Ｘ１０−’Ω
口以下であった。
実施例２
実施例１に用いた装置のカソード３に錫１０重量％イン
ジウム９０重量％のターゲットを取りつけ、実施例１と
同じ手順で２００ｎｍの膜厚の錫をドープした酸化イン
ジウムの膜を被覆した。第２のイオンビームガンのガス
組成およびイオンの加速を変えて、サンプル５〜７を得
た。得られた膜の面積抵抗と膜厚から、膜の抵抗率を測
定して、その値を第１表に示した。サンプル５〜７とも
透明な膜であり、抵抗率は３Ｘ１０”’Ω■以下であっ
た。
ジウム９０重量％のターゲットを取りつけ、実施例１と
同じ手順で２００ｎｍの膜厚の錫をドープした酸化イン
ジウムの膜を被覆した。第２のイオンビームガンのガス
組成およびイオンの加速を変えて、サンプル５〜７を得
た。得られた膜の面積抵抗と膜厚から、膜の抵抗率を測
定して、その値を第１表に示した。サンプル５〜７とも
透明な膜であり、抵抗率は３Ｘ１０”’Ω■以下であっ
た。
比較例１
実施例１とは、バルブ１３を閉にし、スイッチ１１を開
にして第２のイオンビームガンを作動させずに、雰囲気
ガスの圧力を調整するために、酸素２％アルゴン９８％
の混合ガスをバルブ２０を開にして、ガス導入管２１か
ら真空槽１内に導入し、圧力を０．０３３Ｐａとした以
外は同じ手順により、比較サンプルｌを得た。膜の抵抗
率は４．０×２０−’ΩｃＩｇで本発明にかかる実施例
のサンプル１〜７の１．４〜１．７倍で、膜は褐色の吸
収色を呈していた。
にして第２のイオンビームガンを作動させずに、雰囲気
ガスの圧力を調整するために、酸素２％アルゴン９８％
の混合ガスをバルブ２０を開にして、ガス導入管２１か
ら真空槽１内に導入し、圧力を０．０３３Ｐａとした以
外は同じ手順により、比較サンプルｌを得た。膜の抵抗
率は４．０×２０−’ΩｃＩｇで本発明にかかる実施例
のサンプル１〜７の１．４〜１．７倍で、膜は褐色の吸
収色を呈していた。
比較例２
実施例２とは、バルブ１３を閉にし、スイッチ１１を開
にして第２のイオンビームガンを作動させずに、雰囲気
ガスの圧力を調整するために、酸素１０％アルゴン９０
％の混合ガスをバルブ２゜を開にして、ガス導入管２１
から真空槽１内に導入し、圧力を０．０３３Ｐａとした
以外は同じ手順により、比較サンプル２を得た。膜の抵
抗率は５．０ＸＩＯ−’Ω１で本発明にかかる実施例の
サンプル１〜７の１．８〜２．３倍で、膜は褐色の吸収
色を呈していた。
にして第２のイオンビームガンを作動させずに、雰囲気
ガスの圧力を調整するために、酸素１０％アルゴン９０
％の混合ガスをバルブ２゜を開にして、ガス導入管２１
から真空槽１内に導入し、圧力を０．０３３Ｐａとした
以外は同じ手順により、比較サンプル２を得た。膜の抵
抗率は５．０ＸＩＯ−’Ω１で本発明にかかる実施例の
サンプル１〜７の１．８〜２．３倍で、膜は褐色の吸収
色を呈していた。
本発明によれば、膜を被覆するときの基板の温度を高温
に加熱することなく、透明で低い抵抗率の錫ドープ酸化
インジウム導電膜を被覆することができる。したがって
熱的に不安定な有機樹脂基板上や、ガラス板の上に設け
られた有機質からなるカラーフィルタの上に、これらの
物質を劣化させることなく、低抵抗で透明な導電膜を被
覆することができる。
に加熱することなく、透明で低い抵抗率の錫ドープ酸化
インジウム導電膜を被覆することができる。したがって
熱的に不安定な有機樹脂基板上や、ガラス板の上に設け
られた有機質からなるカラーフィルタの上に、これらの
物質を劣化させることなく、低抵抗で透明な導電膜を被
覆することができる。
第１図は、本発明の実施に用いたイオンビームスパッタ
リング装置の概略断面図である。 １・・・真空槽、３・・・六−−７≠≠←デラ４カソー
ド、４・・・ターゲット、５・・・スパッタ用イオンビ
ームガン、９・・・ガス供給管、１０・・・第２のイオ
ンビームガン、１４・・・ガス供給管、１５・・・基板
テーブル、１７・・・ヒーター ２１・・・ガス導入管
、２２・・・基板。
リング装置の概略断面図である。 １・・・真空槽、３・・・六−−７≠≠←デラ４カソー
ド、４・・・ターゲット、５・・・スパッタ用イオンビ
ームガン、９・・・ガス供給管、１０・・・第２のイオ
ンビームガン、１４・・・ガス供給管、１５・・・基板
テーブル、１７・・・ヒーター ２１・・・ガス導入管
、２２・・・基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）減圧された雰囲気中で、イオンビームガンから放出
された不活性ガスイオンを酸化錫を含む酸化インジウム
焼結体またはインジウム錫合金からなるターゲットに衝
突させて前記ターゲット物質をスパッタリングさせ、基
板上に透明な錫をドープした酸化インジウム導電膜を被
覆する方法において、前記ターゲット物質をスパツタリ
ングすると同時に、第２のイオンビームガンから酸素と
不活性ガスの混合ガスのイオンを加速して放出させ、前
記イオンを基板上に堆積しつつある膜に衝突させる、錫
をドープした酸化インジウム透明導電膜の被覆方法。 ２）前記減圧された雰囲気の、膜を被覆するときの全圧
力が０．０１３〜０．１３Ｐａの範囲である特許請求範
囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14344789A JPH0310066A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 透明導電膜の被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14344789A JPH0310066A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 透明導電膜の被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0310066A true JPH0310066A (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=15338913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14344789A Pending JPH0310066A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | 透明導電膜の被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0310066A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292802A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | G T C:Kk | Ｉｔｏ透明導電膜の形成方法 |
| JPH05171437A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-09 | G T C:Kk | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH0667186A (ja) * | 1991-06-21 | 1994-03-11 | Toyo Kohan Co Ltd | カラー液晶表示用基板 |
| JPH0681754A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-03-22 | Unisia Jecs Corp | 燃料噴射弁 |
| JPH06139843A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-20 | Sharp Corp | 透明導電膜の形成方法 |
| CN112593189A (zh) * | 2019-10-02 | 2021-04-02 | 三星电子株式会社 | 离子束沉积装置以及具有其的沉积系统 |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP14344789A patent/JPH0310066A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04292802A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-16 | G T C:Kk | Ｉｔｏ透明導電膜の形成方法 |
| JPH0667186A (ja) * | 1991-06-21 | 1994-03-11 | Toyo Kohan Co Ltd | カラー液晶表示用基板 |
| JPH05171437A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-09 | G T C:Kk | 透明導電膜の形成方法 |
| JPH0681754A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-03-22 | Unisia Jecs Corp | 燃料噴射弁 |
| US5499769A (en) * | 1992-07-16 | 1996-03-19 | Unisia Jecs Corporation | Fuel injection valve including air promoting atomization |
| JPH06139843A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-20 | Sharp Corp | 透明導電膜の形成方法 |
| CN112593189A (zh) * | 2019-10-02 | 2021-04-02 | 三星电子株式会社 | 离子束沉积装置以及具有其的沉积系统 |
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