JPH0299548A - 塩素化ポリエチレンの架橋方法 - Google Patents

塩素化ポリエチレンの架橋方法

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JPH0299548A
JPH0299548A JP25140988A JP25140988A JPH0299548A JP H0299548 A JPH0299548 A JP H0299548A JP 25140988 A JP25140988 A JP 25140988A JP 25140988 A JP25140988 A JP 25140988A JP H0299548 A JPH0299548 A JP H0299548A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、塩素化Aでリエチレンをすぐれた成形性を保
持しつつ高い架橋度で架橋することのできる架橋方法に
関するものである。
[従来の技術1 塩素化ポリエチレンは、分子内に硫黄を含有するクロロ
スルホン化ポリエチレンと相違して反応性があまり高く
ない、そのような塩素化ポリエチレンを架橋するには、
従来一般に有機過酸化物との加熱によって架橋させる方
法がとられてきたが架橋度の高いものを得ることは困難
であった。
そこで、これを改善するものとしてシラノール縮合反応
を利用した架橋方法か提案された。(例えば特公昭50
−35540号公報) この方法は、塩素化ポリエチレンをシランと遊離ラジカ
ル発生化合物の存在下で140℃以上の温度で反応させ
、ついでその反応生成物をシラノール縮合触媒の存在に
おいて水分にさらし、縮合反応に基く架橋を行なわせる
ものである。この際、塩素化ポリエチレンの劣化を防止
するための安定剤なども使用されている。
[発明が解決しようとする課題] 上記方法によりある程度架橋度は改善されるが、実用上
なおつぎのような問題点がある。
第1に、上記方法は、塩素化ポリエチレンとシランとを
遊離ラジカル発生化合物の存在下で反応させ、シラング
ラフト塩素化ポリエチレンを得、ついでそれを所定の形
状例えば電線被覆として成形し、その後水分の存在下で
縮合反応を促進させるものであるが、上記シラングラフ
ト塩素化ポリエチレンを前記電線被覆に成形することが
非常に困難な場合が多いのである。
第2に、上記成形したシラングラフト塩素化ポリエチレ
ンをシラノール縮合触媒の存在下でいわゆる水架橋させ
ても、必ずしも望むような高架橋度の製品を得ることは
できないのである。
本発明の目的は、上記したような従来技術の問題点を解
消し、加工性にすぐれL2かも高架橋度を有するシラン
架橋塩素化ポリエチレンの架橋方法を提供しようとする
ものである。
[課題を解決するための手段] 本発明は、塩素化ポリエチレンにシランをグラフトさせ
る際に、従来の遊離ラジカル発生化合物のほかに、鉛化
合物とエポキシ化合物を重量比で1/10〜10/10
の範囲となるようにし、この固化合物の合計を塩素化ポ
リエチレン100重量部に対し2〜50重量部となるよ
うに併用し共存させるものである。
本発明の工程を大別すると、混練工程、シラングラフト
工程、成形工程(例えば電線被覆工程)そして水キュア
工程の4工程となるが、本発明によれば、すべての塩素
化ポリエチレンの架橋が可能となる。
ポリエチレンは低密度から高密度のものまで対象とする
ことができ、塩素含有量は2重量%から50重量%まで
含有せしめることができるが、望ましい範囲は約40重
量%以上塩素を含有する自己消火性の塩素化ポリエチレ
ンである。
本発明の方法に使用されるシランの一般式においてRは
炭素および水素と随意には酸素とより成る1価のオレフ
ィン性不飽和ラジカルを表わす。
このようなラジカルの例はビニル、アリル、ブテニル−
シクロへキセニル、シクロペンタジェニル、シクロへキ
サジェニル、 CH2=C(CH3) Coo (CH2) s −C
H2=C<CH3) COOCH2CH20(CH2)
 3−および H CH2=C<CH3)COOCH2CH20CH2CH
CH20(CH2)3−であり、ビニルラジカルが好ま
しい、y置換基は6個以下の炭素原子を有するアルコキ
シまたはアルコキシアルコキシラジカル、例えばメトキ
シ、エトキシおよびブトキシラジカルと6個以下の炭素
原子を有するアシロキシラジカル、例えばホルミロキシ
、アセトキシまたはプロピオツキジラジカルと14個思
量の炭素原子を有するオキシムラジカル、例えば−0N
=C(CH3)2−−ON=CCH2C2H5および 一0N=C(Co H5)2とより選択される6R−基
は脂肪族性不飽和のない1価の炭化水素基、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、テトラデシル、オクタデシル、
フェニル、ベンジルまたはトリルを表わすことができる
。R−基はまたR基またはy基で表わすこともできる。
好ましくは上記シランは式R31y3を有し、かつ3個
の加水分解しつる有機基を含有するものであり、最も好
ましいシランはビニルトリエトキシシランおよびビニル
トリメトキシシランである。しかし、加水分解しうる基
を2個しか有しないシラン、例えばビニルメチルジェト
キシシランおよびビニルフエニルジメトキシシランもま
た効果的である。
使用されるシランの割合は1部は反応条件に依存し、そ
して1部は塩素化ポリエチレンにおいて所望される変成
の程度に依存する。実際の割合は、例えば塩素化ポリエ
チレン、または塩素化ポリエチレンおよび非塩素化ポリ
エチレン(後者が存在する時)の両方の重量に対して0
.1ないし20重量%のように広く変動することができ
る。しかし、一般には塩素化ポリエチレンの重量に対し
て0.5ないし5重量%を使用することが好ましい。
″Elfラジカルを発生する化合物としては、上記反応
条件において塩素化ポリエチレン中に遊離ラジカル部位
を生じさせることができ、かつ上記反応温度において6
分以下、好ましくは1分以下の半減IIを有する任意の
化合物を使用することができる。
本発明に使用するための最もよく知られ、かつ好ましい
ラジカル発生化合物は有機ペルオキシドおよびベルエス
テル、例えばベンゾイルペルオキシド、ジクロルベンゾ
イルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ジー第3ブ
チルペルオキシド、2・5−ジメチル−2・5−ジ(ペ
ルオキシベンゾエート)ヘキシン−3:1・3−ビス(
1−ブチルペルオキシイソプロピル)ベンゼン、ラウロ
イルペルオキシド、第3ブチルベルアセテ−1〜、2・
5−ジメチル−2・5−ジ(t〜ブチルペルオキシ)ヘ
キシン−3:2・5−ジメチル2・5−ジ(t−ブチル
ペルオキシ)ヘキサンおよび第3ブチルベルベンゾエー
ト、とアゾ化合物例えばアゾビス−イソブチロニトリル
およびジメチルアゾジイソブチレートであり、ジクミル
ペルオキシドが最も好ましい。
すべての場合において選択されるそれぞれの遊離ラジカ
ル発生化合物はポリエチレンとシランとの反応が行なわ
れるべき温度に依存する。従って、もし塩素化ポリエチ
レンとシランとの反応が例えば160ないし180℃の
温度で行なわれるべきであるならば、これらの温度にお
いて適当な半減期を有するベンゾイルペルオキシドまた
はジクミルペルオキシドを使用することができる。
ラジカル発生剤は0.01phrから1.5Dirの範
囲で用いる。鉛化合物としては酸化鉛塩基性亜すン酸釦
、三塩基性硫酸鉛、塩基性亜硫酸鉛オルトケイ酸鉛、二
塩基性フタル酸鉛などかあけられる。注意すべきことは
、前記特公昭50−35540で述べている塩化ビニル
用安定剤としての有機酸鉛であり、例えばステアリン酸
鉛などは好ましくない。
エポキシ化合物としてはエポキシ化大豆油、エポキシ化
アマニ油、ビスフェノールAジグリシジルエーテルなど
の液状エポキシ化合物をあげることができる。
鉛化合物/エポキシ化合物の比は重量で1/10〜10
/10の範囲で用いる必要がある。
1/10以下では高架橋度を得るのに不利となり、10
/10以上では加工性が悪化する。鉛化合物とエポキシ
化合物とは併用する必要があり、両者を合わせて塩素化
ポリエチレン100重量部に対し2〜50重量部の範囲
で用いる。2ffl量部以下では加工性と高架橋性が損
なわれる。50重量部以上でも高架橋性と加工性が損な
われてしまうのである。
[実施例] 以下に、本発明について実施例をもって説明する。
実施例1 塩素化ポリエチレン(原料ポリエチレン分子量5〜6万
、塩素−jf40%、結晶量20%)100重量部にビ
スフェノールAジグリシジルエーテルを5重量部と三塩
基性硫酸釦IIIu置部を100’Cの6インチテスト
ロールで混練して均一なコンパウンドを得な9次にコン
パウンドをベレット状に粉砕した。このペレットにビニ
ルトリメトキシラン4重量部にジクミルパーオキサイド
0.5重量部を溶解した溶液をまぶして均一に混合した
。次いで40叩押出機(L/1)=20、スクリュ回転
数40ryp、i)を用い170℃でグラフト反応を行
なわせシラングラフト塩素化ポリエチレンを得た。
E記で得たシランクラフト塩素化ポリエチレンの一部を
130°C5分、100kf/′■2の圧力でプレス成
形し1.0關厚シートとし、これを第1の架橋度の測定
試料とした。このシートに触媒ジブチルスズジラウレー
トをうずく塗布した後、飽和水蒸気中100℃で20時
時間前ュアを行なった。水キュア後のシートをさらに8
0℃で2時間乾燥し、第2の架橋度の測定試料とした。
シラングラフ1〜塩素化ポリエチレンの一部は40關押
出機を用い150℃で2關2のスズメツキ銅線上に0.
8natn厚で被覆押出を行ない、外観を観察した。
なお、架橋度は110℃のキシレンで24時間抽出を行
ない、試料のゲル分率により判定した。
測定評価結果を第1表に示した。グラフト後のゲル分率
はゼロである。このなめ、電線押出外観も優れているも
のと考えられる。水キュア後のゲル分率は78%と極め
て高架橋度であり、特公昭50−35540ではゲル分
率50〜66%であることと対比すると、従来得られな
い値を実現することが可能となった。
実施例2〜6 実施例1と同様にしてシート試料及び電線を作製した。
三塩基性硫酸釦とビスフェノールAジグリシジルエーテ
ルを第1表に示す比及び量を用いた。第1表よりわかる
ようにいずれもグラフト後ゲル分率は非常に少なく、電
線押出外観も良好である。水キュア後のゲル分率は実に
85%という高い値を達成しな。
実施例7〜9 三塩基性硫酸船のかわりに二塩基性フタル酸釦を、エポ
キシ化合物としてエポキシ化大豆油を用いた以外は実施
例1と同様にして第1表実施例7に示す比率と量により
シート及び電線を作製しな。
また、鉛化合物として塩基性亜硫酸鉛、エポキシ化合物
としてエポキシ化アマニ油を第1表実施例8に示す組成
で用い実施例1と同様にしてシート及び電線を作製した
さらに、鉛化合物として三塩基性亜硫酸釦、エポキシ化
合物としてビスフェノールAジグリシジルエーテルを第
1表実施例9に示す組成で用い、実施例1と同様にして
シート及び電線を作製しな。
第1表よりわかるように、実施例7,8.9いずれもグ
ラフト後のゲル分率が少なく、押出外観も良好であった
。水キュア後のゲル分率も70%以上の高い値を示した
比較例1 三塩基性I&酸鉛を6phr単独で用いた場合の実験結
果を第1表に示す、グラフト後のゲル分率が42%と高
く押出が極めて困難であった。外観も極めて悪かった。
比較例2 ビスフェノールAジグリシジルエーテルを単独で6 p
hr用いた場合の実験結果を第1表に示した。
ゲル分率が66%と低いことがわかる。実用上は70%
以上であることが必要である。
比較例3 三塩基性硫酸鉛とビスフェノールAジグリシジルエーテ
ルを比率0.2で60 phr用いた場合を第1表に示
す、水キュア後のゲル分率が低下してしまうことがわか
る。また、押出においてコンパウンドのスクリュへのく
い込みが悪い上、外観も悪く実用できないものであった
比較例4 三塩基性硫酸釦/ビスフェノールAジグリシジルエーテ
ルの比率を2.0とした場合を第1表に示す、鉛化合物
単独の場合と同様の傾向を示している。グラフト後ゲル
分率が高く、押出外観も極めて悪い。
比較例5 三塩基性硫酸鎗とビスフェノールAシダリシジルエーテ
ルを少、t (0,3ohr )用いた場合を第1表に
示した。効果がほとんどないことがわかる。
これは比較例6の鉛化合物、エポキシ化合物を用いない
場合とほぼ同じ結果を示している。グラフト後ゲル分率
が高く、押出外観も悪く、また水キュア後のゲル分率も
低い。
比較例6 鉛化合物およびエポキシ化合物を用いない場合であり、
ゲル分率が上記比較例5同様である上押用外観がとくに
悪い。
比較例7〜11 第1表に示す安定剤添加物を用い実施例1と同様にして
シート及び電線を作製した。いずれもグラフト後ゲル分
率が高く電線外観も極めて悪いものであった。
本発明においては、上記した鉛化合物/エポキシ化合物
の曲に充填剤(タルク、クレー、カーボン、炭酸カルシ
ウム、含水無機充填剤など)着色剤、酸化防止剤、離燃
剤などを混和しても差支えはなく、また組成に応じてシ
ラン化合物量、ラジカル発生剤量を適宜調整して用いて
も差支えはない。
[発明の効果] 以上詳述した通り、本発明によれば実用的な高架橋度の
シラン架橋塩素化ポリエチレンを得ることができる上、
押出成形性が格段に向上するものであり、その工業的価
値は極めて大きい。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(A):塩素化ポリエチレンを一般式RR^−S
    iy_2、(式中Rはケイ素−炭素結合によってケイ素
    に結合し、かつ炭素、水素および場合により酸素から成
    る1価のオレフィン性不飽和基を表わし、各yは6個よ
    りも少い炭素原子を有するアルコキシ、アルコキシアル
    コキシおよびアシロキシ基および14個よりも少い炭素
    原子を有するオキシム基から選択された加水分解しうる
    有機基を表わし、そしてR−は脂肪族性不飽和のない1
    価の炭化水素基、R基またはy基を表わす)で表わされ
    るシランと、遊離ラジカルを発生させる化合物(この遊
    離ラジカルを発生させる化合物は後記反応温度において
    6分より小の半減寿命を有する)および重量比において
    鉛化合物/エポキシ化合物の比が1/10〜10/10
    の範囲となる両化合物を塩素化ポリエチレン100重量
    部に対し合計量で2〜50重量部となるようにして併用
    し、これらの存在下140℃以上の温度で反応させ、 (B):上記(A)の生成物をシラノール縮合触媒の存
    在において水分にさらし縮合反応を起させる塩素化ポリ
    エチレンの架橋方法。
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