JPH0297485A - 三次元物質上への二次元物質のヘテロエピタキシャル成長法 - Google Patents

三次元物質上への二次元物質のヘテロエピタキシャル成長法

Info

Publication number
JPH0297485A
JPH0297485A JP63250716A JP25071688A JPH0297485A JP H0297485 A JPH0297485 A JP H0297485A JP 63250716 A JP63250716 A JP 63250716A JP 25071688 A JP25071688 A JP 25071688A JP H0297485 A JPH0297485 A JP H0297485A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dimensional
crystal
bonds
atoms
symmetry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63250716A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0758686B2 (ja
Inventor
Atsushi Koma
小間 篤
Kouichirou Saiki
斉木 幸一朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Tokyo NUC
Original Assignee
University of Tokyo NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Tokyo NUC filed Critical University of Tokyo NUC
Priority to JP63250716A priority Critical patent/JPH0758686B2/ja
Priority to US07/384,380 priority patent/US5039626A/en
Publication of JPH0297485A publication Critical patent/JPH0297485A/ja
Publication of JPH0758686B2 publication Critical patent/JPH0758686B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314Inorganic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/913Graphoepitaxy or surface modification to enhance epitaxy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体等の三次元物質の正常表面上に層状超伝
導物質等の二次元物質を単結晶超薄膜状でヘテロエピタ
キシャル成長させて、量子井戸型半導体レーザ、高電子
移動型トランジスタ、ヘテロバイポーラトランジスタ、
共鳴トンネル素子、超格子素子、ジョセフソン素子等の
、ヘテロ構造を基本要素とした新しい電子素子の実現を
可能にした重要技術の開発に関するものである。
(従来の技術) ある物質の単結晶表面上に別の物質の単結晶超薄膜を成
長させる技術は、量子井戸型半導体レーザ、高電子移動
度トランジスタ、ヘテロバイポーラトランジスタ、共鳴
トンネル素子、超格子素子などの、ヘテロ構造を基本要
素とした新しい電子素子の実現を可能にした重要技術で
ある。これらの大部分はへテロエピタキシャル成長とい
っても、半導体物質上に別の半導体物質を成長させたも
ので、半導体物質上に金属、特に超伝導金属あるいは絶
縁物をヘテロ成長させた例はきわめて少ない。
(発明が解決しようとする課題) その理由は、多くの固体物質の清浄表面上には切れた結
合手(ダングリングボンド)が現われるため、この上に
別の物質を成長させようとすると、結晶構造や格子間隔
が整合していないと、すべての結合手が結合できず、上
に成長する物質は単結晶にならないことによる。このた
め、良好なヘテロエピタキシャル成長は、結晶構造がよ
く似ており、格子整合条件が満たされた、ごく限られた
組合せの物質量でのみ可能であった。
またへテロ成長させる高温時には格子整合条件が満たさ
れていたとしても、ヘテロ構造を形成する2種の物質の
膨張係数が異なるために、室温に下げる間に格子間隔に
差が現れ、歪が導入されるという問題があった。
(課題を解決するだめの手段) 本発明は、種々の三次元物資(結合が一次元鎖内のみで
閉じている一次元物質や、結合が二次元層内で閉じてい
る層状物質などの二次元物質を除いたほとんどの物質で
は、結合は三次元的に広がっているので、それらを総称
して三次元物質と呼ぶ)の清浄表面上のダングリングボ
ンドをなんらかの方法で終端し、この上にファンデアヮ
ールス力を介して、二次元物質(層状物質のように、結
合が二次元層内で閉じている物質を、ここでは二次元物
質と呼ぶ)をヘテロ成長させることによって、従来のへ
テロエピタキシャル成長に科せられていた格子整合など
の制約を取り除き、ヘテロ構造作成に大きな自由度をも
たらそうとするものである。
ここで三次元物質とは、結合が一次元鎖内のみで閉じて
いる一次元物質又は、結合が二次元層内で閉じている層
状物質など二次元物質を除いたほとんどの物質では、結
合は三次元的に広がっているので、それらを総称して三
次元物質と呼ぶ。
この発明でいう三次元物質とは共有結合やイオン結合の
ように方向性のある結合が、三次元的につながってでき
た結晶物質をいい、具体的には次のような物質をさす。
(1)S i、Ge、S i+−XGex等の■属元素
半−W体及びその混晶 (2)ダイヤモンド (3)GaAs、InP、Ga+−、AIXAsI n
As1−xPx、I n+−xGaXAs、−、Py等
の■V属半導体及びその混晶 (4)ZnSe、CdS、HgTe。
Hg+−xcdgTe、ZnS、−XSex等の■■属
半導体及びその混晶 (5)Na Cl、KBr、Na+−xKuc l。
NaC1+−xBr+を等のアルカリハライド及びその
混晶 (6)CaFz、5rFz、BaFz。
Ca +−xS r XF 2等のアルカリ土類ハライ
ド及びその混晶 (7)AgC1,AgBr、AgC1+−xBrx等の
ハロゲン化銀及びその混晶 (8)CuFeSz等のカルコパイライト型結晶物質及
びその混晶 また、この発明でいう二次元物質とは、層状の結晶構造
を持ち層間がファンデアワールス力で結合している結晶
物質をいい、具体的には次のような物質をさす。
(1)NbSez 、Nb5z 、Mo5z 。
MoSez 、Hf Se2 、Nb5z−)(SeX
等の遷移金属グイカルコゲナイド及びその混晶(2)グ
ラファイト (3)GaS、Gage、GaS、、Se、等の層状物
質及びその混晶 (4)Cd Iz 、Pb 12等の層状物質及びその
?昆晶 (5)  KzAl  4 (S  16A120□a
)   (Oi(、F)。
Mg6(SiaO□t+)(OH)4等の雲母及びその
混晶 本発明は、上で定義した三次元物質の単結晶表面上に、
同じく上で定義した二次元物質をヘテロエピタキシャル
成長させる方法に関するものであり、以下の2点を要件
とする。
(1)  三次元物質の6回対称または3回対称をもつ
結晶面(立方対称を持つ結晶の場合は(111)面、六
方対称を持つ結晶の場合は(0001,)面)上の切れ
た結合手(以下ダングリングボンドと呼ぶ)に、ヘテロ
エピタキシャル成長温度では除去されない原子を結合し
てフリーボンドのない状態に処理する前処理工程と、(
2) この基板の処理面上に二次元物質を真空中で蒸着
し、基板の結晶軸方向に二次元層状物質の原子を配列さ
せながらエピタキシャル成長させる工程との結合を特徴
とする。この2つの要件を満たすことにより、通常の結
晶成長において問題となる格子整合条件をみたさなくと
も、三次元物質上への二次元物質の良好なヘテロ成長が
可能になる。
なお、(1)の要件を満たすためには、以下のような具
体的方法が考えられる。
(+ )  Ca F z (111) ”9r開面や
、真空加熱面のようにはじめからダングリングボンドが
終端されている面を用いる。
(11)  硫化物で処理したGaAs表面のように、
ダングリングボンドが不純物原子(この場合はS)によ
って規則正しく終端され、かつそれが高温まで安定な面
を用いる。
(iii)   (i)ないしくii)の方法で要件を
満たす面が実現できる物質をヘテロ成長させた後、その
表面を用いる。5i(111)面上にCa F 2をヘ
テロ成長させ、その表面を利用するなどが、この例であ
る。
また(2)の要件を実現する具体的方法としては、分子
線エピタキシー法、有機金属気相成長などの各種超薄膜
成長手法を利用することが可能である。
ある物質の単結晶表面上に別の物質の単結晶超薄膜を成
長させる技術は、量子井戸型半導体レーザ、高電子移動
度トランジスタ、−・テロバイポーラトランジスタ、共
鳴トンネル素子、超格子素子などの、ヘテロ構造を基本
要素とした新しい電子素子の実現を可能にした重要技術
である。これらの大部分はへテロエピタキシャル成長と
い、っても、半導体物質上の別の半導体物質を成長させ
たもので、半導体物質上に金属、特に超伝導金属あるい
は絶縁物をヘテロ成長させた例はきわめて少ない。
その理由は、第8図に示すように、多くの三次元固体物
質A、Bの清浄表面上にはダングリングボンド1が現れ
るため、この上に別の物質を成長させようとすると、結
晶構造や格子間隔が整合していないと、すべての結合手
が結合できず、上に成長する物質は単結晶にならないこ
とによる。このため、良好なヘテロエピタキシャル成長
は、結晶構造がよく似ており、格子整合条件が満たされ
たごく限られた組合せの物質量でのみ可能であった。
またへテロ成長させる高温時には格子整合条件が満たさ
れていたとしても、ヘテロ構造を形成する2種の物質の
膨張係数が異なるために、室温に下げる間に格子間隔に
差が現れ、歪が導入されるという問題があった。
本発明は第1図に示すように、種々の三次元吻質2の清
浄表面上のダングリングボンドをなんらかの方法で所要
の金属と結合させて終端しておき、この上にファンデア
ワールス力を介して、二次元層状物質3をヘテロ成長さ
せることによって、従来のへテロエピタキシャル成長に
科せられていた格子整合などの制約を取り除き、ヘテロ
構造作成に大きな自由度をもたらし、従来作成できなか
ったヘテロ構造を実現しようとするものである。
(実施例) 実施例1 本発明の実施例としてまずCaF2(111)基板上へ
のMo S e 2のへテロ成長の態様を以下に示す。
基板は大気下で襞間した後すくに、第2図に示すような
分子線エピタキシー装置内に導入し、基板温度約400
″C1成長速度約0.1人/S程度で、MoSezをヘ
テロ成長させた。
第2図において、4は金属蒸発源を示し、これにSe蒸
発源5及びMo蒸発源6を設ける。Se蒸発源5はクヌ
ッセンセルと称するタンタル線等の抵抗加熱炉を使用し
、M o Q発源6は電子ビーム蒸発源で炉の周囲に静
電レンズ5A金属面に電子ビームを照射し、局部的に3
000°Cに加熱し、金属を電子ビームで加熱蒸発し、
静電レンズにより試料9に焦点を結んで放射されるよう
にする。
7.8は金属の蒸着を遮断するシャッターである。
これらの蒸発源5.6及び試料9は真空容器23中に収
納されており、液体窒素トラップつき油拡散ポンプ19
、油回転ポンプ20が主ポンプとして真空吸引する。こ
の外にチタンサブリメーションポンプ21と荒引系真空
ポンプ吸引口22とがあり、この補助真空ポンプ系で1
0−’l−−ルの真空度まで吸引する。それ以上の真空
度は補助真空ポンプによっては期待し得られないので、
あとは主ポンプにより吸引し1O−Io トールの真空
度とする。Se及びMo等の金属が試料(CaF2(1
11)基板)上にエピタキシャル成長させる温度は約4
00〜600°Cの間にあり、この温度に真空容器23
内を保持し、真空蒸着を行うと、試料の面上でMoSe
z膜が単結晶でエピタキシャル成長法により形成される
。この試料面と微小な角度をもってRヒート電子銃16
より放射される電子ビームで試料面を照射し、その反射
パターンを1?ヒートスクリーン17に投影して監視出
来るようにする。ごの監視が終った状態で試料保持位置
10により試料9を保持する腕10Aを90゜回転させ
て、円筒鏡型電子エネルギー分析器11に正対させ、電
子銃12で試料面を照射し、電子銃12のビーム照射に
より生じた二次電子を円筒鏡電極13で収斂させて、電
子増倍管14に受けて、電子1個を100万倍位に出力
端子15に得た出力により分析を行うように構成する。
18は水晶発振式膜厚計で、試料保持位置に位置させて
おくと、層状物質を構成する金属の蒸発粒子の付着によ
り膜厚が測定できる。
第2図の装置において、M o、ビームは電子ビーム蒸
発源6によって、またSeビームはクヌッセンセルのS
e蒸発[5によって発生させた。第3図(a)、(b)
は成長開始直前のC,a F。
(111)基板及びこの基板上に成長させたMo S 
e、のRHEED (反射高速電子線回折)パターンを
示す。ストリークパターンから、M OS e z膜は
単結晶で成長していることが分かり、また基板とへテロ
成長膜のストリークパターンの間隔が約1.2倍異なっ
ていることから、MoSe2は格子間隔が約1.2倍異
なるCaF2上に自分自身の格子間隔で成長しているこ
とが分かる。さらに異なった結晶方位から見た基板とへ
テロ成長膜のRHEEDパターンは互いによく対応して
おり、両者の面内の結晶軸はl°以内でよくそろってい
ることが分かる。
できた膜の組成が所定のものであることを明らかにする
ために、作成した超薄膜のオージェ電子分光スペクトル
を測定した結果を第4図(b)に示す。第4図(a)及
び(C)はそれぞれCaF2基板及び2H−MoSe、
単結晶基板のオージェ電子分光スペクトルであるが、第
4図(b)のスペクトルは単結晶Mode、のそれにほ
とんど−致し、作成した膜が所定の組成のものになって
いる事を示している。
さらに第5図は、CaF2(111)基板上に成長させ
たMoSez単結晶膜(厚み約7人)の低速電子エネル
ギー損失分光スペクトルを、入射電子エネルギーを変え
ることにより、ブロービング深さを変えて測定した結果
であるが、ブロービング深さが6Å以下になる。入射電
子エネルギーが400eV以下のスペクトルは、第5図
の最下段に示したMoSez単結晶のスペクトルに完全
に一致し、一方ブロービング深さが8Å以上になる、入
射電子800eV以上のスペクトルには、基板であるC
a、Fzからの信号が重なって見えている。このことは
厚みが約7人しかないにもかかわらずきわめて良質のM
 o S e 2の連続薄膜がCaF、基板上に形成で
きることを示すと同時に、本発明の方法で作成したM 
o S e 2 / Ca F 2界面は原子レベルで
急峻になっていることを示している。
以上の実験事実から、三次元物質であるCaF。
表面上に層状物質であるMoSe、をヘテロ成長できる
ことが実証された。
まったく同様な方法でCa Fz (111)基板上に
層状超伝導金属物質であるNbSe、のヘテロ成長を実
験し同様の結果が得られ成功している。
この場合も成長温度は400°C前後、成長速度は0、
1人/S程度が最適であった。
実施例2 次にGaAs基板上−・の層状物質のへテロ成長結果に
ついて述べる。使用した基板はGaAs(111)基板
で、この表面のダングリングボンドをS原子で終端した
後、上述の実施例と同様の方法でMoSezあるいはN
bSezのへテロ成長を実験し同様の結果が得られるこ
とに成功した。
表面のダングリングボンドをS原子で終端したGaAs
 (111)表面は、機械研磨したGaAs (111
)ウェハーを5%Brメタノール溶液でエッチした後、
(NH4)23液に1時間以上浸し、その後超高真空下
で400°Cで数分加熱することによって得た。このよ
うにして得たGaAs表面にはl原子層のSが付着して
おり、それがC;aAs表面上のGaによるダングリン
グボンドを終端することを、オージェ電子分光ならびに
低速電子エネルギー損失分光で確認した。このためこの
表面上では、ファンデアワールス力だけでエピタキシャ
ル成長が進み、層状物質のへテロ成長が可能になる。な
おGaAs表面上のS原子は、超高真空下で約550°
Cまでの加熱に対して安定であり、成長温度がこの温度
以下であれば、ファンデアワールス力によるヘテロ成長
に影響ない。
本発明の重要な応用例は次の通りである。
1、半導体物質上への超伝導単結晶のへテロエピタキシ
ー成長 ■属半導体であるシリコンはディジタル及びアナログ用
集積回路素子用材料として最も重要な物質であるが、こ
の上に超伝導物質をヘテロエピタキシャル成長できれば
、ジョセフソン素子、超伝導量子干渉素子(SQU I
 D)等の超伝導素子を、上記集積回路上に一体構造と
して集積化する可能性がひらける。従来は格子整合条件
等のために半導体物質上に超伝導物質の良質なヘテロエ
ピタキシャル膜を成長させることは不可能であったが、
本発明によりこれが可能になる。すなわち本発明の方法
に従い、シリコン上に1原子層以上のCaF2をヘテロ
成長させ、この上に層状超伝導体物質であるNbSe2
.NbS2等をヘテロ成長させれば、上記の目的が達成
できる。層状物質であるN b S e2+ N b 
Sz上には各種層状物質の単結晶膜を自由にエピタキシ
ャル成長できるので、この上にさらにHfSez等の層
状絶縁物質及びNbSez、Nb5z等の層状超伝導物
質を成長させることにより、良質なジョセフソン接合並
びに5QUID素子等の超伝導素子の作成が可能になる
。このようにしてシリコンを基板物質として用い、ある
いはシリコン集積回路素子上に超伝導素子を集積化でき
る。
この状態を第6図に示した。第6図において、1はダン
グリングボンドを終端した三次元物質3の界面を示し、
この界面1上に層状物質2を使った超伝導集積素子を被
着したものである。
GaAs、I nl−xGaxAs+−yPy等のIn
−V属及びその混晶並びにZn5e等の■−■属半導体
ならびにその混晶は、オプトエレクトロニクス素子材料
として重要な物質であるが、これらの物質の上に超伝導
体をヘテロエピタキシャル成長させることも、本発明で
初めて可能になる。すなわち本発明の手法に従い、Ga
As等の■−■属半導体表面上のダングリングボンドを
S原子で終端させ、この上に層状超伝導物質であるNb
Se。
NbS、等をヘテロ成長させ、上述のシリコンの場合と
同様に、その上に各種層状物質をヘテロ成長させること
によって、オブトエレトクロニクス集積回路素子上に超
伝導素子の集積化が可能になる。これを第6図に示す。
2、半導体素子上の保護膜形成 層状物質の襞間面上にはダングリングボンドが現われな
いので、この面への気体分子の吸着係数は他の物質に比
べ極端に小さくなる。したがって保護膜として特に優れ
た特性が期待されるが、この目的のためには檗開面を表
面とする層状物質薄膜を形成することが必要となる。本
発明の方法によれば、各種半導体物質上に層状物質をヘ
テロエピタキシャル成長できるが、この時できる膜の表
面はちょうど襞間面となるので、上記の目的がまさに達
成できることになる。たとえばシリコン素子上ないしG
aAs素子上に、本発明の方法を使って、MoSe、、
Mo32等の層状物質薄膜をヘテロ成長させ、保護膜と
して使うことが考えられる。
この状態を第7図に示す。第7図において31はダング
リングボンドを終端した界面、32はシリコン集積素子
(またはオプトエレクトロニクス集積素子)、33は層
状物質による保護膜を示す。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のエピタキシャル成長状態を示す図、 第2図は本発明のエピタキシャル成長法を実施する装置
の一例の構成を示す図、 第3図は(a)、(b)はCa F z基板およびこの
基板上にMoSezを成長させたものの結晶の構造のR
HEEDパターンを示す写真、第4図は本発明における
オーシュ電子分光スペクトルを測定した結果を示す図、 第5図は本発明における低速電子エネルギー損失分光ス
ベクI・ルを示す図、 第6図および第7図はそれぞれ本発明を応用し素子の一
例を示す図、 第8図はダングリングボンドの状態を示す図である。 I・・・ダングリングボンド A、B・・・三次元物質  2・・・三次元物質3・・
・二次元層状物質  4・・・金蒸蒸発源5・・・Se
蒸発源    5A・・・静電レンズ6・・・Mo蒸発
a     7,8・・・シャッター9・・・試料  
     10・・・試料保持機構11・・・円筒鏡型
電子エネルギー分析器12・・・電子銃     i3
・・・円筒鏡電極14・・・電子増倍管   15出力
端子16・・・Rヒート電子銃 17・・・Rヒートスクリーン 18・・・水晶発振式膜厚計 19・・・液体窒素トランプ付油拡散ポンプ20・・・
油回転ポンプ 21・・・チタンサブリメーションポンプ22・・・真
空ポンプ吸引口

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、三次元物質の6回対称または3回対称をもつ結晶面
    (立方対称を持つ結晶の場合は (111)面、六方対称を持つ結晶の場合は(0001
    )面)上の切れた結合手(以下ダングリングボンドと呼
    ぶ)に、ヘテロエピタキシャル成長温度では除去されな
    い原子を結合し終端しフリーボンドのない状態に処理す
    る工程と、この面上に二次元物質を蒸着させ基板の三次
    元物質の結晶軸方向に前記二次元層状物質の原子をファ
    ンデアワールス力によって配列させながらエピタキシャ
    ル成長させる工程との結合を特徴とする三次元物質上へ
    の二次元物質のエピタキシャル成長法。 2、三次元物質としての半導体基板の6回対称または3
    回対称をもつ結晶面上の結合手をヘテロエピタキシャル
    成長温度では除去されない原子と結合終端し、自由結合
    手のない状態に処理する工程と、この処理を施した半導
    体基板の面上に二次元物質である超伝導材料を蒸着させ
    基板の結晶軸方向に前記超伝導材料の原子をファンデア
    ワールス力によって配列させながらエピタキシャル成長
    させる工程との結合を特徴とする半導体物質上への超伝
    導材料のエピタキシャル成長法。 3、CaF_2(111)劈開面や、真空加熱面のよう
    にはじめからタングリンクボンドが終端されている面を
    用いる特許請求の範囲第1項又は第2項記載のエピタキ
    シャル成長法。 4、硫化物で処理したGaAs表面のように、タングリ
    ンクボンドがS等の不純物原子によって規則正しく終端
    され、かつそれが高温まで安定な面を用いる特許請求の
    範囲第1項又は第2項記載のエピタキシャル成長法。 5、三次元物質としてのSi半導体の(111)結晶面
    上にCaF_2をヘテロエピタキシャル成長させた後、
    その表面に二次元層状物質を蒸着させ基板の結晶軸方向
    に原子を配列させながらエピタキシャル成長させること
    を特徴とする三次元物質上への二次元物質のエピタキシ
    ャル成長法。
JP63250716A 1988-10-04 1988-10-04 三次元物質上への二次元物質のヘテロエピタキシャル成長法 Expired - Lifetime JPH0758686B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63250716A JPH0758686B2 (ja) 1988-10-04 1988-10-04 三次元物質上への二次元物質のヘテロエピタキシャル成長法
US07/384,380 US5039626A (en) 1988-10-04 1989-07-25 Method for heteroepitaxial growth of a two-dimensional material on a three-dimensional material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63250716A JPH0758686B2 (ja) 1988-10-04 1988-10-04 三次元物質上への二次元物質のヘテロエピタキシャル成長法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0297485A true JPH0297485A (ja) 1990-04-10
JPH0758686B2 JPH0758686B2 (ja) 1995-06-21

Family

ID=17211989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63250716A Expired - Lifetime JPH0758686B2 (ja) 1988-10-04 1988-10-04 三次元物質上への二次元物質のヘテロエピタキシャル成長法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5039626A (ja)
JP (1) JPH0758686B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5863324A (en) * 1995-08-04 1999-01-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Process for producing single crystal diamond film
CN103938176A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 国家纳米科学中心 一种二维半导体合金、其制备方法及用途

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5350447A (en) * 1991-04-12 1994-09-27 Minnesota Mining And Manufacturing Company Coating for ceramic composites
US20040086802A1 (en) * 2002-10-31 2004-05-06 Gibson Gary A. Two-dimensional materials and methods for ultra-high density data storage and retrieval
US7700166B2 (en) * 2005-06-06 2010-04-20 Createc Fischer & Co. Gmbh Process for evaporating high-melting materials
JP2009253301A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Samsung Electronics Co Ltd ジカルコゲナイド熱電材料
US9653672B2 (en) 2009-01-06 2017-05-16 Samsung Electronics Co., Ltd Thermoelectric materials, thermoelectric module including thermoelectric materials, and thermoelectric apparatus including thermoelectric modules
US9722113B2 (en) 2014-07-23 2017-08-01 The Regents Of The University Of Michigan Tetradymite layer assisted heteroepitaxial growth and applications
US10186584B2 (en) * 2016-08-18 2019-01-22 Uchicago Argonne, Llc Systems and methods for forming diamond heterojunction junction devices
KR102270928B1 (ko) * 2018-05-04 2021-06-30 아주대학교산학협력단 광 센서
FR3102004B1 (fr) * 2019-10-15 2021-10-08 Commissariat Energie Atomique Procédé d’épitaxie de séléniure de gallium (GaSe) sur un substrat de silicium d’orientation [111]
CN113533397B (zh) * 2021-07-01 2023-04-07 上海大学 一种原位研究二维材料低温晶体结构的装置及方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4242419A (en) * 1977-12-29 1980-12-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Epitaxial growth of superconductors such as Nb3 Ge superconductors
US4253230A (en) * 1979-02-09 1981-03-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Silicon barrier Josephson junction configuration
US4865681A (en) * 1983-02-09 1989-09-12 Board Of Regents Acting For And On Behalf Of The University Of Michigan Magnetic field epitaxy
EP0287325B1 (en) * 1987-04-13 1994-07-27 Hitachi, Ltd. Superconducting material and process for producing the same
JP2641865B2 (ja) * 1987-05-29 1997-08-20 日本電気株式会社 電子デバイス用基板
JPH0719922B2 (ja) * 1987-07-29 1995-03-06 松下電器産業株式会社 超電導体および集積化超電導装置
JPS6437499A (en) * 1987-07-31 1989-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Superconductor
US4931424A (en) * 1987-09-04 1990-06-05 Henty David L Method for formation of high temperature superconductor films with reduced substrate heating
US4912087A (en) * 1988-04-15 1990-03-27 Ford Motor Company Rapid thermal annealing of superconducting oxide precursor films on Si and SiO2 substrates
US4943558A (en) * 1988-04-15 1990-07-24 Ford Motor Company Preparation of superconducting oxide films using a pre-oxygen nitrogen anneal
US4942152A (en) * 1988-08-30 1990-07-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for preparting a bismuth-type compound oxide superconductor
US4923585A (en) * 1988-11-02 1990-05-08 Arch Development Corporation Sputter deposition for multi-component thin films

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5863324A (en) * 1995-08-04 1999-01-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Process for producing single crystal diamond film
CN103938176A (zh) * 2014-04-10 2014-07-23 国家纳米科学中心 一种二维半导体合金、其制备方法及用途

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0758686B2 (ja) 1995-06-21
US5039626A (en) 1991-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5316615A (en) Surfactant-enhanced epitaxy
Geib et al. Epitaxial orientation and morphology of β‐FeSi2 on (001) silicon
JPH06216051A (ja) エピタキシャル(111) 緩衝層を有する構造
JPH0297485A (ja) 三次元物質上への二次元物質のヘテロエピタキシャル成長法
JP2014508415A (ja) 金属−非金属化合物の界面活性剤結晶成長のための方法
US5743957A (en) Method for forming a single crystal diamond film
Pessa et al. Atomic layer epitaxy of CdTe on the polar (111) A and (111) B surfaces of CdTe substrates
US5997638A (en) Localized lattice-mismatch-accomodation dislocation network epitaxy
US5363799A (en) Method for growth of crystal
JPH0658891B2 (ja) 薄膜単結晶ダイヤモンド基板
JPS60140813A (ja) 半導体装置の製造方法
EP0306153B1 (en) Method for growth of crystal
JP2006253414A (ja) Si基板上への半導体薄膜形成方法及びその構造物
CA1333248C (en) Method of forming crystals
US5628834A (en) Surfactant-enhanced epitaxy
US5254211A (en) Method for forming crystals
Tempel et al. LiInSe2 thin epitaxial films on {111} A-oriented GaAs
JP2659745B2 (ja) ▲iii▼−v族化合物結晶物品およびその形成方法
JPH01149483A (ja) 太陽電池
JPS62132312A (ja) 半導体薄膜の製造方法
JPH01161822A (ja) 素子およびその製造法
Asano et al. Heteroepitaxial growth of gaas films on caf2/si (511) structures prepared with rapid thermal annealing
Inoue TriPyramid Growth of Epitaxial Silicon
JPS61203630A (ja) 半導体ウェーハとその製造方法
JPH0524113B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term