JPH029682A - 積層体、積層体に使用する化合物および積層体を備えた光情報キャリヤ - Google Patents

積層体、積層体に使用する化合物および積層体を備えた光情報キャリヤ

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は基板および無機誘電化合物の薄層を備えた積層
体に関するものである。
（従来の技術） かかる積層体は大規模にまた種々の技術分野、例えばＳ
ｎＯ□のような透明電極が薄い無機誘電体層で被覆され
ているデイスプレーに使用される。他の適用分野では、
例えば合成樹脂またはガラスの基体例えばレンズ体、鏡
等が無機誘電化合物の硬質層で被覆されている光学部材
により形成される。
極めて重要な適用分野では、光情報キャリヤ例えばコン
パクトディスク（Ｔ、Ｍ、）、レーザービジジン（Ｔ、
Ｍ、）ディスクまたは情報の光学式記録および読出し用
光学記録素子により形成される。無機誘電体層が例えば
所謂同調層の如き情報キャリヤに使用されている。これ
は多層系、特に３層系に関するもので、この系では吸収
層（記録Ｎ）が無機誘電体の中間層により反射層から分
離されている。
また無機誘電体の層は、光学構造体の硬質不活性被覆層
または光情報キャリヤの記録層として使用される。
（発明が解決しようとする課題） これ等のすべての用途においては、ＳｉＯ□（石英）の
誘電体薄層がしばしば使用される。或いはまた窒化アル
ミニウムまたは窒化珪素の如き窒化金属の層が同調およ
び／または保護層として磁気光学記録素子に使用されて
いる。
すべての既知誘電無機層の欠点は、これ等の層が制限さ
れた厚さにおいてだけ使用されることである。この理由
は、層がスパッタ法によってのみ制限された厚さで製造
され得ることである。例えば、ＳｉＯ□を使用する場合
には、約０．５μ蒙の最大厚さが可能である。スパッタ
法を継続する場合には、５ｉ０２層は基体から遊離する
ようになる。他の欠点は成る程度までＯｔの放出が起り
、酸素に敏感な基体または他の被覆層が攻撃されること
である。
窒化物層を使用する場合には、制限された厚さの欠点が
まさに同様にあてはまる。厚さが制限されているため、
層を例えば多層光学記録系において距′ｉｉ層（ｄｉｓ
ｔａｎｃｅ　１ａｙｅｒ）として使用することは制限さ
れた範囲でしか可能でない。ＡｌＮの如き窒化物層は極
めて小さいヘアクラックを有するひび模様の構造が容易
に発現する欠点を有する。
本発明の目的は上記欠点を有せぬ序文に記載したような
積層体を提供することにある。
（課題を解決するための手段） この目的は、本発明において誘電化合物がアンチモン化
ガリウムまたはアンチモン化インジウムの酸化物若しく
は低級酸化物であることを特徴とする前記形態の積層体
により達成される。
ここで「低級酸化物」と称するは０２の原子％が０□の
最高原子％より小である酸化物を意味するものとする。
アンチモン化ガリウムとアンチモン化インジウムの完全
な酸化物は次式 ％式％（１） （式中のＲはＧａまたはＩｎ元素を示す）で表わすこと
ができる。
低級酸化物は、次式 ％式％（２） （式中のＲはＧａまたはＩｎ元素：ｐは０より大で４よ
り小である数値を示す）で表わすことができる。
本発明は、さらに特に誘電化合物が次式％式％（３） （式中のＲはＧａまたはＩｎ、　ｑは４５〜５５原子％
、Ｘは３３〜９９原子％を示す）で表わされるアンチモ
ン化ガリウム若しくはアンチモン化インジウムの低級酸
化物である前記型の積層体に関するものである。
前記式（１）、　（２）または（３）の層は金属、半導
体、ガラスおよび合成樹脂の如きすべての種類の基体に
掻めで良好に接着する。更に、他の層、例えば金属層も
また式（１）、　（２）または（３）の化合物の層に接
着させて設けることができる。スパッタ法により層を極
めて厚い厚さ、例えば６μｍ以上に被着させることがで
きることを見出した。この場合でも尚へア　クラックな
しに完全な構造を有する。酸素原子がＲ−Ｓｂ結晶格子
に組込まれること力喝育証された。従って０２の放出は
おこらない。暦は完全に不活性である。
好適例においては、式（１）、　（２）または（３）の
化合物の層が、蒸着法もしくはスパッタ法により堆積さ
れ、約１０μｍまでの厚さを有する。
本発明はまた次式 ％式％ （式中のＲ，ｑおよびＸは前記のものと同じもを示す）
で表わされる化合物に関するものである。
本発明の新規な化合物は、以下アンチモン化ガリウムの
低級酸化物またはアンチモン化インジウムの低級酸化物
と称するＲｑＳｂＩ−９の低級酸化物である。
新規な物質は化学的に極めて安定な化合物である。酸素
原子はアンチモン化ガリウムまたはアンチモン化インジ
ウムの結晶格子に堅固に固定される。酸素の拡散は起ら
ない。またＸが高い値、従って化合物が極めて低含量の
酸素を有する上記式の化合物の場合、酸素の吸収は起ら
ないかまたは無視し得る少量である。新規な化合物の層
の酸素を含有する上方分子層は更なる酸素の吸収または
酸素の透過を防止する。
上記式の新規な化合物は３〜５０容量％の酸素を含有す
る不活性３囲気中で実施する蒸着法若しくはスパッタ法
により組成する元素から製造される。
適当な不活性ガスは、例えばアルゴンである。アルゴン
のガス分圧は例えばｌｏ−３ミリバール（ｍｂａｒ）で
ある。酸素の分圧は、例えば５・１０−’〜８・１０−
４ミリバールである。
また本発明は、前記のような積層体を有することを特徴
とする光情報キャリヤに関するものである。
好適例においては、本発明の光情報キャリヤは一例に次
式 ％式％ （式中のＲおよびｑは前記ものと同じものを示し、ｙは
８０〜９９原子％を示す）で表わされる光学記録層を備
える基体を有する。
この例に関しては、米国特許筒４６４６９４４号明細書
が参考になるもので、この明細書からＧａＳｂまたはＩ
ｎＳｂの記録層を有する光学記録素子が知られる。
この記録層は、例えば合成樹脂またはガラスの基板に例
えばスパッタ法により堆積される。記録すべき情報に従
って脈動するレーザー光に曝露すると、結晶情報ビット
が非晶質記録層に形成される。
ビットは連続低強度レーザ光により環境に従って反射の
異なることに基づいて読まれる。
発明者等は、実験により例えばＧａＳｂの既知記録層を
用いて得られる結果は層をスパッタする間使用するター
ゲットの質および組成に左右されることを確かめた。例
えば、情報ビットの信号／ノイズ比を測定することによ
り決定される差は５〜１Ｏｄ８程度であることを見出し
た。一定の厚さを有するＧａＳｂの層の透過率（ｔｒａ
ｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）は使用するターゲットにより変動
することを確かめた。例えばＧａｓ。ｓｂｓ。の圧縮タ
ーゲットは５％の透過率を有するが、同じ層厚を有する
Ｇａ５゜Ｓｂ、。の鋳造ターゲットは２％の透過率を有
する。
本発明における式（２）に対応する記録層を使用する場
合には、上記の変化は起らない。層の製造に使用するタ
ーゲットに関係なく再現性ある結果が得られる。可能な
説明はレーザ光線に曝露すると本発明による酸素台を非
晶質記録層が多数の核から爆発的に結晶化することであ
ると言うことができる。短かい爆発的の結晶化が行われ
た後、更に結晶化は起らない。既知のＧａＳｂ層は放出
される結晶化エネルギーにより維持される急速で且つ無
制限の結晶化を示す。従って０２の添加は更なる結晶化
を多少おさえる。本発明における非晶質記録層の曝露し
た点の結晶化の初期段階において、多数の核が形成され
、これから結晶化が起る。本発明における記録層におけ
る０２の存在は核形成を促進すると考えられる。
式（４）の記録層は、所望の名目上の組成を有するター
ゲットを使用し、３〜１５容量％の酸素を不活性スパッ
タガスに添加するスパッタ法により製造される。適当な
不活性スパッタガスは、例えばアルゴンである０式（４
）のｙの値の決定−これはまた式（３）のＸの値にあて
はまる−は困難であることは注意すべきである。得られ
る結果は成る程度まで選定する評価方法に左右される。
この型の決定に普通使用される方法はラグフォード後方
散乱法である。ｙおよびＸの記載した値は上記方法によ
り決定される。
従って、本発明における記録層の分析は若干問題になる
。Ｎは、上述の如く記録層が、式ＲＱＳｂ、−ｑ（但し
Ｒおよびｑは前記のものと同じものを示す）で表わされ
る物質をターゲットとして使用し、３〜１５容量％の酸
素を添加した不活性スパッタガスを使用するスパッタ法
により得られる製造方法により最も良く規定される。こ
のスパッタ法において使用する最終圧力は広範囲に亘り
変えることができ、例えば５・１０−Ｓ〜１０−１ミリ
バールである。
スパッタ法に必要とされるエネルギーもまた広範囲、例
えば１００−〜１０００−の範囲で変えることができる
。スパッタ法はＤＣマグネトロン　スパッタ法が好まし
く、この方法は所要に応じて、例えば５０〜１００　’
Ｃの高温で実施される。然し、使用する基板の温度悪性
を考慮しなければならない。
本発明の光情報キャリヤの他の好適例において基板は、
−側に光学的構造を有する第１層を備え、この第１層は
式（１）または（２）の化合物の薄い第２層で被覆され
る。
第２層は、更に特に次式 ％式％（５） （式中のＲおよびｑは前記のものと同じものを示し、Ｚ
は３３〜８０原子％の値である）で表わされる化合物か
ら成る。
第１層の光学的構造は、例えばコンパクト　ディスク（
Ｔ、Ｍ、）に使用されるような交互に高低レベルである
情報領域の情報トラックを備える光学的読出し可能な相
構造である。光学的構造を有する層は、また光学的に記
録し、読出す情報用の記録層とすることができる。記録
層において記録されるビットは上記の如く、非晶質マト
リックスにおける結晶領域とすることができる。記録層
の露出部分に孔を形成するかまたは例えば上昇した部分
を湾曲した形態で形成することができる。光学的構造を
有する層は、更に磁気光学層とすることができ、この層
では磁化の方向が、磁場により露出部分で逆である。こ
れ等の領域は、カーまたはファラディ回転を利用する低
強度偏光レーザ光線により読まれる。
式（１）、　（２）または（５）の化合物の薄層は光学
的構造が完全に封止されていることを確実にする。層は
不活性であり、良く接着し、約１０μｍの厚さまでスパ
ッタ法により堆積させることができる。ヘアクラックは
形成されない。
式（５）の層は上記式（４）の記録層より、著しく高い
平均酸素含量を有する０式（５）の化合物の層は、透明
であって層は記録層として使用するのに適当でないかま
たは余り適さない、指数２の値が小さい程、層の透明性
は高い。完全に透明な層を被覆層として使用するのが好
ましい。
式（３）および（４）の化合物と共通して、式（５）の
化合物の酸素含量を決定することは困難である。２の指
示した値は、ラダフォード後方散乱法によって決定され
る。
式（５）の化合物の層は、式ＲｑＳｂ＋−Ｑ（但しＲお
よびｑは前記のものと同じものを示す）で表わされる物
質をターゲットとして使用し、不活性スパッタガスに１
５〜５０容量％の酸素を添加したガスを使用するスパッ
タ法により得られる。
またこの場合に、スパッタ法に使用する最終圧力は広範
囲に亘り変えることができる。スパッタ法は式（４）の
化合物の層の製造に関して上記したと同じ方法で実施さ
れる。本発明における光情報キャリャの他の好適例にお
いて、光学的構造を有する上記第１層は式（４）の化合
物から形成される光学記録層である。
従ってこの例では、式（４）の記録層は、式（５）の被
覆層で被覆される。
特定例において、光情報キャリヤは多層反射防上記録系
を有し、この系は順次式（４）の化合物の非晶質記録層
、式（５）の化合物の誘電層および反射層を備える０反
射層は染料から構成することができる。金属層、特にＡ
１層、Ａｇ層またはＡｕ層を使用するのが好ましい。
上記３層系を適合させることができ、即ち誘電層の厚さ
の選定により光路長さに反射防止状態が得られるように
影響を及ぼすことができる。この状態において、各層か
ら放射される反射ビームは位相の差に基づいて相互に消
滅する。反射防止状態は記録層における結晶質情報ビッ
トの位置に存在しない。即ちまた反射防止状態が情報ビ
ットの位置に存在することおよびビットの周囲に反射防
止状態がないこともまた他の方法であり得る。信号／ノ
イズ比はかかる多層系において改善される。
実際の観点から興味ある本発明における光情報キャリヤ
の好適例においては、式（４）の化合物および式（５）
の化合物を交互に有する複数の薄層を基板上に設ける。
式（４）の化合物を有する暦は光学記録層である。
層は非晶質である。結晶質情報ピントはレーザー光に曝
露することにより形成される。記録層間に配置する式（
５）の化合物の層は、不活性の透明中間層で、これらの
層は、スパッタ法により１０μｍまでの任意所望の厚さ
に堆積することができる。厚さは、２つの連結する記録
層が、２つの記録層の一つの上で書込みレーザービーム
または読出しレーザービームを集束する対物レンズの焦
点深度内に両者がないように選定される。この結果とし
てクロス−トーク等は回避される。
複数の記録層により、記録される情報量は、この特定例
においては、極めて大である。更に興味ある利点は、こ
の多層系が極めて有効で且つ容易に考えられる方法で製
造することができることである。製造はＲｑＳｂ、−、
の組成を有するターゲットを用いるスパッタ法により実
施し、この際スパッタガスは不活性ガスを含有し、この
ガスに交互に３層１５容世％、好ましくは、５〜１０容
量％の酸素を添加して式（４）の記録層を得、次に大量
の１５〜５０容量％の酸素を添加して不活性透明物質層
を得る。
（実施例） 次に図面を参照して本発明を実施例により説明する。
第１図において１はホルダー２に取付けることができる
ポリメチルメタクリレートのレンズ本体を示す、レンズ
本体ｌの屈折面３は球形である。
光学軸を４で示す。本発明においては、屈折面は式Ｇａ
５ｂＯ，の無機誘電化合物の不活性透明Ｎ５を備える０
層５は５μｍの厚さを有する。
層５はスパッタ法により屈折面３に堆積させた。
スパッタ法を第４図に示す。図示せぬマグネトロンの真
空ベル３０において、先ず５・１０−６の所望最終圧力
を真空ポンプ３１により調整した。得た圧力をマノメー
タ３２で読む。次いで容′器３５から酸素を供給管３３
および開いた停止弁３４を介して８・１０−’ミリバー
ルの圧力が得られるまで真空ベルに供給した０次いでア
ルゴンを容器３８から管３６および開いた停止弁３７を
介して１０−３ミリバールの圧力が得られるまで真空ベ
ル３０に導入した。　５ｏｏｖの電圧を印加するＧａＳ
ｂのターゲット３９を真空ベル３０内に存在させた。基
板４１を保持するためのホルダー４０を真空ベル３０内
に存在させた。ホルダー４０および基板４１を通路４２
に沿って真空ベル内を移動させることができる。マグネ
トロンを２００−の電力に調整した。１分後プラズマが
安定した。例えばレンズ本体１の如き基板４１をターゲ
ット３９を経て導く場合Ｇａ５ｂＯａＯ層が基体４１の
表面上に堆積した。この操作を、所望厚さのＧａ５ｂＯ
，のスパッタ層が得られるまで繰返した。
得られた層はヘアクランクの如き欠陥を有せぬ硬質不活
性透明被膜であった。所要に応じて、環状金属層６の如
き他の層を層５に設けることができ、該金属層は蒸着に
より球状表面の縁部に設けて例えばダイアフラムを形成
させた。
第２図において、７はガラス基板を示し、この基板７の
一側面にアクリレート若しくはメタクリレートの硬化し
た合成樹脂層８を設け、この層８に螺旋形溝９の形態の
光学的読出し可能なフォロアートラックを形成した。溝
部分９間の隆起部分１０はランドまたはランド部と称す
る。一つのスパッタ法においては式（４）の化合物の記
録層１１と式（５）の化合物の透明距離層１２を層８上
に連続的に設けた。両式においてＲはＧａｉ素を示し、
ｑは０．５、ｙは９５原子％、Ｚは４０原子％を示す。
層１１および１２を層５に対して既に述べたと同様の方
法でスパッタした。スパッタ法は第４図に示すスハッタ
装置で実施した。層１１のスパッタには１・１０−３ミ
リバールのアルゴン圧力と８・１０−　Ｉ　Ｓミリバー
ルの酸素圧力を使用した。層１２には、１・１０−８ミ
リバールの同様に高いアルゴン圧力と７・１０−４ミリ
バールの酸素圧力を使用した。スパッタ用ターゲットは
ＧａＳｂの組成を有した。スパッタ温度は５０°Ｃであ
った。
金属層１３は蒸着法により１ｉｔ１２に堆積させた。こ
の層に図示せぬラッカー層を設けることができる。
情報キャリヤ７〜１３の操作中、連続的低強度レーザー
ビーム１４が基板７を介して溝構造のランド部分１０上
に集束した。ランド部分の位置には、反射防止状態がな
く従ってランドにより形成されフォロアートラックを検
出するに足る光が反射された。レーザービーム１４はラ
ンド部分からおよび包囲する溝部分から放射される反射
光間の位相差に基づいてトラックに使う。
レーザービム１４は書込みレーザービーム１５に、ビー
ム１５が情報キャリヤに対して放射方向に、例えばラン
ドおよび溝の幅の合計の半分に等しい距離に亘ってビー
ム１４に対して動かされるように結合した。従ってビー
ム１５は図示する如く、隣の溝に集束された。溝部分の
位置で、情報キャリヤ７〜１３は反射防止状態にあるの
で、光は反射しないか、または少ししか反射しなかった
。これにより、記録プロセスを促進する最適光吸収が可
能になった。レーザービーム１５を記録すべき情報に従
って調整した。記録用材料の非晶質状態から結晶質状態
への転換は記録層１１の露出領域で行われた。従って得
られた情報ビットは非晶質マトリックスにおける結晶ス
ポットであった０反射防止状態は溝９に記録される結晶
質ビットにあてはまらなかった。この理由は結晶質物質
の屈折率が非晶質物質の屈折率と異なるので、結晶質ビ
ットの位置で光路長さが溝の位置における非晶質物質に
対し計算され、非晶質物質上で課せられる反射防止状態
と一致しないからである。ビットを備えた溝９を図示せ
ぬ連続的低強度読出しレーザービームにより走査した。
ビットの位置で反射信号を評価し、これにより記録され
た情報が再び有効になった。
溝における非晶質物質が反射防止状態にあることにより
、信号−ノイズ比は記録される情報を読出す場合には高
く、例えば５５ｄＢまたはこれにより大であった。
第３図において、１６はポリカーボネートから成る基板
を示し、この基板は一側面に螺旋形溝１７を備える。溝
１７はフォロアートラックを形成し、これにより書込み
プロセスを第２図に対して記載した方法と正確に同じ方
法で制御した。基板１６は記録層（１Ｂ、　２０．２２
．２４．２６）と透明距離層（１９，２１゜２３、２５
．２７）を交互にｌＯ薄層として備えた。各記録層は式
（４）の化合物から成り；各距離層は式（５）の化合物
から構成した０両式においてＲはＧａ元素、ｑは０．５
を示す１式（４）において指数ｙは９７原子％を示す０
式（５）において２は３５原子％を示す。すべての層を
スパッタにより一操作でつくった。この目的のため、１
・１０４ミリバールのアルゴン圧および７・１０−’ミ
リバールの酸素圧を第４図に従ってスパッタベル内に通
用した。記録層はこれ等の条件下でつくった。距離層を
酸素圧を８・１０−″ミリバールに一時的に上げること
により形成した。
酸素圧を比較的高い値（８・１０−４ミリバール）に上
げ、これを比較的低い値（９・１０−Ｓミリバール）に
下げることを交互に行うことにより第３図に示す層構造
体を得た。
情報の読出しおよび記録は第２図に関して記載したと同
様の方法で行うが、第３図の情報キャリヤにおいて反射
防止状態はなかった。記録プロセスには調整したレーザ
ービーム２９を使用し、ビームを５層の記録層の一つに
集束した。レーザービーム２９はフォロアービーム２８
により制御した。非晶質から結晶質への転換はビーム２
９に曝露する記録層の位置で行われた。結晶質情報ビッ
トは適切な記録層に集束される図示せぬ連続続出しビー
ムにより非晶質環境による反射の差を基にして読出され
た。ビームを集束するのに用いるレンズの焦点距離の深
度を変えることにより、各記録層上に記録するかまたは
読出すことができた。距離層の厚さを選定して次の記録
層が焦点深度の外側にあるようにした。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一例の積層体の断面図、第２図は本発
明の一例の光情報キャリヤの断面図、 第３図は本発明の他の好適例の光情報キャリヤの断面図
、 第４図は本発明の積層体の製造に使用するスパッタ法を
実施するための装置の配置図である。 １・・・レンズ本体　　　　２・・・ホルダー３・・・
屈折面　　　　　　４・・・光学軸５・・・不活性透明
層　　　６・・・環状金属層７・・・ガラス基板　　　
　８・・・硬化した合成樹脂層９・・・溝部分 １０・・・隆起部分（またはランド部分）１１・・・記
録層　　　　　　１２・・・透明距離層１３・・・金Ｊ
ｉ層１４．１５・・・レーザービーム１６・・・ポリカ
ーボネート基板 １７・・・螺旋形溝　　　　　１８，２０，２２，２４
．２６・・・記録層１９．２１，２３，２５．２７・・
・透明路１Ｔｉｆ１層２８・・・フォロアービーム　２
９・・・レーザービーム３０・・・真空ベル　　　　　
３１・・・真空ポンプ３２・・・マノメータ　　　　３
３・・・供給管３４・・・停止弁　　　　　　３５・・
・容器３６・・・管　　　　　　　　３７・・・停止弁
３８・・・容器　　　　　　　３９・・・ターゲット４
０・・・ホルダー　　　　　４１・・・基牟反４２・・
・通路 ［，４ ＦｌＯ，１ ］５ ＦＩＧ３ ＦＩＧ、２ ＦｌＯ，４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、基板と無機誘電化合物の薄層を備えた積層体におい
    て、誘電化合物がアンチモン化ガリウム若しくはアンチ
    モン化インジウムの酸化物または低級酸化物であること
    を特徴とする積層体。 ２、誘電化合物が次式 〔Ｒ＿ｑＳｂ＿１＿−＿ｑ）＿ｘＯ＿１＿−＿ｘ（３）
    （式中のＲはガリウムまたはインジウム、ｑは４５〜５
    ５原子％、ｘは３３〜９９原子％を示す）で表わされる
    アンチモン化ガリウム若しくはアンチモン化インジウム
    の低級酸化物であることを特徴とする請求項１記載の積
    層体。 ３、式（３）の化合物の層が蒸着法またはスパッタ法に
    より設けられており、約１０μｍまでの厚さを有するこ
    とを特徴とする請求項１または２記載の積層体。 ４、次式 〔Ｒ＿ｑＳｂ＿１＿−＿ｑ）＿ｘＯ＿１＿−＿ｘ（式中
    のＲはガリウムまたはインジウム、ｑは４５〜５５原子
    ％、ｘは３３〜９９原子％を示す）で表わされる化合物
    。 ５、請求項１、２または３記載の積層体を備えたことを
    特徴とする光情報キャリヤ。 ６、情報キャリヤが一側に次式 〔Ｒ＿ｑＳｂ＿１＿−＿ｑ〕＿ｙＯ＿１＿−＿ｙ（４）
    （式中のＲはガリウムまたはインジウム、ｑは４５〜５
    ５原子％、ｙは８０〜９９原子％を示す）で表わされる
    化合物から形成される光記録層を備えたことを特徴とす
    る請求項５記載の光情報キャリヤ。 ７、情報キャリヤが、一側に光学的構造を有する第１の
    層を備え、この第１の層が次式 〔Ｒ＿ｑＳｂ＿１＿−＿ｑ〕＿ｚＯ＿１＿−＿ｚ（５）
    （式中のＲおよびｑは前記のものと同じものを示し、ｚ
    は３３〜８０原子％を示す）で表わされる化合物の第２
    の薄層で被覆されている基板を備えたことを特徴とする
    請求項５記載の光情報キャリヤ。 ８、第１の層が、次式 〔Ｒ＿ｑＳｂ＿１＿−＿ｑ）＿ｙＯ＿１＿−＿ｙ（４）
    （式中のＲ、ｑおよびｙは前記のものと同じものを示す
    ）で表わされる化合物から形成される光学記録層である
    ことを特徴とする請求項７記載の光情報キャリヤ。 ９、基板および式（４）および式（５）の化合物を交互
    に含む複数の薄層を備えた情報キャリヤを使用したこと
    を特徴とする請求項８記載の光情報キャリヤ。
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