JPH029682A - 積層体、積層体に使用する化合物および積層体を備えた光情報キャリヤ - Google Patents
積層体、積層体に使用する化合物および積層体を備えた光情報キャリヤInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は基板および無機誘電化合物の薄層を備えた積層
体に関するものである。
体に関するものである。
(従来の技術)
かかる積層体は大規模にまた種々の技術分野、例えばS
nO□のような透明電極が薄い無機誘電体層で被覆され
ているデイスプレーに使用される。他の適用分野では、
例えば合成樹脂またはガラスの基体例えばレンズ体、鏡
等が無機誘電化合物の硬質層で被覆されている光学部材
により形成される。
nO□のような透明電極が薄い無機誘電体層で被覆され
ているデイスプレーに使用される。他の適用分野では、
例えば合成樹脂またはガラスの基体例えばレンズ体、鏡
等が無機誘電化合物の硬質層で被覆されている光学部材
により形成される。
極めて重要な適用分野では、光情報キャリヤ例えばコン
パクトディスク(T、M、)、レーザービジジン(T、
M、)ディスクまたは情報の光学式記録および読出し用
光学記録素子により形成される。無機誘電体層が例えば
所謂同調層の如き情報キャリヤに使用されている。これ
は多層系、特に3層系に関するもので、この系では吸収
層(記録N)が無機誘電体の中間層により反射層から分
離されている。
パクトディスク(T、M、)、レーザービジジン(T、
M、)ディスクまたは情報の光学式記録および読出し用
光学記録素子により形成される。無機誘電体層が例えば
所謂同調層の如き情報キャリヤに使用されている。これ
は多層系、特に3層系に関するもので、この系では吸収
層(記録N)が無機誘電体の中間層により反射層から分
離されている。
また無機誘電体の層は、光学構造体の硬質不活性被覆層
または光情報キャリヤの記録層として使用される。
または光情報キャリヤの記録層として使用される。
(発明が解決しようとする課題)
これ等のすべての用途においては、SiO□(石英)の
誘電体薄層がしばしば使用される。或いはまた窒化アル
ミニウムまたは窒化珪素の如き窒化金属の層が同調およ
び/または保護層として磁気光学記録素子に使用されて
いる。
誘電体薄層がしばしば使用される。或いはまた窒化アル
ミニウムまたは窒化珪素の如き窒化金属の層が同調およ
び/または保護層として磁気光学記録素子に使用されて
いる。
すべての既知誘電無機層の欠点は、これ等の層が制限さ
れた厚さにおいてだけ使用されることである。この理由
は、層がスパッタ法によってのみ制限された厚さで製造
され得ることである。例えば、SiO□を使用する場合
には、約0.5μ蒙の最大厚さが可能である。スパッタ
法を継続する場合には、5i02層は基体から遊離する
ようになる。他の欠点は成る程度までOtの放出が起り
、酸素に敏感な基体または他の被覆層が攻撃されること
である。
れた厚さにおいてだけ使用されることである。この理由
は、層がスパッタ法によってのみ制限された厚さで製造
され得ることである。例えば、SiO□を使用する場合
には、約0.5μ蒙の最大厚さが可能である。スパッタ
法を継続する場合には、5i02層は基体から遊離する
ようになる。他の欠点は成る程度までOtの放出が起り
、酸素に敏感な基体または他の被覆層が攻撃されること
である。
窒化物層を使用する場合には、制限された厚さの欠点が
まさに同様にあてはまる。厚さが制限されているため、
層を例えば多層光学記録系において距′ii層(dis
tance 1ayer)として使用することは制限さ
れた範囲でしか可能でない。AlNの如き窒化物層は極
めて小さいヘアクラックを有するひび模様の構造が容易
に発現する欠点を有する。
まさに同様にあてはまる。厚さが制限されているため、
層を例えば多層光学記録系において距′ii層(dis
tance 1ayer)として使用することは制限さ
れた範囲でしか可能でない。AlNの如き窒化物層は極
めて小さいヘアクラックを有するひび模様の構造が容易
に発現する欠点を有する。
本発明の目的は上記欠点を有せぬ序文に記載したような
積層体を提供することにある。
積層体を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
この目的は、本発明において誘電化合物がアンチモン化
ガリウムまたはアンチモン化インジウムの酸化物若しく
は低級酸化物であることを特徴とする前記形態の積層体
により達成される。
ガリウムまたはアンチモン化インジウムの酸化物若しく
は低級酸化物であることを特徴とする前記形態の積層体
により達成される。
ここで「低級酸化物」と称するは02の原子%が0□の
最高原子%より小である酸化物を意味するものとする。
最高原子%より小である酸化物を意味するものとする。
アンチモン化ガリウムとアンチモン化インジウムの完全
な酸化物は次式 %式%(1) (式中のRはGaまたはIn元素を示す)で表わすこと
ができる。
な酸化物は次式 %式%(1) (式中のRはGaまたはIn元素を示す)で表わすこと
ができる。
低級酸化物は、次式
%式%(2)
(式中のRはGaまたはIn元素:pは0より大で4よ
り小である数値を示す)で表わすことができる。
り小である数値を示す)で表わすことができる。
本発明は、さらに特に誘電化合物が次式%式%(3)
(式中のRはGaまたはIn、 qは45〜55原子%
、Xは33〜99原子%を示す)で表わされるアンチモ
ン化ガリウム若しくはアンチモン化インジウムの低級酸
化物である前記型の積層体に関するものである。
、Xは33〜99原子%を示す)で表わされるアンチモ
ン化ガリウム若しくはアンチモン化インジウムの低級酸
化物である前記型の積層体に関するものである。
前記式(1)、 (2)または(3)の層は金属、半導
体、ガラスおよび合成樹脂の如きすべての種類の基体に
掻めで良好に接着する。更に、他の層、例えば金属層も
また式(1)、 (2)または(3)の化合物の層に接
着させて設けることができる。スパッタ法により層を極
めて厚い厚さ、例えば6μm以上に被着させることがで
きることを見出した。この場合でも尚へア クラックな
しに完全な構造を有する。酸素原子がR−Sb結晶格子
に組込まれること力喝育証された。従って02の放出は
おこらない。暦は完全に不活性である。
体、ガラスおよび合成樹脂の如きすべての種類の基体に
掻めで良好に接着する。更に、他の層、例えば金属層も
また式(1)、 (2)または(3)の化合物の層に接
着させて設けることができる。スパッタ法により層を極
めて厚い厚さ、例えば6μm以上に被着させることがで
きることを見出した。この場合でも尚へア クラックな
しに完全な構造を有する。酸素原子がR−Sb結晶格子
に組込まれること力喝育証された。従って02の放出は
おこらない。暦は完全に不活性である。
好適例においては、式(1)、 (2)または(3)の
化合物の層が、蒸着法もしくはスパッタ法により堆積さ
れ、約10μmまでの厚さを有する。
化合物の層が、蒸着法もしくはスパッタ法により堆積さ
れ、約10μmまでの厚さを有する。
本発明はまた次式
%式%
(式中のR,qおよびXは前記のものと同じもを示す)
で表わされる化合物に関するものである。
で表わされる化合物に関するものである。
本発明の新規な化合物は、以下アンチモン化ガリウムの
低級酸化物またはアンチモン化インジウムの低級酸化物
と称するRqSbI−9の低級酸化物である。
低級酸化物またはアンチモン化インジウムの低級酸化物
と称するRqSbI−9の低級酸化物である。
新規な物質は化学的に極めて安定な化合物である。酸素
原子はアンチモン化ガリウムまたはアンチモン化インジ
ウムの結晶格子に堅固に固定される。酸素の拡散は起ら
ない。またXが高い値、従って化合物が極めて低含量の
酸素を有する上記式の化合物の場合、酸素の吸収は起ら
ないかまたは無視し得る少量である。新規な化合物の層
の酸素を含有する上方分子層は更なる酸素の吸収または
酸素の透過を防止する。
原子はアンチモン化ガリウムまたはアンチモン化インジ
ウムの結晶格子に堅固に固定される。酸素の拡散は起ら
ない。またXが高い値、従って化合物が極めて低含量の
酸素を有する上記式の化合物の場合、酸素の吸収は起ら
ないかまたは無視し得る少量である。新規な化合物の層
の酸素を含有する上方分子層は更なる酸素の吸収または
酸素の透過を防止する。
上記式の新規な化合物は3〜50容量%の酸素を含有す
る不活性3囲気中で実施する蒸着法若しくはスパッタ法
により組成する元素から製造される。
る不活性3囲気中で実施する蒸着法若しくはスパッタ法
により組成する元素から製造される。
適当な不活性ガスは、例えばアルゴンである。アルゴン
のガス分圧は例えばlo−3ミリバール(mbar)で
ある。酸素の分圧は、例えば5・10−’〜8・10−
4ミリバールである。
のガス分圧は例えばlo−3ミリバール(mbar)で
ある。酸素の分圧は、例えば5・10−’〜8・10−
4ミリバールである。
また本発明は、前記のような積層体を有することを特徴
とする光情報キャリヤに関するものである。
とする光情報キャリヤに関するものである。
好適例においては、本発明の光情報キャリヤは一例に次
式 %式% (式中のRおよびqは前記ものと同じものを示し、yは
80〜99原子%を示す)で表わされる光学記録層を備
える基体を有する。
式 %式% (式中のRおよびqは前記ものと同じものを示し、yは
80〜99原子%を示す)で表わされる光学記録層を備
える基体を有する。
この例に関しては、米国特許筒4646944号明細書
が参考になるもので、この明細書からGaSbまたはI
nSbの記録層を有する光学記録素子が知られる。
が参考になるもので、この明細書からGaSbまたはI
nSbの記録層を有する光学記録素子が知られる。
この記録層は、例えば合成樹脂またはガラスの基板に例
えばスパッタ法により堆積される。記録すべき情報に従
って脈動するレーザー光に曝露すると、結晶情報ビット
が非晶質記録層に形成される。
えばスパッタ法により堆積される。記録すべき情報に従
って脈動するレーザー光に曝露すると、結晶情報ビット
が非晶質記録層に形成される。
ビットは連続低強度レーザ光により環境に従って反射の
異なることに基づいて読まれる。
異なることに基づいて読まれる。
発明者等は、実験により例えばGaSbの既知記録層を
用いて得られる結果は層をスパッタする間使用するター
ゲットの質および組成に左右されることを確かめた。例
えば、情報ビットの信号/ノイズ比を測定することによ
り決定される差は5〜1Od8程度であることを見出し
た。一定の厚さを有するGaSbの層の透過率(tra
nsmission)は使用するターゲットにより変動
することを確かめた。例えばGas。sbs。の圧縮タ
ーゲットは5%の透過率を有するが、同じ層厚を有する
Ga5゜Sb、。の鋳造ターゲットは2%の透過率を有
する。
用いて得られる結果は層をスパッタする間使用するター
ゲットの質および組成に左右されることを確かめた。例
えば、情報ビットの信号/ノイズ比を測定することによ
り決定される差は5〜1Od8程度であることを見出し
た。一定の厚さを有するGaSbの層の透過率(tra
nsmission)は使用するターゲットにより変動
することを確かめた。例えばGas。sbs。の圧縮タ
ーゲットは5%の透過率を有するが、同じ層厚を有する
Ga5゜Sb、。の鋳造ターゲットは2%の透過率を有
する。
本発明における式(2)に対応する記録層を使用する場
合には、上記の変化は起らない。層の製造に使用するタ
ーゲットに関係なく再現性ある結果が得られる。可能な
説明はレーザ光線に曝露すると本発明による酸素台を非
晶質記録層が多数の核から爆発的に結晶化することであ
ると言うことができる。短かい爆発的の結晶化が行われ
た後、更に結晶化は起らない。既知のGaSb層は放出
される結晶化エネルギーにより維持される急速で且つ無
制限の結晶化を示す。従って02の添加は更なる結晶化
を多少おさえる。本発明における非晶質記録層の曝露し
た点の結晶化の初期段階において、多数の核が形成され
、これから結晶化が起る。本発明における記録層におけ
る02の存在は核形成を促進すると考えられる。
合には、上記の変化は起らない。層の製造に使用するタ
ーゲットに関係なく再現性ある結果が得られる。可能な
説明はレーザ光線に曝露すると本発明による酸素台を非
晶質記録層が多数の核から爆発的に結晶化することであ
ると言うことができる。短かい爆発的の結晶化が行われ
た後、更に結晶化は起らない。既知のGaSb層は放出
される結晶化エネルギーにより維持される急速で且つ無
制限の結晶化を示す。従って02の添加は更なる結晶化
を多少おさえる。本発明における非晶質記録層の曝露し
た点の結晶化の初期段階において、多数の核が形成され
、これから結晶化が起る。本発明における記録層におけ
る02の存在は核形成を促進すると考えられる。
式(4)の記録層は、所望の名目上の組成を有するター
ゲットを使用し、3〜15容量%の酸素を不活性スパッ
タガスに添加するスパッタ法により製造される。適当な
不活性スパッタガスは、例えばアルゴンである0式(4
)のyの値の決定−これはまた式(3)のXの値にあて
はまる−は困難であることは注意すべきである。得られ
る結果は成る程度まで選定する評価方法に左右される。
ゲットを使用し、3〜15容量%の酸素を不活性スパッ
タガスに添加するスパッタ法により製造される。適当な
不活性スパッタガスは、例えばアルゴンである0式(4
)のyの値の決定−これはまた式(3)のXの値にあて
はまる−は困難であることは注意すべきである。得られ
る結果は成る程度まで選定する評価方法に左右される。
この型の決定に普通使用される方法はラグフォード後方
散乱法である。yおよびXの記載した値は上記方法によ
り決定される。
散乱法である。yおよびXの記載した値は上記方法によ
り決定される。
従って、本発明における記録層の分析は若干問題になる
。Nは、上述の如く記録層が、式RQSb、−q(但し
Rおよびqは前記のものと同じものを示す)で表わされ
る物質をターゲットとして使用し、3〜15容量%の酸
素を添加した不活性スパッタガスを使用するスパッタ法
により得られる製造方法により最も良く規定される。こ
のスパッタ法において使用する最終圧力は広範囲に亘り
変えることができ、例えば5・10−S〜10−1ミリ
バールである。
。Nは、上述の如く記録層が、式RQSb、−q(但し
Rおよびqは前記のものと同じものを示す)で表わされ
る物質をターゲットとして使用し、3〜15容量%の酸
素を添加した不活性スパッタガスを使用するスパッタ法
により得られる製造方法により最も良く規定される。こ
のスパッタ法において使用する最終圧力は広範囲に亘り
変えることができ、例えば5・10−S〜10−1ミリ
バールである。
スパッタ法に必要とされるエネルギーもまた広範囲、例
えば100−〜1000−の範囲で変えることができる
。スパッタ法はDCマグネトロン スパッタ法が好まし
く、この方法は所要に応じて、例えば50〜100 ’
Cの高温で実施される。然し、使用する基板の温度悪性
を考慮しなければならない。
えば100−〜1000−の範囲で変えることができる
。スパッタ法はDCマグネトロン スパッタ法が好まし
く、この方法は所要に応じて、例えば50〜100 ’
Cの高温で実施される。然し、使用する基板の温度悪性
を考慮しなければならない。
本発明の光情報キャリヤの他の好適例において基板は、
−側に光学的構造を有する第1層を備え、この第1層は
式(1)または(2)の化合物の薄い第2層で被覆され
る。
−側に光学的構造を有する第1層を備え、この第1層は
式(1)または(2)の化合物の薄い第2層で被覆され
る。
第2層は、更に特に次式
%式%(5)
(式中のRおよびqは前記のものと同じものを示し、Z
は33〜80原子%の値である)で表わされる化合物か
ら成る。
は33〜80原子%の値である)で表わされる化合物か
ら成る。
第1層の光学的構造は、例えばコンパクト ディスク(
T、M、)に使用されるような交互に高低レベルである
情報領域の情報トラックを備える光学的読出し可能な相
構造である。光学的構造を有する層は、また光学的に記
録し、読出す情報用の記録層とすることができる。記録
層において記録されるビットは上記の如く、非晶質マト
リックスにおける結晶領域とすることができる。記録層
の露出部分に孔を形成するかまたは例えば上昇した部分
を湾曲した形態で形成することができる。光学的構造を
有する層は、更に磁気光学層とすることができ、この層
では磁化の方向が、磁場により露出部分で逆である。こ
れ等の領域は、カーまたはファラディ回転を利用する低
強度偏光レーザ光線により読まれる。
T、M、)に使用されるような交互に高低レベルである
情報領域の情報トラックを備える光学的読出し可能な相
構造である。光学的構造を有する層は、また光学的に記
録し、読出す情報用の記録層とすることができる。記録
層において記録されるビットは上記の如く、非晶質マト
リックスにおける結晶領域とすることができる。記録層
の露出部分に孔を形成するかまたは例えば上昇した部分
を湾曲した形態で形成することができる。光学的構造を
有する層は、更に磁気光学層とすることができ、この層
では磁化の方向が、磁場により露出部分で逆である。こ
れ等の領域は、カーまたはファラディ回転を利用する低
強度偏光レーザ光線により読まれる。
式(1)、 (2)または(5)の化合物の薄層は光学
的構造が完全に封止されていることを確実にする。層は
不活性であり、良く接着し、約10μmの厚さまでスパ
ッタ法により堆積させることができる。ヘアクラックは
形成されない。
的構造が完全に封止されていることを確実にする。層は
不活性であり、良く接着し、約10μmの厚さまでスパ
ッタ法により堆積させることができる。ヘアクラックは
形成されない。
式(5)の層は上記式(4)の記録層より、著しく高い
平均酸素含量を有する0式(5)の化合物の層は、透明
であって層は記録層として使用するのに適当でないかま
たは余り適さない、指数2の値が小さい程、層の透明性
は高い。完全に透明な層を被覆層として使用するのが好
ましい。
平均酸素含量を有する0式(5)の化合物の層は、透明
であって層は記録層として使用するのに適当でないかま
たは余り適さない、指数2の値が小さい程、層の透明性
は高い。完全に透明な層を被覆層として使用するのが好
ましい。
式(3)および(4)の化合物と共通して、式(5)の
化合物の酸素含量を決定することは困難である。2の指
示した値は、ラダフォード後方散乱法によって決定され
る。
化合物の酸素含量を決定することは困難である。2の指
示した値は、ラダフォード後方散乱法によって決定され
る。
式(5)の化合物の層は、式RqSb+−Q(但しRお
よびqは前記のものと同じものを示す)で表わされる物
質をターゲットとして使用し、不活性スパッタガスに1
5〜50容量%の酸素を添加したガスを使用するスパッ
タ法により得られる。
よびqは前記のものと同じものを示す)で表わされる物
質をターゲットとして使用し、不活性スパッタガスに1
5〜50容量%の酸素を添加したガスを使用するスパッ
タ法により得られる。
またこの場合に、スパッタ法に使用する最終圧力は広範
囲に亘り変えることができる。スパッタ法は式(4)の
化合物の層の製造に関して上記したと同じ方法で実施さ
れる。本発明における光情報キャリャの他の好適例にお
いて、光学的構造を有する上記第1層は式(4)の化合
物から形成される光学記録層である。
囲に亘り変えることができる。スパッタ法は式(4)の
化合物の層の製造に関して上記したと同じ方法で実施さ
れる。本発明における光情報キャリャの他の好適例にお
いて、光学的構造を有する上記第1層は式(4)の化合
物から形成される光学記録層である。
従ってこの例では、式(4)の記録層は、式(5)の被
覆層で被覆される。
覆層で被覆される。
特定例において、光情報キャリヤは多層反射防上記録系
を有し、この系は順次式(4)の化合物の非晶質記録層
、式(5)の化合物の誘電層および反射層を備える0反
射層は染料から構成することができる。金属層、特にA
1層、Ag層またはAu層を使用するのが好ましい。
を有し、この系は順次式(4)の化合物の非晶質記録層
、式(5)の化合物の誘電層および反射層を備える0反
射層は染料から構成することができる。金属層、特にA
1層、Ag層またはAu層を使用するのが好ましい。
上記3層系を適合させることができ、即ち誘電層の厚さ
の選定により光路長さに反射防止状態が得られるように
影響を及ぼすことができる。この状態において、各層か
ら放射される反射ビームは位相の差に基づいて相互に消
滅する。反射防止状態は記録層における結晶質情報ビッ
トの位置に存在しない。即ちまた反射防止状態が情報ビ
ットの位置に存在することおよびビットの周囲に反射防
止状態がないこともまた他の方法であり得る。信号/ノ
イズ比はかかる多層系において改善される。
の選定により光路長さに反射防止状態が得られるように
影響を及ぼすことができる。この状態において、各層か
ら放射される反射ビームは位相の差に基づいて相互に消
滅する。反射防止状態は記録層における結晶質情報ビッ
トの位置に存在しない。即ちまた反射防止状態が情報ビ
ットの位置に存在することおよびビットの周囲に反射防
止状態がないこともまた他の方法であり得る。信号/ノ
イズ比はかかる多層系において改善される。
実際の観点から興味ある本発明における光情報キャリヤ
の好適例においては、式(4)の化合物および式(5)
の化合物を交互に有する複数の薄層を基板上に設ける。
の好適例においては、式(4)の化合物および式(5)
の化合物を交互に有する複数の薄層を基板上に設ける。
式(4)の化合物を有する暦は光学記録層である。
層は非晶質である。結晶質情報ピントはレーザー光に曝
露することにより形成される。記録層間に配置する式(
5)の化合物の層は、不活性の透明中間層で、これらの
層は、スパッタ法により10μmまでの任意所望の厚さ
に堆積することができる。厚さは、2つの連結する記録
層が、2つの記録層の一つの上で書込みレーザービーム
または読出しレーザービームを集束する対物レンズの焦
点深度内に両者がないように選定される。この結果とし
てクロス−トーク等は回避される。
露することにより形成される。記録層間に配置する式(
5)の化合物の層は、不活性の透明中間層で、これらの
層は、スパッタ法により10μmまでの任意所望の厚さ
に堆積することができる。厚さは、2つの連結する記録
層が、2つの記録層の一つの上で書込みレーザービーム
または読出しレーザービームを集束する対物レンズの焦
点深度内に両者がないように選定される。この結果とし
てクロス−トーク等は回避される。
複数の記録層により、記録される情報量は、この特定例
においては、極めて大である。更に興味ある利点は、こ
の多層系が極めて有効で且つ容易に考えられる方法で製
造することができることである。製造はRqSb、−、
の組成を有するターゲットを用いるスパッタ法により実
施し、この際スパッタガスは不活性ガスを含有し、この
ガスに交互に3層15容世%、好ましくは、5〜10容
量%の酸素を添加して式(4)の記録層を得、次に大量
の15〜50容量%の酸素を添加して不活性透明物質層
を得る。
においては、極めて大である。更に興味ある利点は、こ
の多層系が極めて有効で且つ容易に考えられる方法で製
造することができることである。製造はRqSb、−、
の組成を有するターゲットを用いるスパッタ法により実
施し、この際スパッタガスは不活性ガスを含有し、この
ガスに交互に3層15容世%、好ましくは、5〜10容
量%の酸素を添加して式(4)の記録層を得、次に大量
の15〜50容量%の酸素を添加して不活性透明物質層
を得る。
(実施例)
次に図面を参照して本発明を実施例により説明する。
第1図において1はホルダー2に取付けることができる
ポリメチルメタクリレートのレンズ本体を示す、レンズ
本体lの屈折面3は球形である。
ポリメチルメタクリレートのレンズ本体を示す、レンズ
本体lの屈折面3は球形である。
光学軸を4で示す。本発明においては、屈折面は式Ga
5bO,の無機誘電化合物の不活性透明N5を備える0
層5は5μmの厚さを有する。
5bO,の無機誘電化合物の不活性透明N5を備える0
層5は5μmの厚さを有する。
層5はスパッタ法により屈折面3に堆積させた。
スパッタ法を第4図に示す。図示せぬマグネトロンの真
空ベル30において、先ず5・10−6の所望最終圧力
を真空ポンプ31により調整した。得た圧力をマノメー
タ32で読む。次いで容′器35から酸素を供給管33
および開いた停止弁34を介して8・10−’ミリバー
ルの圧力が得られるまで真空ベルに供給した0次いでア
ルゴンを容器38から管36および開いた停止弁37を
介して10−3ミリバールの圧力が得られるまで真空ベ
ル30に導入した。 5oovの電圧を印加するGaS
bのターゲット39を真空ベル30内に存在させた。基
板41を保持するためのホルダー40を真空ベル30内
に存在させた。ホルダー40および基板41を通路42
に沿って真空ベル内を移動させることができる。マグネ
トロンを200−の電力に調整した。1分後プラズマが
安定した。例えばレンズ本体1の如き基板41をターゲ
ット39を経て導く場合Ga5bOaO層が基体41の
表面上に堆積した。この操作を、所望厚さのGa5bO
,のスパッタ層が得られるまで繰返した。
空ベル30において、先ず5・10−6の所望最終圧力
を真空ポンプ31により調整した。得た圧力をマノメー
タ32で読む。次いで容′器35から酸素を供給管33
および開いた停止弁34を介して8・10−’ミリバー
ルの圧力が得られるまで真空ベルに供給した0次いでア
ルゴンを容器38から管36および開いた停止弁37を
介して10−3ミリバールの圧力が得られるまで真空ベ
ル30に導入した。 5oovの電圧を印加するGaS
bのターゲット39を真空ベル30内に存在させた。基
板41を保持するためのホルダー40を真空ベル30内
に存在させた。ホルダー40および基板41を通路42
に沿って真空ベル内を移動させることができる。マグネ
トロンを200−の電力に調整した。1分後プラズマが
安定した。例えばレンズ本体1の如き基板41をターゲ
ット39を経て導く場合Ga5bOaO層が基体41の
表面上に堆積した。この操作を、所望厚さのGa5bO
,のスパッタ層が得られるまで繰返した。
得られた層はヘアクランクの如き欠陥を有せぬ硬質不活
性透明被膜であった。所要に応じて、環状金属層6の如
き他の層を層5に設けることができ、該金属層は蒸着に
より球状表面の縁部に設けて例えばダイアフラムを形成
させた。
性透明被膜であった。所要に応じて、環状金属層6の如
き他の層を層5に設けることができ、該金属層は蒸着に
より球状表面の縁部に設けて例えばダイアフラムを形成
させた。
第2図において、7はガラス基板を示し、この基板7の
一側面にアクリレート若しくはメタクリレートの硬化し
た合成樹脂層8を設け、この層8に螺旋形溝9の形態の
光学的読出し可能なフォロアートラックを形成した。溝
部分9間の隆起部分10はランドまたはランド部と称す
る。一つのスパッタ法においては式(4)の化合物の記
録層11と式(5)の化合物の透明距離層12を層8上
に連続的に設けた。両式においてRはGai素を示し、
qは0.5、yは95原子%、Zは40原子%を示す。
一側面にアクリレート若しくはメタクリレートの硬化し
た合成樹脂層8を設け、この層8に螺旋形溝9の形態の
光学的読出し可能なフォロアートラックを形成した。溝
部分9間の隆起部分10はランドまたはランド部と称す
る。一つのスパッタ法においては式(4)の化合物の記
録層11と式(5)の化合物の透明距離層12を層8上
に連続的に設けた。両式においてRはGai素を示し、
qは0.5、yは95原子%、Zは40原子%を示す。
層11および12を層5に対して既に述べたと同様の方
法でスパッタした。スパッタ法は第4図に示すスハッタ
装置で実施した。層11のスパッタには1・10−3ミ
リバールのアルゴン圧力と8・10− I Sミリバー
ルの酸素圧力を使用した。層12には、1・10−8ミ
リバールの同様に高いアルゴン圧力と7・10−4ミリ
バールの酸素圧力を使用した。スパッタ用ターゲットは
GaSbの組成を有した。スパッタ温度は50°Cであ
った。
法でスパッタした。スパッタ法は第4図に示すスハッタ
装置で実施した。層11のスパッタには1・10−3ミ
リバールのアルゴン圧力と8・10− I Sミリバー
ルの酸素圧力を使用した。層12には、1・10−8ミ
リバールの同様に高いアルゴン圧力と7・10−4ミリ
バールの酸素圧力を使用した。スパッタ用ターゲットは
GaSbの組成を有した。スパッタ温度は50°Cであ
った。
金属層13は蒸着法により1it12に堆積させた。こ
の層に図示せぬラッカー層を設けることができる。
の層に図示せぬラッカー層を設けることができる。
情報キャリヤ7〜13の操作中、連続的低強度レーザー
ビーム14が基板7を介して溝構造のランド部分10上
に集束した。ランド部分の位置には、反射防止状態がな
く従ってランドにより形成されフォロアートラックを検
出するに足る光が反射された。レーザービーム14はラ
ンド部分からおよび包囲する溝部分から放射される反射
光間の位相差に基づいてトラックに使う。
ビーム14が基板7を介して溝構造のランド部分10上
に集束した。ランド部分の位置には、反射防止状態がな
く従ってランドにより形成されフォロアートラックを検
出するに足る光が反射された。レーザービーム14はラ
ンド部分からおよび包囲する溝部分から放射される反射
光間の位相差に基づいてトラックに使う。
レーザービム14は書込みレーザービーム15に、ビー
ム15が情報キャリヤに対して放射方向に、例えばラン
ドおよび溝の幅の合計の半分に等しい距離に亘ってビー
ム14に対して動かされるように結合した。従ってビー
ム15は図示する如く、隣の溝に集束された。溝部分の
位置で、情報キャリヤ7〜13は反射防止状態にあるの
で、光は反射しないか、または少ししか反射しなかった
。これにより、記録プロセスを促進する最適光吸収が可
能になった。レーザービーム15を記録すべき情報に従
って調整した。記録用材料の非晶質状態から結晶質状態
への転換は記録層11の露出領域で行われた。従って得
られた情報ビットは非晶質マトリックスにおける結晶ス
ポットであった0反射防止状態は溝9に記録される結晶
質ビットにあてはまらなかった。この理由は結晶質物質
の屈折率が非晶質物質の屈折率と異なるので、結晶質ビ
ットの位置で光路長さが溝の位置における非晶質物質に
対し計算され、非晶質物質上で課せられる反射防止状態
と一致しないからである。ビットを備えた溝9を図示せ
ぬ連続的低強度読出しレーザービームにより走査した。
ム15が情報キャリヤに対して放射方向に、例えばラン
ドおよび溝の幅の合計の半分に等しい距離に亘ってビー
ム14に対して動かされるように結合した。従ってビー
ム15は図示する如く、隣の溝に集束された。溝部分の
位置で、情報キャリヤ7〜13は反射防止状態にあるの
で、光は反射しないか、または少ししか反射しなかった
。これにより、記録プロセスを促進する最適光吸収が可
能になった。レーザービーム15を記録すべき情報に従
って調整した。記録用材料の非晶質状態から結晶質状態
への転換は記録層11の露出領域で行われた。従って得
られた情報ビットは非晶質マトリックスにおける結晶ス
ポットであった0反射防止状態は溝9に記録される結晶
質ビットにあてはまらなかった。この理由は結晶質物質
の屈折率が非晶質物質の屈折率と異なるので、結晶質ビ
ットの位置で光路長さが溝の位置における非晶質物質に
対し計算され、非晶質物質上で課せられる反射防止状態
と一致しないからである。ビットを備えた溝9を図示せ
ぬ連続的低強度読出しレーザービームにより走査した。
ビットの位置で反射信号を評価し、これにより記録され
た情報が再び有効になった。
た情報が再び有効になった。
溝における非晶質物質が反射防止状態にあることにより
、信号−ノイズ比は記録される情報を読出す場合には高
く、例えば55dBまたはこれにより大であった。
、信号−ノイズ比は記録される情報を読出す場合には高
く、例えば55dBまたはこれにより大であった。
第3図において、16はポリカーボネートから成る基板
を示し、この基板は一側面に螺旋形溝17を備える。溝
17はフォロアートラックを形成し、これにより書込み
プロセスを第2図に対して記載した方法と正確に同じ方
法で制御した。基板16は記録層(1B、 20.22
.24.26)と透明距離層(19,21゜23、25
.27)を交互にlO薄層として備えた。各記録層は式
(4)の化合物から成り;各距離層は式(5)の化合物
から構成した0両式においてRはGa元素、qは0.5
を示す1式(4)において指数yは97原子%を示す0
式(5)において2は35原子%を示す。すべての層を
スパッタにより一操作でつくった。この目的のため、1
・104ミリバールのアルゴン圧および7・10−’ミ
リバールの酸素圧を第4図に従ってスパッタベル内に通
用した。記録層はこれ等の条件下でつくった。距離層を
酸素圧を8・10−″ミリバールに一時的に上げること
により形成した。
を示し、この基板は一側面に螺旋形溝17を備える。溝
17はフォロアートラックを形成し、これにより書込み
プロセスを第2図に対して記載した方法と正確に同じ方
法で制御した。基板16は記録層(1B、 20.22
.24.26)と透明距離層(19,21゜23、25
.27)を交互にlO薄層として備えた。各記録層は式
(4)の化合物から成り;各距離層は式(5)の化合物
から構成した0両式においてRはGa元素、qは0.5
を示す1式(4)において指数yは97原子%を示す0
式(5)において2は35原子%を示す。すべての層を
スパッタにより一操作でつくった。この目的のため、1
・104ミリバールのアルゴン圧および7・10−’ミ
リバールの酸素圧を第4図に従ってスパッタベル内に通
用した。記録層はこれ等の条件下でつくった。距離層を
酸素圧を8・10−″ミリバールに一時的に上げること
により形成した。
酸素圧を比較的高い値(8・10−4ミリバール)に上
げ、これを比較的低い値(9・10−Sミリバール)に
下げることを交互に行うことにより第3図に示す層構造
体を得た。
げ、これを比較的低い値(9・10−Sミリバール)に
下げることを交互に行うことにより第3図に示す層構造
体を得た。
情報の読出しおよび記録は第2図に関して記載したと同
様の方法で行うが、第3図の情報キャリヤにおいて反射
防止状態はなかった。記録プロセスには調整したレーザ
ービーム29を使用し、ビームを5層の記録層の一つに
集束した。レーザービーム29はフォロアービーム28
により制御した。非晶質から結晶質への転換はビーム2
9に曝露する記録層の位置で行われた。結晶質情報ビッ
トは適切な記録層に集束される図示せぬ連続続出しビー
ムにより非晶質環境による反射の差を基にして読出され
た。ビームを集束するのに用いるレンズの焦点距離の深
度を変えることにより、各記録層上に記録するかまたは
読出すことができた。距離層の厚さを選定して次の記録
層が焦点深度の外側にあるようにした。
様の方法で行うが、第3図の情報キャリヤにおいて反射
防止状態はなかった。記録プロセスには調整したレーザ
ービーム29を使用し、ビームを5層の記録層の一つに
集束した。レーザービーム29はフォロアービーム28
により制御した。非晶質から結晶質への転換はビーム2
9に曝露する記録層の位置で行われた。結晶質情報ビッ
トは適切な記録層に集束される図示せぬ連続続出しビー
ムにより非晶質環境による反射の差を基にして読出され
た。ビームを集束するのに用いるレンズの焦点距離の深
度を変えることにより、各記録層上に記録するかまたは
読出すことができた。距離層の厚さを選定して次の記録
層が焦点深度の外側にあるようにした。
第1図は本発明の一例の積層体の断面図、第2図は本発
明の一例の光情報キャリヤの断面図、 第3図は本発明の他の好適例の光情報キャリヤの断面図
、 第4図は本発明の積層体の製造に使用するスパッタ法を
実施するための装置の配置図である。 1・・・レンズ本体 2・・・ホルダー3・・・
屈折面 4・・・光学軸5・・・不活性透明
層 6・・・環状金属層7・・・ガラス基板
8・・・硬化した合成樹脂層9・・・溝部分 10・・・隆起部分(またはランド部分)11・・・記
録層 12・・・透明距離層13・・・金J
i層14.15・・・レーザービーム16・・・ポリカ
ーボネート基板 17・・・螺旋形溝 18,20,22,24
.26・・・記録層19.21,23,25.27・・
・透明路1Tif1層28・・・フォロアービーム 2
9・・・レーザービーム30・・・真空ベル
31・・・真空ポンプ32・・・マノメータ 3
3・・・供給管34・・・停止弁 35・・
・容器36・・・管 37・・・停止弁
38・・・容器 39・・・ターゲット4
0・・・ホルダー 41・・・基牟反42・・
・通路 [,4 FlO,1 ]5 FIG3 FIG、2 FlO,4
明の一例の光情報キャリヤの断面図、 第3図は本発明の他の好適例の光情報キャリヤの断面図
、 第4図は本発明の積層体の製造に使用するスパッタ法を
実施するための装置の配置図である。 1・・・レンズ本体 2・・・ホルダー3・・・
屈折面 4・・・光学軸5・・・不活性透明
層 6・・・環状金属層7・・・ガラス基板
8・・・硬化した合成樹脂層9・・・溝部分 10・・・隆起部分(またはランド部分)11・・・記
録層 12・・・透明距離層13・・・金J
i層14.15・・・レーザービーム16・・・ポリカ
ーボネート基板 17・・・螺旋形溝 18,20,22,24
.26・・・記録層19.21,23,25.27・・
・透明路1Tif1層28・・・フォロアービーム 2
9・・・レーザービーム30・・・真空ベル
31・・・真空ポンプ32・・・マノメータ 3
3・・・供給管34・・・停止弁 35・・
・容器36・・・管 37・・・停止弁
38・・・容器 39・・・ターゲット4
0・・・ホルダー 41・・・基牟反42・・
・通路 [,4 FlO,1 ]5 FIG3 FIG、2 FlO,4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板と無機誘電化合物の薄層を備えた積層体におい
て、誘電化合物がアンチモン化ガリウム若しくはアンチ
モン化インジウムの酸化物または低級酸化物であること
を特徴とする積層体。 2、誘電化合物が次式 〔R_qSb_1_−_q)_xO_1_−_x(3)
(式中のRはガリウムまたはインジウム、qは45〜5
5原子%、xは33〜99原子%を示す)で表わされる
アンチモン化ガリウム若しくはアンチモン化インジウム
の低級酸化物であることを特徴とする請求項1記載の積
層体。 3、式(3)の化合物の層が蒸着法またはスパッタ法に
より設けられており、約10μmまでの厚さを有するこ
とを特徴とする請求項1または2記載の積層体。 4、次式 〔R_qSb_1_−_q)_xO_1_−_x(式中
のRはガリウムまたはインジウム、qは45〜55原子
%、xは33〜99原子%を示す)で表わされる化合物
。 5、請求項1、2または3記載の積層体を備えたことを
特徴とする光情報キャリヤ。 6、情報キャリヤが一側に次式 〔R_qSb_1_−_q〕_yO_1_−_y(4)
(式中のRはガリウムまたはインジウム、qは45〜5
5原子%、yは80〜99原子%を示す)で表わされる
化合物から形成される光記録層を備えたことを特徴とす
る請求項5記載の光情報キャリヤ。 7、情報キャリヤが、一側に光学的構造を有する第1の
層を備え、この第1の層が次式 〔R_qSb_1_−_q〕_zO_1_−_z(5)
(式中のRおよびqは前記のものと同じものを示し、z
は33〜80原子%を示す)で表わされる化合物の第2
の薄層で被覆されている基板を備えたことを特徴とする
請求項5記載の光情報キャリヤ。 8、第1の層が、次式 〔R_qSb_1_−_q)_yO_1_−_y(4)
(式中のR、qおよびyは前記のものと同じものを示す
)で表わされる化合物から形成される光学記録層である
ことを特徴とする請求項7記載の光情報キャリヤ。 9、基板および式(4)および式(5)の化合物を交互
に含む複数の薄層を備えた情報キャリヤを使用したこと
を特徴とする請求項8記載の光情報キャリヤ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8800955 | 1988-04-13 | ||
NL8800955 | 1988-04-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH029682A true JPH029682A (ja) | 1990-01-12 |
JP2889880B2 JP2889880B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=19852122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1089868A Expired - Lifetime JP2889880B2 (ja) | 1988-04-13 | 1989-04-11 | 積層体、積層体に使用する化合物および積層体を備えた光情報キャリヤ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5045373A (ja) |
EP (1) | EP0337553B1 (ja) |
JP (1) | JP2889880B2 (ja) |
DE (1) | DE68911014T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04146188A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
Families Citing this family (9)
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US5563873A (en) * | 1992-11-26 | 1996-10-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer optical disk and apparatus |
US5488597A (en) * | 1994-04-19 | 1996-01-30 | Alan G. Chen | Multilayer optical memory with means for recording and reading information |
KR960015450A (ko) * | 1994-10-31 | 1996-05-22 | 배순훈 | 다층 광 디스크 |
US5691091A (en) * | 1995-06-07 | 1997-11-25 | Syracuse University | Optical storage process |
TW414892B (en) * | 1996-05-28 | 2000-12-11 | Ibm | Optical data storage system with multiple rewriteable phase-change recording layers |
KR20000068386A (ko) * | 1996-09-02 | 2000-11-25 | 샬크비즈크 피이터 코르넬리스 | 교차결합된 완충층을 구비한 광 기록 매체 |
KR100230449B1 (ko) * | 1996-10-10 | 1999-11-15 | 윤종용 | 광기록매체 |
GB201011091D0 (en) * | 2010-07-01 | 2010-08-18 | Lucite Int Uk Ltd | A catalyst and a process for the production of ethylenically unsaturated carboxylic acids or esters |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63136336A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US3449064A (en) * | 1963-06-24 | 1969-06-10 | Owens Illinois Inc | Process for preparing indium and scandium antimonates |
US4719594A (en) * | 1984-11-01 | 1988-01-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Grooved optical data storage device including a chalcogenide memory layer |
NL8503235A (nl) * | 1985-11-25 | 1987-06-16 | Philips Nv | Methode voor de optische registratie van informatie en een in de methode toegepast optisch registratie element. |
US4803660A (en) * | 1986-02-28 | 1989-02-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium |
-
1989
- 1989-04-07 DE DE68911014T patent/DE68911014T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-07 EP EP89200872A patent/EP0337553B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-11 JP JP1089868A patent/JP2889880B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-14 US US07/481,669 patent/US5045373A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS63136336A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
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JPH04146188A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5045373A (en) | 1991-09-03 |
DE68911014D1 (de) | 1994-01-13 |
JP2889880B2 (ja) | 1999-05-10 |
DE68911014T2 (de) | 1994-05-26 |
EP0337553A1 (en) | 1989-10-18 |
EP0337553B1 (en) | 1993-12-01 |
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