JPH0785503A - 光ディスク - Google Patents
光ディスクInfo
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- JPH0785503A JPH0785503A JP5229327A JP22932793A JPH0785503A JP H0785503 A JPH0785503 A JP H0785503A JP 5229327 A JP5229327 A JP 5229327A JP 22932793 A JP22932793 A JP 22932793A JP H0785503 A JPH0785503 A JP H0785503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- groove
- substrate
- groove depth
- width
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガイド溝付き基板に誘電体層及び記録層を順
次に積層してなる光ディスクにおいて、誘電体層表面に
おけるグルーブ幅Ｗf がトラックピッチＰとの関係で次
式 Ｐ／７≦Ｗf ≦２ｐ／７ を満たし、かつ、Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf で
表される実効グルーブ深さが次式 λ／８≦Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ≦λ／５ （λは再生用レーザー光の波長、Ｄs はガイド溝付き基
板のグルーブ深さ、ｎsはガイド溝付き基板の屈折率、
Ｄf は誘電体層表面におけるグルーブ深さ、ｎfは誘電
体層の屈折率）を満たす光ディスク。 【効果】 誘電体層表面のグルーブ幅及び実効グルーブ
深さが所定の値となるようにすることにより、光ディス
クのトラッキング関連の特性及び再生信号関連の特性を
常に良好な値にすることが可能となる。
次に積層してなる光ディスクにおいて、誘電体層表面に
おけるグルーブ幅Ｗf がトラックピッチＰとの関係で次
式 Ｐ／７≦Ｗf ≦２ｐ／７ を満たし、かつ、Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf で
表される実効グルーブ深さが次式 λ／８≦Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ≦λ／５ （λは再生用レーザー光の波長、Ｄs はガイド溝付き基
板のグルーブ深さ、ｎsはガイド溝付き基板の屈折率、
Ｄf は誘電体層表面におけるグルーブ深さ、ｎfは誘電
体層の屈折率）を満たす光ディスク。 【効果】 誘電体層表面のグルーブ幅及び実効グルーブ
深さが所定の値となるようにすることにより、光ディス
クのトラッキング関連の特性及び再生信号関連の特性を
常に良好な値にすることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスクに関する
ものである。さらに詳しくは、この発明は、トラッキン
グ関連の特性及び再生信号関連の特性を常に良好にし、
的確かつ迅速に情報を記録再生することのできる新しい
光ディスクに関するものである。
ものである。さらに詳しくは、この発明は、トラッキン
グ関連の特性及び再生信号関連の特性を常に良好にし、
的確かつ迅速に情報を記録再生することのできる新しい
光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高密度データが蓄積でき、高速に情報処
理可能な光ディスクはコンピュータメモリー等として注
目されている。特に、直径５．２５インチの光ディスク
は、１回のみ情報の書き込みが可能であるライトワンス
タイプや、情報の書換えが可能である光磁気タイプとし
て、また、直径３．５インチの光ディスクは、光磁気タ
イプと再生専用であるＲＯＭタイプ、あるいは光磁気と
ＲＯＭの混在しているパーシャルＲＯＭタイプとしてＩ
ＳＯ規格により標準化されており、今後さらに広く市場
に普及するものと予想されている。
理可能な光ディスクはコンピュータメモリー等として注
目されている。特に、直径５．２５インチの光ディスク
は、１回のみ情報の書き込みが可能であるライトワンス
タイプや、情報の書換えが可能である光磁気タイプとし
て、また、直径３．５インチの光ディスクは、光磁気タ
イプと再生専用であるＲＯＭタイプ、あるいは光磁気と
ＲＯＭの混在しているパーシャルＲＯＭタイプとしてＩ
ＳＯ規格により標準化されており、今後さらに広く市場
に普及するものと予想されている。
【０００３】また、最近ではデジタルオーディオ分野に
おいても光ディスクが応用されはじめている。たとえ
ば、２４〜４８トラックのデジタルマルチトラックレコ
ーディングにおけるマスターソースとしてライトワンス
タイプの光ディスクや光磁気ディスクを使ったプレーヤ
ーが販売されている。これら以外の製品でもＣＤ−Ｒ
（ライトワンスタイプのコンパクトディスク）やＭＤ
（ミニディスク）が登場しており今後の動向が注目され
ている。
おいても光ディスクが応用されはじめている。たとえ
ば、２４〜４８トラックのデジタルマルチトラックレコ
ーディングにおけるマスターソースとしてライトワンス
タイプの光ディスクや光磁気ディスクを使ったプレーヤ
ーが販売されている。これら以外の製品でもＣＤ−Ｒ
（ライトワンスタイプのコンパクトディスク）やＭＤ
（ミニディスク）が登場しており今後の動向が注目され
ている。
【０００４】通常、このような光ディスクには、記録再
生装置のピックアップからのレーザースポットを情報に
沿って導くための、すなわちトラッキングのためのガイ
ドが凹または凸の溝の形でディスクの内周から外周へ向
けてスパイラル状に形成されている。この溝はガイド溝
と呼ばれており、図３に沿って説明すれば、ＩＳＯ規格
においても定義されているように、ピックアップ（１
２）から見た場合に凹になる部分つまり遠方になる部分
はランド（７）と呼ばれ、ピックアップから見た場合に
凸になる部分、つまり近くになる部分はグルーブ（８）
と呼ばれる。情報はランド（７）またはグルーブ（８）
のどちらかに書き込まれるが、ランド（７）に書き込ま
れるランド記録方式が多い。ただ、前述のＣＤ−ＲやＭ
Ｄはグルーブ記録方式が多い。またランド（７）の中心
から隣りのランドの中心までをトラックピッチ（３）と
呼んでいる。
生装置のピックアップからのレーザースポットを情報に
沿って導くための、すなわちトラッキングのためのガイ
ドが凹または凸の溝の形でディスクの内周から外周へ向
けてスパイラル状に形成されている。この溝はガイド溝
と呼ばれており、図３に沿って説明すれば、ＩＳＯ規格
においても定義されているように、ピックアップ（１
２）から見た場合に凹になる部分つまり遠方になる部分
はランド（７）と呼ばれ、ピックアップから見た場合に
凸になる部分、つまり近くになる部分はグルーブ（８）
と呼ばれる。情報はランド（７）またはグルーブ（８）
のどちらかに書き込まれるが、ランド（７）に書き込ま
れるランド記録方式が多い。ただ、前述のＣＤ−ＲやＭ
Ｄはグルーブ記録方式が多い。またランド（７）の中心
から隣りのランドの中心までをトラックピッチ（３）と
呼んでいる。
【０００５】現在、市場に出ている光ディスクのグルー
ブにはＵ字型の形状のものとＶ字型の形状のものとの２
種類がある。Ｕ字型の場合、図３に示すように基板表面
のグルーブ（８）の上部における幅をＷstop（９）と
し、基板表面のグルーブの底部における幅をＷsbottom
（１０）とすると、グルーブ幅Ｗs はＷs ＝（Ｗstop＋
Ｗsbottom ）／２で定義され、Ｖ字型の場合は、図４に
示すようにＷs ＝Ｗstopで定義されている。また、基板
表面のグルーブの底部よりグルーブの上部までの高さを
グルーブ深さＤs （１１）と呼んでもいる。これらグル
ーブ幅Ｗs 及びグルーブ深さＤs はいずれも保護層、記
録層等を成膜する前の状態の基板表面のガイド溝に関し
て定義されている。
ブにはＵ字型の形状のものとＶ字型の形状のものとの２
種類がある。Ｕ字型の場合、図３に示すように基板表面
のグルーブ（８）の上部における幅をＷstop（９）と
し、基板表面のグルーブの底部における幅をＷsbottom
（１０）とすると、グルーブ幅Ｗs はＷs ＝（Ｗstop＋
Ｗsbottom ）／２で定義され、Ｖ字型の場合は、図４に
示すようにＷs ＝Ｗstopで定義されている。また、基板
表面のグルーブの底部よりグルーブの上部までの高さを
グルーブ深さＤs （１１）と呼んでもいる。これらグル
ーブ幅Ｗs 及びグルーブ深さＤs はいずれも保護層、記
録層等を成膜する前の状態の基板表面のガイド溝に関し
て定義されている。
【０００６】ガイド溝の実際の寸法については、通常
は、ランド記録方式のものはグルーブ幅が０．４〜０．
６μｍであり、グルーブ深さは記録再生用レーザーの波
長をλとし基板の屈折率をｎとすればλ／（７・ｎ）〜
λ／（８・ｎ）となっている。また、グルーブ記録方式
のものはグルーブ幅が１．０〜１．２μｍであり、グル
ーブ深さは記録再生用レーザーの波長をλとし、基板の
屈折率をｎとすれば、λ／（７・ｎ）〜λ／（８・ｎ）
となっている。
は、ランド記録方式のものはグルーブ幅が０．４〜０．
６μｍであり、グルーブ深さは記録再生用レーザーの波
長をλとし基板の屈折率をｎとすればλ／（７・ｎ）〜
λ／（８・ｎ）となっている。また、グルーブ記録方式
のものはグルーブ幅が１．０〜１．２μｍであり、グル
ーブ深さは記録再生用レーザーの波長をλとし、基板の
屈折率をｎとすれば、λ／（７・ｎ）〜λ／（８・ｎ）
となっている。
【０００７】トラックピッチは上記いずれの記録方式の
場合も１．６μｍである。そして、最近ではさらに高密
度の情報を記録するために狭トラックピッチ化をした報
告がなされており、トラックピッチを１．４μｍや１．
２μｍにした例もある。
場合も１．６μｍである。そして、最近ではさらに高密
度の情報を記録するために狭トラックピッチ化をした報
告がなされており、トラックピッチを１．４μｍや１．
２μｍにした例もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上の通り、従来の光
ディスクではグルーブ幅及びグルーブ深さはいずれも誘
電体層、記録層等を成膜する前の状態の基板表面のガイ
ド溝に関して定義されており、誘電体層、記録層等を成
膜する前の状態の基板表面におけるグルーブ幅及びグル
ーブ深さが所定の寸法になるように光ディスク基板を製
造していた。ところが、実際そのようにして作成した基
板をもとに製造した光ディスクの場合には、基板上に成
膜する誘電体層の種類あるいは誘電体層を成膜する装置
や成膜条件等が違うと、たとえばＩＳＯ規格におけるク
ロストラック信号変調度、プッシュプル信号変調度、デ
ィヴァイデッドプッシュプル信号変調度といったトラッ
キングに関係する特性及びランド反射率、グルーブ反射
率といった再生信号とトラッキングの両方に関係する特
性が異なってしまうという現象が生じていた。そのた
め、これらの特性が最適な値になっていないことがしば
しばあり、時として情報の書き込み、または読み取りエ
ラーが生じたり、高速サーチ、アクセス時においてトラ
ッキングエラーが生じる等の不都合があった。また、光
ディスクの互換性を阻害する大きな問題ともなってい
た。
ディスクではグルーブ幅及びグルーブ深さはいずれも誘
電体層、記録層等を成膜する前の状態の基板表面のガイ
ド溝に関して定義されており、誘電体層、記録層等を成
膜する前の状態の基板表面におけるグルーブ幅及びグル
ーブ深さが所定の寸法になるように光ディスク基板を製
造していた。ところが、実際そのようにして作成した基
板をもとに製造した光ディスクの場合には、基板上に成
膜する誘電体層の種類あるいは誘電体層を成膜する装置
や成膜条件等が違うと、たとえばＩＳＯ規格におけるク
ロストラック信号変調度、プッシュプル信号変調度、デ
ィヴァイデッドプッシュプル信号変調度といったトラッ
キングに関係する特性及びランド反射率、グルーブ反射
率といった再生信号とトラッキングの両方に関係する特
性が異なってしまうという現象が生じていた。そのた
め、これらの特性が最適な値になっていないことがしば
しばあり、時として情報の書き込み、または読み取りエ
ラーが生じたり、高速サーチ、アクセス時においてトラ
ッキングエラーが生じる等の不都合があった。また、光
ディスクの互換性を阻害する大きな問題ともなってい
た。
【０００９】しかしながら、このような現象が生じるこ
との理由はいまだに解明されていない。波動光学的解析
を行い、ガイド溝によるレーザー光の回折厳密解を得る
こと等について論じた数多くの文献（たとえば光学第１
７巻第９号４６７ページ〜４７１ページ「光ディスクの
回折計算法」、ＳＰＩＥ第３６９巻６７４ページ〜６８
０ページ「Regorous diffraction theory applied to v
ideo disk geometries」、詫間電波工業高専研究紀要第
１８号７１ページ〜７９ページ「境界要素法を用いた光
ディスクの台形ピットによるビーム波の散乱解析」等）
には、ガイド溝に入射するレーザー光の偏光状態により
前述の特性が異なるという現象が記載されているが、光
ディスク基板上に成膜する誘電体層の種類あるいは誘電
体層を成膜する装置や成膜条件等の違いによる問題に関
してまでは言及していないのが実情である。
との理由はいまだに解明されていない。波動光学的解析
を行い、ガイド溝によるレーザー光の回折厳密解を得る
こと等について論じた数多くの文献（たとえば光学第１
７巻第９号４６７ページ〜４７１ページ「光ディスクの
回折計算法」、ＳＰＩＥ第３６９巻６７４ページ〜６８
０ページ「Regorous diffraction theory applied to v
ideo disk geometries」、詫間電波工業高専研究紀要第
１８号７１ページ〜７９ページ「境界要素法を用いた光
ディスクの台形ピットによるビーム波の散乱解析」等）
には、ガイド溝に入射するレーザー光の偏光状態により
前述の特性が異なるという現象が記載されているが、光
ディスク基板上に成膜する誘電体層の種類あるいは誘電
体層を成膜する装置や成膜条件等の違いによる問題に関
してまでは言及していないのが実情である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで、現実的にその解
決が求められている上記の問題点についての検討を踏ま
え、この発明では、従来技術の課題を解決するために、
ガイド溝付き基板に誘電体層及び記録層を順次に積層し
てなる光ディスクにおいて、誘電体層表面におけるグル
ーブ幅Ｗf がトラックピッチの７分の１から７分の２ま
での範囲の値であり、かつ、実効グルーブ深さＤs ・ｎ
s ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf が再生用レーザー光の波長の
８分の１から５分の１までの範囲の値となるようにして
いる。
決が求められている上記の問題点についての検討を踏ま
え、この発明では、従来技術の課題を解決するために、
ガイド溝付き基板に誘電体層及び記録層を順次に積層し
てなる光ディスクにおいて、誘電体層表面におけるグル
ーブ幅Ｗf がトラックピッチの７分の１から７分の２ま
での範囲の値であり、かつ、実効グルーブ深さＤs ・ｎ
s ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf が再生用レーザー光の波長の
８分の１から５分の１までの範囲の値となるようにして
いる。
【００１１】すなわち、この発明は、ガイド溝付き基板
に誘電体層及び記録層を順次に積層してなる光ディスク
において、誘電体層表面におけるグルーブ幅Ｗf がトラ
ックピッチＰとの関係で次式 Ｐ／７≦Ｗf ≦２ｐ／７ を満たし、かつ、Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf で
表される実効グルーブ深さが次式 λ／８≦Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ≦λ／５ （λは再生用レーザー光の波長、Ｄs はガイド溝付き基
板のグルーブ深さ、ｎsはガイド溝付き基板の屈折率、
Ｄf は誘電体層表面におけるグルーブ深さ、ｎfは誘電
体層の屈折率）を満たすことを特徴とする光ディスクを
提供する。
に誘電体層及び記録層を順次に積層してなる光ディスク
において、誘電体層表面におけるグルーブ幅Ｗf がトラ
ックピッチＰとの関係で次式 Ｐ／７≦Ｗf ≦２ｐ／７ を満たし、かつ、Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf で
表される実効グルーブ深さが次式 λ／８≦Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ≦λ／５ （λは再生用レーザー光の波長、Ｄs はガイド溝付き基
板のグルーブ深さ、ｎsはガイド溝付き基板の屈折率、
Ｄf は誘電体層表面におけるグルーブ深さ、ｎfは誘電
体層の屈折率）を満たすことを特徴とする光ディスクを
提供する。
【００１２】
【作用】基板上に成膜する誘電体の種類あるいは誘電体
層を成膜する装置や成膜条件等が違うと、たとえばＩＳ
Ｏ規格におけるクロストラック信号変調度、プッシュプ
ル信号変調度、ディヴァイデッドプッシュプル信号変調
度といったトラッキングに関係する特性及びランド反射
率、グルーブ反射率といった再生信号とトラッキングの
両方に関係する特性が異なってしまうという現象が生じ
る理由について鋭意検討した結果、この発明の発明者
は、誘電体層を成膜することによってグルーブ幅やグル
ーブ深さが変化していることを見出し、この知見に基づ
いてこの発明を成すに至っている。
層を成膜する装置や成膜条件等が違うと、たとえばＩＳ
Ｏ規格におけるクロストラック信号変調度、プッシュプ
ル信号変調度、ディヴァイデッドプッシュプル信号変調
度といったトラッキングに関係する特性及びランド反射
率、グルーブ反射率といった再生信号とトラッキングの
両方に関係する特性が異なってしまうという現象が生じ
る理由について鋭意検討した結果、この発明の発明者
は、誘電体層を成膜することによってグルーブ幅やグル
ーブ深さが変化していることを見出し、この知見に基づ
いてこの発明を成すに至っている。
【００１３】すなわち、まず、光ディスクの構造をみる
と、基板上に成膜する層の構成では、まず最初に誘電体
層が形成される。この誘電体層としてたとえば窒化シリ
コン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等のシ
リコン化合物や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のアルミニウム化合物等が挙
げられる。次に記録層が形成される。この記録層として
は、ライトワンスタイプの記録膜では酸化銀（ＡｇＯ）
や酸化金（ＡｕＯ）、酸化テルル（ＴｅＯ）等の金属化
合物や半導体化合物あるいはシアニン系色素等の有機色
素がある。書換えタイプの記録膜では、ＴｂＦｅＣｕ、
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ等の光磁気記録媒体とＧｅ
ＳｂＴｅ等の相変化媒体がある。また、再生専用の光デ
ィスクでは、記録層の代わりに単なるＡｌ、Ａｇ、Ａｕ
等の反射層が形成される。この記録層の上にはさらに誘
電体層や反射層を形成してもよい。
と、基板上に成膜する層の構成では、まず最初に誘電体
層が形成される。この誘電体層としてたとえば窒化シリ
コン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）や酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等のシ
リコン化合物や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や酸化アル
ミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）等のアルミニウム化合物等が挙
げられる。次に記録層が形成される。この記録層として
は、ライトワンスタイプの記録膜では酸化銀（ＡｇＯ）
や酸化金（ＡｕＯ）、酸化テルル（ＴｅＯ）等の金属化
合物や半導体化合物あるいはシアニン系色素等の有機色
素がある。書換えタイプの記録膜では、ＴｂＦｅＣｕ、
ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ等の光磁気記録媒体とＧｅ
ＳｂＴｅ等の相変化媒体がある。また、再生専用の光デ
ィスクでは、記録層の代わりに単なるＡｌ、Ａｇ、Ａｕ
等の反射層が形成される。この記録層の上にはさらに誘
電体層や反射層を形成してもよい。
【００１４】このような構造において、レーザー光が実
質的に反射するのは基板のガイド溝表面ではなく基板上
に形成された最初の層すなわち誘電体層である。従っ
て、グルーブ幅やグルーブ深さといったガイド溝の寸法
を議論するには、レーザー光の大部分が到達する誘電体
層までを含めなければならない。そこでこの発明の発明
者は、誘電体層表面のグルーブ幅及びグルーブ深さを実
際に測定した。その結果、誘電体の種類、成膜装置及び
成膜条件を変えると誘電体層表面のグルーブ幅やグルー
ブ深さが異なってくることを見出した。すなわち、前述
の問題は、基板上に成膜する誘電体の種類あるい誘電体
層を成膜する装置や成膜条件等が違うと基板表面のグル
ーブ幅及びグルーブ深さが同じものであっても誘電体層
表面のグルーブ幅やグルーブ深さが異なることに起因し
ていることを見出した。
質的に反射するのは基板のガイド溝表面ではなく基板上
に形成された最初の層すなわち誘電体層である。従っ
て、グルーブ幅やグルーブ深さといったガイド溝の寸法
を議論するには、レーザー光の大部分が到達する誘電体
層までを含めなければならない。そこでこの発明の発明
者は、誘電体層表面のグルーブ幅及びグルーブ深さを実
際に測定した。その結果、誘電体の種類、成膜装置及び
成膜条件を変えると誘電体層表面のグルーブ幅やグルー
ブ深さが異なってくることを見出した。すなわち、前述
の問題は、基板上に成膜する誘電体の種類あるい誘電体
層を成膜する装置や成膜条件等が違うと基板表面のグル
ーブ幅及びグルーブ深さが同じものであっても誘電体層
表面のグルーブ幅やグルーブ深さが異なることに起因し
ていることを見出した。
【００１５】ここで述べている誘電体層表面のグルーブ
幅及びグルーブ深さについて説明すると、Ｕ字型グルー
ブの場合は、図１に示すように誘電体層表面のグルーブ
の上部における幅をＷftop（４）とし誘電体層表面のグ
ルーブの底部における幅をＷ fbottom （５）とするとグ
ルーブ幅Ｗf はＷf ＝（Ｗftop＋Ｗfbottom ）／２で定
義され、Ｖ字型の場合には、図２に示すようにＷf ＝Ｗ
ftopで定義される。また、誘電体層表面のグルーブの底
部よりグルーブの上部までの高さをグルーブ深さＤ
f （６）とすることができる。
幅及びグルーブ深さについて説明すると、Ｕ字型グルー
ブの場合は、図１に示すように誘電体層表面のグルーブ
の上部における幅をＷftop（４）とし誘電体層表面のグ
ルーブの底部における幅をＷ fbottom （５）とするとグ
ルーブ幅Ｗf はＷf ＝（Ｗftop＋Ｗfbottom ）／２で定
義され、Ｖ字型の場合には、図２に示すようにＷf ＝Ｗ
ftopで定義される。また、誘電体層表面のグルーブの底
部よりグルーブの上部までの高さをグルーブ深さＤ
f （６）とすることができる。
【００１６】前述の問題を解決するためには、従来のよ
うな基板表面のグルーブ幅Ｗs 及びグルーブ深さＤf の
みを管理するという方法ではなく、さらに誘電体層形成
後の誘電体層表面のグルーブ幅Ｗf 及びグルーブ深さＤ
f をも管理するという方法にすべきなのである。このた
め、成膜する誘電体の種類あるいは誘電体を成膜する装
置や成膜条件等が異なるのに応じ、Ｗf 及びＤf を評価
しておく。たとえばＩＳＯ規格におけるクロストラック
信号変調度、プッシュプル信号変調度、ディヴァイデッ
ドプッシュプル信号変調度といったトラッキングに関係
した特性及びランド反射率、グルーブ反射率といった再
生信号及びトラッキングの両方に関係した特性を実質決
定しているのは誘電体層表面のグルーブ幅Ｗf と実効グ
ループ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf で
あることから、Ｗf とＤe がある値となるようにしてお
けば、成膜する誘電体の種類あるいは誘電体を成膜する
装置や成膜条件等が異なった場合においても、情報の書
き込みまたは読み取りエラーが生じたり高速サーチ、ア
クセス時においてトラッキングエラーが生じる等の不都
合や光ディスクの互換性に対する支障等の問題は何等生
じない。そして、トラッキング及び再生信号品質の両方
を良好にするには、一般的には、Ｗf はトラックピッチ
の７分の１から７分の２までの範囲の値とし、Ｄe は再
生用レーザー光の波長の８分の１から５分の１までの範
囲の値とすると好適である。
うな基板表面のグルーブ幅Ｗs 及びグルーブ深さＤf の
みを管理するという方法ではなく、さらに誘電体層形成
後の誘電体層表面のグルーブ幅Ｗf 及びグルーブ深さＤ
f をも管理するという方法にすべきなのである。このた
め、成膜する誘電体の種類あるいは誘電体を成膜する装
置や成膜条件等が異なるのに応じ、Ｗf 及びＤf を評価
しておく。たとえばＩＳＯ規格におけるクロストラック
信号変調度、プッシュプル信号変調度、ディヴァイデッ
ドプッシュプル信号変調度といったトラッキングに関係
した特性及びランド反射率、グルーブ反射率といった再
生信号及びトラッキングの両方に関係した特性を実質決
定しているのは誘電体層表面のグルーブ幅Ｗf と実効グ
ループ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf で
あることから、Ｗf とＤe がある値となるようにしてお
けば、成膜する誘電体の種類あるいは誘電体を成膜する
装置や成膜条件等が異なった場合においても、情報の書
き込みまたは読み取りエラーが生じたり高速サーチ、ア
クセス時においてトラッキングエラーが生じる等の不都
合や光ディスクの互換性に対する支障等の問題は何等生
じない。そして、トラッキング及び再生信号品質の両方
を良好にするには、一般的には、Ｗf はトラックピッチ
の７分の１から７分の２までの範囲の値とし、Ｄe は再
生用レーザー光の波長の８分の１から５分の１までの範
囲の値とすると好適である。
【００１７】もちろん、成膜する誘電体の種類あるいは
誘電体を成膜する装置や成膜条件等が異なるたびに必ず
しもＷf とＤf を実測する必要はない。誘電体層表面の
グルーブ幅Ｗf と実効グルーブ深さＤe が所定の値とな
るように、すなわち、たとえばＩＳＯ規格におけるクロ
ストラック信号変調度、プッシュプル信号変調度、ディ
ヴァイデッドプッシュプル信号変調度といったトラッキ
ングに関係した特性及びランド反射率、グルーブ反射率
といった再生信号及びトラッキングの両方に関係した特
性が所定の値となるように、基板表面のグルーブ幅Ｗs
やグルーブ深さＤs を調節すればよい。Ｗs とＤs は若
干の調節であっても効果がある。たとえばＷs の場合１
０〜３０ｎｍ程度の調節、Ｄs の場合１〜３ｎｍ程度の
調節であっても効果がある。このような微調節には
Ｗs 、Ｄs を高精度に測定する技術が必要になるが、Ｗ
s 、Ｄs の実測は必ずしも必要ではない。実測をしなく
ても、Ｗs 、Ｄs の調節は可能である。つまり光ディス
ク原盤の製造条件や基板複製条件の変更でよい。たとえ
ばレジストのスピン塗布条件やレーザーカッティング条
件、射出成形条件等を調節することにより間接的にＷs
とＤs を所定量だけ調節することができる。
誘電体を成膜する装置や成膜条件等が異なるたびに必ず
しもＷf とＤf を実測する必要はない。誘電体層表面の
グルーブ幅Ｗf と実効グルーブ深さＤe が所定の値とな
るように、すなわち、たとえばＩＳＯ規格におけるクロ
ストラック信号変調度、プッシュプル信号変調度、ディ
ヴァイデッドプッシュプル信号変調度といったトラッキ
ングに関係した特性及びランド反射率、グルーブ反射率
といった再生信号及びトラッキングの両方に関係した特
性が所定の値となるように、基板表面のグルーブ幅Ｗs
やグルーブ深さＤs を調節すればよい。Ｗs とＤs は若
干の調節であっても効果がある。たとえばＷs の場合１
０〜３０ｎｍ程度の調節、Ｄs の場合１〜３ｎｍ程度の
調節であっても効果がある。このような微調節には
Ｗs 、Ｄs を高精度に測定する技術が必要になるが、Ｗ
s 、Ｄs の実測は必ずしも必要ではない。実測をしなく
ても、Ｗs 、Ｄs の調節は可能である。つまり光ディス
ク原盤の製造条件や基板複製条件の変更でよい。たとえ
ばレジストのスピン塗布条件やレーザーカッティング条
件、射出成形条件等を調節することにより間接的にＷs
とＤs を所定量だけ調節することができる。
【００１８】以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発
明について説明する。
明について説明する。
【００１９】
【実施例】実施例１ まず、トラックピッチ１．６μｍ、グルーブ幅Ｗs ＝
０．４μｍ、グルーブ深さＤs ＝９０ｎｍ、屈折率ｎs
＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板（以下基板Ａと
記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層をスパッ
タリング装置Ａで成膜した。基板の素材はガラスである
がプラスティックであってもよい。この時のスパッタリ
ング条件は、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量５ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１００
０Ｗであり、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用
いた。スパッタリング時間は７分である（このスパッタ
リング条件を以下スパッタリング条件Ａと記す）。
０．４μｍ、グルーブ深さＤs ＝９０ｎｍ、屈折率ｎs
＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板（以下基板Ａと
記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層をスパッ
タリング装置Ａで成膜した。基板の素材はガラスである
がプラスティックであってもよい。この時のスパッタリ
ング条件は、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量５ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１００
０Ｗであり、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用
いた。スパッタリング時間は７分である（このスパッタ
リング条件を以下スパッタリング条件Ａと記す）。
【００２０】スパッタリング装置Ａを使いスパッタリン
グ条件Ａで成膜すると、誘電体層形成後の誘電体層表面
のグルーブ幅Ｗf ＝０．３５μｍとなり、誘電体層形成
後の誘電体層表面のグルーブ深さＤf ＝９５ｎｍとな
る。すなわちＷs −Ｗf ＝０．０５μｍだけ基板表面に
おけるグルーブ幅より狭くなり、Ｄf −Ｄs ＝５ｎｍだ
け基板表面におけるグルーブ深さより深くなることが触
針式段差計及び走査型電子顕微鏡による測定ですでに確
認されている。またこのとき、誘電体の屈折率ｎf ＝
２．０となる。
グ条件Ａで成膜すると、誘電体層形成後の誘電体層表面
のグルーブ幅Ｗf ＝０．３５μｍとなり、誘電体層形成
後の誘電体層表面のグルーブ深さＤf ＝９５ｎｍとな
る。すなわちＷs −Ｗf ＝０．０５μｍだけ基板表面に
おけるグルーブ幅より狭くなり、Ｄf −Ｄs ＝５ｎｍだ
け基板表面におけるグルーブ深さより深くなることが触
針式段差計及び走査型電子顕微鏡による測定ですでに確
認されている。またこのとき、誘電体の屈折率ｎf ＝
２．０となる。
【００２１】ところで、スパッタリング条件Ａにより窒
化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層を成膜すると、
Ｗs ′−Ｗf ′＝０．１μｍだけ基板表面におけるグル
ーブ幅より狭くなり、Ｄf ′−Ｄs ′＝８ｎｍだけ基板
表面におけるグルーブ深さより深くなることが前述の測
定法によりすでにわかっているスパッタリング装置Ｂが
ある（誘電体の屈折率ｎf ＝２．０となる）とする。こ
のスパッタリング装置Ｂを用いスパッタリング条件Ａで
誘電体層を成膜する場合、誘電体層表面のグルーブ幅Ｗ
f と実効グルーブ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −
Ｄs ）・ｎf が前述のスパッタリング装置Ａを使いスパ
ッタリング条件Ａで誘電体層を成膜した基板Ａと同じ値
になるようにするには グルーブ幅 Ｗs ′＝Ｗf ＋（Ｗs ′−Ｗf ′）＝０．
３５＋０．１μｍ ＝０．４５μｍ グルーブ深さＤs ′＝Ｄs ＋〔（Ｄf −Ｄs ）−
（Ｄf ′−Ｄs ′）〕・（ｎf ／ｎs ） ＝９０＋〔５−８〕・（２．０／１．５）ｎｍ ＝８６ｎｍ であるガイド溝付き基板（トラックピッチ１．６μｍ、
屈折率ｎs ′＝１．５）を使えばよいことがわかる。
化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層を成膜すると、
Ｗs ′−Ｗf ′＝０．１μｍだけ基板表面におけるグル
ーブ幅より狭くなり、Ｄf ′−Ｄs ′＝８ｎｍだけ基板
表面におけるグルーブ深さより深くなることが前述の測
定法によりすでにわかっているスパッタリング装置Ｂが
ある（誘電体の屈折率ｎf ＝２．０となる）とする。こ
のスパッタリング装置Ｂを用いスパッタリング条件Ａで
誘電体層を成膜する場合、誘電体層表面のグルーブ幅Ｗ
f と実効グルーブ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −
Ｄs ）・ｎf が前述のスパッタリング装置Ａを使いスパ
ッタリング条件Ａで誘電体層を成膜した基板Ａと同じ値
になるようにするには グルーブ幅 Ｗs ′＝Ｗf ＋（Ｗs ′−Ｗf ′）＝０．
３５＋０．１μｍ ＝０．４５μｍ グルーブ深さＤs ′＝Ｄs ＋〔（Ｄf −Ｄs ）−
（Ｄf ′−Ｄs ′）〕・（ｎf ／ｎs ） ＝９０＋〔５−８〕・（２．０／１．５）ｎｍ ＝８６ｎｍ であるガイド溝付き基板（トラックピッチ１．６μｍ、
屈折率ｎs ′＝１．５）を使えばよいことがわかる。
【００２２】そこで、トラックピッチ１．６μｍ、グル
ーブ幅Ｗs ＝０．４５μｍ、グルーブ深さＤs ＝８６ｎ
ｍ、屈折率ｎs ＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板
（以下基板Ｂと記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘
電体層をスパッタリング装置Ｂで成膜した。この時のス
パッタリング条件はスパッタリング条件Ａである。つま
りアルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガス流量５ｓ
ｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１０００Ｗであ
り、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用い、スパ
ッタリング時間は７分である。
ーブ幅Ｗs ＝０．４５μｍ、グルーブ深さＤs ＝８６ｎ
ｍ、屈折率ｎs ＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板
（以下基板Ｂと記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘
電体層をスパッタリング装置Ｂで成膜した。この時のス
パッタリング条件はスパッタリング条件Ａである。つま
りアルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガス流量５ｓ
ｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１０００Ｗであ
り、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用い、スパ
ッタリング時間は７分である。
【００２３】次に以上のようにして窒化シリコン誘電体
層を成膜した基板Ａ及び基板Ｂをスパッタリング装置Ａ
に２枚一緒に入れ、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シ
リコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）保護層の順に成膜した後、紫外線
硬化型接着剤により膜面に保護基板を接着した。このよ
うにして作成した光ディスクＡ（基板Ａより作製）及び
光ディスクＢ（基板Ｂより作製）を波長８３０ｎｍ、Ｎ
Ａ０．５５、ケラレ係数１．０、波面収差０．０３λ
（ｒｍｓ値）、偏光状態は直線偏光でその方向はガイド
溝に対し平行となるピックアップにより再生し、クロス
トラック信号変調度、プッシュプル信号変調度、ディヴ
ァイデッドプッシュプル信号変調度及びランド反射率を
測定した。その結果を表１に示した。光ディスクＡの特
性値と光ディスクＢの特性値との差はほとんどないこと
がわかる。つまり、光ディスクＡと光ディスクＢでは基
板表面におけるグルーブ幅Ｗs 及びグルーブ深さＤs は
異なるのであるが、両方とも誘電体層表面のグルーブ幅
Ｗf ＝０．３５μｍであり、実効グループ深さＤe ＝Ｄ
s ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ＝１４５ｎｍである
ため、特性値がほぼ同じになったと考えられる。
層を成膜した基板Ａ及び基板Ｂをスパッタリング装置Ａ
に２枚一緒に入れ、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シ
リコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）保護層の順に成膜した後、紫外線
硬化型接着剤により膜面に保護基板を接着した。このよ
うにして作成した光ディスクＡ（基板Ａより作製）及び
光ディスクＢ（基板Ｂより作製）を波長８３０ｎｍ、Ｎ
Ａ０．５５、ケラレ係数１．０、波面収差０．０３λ
（ｒｍｓ値）、偏光状態は直線偏光でその方向はガイド
溝に対し平行となるピックアップにより再生し、クロス
トラック信号変調度、プッシュプル信号変調度、ディヴ
ァイデッドプッシュプル信号変調度及びランド反射率を
測定した。その結果を表１に示した。光ディスクＡの特
性値と光ディスクＢの特性値との差はほとんどないこと
がわかる。つまり、光ディスクＡと光ディスクＢでは基
板表面におけるグルーブ幅Ｗs 及びグルーブ深さＤs は
異なるのであるが、両方とも誘電体層表面のグルーブ幅
Ｗf ＝０．３５μｍであり、実効グループ深さＤe ＝Ｄ
s ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ＝１４５ｎｍである
ため、特性値がほぼ同じになったと考えられる。
【００２４】
【表１】
【００２５】この実施例では誘電体層表面のグルーブ幅
はトラックピッチの約５０分の１１であり、実効グルー
ブ深さは再生用レーザー光の波長の約４０分の７である
が、この値に限定されることはなく、誘電体層表面のグ
ルーブ幅をトラックピッチの７分の１からトラックピッ
チの７分の２までの範囲の値とし、実効グルーブ深さを
再生用レーザー光の波長の８分の１から５分の１までの
範囲の値とすると、トラッキング及び再生信号品質の両
方を良好にすることができる。実施例２ まず、トラックピッチ１．６μｍ、グルーブ幅Ｗs ＝
０．４μｍ、グルーブ深さＤs ＝９０ｎｍ、屈折率ｎs
＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板（以下基板Ｅと
記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層をスパッ
タリング装置Ａで成膜した。基板の素材はガラスである
がプラスティックであってもよい。この時のスパッタリ
ング条件は、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量５ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１００
０Ｗであり、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用
いた。スパッタリング時間は７分である。
はトラックピッチの約５０分の１１であり、実効グルー
ブ深さは再生用レーザー光の波長の約４０分の７である
が、この値に限定されることはなく、誘電体層表面のグ
ルーブ幅をトラックピッチの７分の１からトラックピッ
チの７分の２までの範囲の値とし、実効グルーブ深さを
再生用レーザー光の波長の８分の１から５分の１までの
範囲の値とすると、トラッキング及び再生信号品質の両
方を良好にすることができる。実施例２ まず、トラックピッチ１．６μｍ、グルーブ幅Ｗs ＝
０．４μｍ、グルーブ深さＤs ＝９０ｎｍ、屈折率ｎs
＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板（以下基板Ｅと
記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層をスパッ
タリング装置Ａで成膜した。基板の素材はガラスである
がプラスティックであってもよい。この時のスパッタリ
ング条件は、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガ
ス流量５ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１００
０Ｗであり、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用
いた。スパッタリング時間は７分である。
【００２６】スパッタリング装置Ａを用い、スパッタリ
ング条件Ａで成膜すると誘電体層形成後の誘電体層表面
のグルーブ幅Ｗf ＝０．３５μｍとなり、誘電体層形成
後の誘電体層表面のグルーブ深さＤf ＝９５ｎｍとな
る。すなわちでＷs −Ｗf ＝０．０５μｍだけ基板表面
におけるグルーブ幅より狭くなり、Ｄf −Ｄs ＝５ｎｍ
だけ基板表面におけるグルーブ深さより深くなることが
触針段差計及び走査型電子顕微鏡による測定ですでに確
認されている。またこのとき誘電体の屈折率ｎf＝２．
０となる。
ング条件Ａで成膜すると誘電体層形成後の誘電体層表面
のグルーブ幅Ｗf ＝０．３５μｍとなり、誘電体層形成
後の誘電体層表面のグルーブ深さＤf ＝９５ｎｍとな
る。すなわちでＷs −Ｗf ＝０．０５μｍだけ基板表面
におけるグルーブ幅より狭くなり、Ｄf −Ｄs ＝５ｎｍ
だけ基板表面におけるグルーブ深さより深くなることが
触針段差計及び走査型電子顕微鏡による測定ですでに確
認されている。またこのとき誘電体の屈折率ｎf＝２．
０となる。
【００２７】ところで、スパッタリング条件Ａにより窒
化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層を成膜する際のスパ
ッタリング条件を、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、
窒素ガス流量７ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力
１０００Ｗであり、ターゲットは窒化シリコンターゲッ
トを用いスパッタリング時間は７分（このスパッタリン
グ条件を以下スパッタリング条件Ｂと記す）とすると、
Ｗs ′−Ｗf ′＝０．０５μｍだけ基板表面におけるグ
ルーブ幅より狭くなり、Ｄf ′−Ｄs ′＝５ｎｍだけ基
板表面におけるグルーブ深さより深くなり、誘電体の屈
折率ｎf ＝１．７となることがすでに確認されている。
スパッタリング装置Ａを使い、スパッタリング条件Ｂで
誘電体層を成膜した場合、誘電体層表面のグルーブ幅Ｗ
f と実効グルーブ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −
Ｄs ）・ｎf が前述のスパッタリング装置Ａを使いスパ
ッタリング条件Ａで誘電体層を成膜した基板Ａと同じ値
になるようにするには、グルーブ幅Ｗs ′＝Ｗf ＋（Ｗ
s ′−Ｗf ′）＝０．３５＋０．０５μｍ＝０．４μｍ グルーブ深さＤs ′＝Ｄs ＋〔（Ｄf −Ｄs ）−
（Ｄf ′−Ｄs ′）〕・（ｎf ′／ｎs ） ＝９０＋５・（２．０／１．５）−（１．７／１．５）
ｎｍ ＝９１ｎｍ であるガイド溝付き基板（トラックピッチ１．６μｍ、
屈折率ｎs ′＝１．５）を使えばよいことがわかる。
化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘電体層を成膜する際のスパ
ッタリング条件を、アルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、
窒素ガス流量７ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力
１０００Ｗであり、ターゲットは窒化シリコンターゲッ
トを用いスパッタリング時間は７分（このスパッタリン
グ条件を以下スパッタリング条件Ｂと記す）とすると、
Ｗs ′−Ｗf ′＝０．０５μｍだけ基板表面におけるグ
ルーブ幅より狭くなり、Ｄf ′−Ｄs ′＝５ｎｍだけ基
板表面におけるグルーブ深さより深くなり、誘電体の屈
折率ｎf ＝１．７となることがすでに確認されている。
スパッタリング装置Ａを使い、スパッタリング条件Ｂで
誘電体層を成膜した場合、誘電体層表面のグルーブ幅Ｗ
f と実効グルーブ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −
Ｄs ）・ｎf が前述のスパッタリング装置Ａを使いスパ
ッタリング条件Ａで誘電体層を成膜した基板Ａと同じ値
になるようにするには、グルーブ幅Ｗs ′＝Ｗf ＋（Ｗ
s ′−Ｗf ′）＝０．３５＋０．０５μｍ＝０．４μｍ グルーブ深さＤs ′＝Ｄs ＋〔（Ｄf −Ｄs ）−
（Ｄf ′−Ｄs ′）〕・（ｎf ′／ｎs ） ＝９０＋５・（２．０／１．５）−（１．７／１．５）
ｎｍ ＝９１ｎｍ であるガイド溝付き基板（トラックピッチ１．６μｍ、
屈折率ｎs ′＝１．５）を使えばよいことがわかる。
【００２８】そこで、トラックピッチ１．６μｍ、グル
ーブ幅Ｗs ＝０．４μｍ、グルーブ深さＤs ＝９１ｎ
ｍ、屈折率ｎs ＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板
（以下基板Ｆと記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘
電体層をスパッタリング装置Ａで成膜した。この時のス
パッタリング条件は、スパッタリング条件Ｂである。つ
まりアルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガス流量７
ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１０００Ｗであ
り、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用い、スパ
ッタリング時間は７分である。
ーブ幅Ｗs ＝０．４μｍ、グルーブ深さＤs ＝９１ｎ
ｍ、屈折率ｎs ＝１．５のガイド溝（Ｕ字型）付き基板
（以下基板Ｆと記す）に窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）誘
電体層をスパッタリング装置Ａで成膜した。この時のス
パッタリング条件は、スパッタリング条件Ｂである。つ
まりアルゴンガス流量１００ｓｃｃｍ、窒素ガス流量７
ｓｃｃｍ、ガス圧０．２Ｐａ、ＲＦ電力１０００Ｗであ
り、ターゲットは窒化シリコンターゲットを用い、スパ
ッタリング時間は７分である。
【００２９】次に以上のようにして窒化シリコン誘電体
層を成膜した基板Ｅ及び基板Ｆをスパッタリング装置Ａ
に２枚一緒に入れ、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シ
リコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）保護層の順に成膜した後、紫外線
硬化型接着剤により膜面に保護基板を接着した。このよ
うにして作成した光ディスクＥ（基板Ｅより作製）及び
光ディスクＦ（基板Ｆより作製）を波長８３０ｎｍ、Ｎ
Ａ０．５５、ケラレ係数１．０、波面収差０．０３λ
（ｒｍｓ値）、偏光状態は直線偏光でありその方向はガ
イド溝に対し平行となる方向であるピックアップにより
再生し、クロストラック信号変調度、プッシュプル信号
変調度、ディヴァイデッドプッシュプル信号変調度及び
ランド反射率を測定した。その結果を表２に示した。光
ディスクＥの特性値と光ディスクＦの特性値との差はほ
とんどないことがわかる。つまり、光ディスクＥと光デ
ィスクＦでは基板表面におけるグルーブ幅Ｗs 及びグル
ーブ深さＤs は異なるのであるが、両方とも誘電体層表
面のグルーブ幅Ｗf ＝０．３５μｍであり、実効グルー
プ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ＝１４
５ｎｍであるために特性値がほぼ同じになったと考えら
れる。
層を成膜した基板Ｅ及び基板Ｆをスパッタリング装置Ａ
に２枚一緒に入れ、ＴｂＦｅＣｏ光磁気記録層、窒化シ
リコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）保護層の順に成膜した後、紫外線
硬化型接着剤により膜面に保護基板を接着した。このよ
うにして作成した光ディスクＥ（基板Ｅより作製）及び
光ディスクＦ（基板Ｆより作製）を波長８３０ｎｍ、Ｎ
Ａ０．５５、ケラレ係数１．０、波面収差０．０３λ
（ｒｍｓ値）、偏光状態は直線偏光でありその方向はガ
イド溝に対し平行となる方向であるピックアップにより
再生し、クロストラック信号変調度、プッシュプル信号
変調度、ディヴァイデッドプッシュプル信号変調度及び
ランド反射率を測定した。その結果を表２に示した。光
ディスクＥの特性値と光ディスクＦの特性値との差はほ
とんどないことがわかる。つまり、光ディスクＥと光デ
ィスクＦでは基板表面におけるグルーブ幅Ｗs 及びグル
ーブ深さＤs は異なるのであるが、両方とも誘電体層表
面のグルーブ幅Ｗf ＝０．３５μｍであり、実効グルー
プ深さＤe ＝Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ＝１４
５ｎｍであるために特性値がほぼ同じになったと考えら
れる。
【００３０】
【表２】
【００３１】この実施例では誘電体層表面のグルーブ幅
はトラックピッチの約５０分の１１であり、実効グルー
ブ深さは再生用レーザー光の波長の約４０分の７である
が、この値に限定されることはなく、誘電体層表面のグ
ルーブ幅をトラックピッチの７分の１から７分の２まで
の範囲の値とし、実効グルーブ深さを再生用レーザー光
の波長の８分の１から５分の１までの範囲の値とすると
トラッキング及び再生信号品質の両方を良好にすること
ができる。
はトラックピッチの約５０分の１１であり、実効グルー
ブ深さは再生用レーザー光の波長の約４０分の７である
が、この値に限定されることはなく、誘電体層表面のグ
ルーブ幅をトラックピッチの７分の１から７分の２まで
の範囲の値とし、実効グルーブ深さを再生用レーザー光
の波長の８分の１から５分の１までの範囲の値とすると
トラッキング及び再生信号品質の両方を良好にすること
ができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように、この発明によって誘電体
層表面のグルーブ幅及び実効グルーブ深さが所定の値と
なるようにすることにより、光ディスクのトラッキング
関連の特性及び再生信号関連の特性を常に良好な値にす
ることが可能となる。
層表面のグルーブ幅及び実効グルーブ深さが所定の値と
なるようにすることにより、光ディスクのトラッキング
関連の特性及び再生信号関連の特性を常に良好な値にす
ることが可能となる。
【図１】この発明を表すＵ字型グルーブ光ディスクの拡
大断面図である。
大断面図である。
【図２】この発明を表すＶ字型グルーブ光ディスクの拡
大断面図である。
大断面図である。
【図３】従来技術を表すＵ字型グルーブ光ディスクの拡
大断面図である。
大断面図である。
【図４】従来技術を表すＶ字型グルーブ光ディスクの拡
大断面図である。
大断面図である。
１ 基板 ２ 誘電体層 ３ トラックピッチ ４ 誘電体層表面のグルーブの上部における幅Ｗftop ５ 誘電体層表面のグルーブの底部における幅Ｗ
fbottom ６ 誘電体層表面のグルーブ深さＤf ７ ランド ８ グルーブ ９ 基板表面のグルーブの上部における幅Ｗstop １０ 基板表面のグルーブの底部における幅Ｗsbottom １１ 基板表面のグルーブ深さＤs １２ ピックアップ
fbottom ６ 誘電体層表面のグルーブ深さＤf ７ ランド ８ グルーブ ９ 基板表面のグルーブの上部における幅Ｗstop １０ 基板表面のグルーブの底部における幅Ｗsbottom １１ 基板表面のグルーブ深さＤs １２ ピックアップ
Claims (1)
- 【請求項１】 ガイド溝付き基板に誘電体層及び記録層
を順次に積層してなる光ディスクにおいて、誘電体層表
面におけるグルーブ幅Ｗf がトラックピッチＰとの関係
で次式 Ｐ／７≦Ｗf ≦２ｐ／７ を満たし、かつ、Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf で
表される実効グルーブ深さが次式 λ／８≦Ｄs ・ｎs ＋（Ｄf −Ｄs ）・ｎf ≦λ／５ （λは再生用レーザー光の波長、Ｄs はガイド溝付き基
板のグルーブ深さ、ｎsはガイド溝付き基板の屈折率、
Ｄf は誘電体層表面におけるグルーブ深さ、ｎfは誘電
体層の屈折率）を満たすことを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229327A JPH0785503A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229327A JPH0785503A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785503A true JPH0785503A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16890418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5229327A Pending JPH0785503A (ja) | 1993-09-14 | 1993-09-14 | 光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785503A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997038421A1 (en) * | 1996-04-10 | 1997-10-16 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical recording medium |
| US7924696B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-04-12 | Kobe Steel, Ltd. | Optical recording medium |
-
1993
- 1993-09-14 JP JP5229327A patent/JPH0785503A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997038421A1 (en) * | 1996-04-10 | 1997-10-16 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical recording medium |
| US6054199A (en) * | 1996-04-10 | 2000-04-25 | Hitachi Maxell, Ltd. | Optical recording medium |
| US7924696B2 (en) | 2007-12-18 | 2011-04-12 | Kobe Steel, Ltd. | Optical recording medium |
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| US7042831B2 (en) | Optical information recording medium | |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010522 |