JPH0294402A - ガラス封止型高温用サーミスタ素子 - Google Patents
ガラス封止型高温用サーミスタ素子Info
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- JPH0294402A JPH0294402A JP24559388A JP24559388A JPH0294402A JP H0294402 A JPH0294402 A JP H0294402A JP 24559388 A JP24559388 A JP 24559388A JP 24559388 A JP24559388 A JP 24559388A JP H0294402 A JPH0294402 A JP H0294402A
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ガラス封止型高温用サーミスタ素子に関する
ものである。さらに詳しくいえば、本発明は、高温での
使用においても、電気抵抗値を維持することができ、安
定したサーミスタ特性を有するカラス封止型高温用サー
ミスタ素子に関するものである。
ものである。さらに詳しくいえば、本発明は、高温での
使用においても、電気抵抗値を維持することができ、安
定したサーミスタ特性を有するカラス封止型高温用サー
ミスタ素子に関するものである。
従来の技術
従来、サーミスタ素子は、その感温抵抗体の電気抵抗の
温度依存性を利用して、温度測定や温度制御用などの温
度センサとして、多くの分野において広く用いられてい
るが、近年、機器の電子制御化が進むに伴い、厳しい条
件下での使用においても信頼の高いものが要求されるよ
うになってきている。例えば自動車排気ガス温度検出セ
ンサや石油・ガス燃焼制御用センサなどに用いられるサ
ーミスタ素子は高温に耐え、かつ絶縁性などの特性も安
定であるものが要求される。
温度依存性を利用して、温度測定や温度制御用などの温
度センサとして、多くの分野において広く用いられてい
るが、近年、機器の電子制御化が進むに伴い、厳しい条
件下での使用においても信頼の高いものが要求されるよ
うになってきている。例えば自動車排気ガス温度検出セ
ンサや石油・ガス燃焼制御用センサなどに用いられるサ
ーミスタ素子は高温に耐え、かつ絶縁性などの特性も安
定であるものが要求される。
該サーミスタ素子には、ガラス封止型や薄膜型などがあ
り、このうちガラス封止型サーミスタ素子は、それぞれ
にリード線が接続された一対の電極を有するサーミスタ
チップがガラス中に封止された構造を有している。
り、このうちガラス封止型サーミスタ素子は、それぞれ
にリード線が接続された一対の電極を有するサーミスタ
チップがガラス中に封止された構造を有している。
このようなガラス封止型サーミスタ素子において用いら
れる封止用ガラスとしては、従来に、Ｏ・ＰｂＯ・５ｉ
ｎ２系、ＮａｚＯＩ ＬｏＳ ６５ｉ０２系、ＫｚＯ”
ＡＱｚＯｓ ’Ｂ、０．・５ｉＯ１系、Ｋ、Ｏ・Ｂ、
０．・５ｉｎ２系等のアルカリ含有ガラスが用いられて
いたが、これらのものは電気抵抗値が５００°０以上で
１０６Ωｃｍ以下となり、この温度以上で用いられる高
温サーミスタの封止ガラスとするにはリード線間の絶縁
性等に問題が生じることから、高温、特に５００℃以上
での使用は困難であるため、用途の制限を免れなかった
。
れる封止用ガラスとしては、従来に、Ｏ・ＰｂＯ・５ｉ
ｎ２系、ＮａｚＯＩ ＬｏＳ ６５ｉ０２系、ＫｚＯ”
ＡＱｚＯｓ ’Ｂ、０．・５ｉＯ１系、Ｋ、Ｏ・Ｂ、
０．・５ｉｎ２系等のアルカリ含有ガラスが用いられて
いたが、これらのものは電気抵抗値が５００°０以上で
１０６Ωｃｍ以下となり、この温度以上で用いられる高
温サーミスタの封止ガラスとするにはリード線間の絶縁
性等に問題が生じることから、高温、特に５００℃以上
での使用は困難であるため、用途の制限を免れなかった
。
発明が解決しようとする課題
本発明は、このような事情のもとで、５００℃以上の高
温での使用においても、高い電気抵抗値を維持すること
ができ、安定したサーミスタ特性を有するガラス封止型
サーミスタ素子を提供することを目的としてなされｔこ
ものである。
温での使用においても、高い電気抵抗値を維持すること
ができ、安定したサーミスタ特性を有するガラス封止型
サーミスタ素子を提供することを目的としてなされｔこ
ものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは、前記の好ましい性質を有するガラス封止
型サーミスタ素子を開発するために鋭意研究を重ねた結
果、ガラスの電気抵抗値を５００℃以上で１０６Ωｃｍ
以上にするためには、実質的にアルカリ金属成分を含有
していないガラスがその目的に適合しうろことを見出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
型サーミスタ素子を開発するために鋭意研究を重ねた結
果、ガラスの電気抵抗値を５００℃以上で１０６Ωｃｍ
以上にするためには、実質的にアルカリ金属成分を含有
していないガラスがその目的に適合しうろことを見出し
、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、サーミスタチップの両側に一対の
電極層を設け、該電極層のそれぞれに鉄系合金から成る
耐熱リード線を接続し、ガラスで封止したガラス封止型
高温用サーミスタ素子において、該ガラスが実質的にア
ルカリ金属成分を含有しないガラスから成るサーミスタ
素子を提供するものである。
電極層を設け、該電極層のそれぞれに鉄系合金から成る
耐熱リード線を接続し、ガラスで封止したガラス封止型
高温用サーミスタ素子において、該ガラスが実質的にア
ルカリ金属成分を含有しないガラスから成るサーミスタ
素子を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明のサーミスタ素子は、実質的にアルカリ金属成分
を含有していないガラス（以下無アルカリガラスという
）から成ることが必要である。ここで実質的にアルカリ
金属成分を含有していないというのは、アルカリ金属の
総量が酸化物換算で通常５重量％以下、好ましくは１重
量％以下の範囲にあることを意味する。
を含有していないガラス（以下無アルカリガラスという
）から成ることが必要である。ここで実質的にアルカリ
金属成分を含有していないというのは、アルカリ金属の
総量が酸化物換算で通常５重量％以下、好ましくは１重
量％以下の範囲にあることを意味する。
また、本発明のガラス封止剤に用いる無アルカリガラス
としては、耐高温性のものが好ましく、このようなもの
として、例えばガラス転移温度が５００ ’Ｏ以上、好
ましくは５００〜７００℃の範囲にあり、かつ作業温度
が１２００℃以下、好ましくは８００〜１１００℃の範
囲にあるもの、特にホウケイ酸系のものが好適である。
としては、耐高温性のものが好ましく、このようなもの
として、例えばガラス転移温度が５００ ’Ｏ以上、好
ましくは５００〜７００℃の範囲にあり、かつ作業温度
が１２００℃以下、好ましくは８００〜１１００℃の範
囲にあるもの、特にホウケイ酸系のものが好適である。
次に、本発明のガラス封止型サーミスタ素子を製造する
方法について説明すると、まず、熱膨張率が３０ Ｘ
ｌ Ｏ−’−９０Ｘ １０−’ｄｅｇ−’程度の焼結体
から成る直径３インチ程度、厚さ０．５ｍｍ程度のウェ
ハーを作製したのち、このウェハーの両面に、電極層を
形成し、次いでこの電極層が形成されたウェハーを、ダ
イシングソーなどにより一辺０．７５ｍ１ｎ程度の正方
形に切断し、チップ化する。
方法について説明すると、まず、熱膨張率が３０ Ｘ
ｌ Ｏ−’−９０Ｘ １０−’ｄｅｇ−’程度の焼結体
から成る直径３インチ程度、厚さ０．５ｍｍ程度のウェ
ハーを作製したのち、このウェハーの両面に、電極層を
形成し、次いでこの電極層が形成されたウェハーを、ダ
イシングソーなどにより一辺０．７５ｍ１ｎ程度の正方
形に切断し、チップ化する。
この際使用する焼結体については特に制限はなく、従来
サーミスタ材料として慣用されているもの、例えばＭｎ
０２−Ｎｉ０系、Ａｌ２．０３−ＴｉＯ系、Ｚｒ０ａ系
、ＡＱ２０１−ＣｒＯｘ系、Ｆｅ、Ｏ，系、スピネル系
、ＳｉＣ系などを用いることができるが、特に炭化物、
窒化物、ホウ化物及びケイ化物の中から選ばれた少なく
とも１種を含有する焼結体が好ましく用いられる。
サーミスタ材料として慣用されているもの、例えばＭｎ
０２−Ｎｉ０系、Ａｌ２．０３−ＴｉＯ系、Ｚｒ０ａ系
、ＡＱ２０１−ＣｒＯｘ系、Ｆｅ、Ｏ，系、スピネル系
、ＳｉＣ系などを用いることができるが、特に炭化物、
窒化物、ホウ化物及びケイ化物の中から選ばれた少なく
とも１種を含有する焼結体が好ましく用いられる。
このようなサーミスタ材料の中で、特に熱膨張率が３０
Ｘ Ｉ Ｏ−’〜９０ Ｘ Ｉ Ｏ−’ｄｅｇ−’、
好ましくは５０ Ｘ Ｉ Ｏ−’〜７０ Ｘ Ｉ Ｏ−
’ｄｅｇ−’の範囲にあるものが好適である。この熱膨
張率が前記範囲を逸脱すると、高温用サーミスタ素子に
適したリード線や封止ガラスの材料を選定するのが困難
となり好ましくない。
Ｘ Ｉ Ｏ−’〜９０ Ｘ Ｉ Ｏ−’ｄｅｇ−’、
好ましくは５０ Ｘ Ｉ Ｏ−’〜７０ Ｘ Ｉ Ｏ−
’ｄｅｇ−’の範囲にあるものが好適である。この熱膨
張率が前記範囲を逸脱すると、高温用サーミスタ素子に
適したリード線や封止ガラスの材料を選定するのが困難
となり好ましくない。
該炭化物としては、例えばＳｉＣ，Ｂ、Ｃ，ＴｉＣＳＺ
ｒＣｓＭｏ２、ＮｂＣ，Ｃｒ３Ｃ，などが、窒化物とし
ては例えばＢＮＸＴｉＮ、 ＮｂＮ、 ＣｒＪなどが、
ホウ化物としては例えばＣｒＢ％ＺｒＢ１ＭｏＢＳＷＢ
などが、ケイ化物としては例えばＭｏＳ ｉ ！、Ｃｒ
５ｉ２、ＴｉＳｉ２、ＷＳｉ２などが挙げられる。
ｒＣｓＭｏ２、ＮｂＣ，Ｃｒ３Ｃ，などが、窒化物とし
ては例えばＢＮＸＴｉＮ、 ＮｂＮ、 ＣｒＪなどが、
ホウ化物としては例えばＣｒＢ％ＺｒＢ１ＭｏＢＳＷＢ
などが、ケイ化物としては例えばＭｏＳ ｉ ！、Ｃｒ
５ｉ２、ＴｉＳｉ２、ＷＳｉ２などが挙げられる。
これらの炭化物、窒化物、ホウ化物及びケイ化物の中か
ら選ばれた少なくとも１種を含有する焼結体は、高温域
でのＢ定数の安定化や不活性ガス中での高温封止の点で
有利である。
ら選ばれた少なくとも１種を含有する焼結体は、高温域
でのＢ定数の安定化や不活性ガス中での高温封止の点で
有利である。
このような材料としては、例えばＡｌ２２０．−３ｉＣ
系、ＡＱ２０．−Ｂ、Ｃ系、Ａｌ２２０．−５ｉＣ−Ｂ
、Ｃ系、ＡＱ、ＯニーＢ、Ｃ−ＢＮ系、Ａ４２０．−（
ＴｉＮ、 ＮｂＮ）系、Ａｌ２，０．−ＴｉＳｉ、系な
ど、Ａｆｆ、Ｏ。
系、ＡＱ２０．−Ｂ、Ｃ系、Ａｌ２２０．−５ｉＣ−Ｂ
、Ｃ系、ＡＱ、ＯニーＢ、Ｃ−ＢＮ系、Ａ４２０．−（
ＴｉＮ、 ＮｂＮ）系、Ａｌ２，０．−ＴｉＳｉ、系な
ど、Ａｆｆ、Ｏ。
を含有するものを挙げることができる。これらの材料に
おいては、該Ａｌ２２０．の含有量が５０〜９５重量％
の範囲にあるものが好ましい。ＳｉＣを含有する場合、
その含有量は５０重量％以下が好ましく、５０重量％を
超えるとガラス封止の際に、発泡が多く生じるおそれが
ある。
おいては、該Ａｌ２２０．の含有量が５０〜９５重量％
の範囲にあるものが好ましい。ＳｉＣを含有する場合、
その含有量は５０重量％以下が好ましく、５０重量％を
超えるとガラス封止の際に、発泡が多く生じるおそれが
ある。
一方、電極層については特に制限はなく、従来サーミス
タ素子に慣用されている導電性材料から成る電極あるい
は導電性材料を含有する電極の中から任意のものを選択
して用いることができる。
タ素子に慣用されている導電性材料から成る電極あるい
は導電性材料を含有する電極の中から任意のものを選択
して用いることができる。
前記導電性材料としては、公知の導電性物質、例えばＡ
ｕ％Ａｇｓ Ｐｔｓ Ｐｄ、 Ｗ、 Ｃｕ、 Ｎｉ、Ｍ
ＯｌＡＱ、 Ｆｅ。
ｕ％Ａｇｓ Ｐｔｓ Ｐｄ、 Ｗ、 Ｃｕ、 Ｎｉ、Ｍ
ＯｌＡＱ、 Ｆｅ。
Ｔｉ、 Ｍｎなど、あるいはＰＬ−Ａｕ％Ｐｄ−Ａｕ、
ＰＬ−Ｐｄ−Ａｕ。
ＰＬ−Ｐｄ−Ａｕ。
Ｐｄ−Ａｇ、 Ｐｔ−Ｐｄ−Ａｇ、 Ｆｅ−Ｎ１−Ｇｏ
、 Ｆｅ−Ｎｉ、 Ｍｏ−Ｍｎなどの合金などいずれも
使用可能である。
、 Ｆｅ−Ｎｉ、 Ｍｏ−Ｍｎなどの合金などいずれも
使用可能である。
これらの導電性材料を気相めっき、液相めっき、溶射、
あるいは箔にしてロウ付などにより電極層とすればよい
。また、これらの導電性材料を、バインダ及び溶剤、さ
らに好ましくはこれらに適当な酸化物を加え、混合して
導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストをサーミ
スタチップに塗布して焼成し、電極層とするいわゆる厚
膜法により形成してもよい。なお、該ペーストとしては
、ガラス分を含有しないガラスフリットレスのものを用
いるのが好ましい。ガラスフリット入りのものを用いる
と、接続の際に発泡が生じやすく、接続性や密着性が低
下するおそれがある、このような電極層の厚さは、通常
５〜２００μｍの範囲で選ばれる。
あるいは箔にしてロウ付などにより電極層とすればよい
。また、これらの導電性材料を、バインダ及び溶剤、さ
らに好ましくはこれらに適当な酸化物を加え、混合して
導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストをサーミ
スタチップに塗布して焼成し、電極層とするいわゆる厚
膜法により形成してもよい。なお、該ペーストとしては
、ガラス分を含有しないガラスフリットレスのものを用
いるのが好ましい。ガラスフリット入りのものを用いる
と、接続の際に発泡が生じやすく、接続性や密着性が低
下するおそれがある、このような電極層の厚さは、通常
５〜２００μｍの範囲で選ばれる。
次に、このようにして得られたチップに、直径０．２−
０．５ｍｍ、長さ２０−１００ｍ＋程度のリード線を接
続したのち、これを通常直径１．５〜２．５ｍｍ、長さ
５ｍｍ程度のガラス管に挿入して、アルゴンガス雰囲気
などの不活性雰囲気中で、８００〜１０００℃程度の温
度において封止し、さらに必要に応じ、５００〜７５０
℃の範囲の温度において、ｌＯ〜１００時間程度エージ
ングを行うことにより、ガラス封止型サーミスタ素子を
得ることができる。
０．５ｍｍ、長さ２０−１００ｍ＋程度のリード線を接
続したのち、これを通常直径１．５〜２．５ｍｍ、長さ
５ｍｍ程度のガラス管に挿入して、アルゴンガス雰囲気
などの不活性雰囲気中で、８００〜１０００℃程度の温
度において封止し、さらに必要に応じ、５００〜７５０
℃の範囲の温度において、ｌＯ〜１００時間程度エージ
ングを行うことにより、ガラス封止型サーミスタ素子を
得ることができる。
この際用いられるリード線については特に制限はなく、
従来サーミスタ素子における耐熱リード線として慣用さ
れているもの、例えば２９重量％Ｎｉ１７重量％Ｃｏ−
残Ｆｅの組成を有するコバール合金や４１〜４３重量％
Ｎｉ−残Ｆｅの組成を有する４２アロイ合金、あるいは
Ｆｅ−Ｃｒ系合金などから成るものを用いることができ
るが、これらの中で熱膨張率や封止ガラスとの密着性な
どの点からコバール合金から成るものが好適である。こ
のようなリード線は、あらかじめその表面に白金などの
耐熱金属を用いてめっき処理を施したものを用いてもよ
い。
従来サーミスタ素子における耐熱リード線として慣用さ
れているもの、例えば２９重量％Ｎｉ１７重量％Ｃｏ−
残Ｆｅの組成を有するコバール合金や４１〜４３重量％
Ｎｉ−残Ｆｅの組成を有する４２アロイ合金、あるいは
Ｆｅ−Ｃｒ系合金などから成るものを用いることができ
るが、これらの中で熱膨張率や封止ガラスとの密着性な
どの点からコバール合金から成るものが好適である。こ
のようなリード線は、あらかじめその表面に白金などの
耐熱金属を用いてめっき処理を施したものを用いてもよ
い。
前記リード線としては、通常直径が０．２〜０．５ｍｍ
。
。
長さ２０〜１００＋＋ｔｍの範囲にあるものが用いられ
、また、このリード線を該電極層に接続する方法として
は、例えば金ペーストなどの導電性ペーストを用い、電
気的に接触させて接続する方法、溶接による方法、超音
波ボンダーによる方法など、任意の方法を用いることが
できる。
、また、このリード線を該電極層に接続する方法として
は、例えば金ペーストなどの導電性ペーストを用い、電
気的に接触させて接続する方法、溶接による方法、超音
波ボンダーによる方法など、任意の方法を用いることが
できる。
このようにして作製されたガラス封止型サーミスタ素子
の構造を添付図面に従って説明すると、図はサーミスタ
チップｌの両側に、一対の電極層４が設けられ、この電
極層４のそれぞれに、リード線３が接続され、さらにリ
ード線の一部を除く全体がガラス封止剤２で封止された
構造を示している。
の構造を添付図面に従って説明すると、図はサーミスタ
チップｌの両側に、一対の電極層４が設けられ、この電
極層４のそれぞれに、リード線３が接続され、さらにリ
ード線の一部を除く全体がガラス封止剤２で封止された
構造を示している。
実施例
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
なお、サーミスタ素子の高温高電気抵抗性は、サンプル
を５００ ’Ｃにて１０００時間保持し、高温保存によ
る抵抗値の変化をΔＲ１高温保存前の抵抗値をＲｏとし
て、式 ％式％ に従って抵抗変化率を求め評価した。
を５００ ’Ｃにて１０００時間保持し、高温保存によ
る抵抗値の変化をΔＲ１高温保存前の抵抗値をＲｏとし
て、式 ％式％ に従って抵抗変化率を求め評価した。
実施例１，２、比較例１，２．３
Ａｌ２２０３４３０９、Ｂ、Ｃ７０ｇ、ＭｇＣ０，０，
５９及びＹ２Ｏ。
５９及びＹ２Ｏ。
０．５ｇを湿式ボールミルで２０時間混合し、乾燥造粒
し、直径３インチに成形したのち、Ａｒ雰囲気中、焼成
温度１６００℃１プレス圧２００７２９／ ｃｍ２の条
件下で１時間ホットプレス焼結して厚さ０．５ｍｍ及び
直径３インチのの複合焼結体を作製した。
し、直径３インチに成形したのち、Ａｒ雰囲気中、焼成
温度１６００℃１プレス圧２００７２９／ ｃｍ２の条
件下で１時間ホットプレス焼結して厚さ０．５ｍｍ及び
直径３インチのの複合焼結体を作製した。
このようにして得た複合焼結体の両面に、Ｎｌ無電解め
っきにより厚さ１．５μｍのＮｉ電極層を形成してウェ
ハとした。次いで、このウェハを、外周スライシングマ
シンによりダイアモンドブレードにて一辺０．７５ｍｍ
の正方形に切断加ヱし、サーミスタチップを得た。
っきにより厚さ１．５μｍのＮｉ電極層を形成してウェ
ハとした。次いで、このウェハを、外周スライシングマ
シンによりダイアモンドブレードにて一辺０．７５ｍｍ
の正方形に切断加ヱし、サーミスタチップを得た。
続いて、このチップに、直径０．２５Ｉｌ１ｍ、長さ６
５■のコバール合金製リード線を下記に示す条件にてパ
ラレルギャップ溶接法により接続した。
５■のコバール合金製リード線を下記に示す条件にてパ
ラレルギャップ溶接法により接続した。
（パラレルギャップ溶接条件）
交流電圧 ０．７Ｖ
時 間 ３ Ｑ ｍ５ｅｃ
次に、このようにして得られたものを、第１表から成る
直径２．５ｍｍ、長さ４ｍｍ管に挿入し、アルゴンガス
雰囲気中で８００〜１０００℃にて封止したのち、これ
をエージング処理して、図に示されるようなガラス封止
型サーミスタ素子を作製した。
直径２．５ｍｍ、長さ４ｍｍ管に挿入し、アルゴンガス
雰囲気中で８００〜１０００℃にて封止したのち、これ
をエージング処理して、図に示されるようなガラス封止
型サーミスタ素子を作製した。
このものについて、高温での電気抵抗性を調べた結果を
第２表に示す。
第２表に示す。
発明の効果
本発明のガラス封止型高温用サーミスタ素子は、５００
℃以上の高温での使用においても、高い電気抵抗値を維
持することができ、安定したサーミスタ特性を有する。
℃以上の高温での使用においても、高い電気抵抗値を維
持することができ、安定したサーミスタ特性を有する。
このガラス封止型サーミスタ素子は、例えば自動車排気
ガス温度検出センサや石油・ガス燃焼制御用センサなど
の高温センサとして好適である。
ガス温度検出センサや石油・ガス燃焼制御用センサなど
の高温センサとして好適である。
図は本発明のガラス封止型サーミスタ素子の１例の断面
図であって、図中符号ｌはサーミスタチップ、２はガラ
ス封止剤、３はリード線、４は電極層である。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代 理 人 阿 形 明
図であって、図中符号ｌはサーミスタチップ、２はガラ
ス封止剤、３はリード線、４は電極層である。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代 理 人 阿 形 明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ サーミスタチップの両側に一対の電極層を設け、該
電極層のそれぞれに鉄系合金から成る耐熱リード線を接
続し、ガラスで封止したガラス封止型高温用サーミスタ
素子において、該ガラスが実質的にアルカリ金属成分を
含有しないガラスから成るサーミスタ素子。 ２ 封止ガラスのアルカリ金属の総量が酸化物換算で３
重量％以下である請求項１記載のサーミスタ素子。 ３ 封止ガラスの電気抵抗値が５００℃で１０＾６Ωｃ
ｍ以上である請求項１又は２記載のサーミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245593A JP2819536B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | ガラス封止型高温用サーミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63245593A JP2819536B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | ガラス封止型高温用サーミスタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0294402A true JPH0294402A (ja) | 1990-04-05 |
| JP2819536B2 JP2819536B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17136037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63245593A Expired - Fee Related JP2819536B2 (ja) | 1988-09-29 | 1988-09-29 | ガラス封止型高温用サーミスタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819536B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6880969B2 (en) * | 2001-03-23 | 2005-04-19 | Denso Corporation | Temperature sensor and production method thereof |
| JP2010161334A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-07-22 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子の製造方法及びサーミスタ素子 |
| JP2015190904A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
| RU2767488C1 (ru) * | 2020-12-28 | 2022-03-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА - Российский технологический университет» | Материал для терморезистора |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4980328U (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-11 | ||
| JPS62189701A (ja) * | 1986-02-15 | 1987-08-19 | 宝工業株式会社 | 炭化硅素焼結体サ−ミスタ |
-
1988
- 1988-09-29 JP JP63245593A patent/JP2819536B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4980328U (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-11 | ||
| JPS62189701A (ja) * | 1986-02-15 | 1987-08-19 | 宝工業株式会社 | 炭化硅素焼結体サ−ミスタ |
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| JP2010161334A (ja) * | 2008-12-11 | 2010-07-22 | Mitsubishi Materials Corp | サーミスタ素子の製造方法及びサーミスタ素子 |
| JP2015190904A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 日本特殊陶業株式会社 | 温度センサ |
| RU2767488C1 (ru) * | 2020-12-28 | 2022-03-17 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА - Российский технологический университет» | Материал для терморезистора |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2819536B2 (ja) | 1998-10-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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