RU2767488C1 - Материал для терморезистора - Google Patents
Материал для терморезистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2767488C1 RU2767488C1 RU2020143472A RU2020143472A RU2767488C1 RU 2767488 C1 RU2767488 C1 RU 2767488C1 RU 2020143472 A RU2020143472 A RU 2020143472A RU 2020143472 A RU2020143472 A RU 2020143472A RU 2767488 C1 RU2767488 C1 RU 2767488C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistance
- temperature coefficient
- pbo
- negative temperature
- temperature
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к электронной техники и может быть использовано для изготовления датчиков температуры в измерительных системах и устройств регулирования и управления. Повышение чувствительности терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, работающих при низких температурах 100-300° Кельвин, является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что материал терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления выполнен путем смешивания исходных компонентов оксида свинца PbO и оксида марганца Mn2O3, взятых в пропорции 6 частей PbO и 7 частей Mn2O3, с последующим обжигом смеси при температуре 950°С в течение 4 часов. 1 ил.
Description
Изобретение относится к электронной техники и может быть использовано для изготовления датчиков температуры в измерительных системах и устройств регулирования и управления. Изобретение служит для создания терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления работающих при низких температурах 100-300° Кельвина.
Известен широкий класс терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом (см. Шашков А. Г., Терморезисторы и их применение. М.: «Энергия», 1967. Стр. 296-301), рабочий диапазон которых ограничен температурой -60° -+100°С. Что является определенным недостатком.
Предлагаемое изобретение направлено на решение технической задачи по устранению этого недостатка, а именно, на создание материала, позволяющего получить терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления работающих при низких температурах 100-300° Кельвина и хорошей температурной зависимостью.
Технический результат достигается тем, что материал терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, включающий твердый раствор оксидных соединений с марганцем, отличающийся тем, что материал получают путем смешивания исходных компонентов оксида свинца PbO и оксида марганца Mn2O3, взятых в пропорции 6PbO и 7Mn2O3, после чего смесь перетирают в среде этилового спирта, сушат и обжигают при температуре 950°С в течение 4 часов.
Указанные признаки являются существенными и совокупность этих признаков достаточна для получения требуемого технического результата.
Материал на основе манганата свинца получают путем смешивания исходных компонентов оксида свинца и оксида свинца, взятых в пропорции, отвечающей химической формуле 6PbO7Mn2O3. Смесь тщательно перемешивается путем перетирания в среде этилового спирта Высушенная смесь обжигается при температуре 950°С в течение 4 часов. Полученный материал после остывания измельчается в порошок, добавляют пластификатор ПВС после чего формируются таблетки диаметром 10 мм и толщиной 1-2 мм пол давлением 100-150 кГ/м2. Полученные таблетки спекают при температуре 950°С в течение 4 часов.
На Фиг. 1 показана полученная зависимость проводимости данного материала от температуры.
Claims (1)
- Материал терморезистора с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, включающий твердый раствор оксидных соединений с марганцем, отличающийся тем, что материал получают путем смешивания исходных компонентов оксида свинца PbO и оксида марганца Mn2O3, взятых в пропорции 6PbO и 7Mn2O3, после чего смесь перетирают в среде этилового спирта, сушат и обжигают при температуре 950°С в течение 4 часов.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020143472A RU2767488C1 (ru) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | Материал для терморезистора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020143472A RU2767488C1 (ru) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | Материал для терморезистора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2767488C1 true RU2767488C1 (ru) | 2022-03-17 |
Family
ID=80737220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020143472A RU2767488C1 (ru) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | Материал для терморезистора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2767488C1 (ru) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294402A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Tdk Corp | ガラス封止型高温用サーミスタ素子 |
JPH0354153A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ磁器組成物 |
RU2042220C1 (ru) * | 1992-08-05 | 1995-08-20 | Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД" | Материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления |
RU2058053C1 (ru) * | 1992-09-24 | 1996-04-10 | Киселева Наталья Павловна | Терморезистор |
RU2073274C1 (ru) * | 1992-10-15 | 1997-02-10 | Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД" | Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления |
JP3054153B2 (ja) * | 1989-02-28 | 2000-06-19 | 水澤化学工業株式会社 | 感圧複写紙用顕色剤 |
-
2020
- 2020-12-28 RU RU2020143472A patent/RU2767488C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0294402A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Tdk Corp | ガラス封止型高温用サーミスタ素子 |
JP3054153B2 (ja) * | 1989-02-28 | 2000-06-19 | 水澤化学工業株式会社 | 感圧複写紙用顕色剤 |
JPH0354153A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ磁器組成物 |
RU2042220C1 (ru) * | 1992-08-05 | 1995-08-20 | Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД" | Материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления |
RU2058053C1 (ru) * | 1992-09-24 | 1996-04-10 | Киселева Наталья Павловна | Терморезистор |
RU2073274C1 (ru) * | 1992-10-15 | 1997-02-10 | Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД" | Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Peng et al. | Crystal structure, dielectric and piezoelectric properties of Ta/W codoped Bi3TiNbO9 Aurivillius phase ceramics | |
Yang et al. | Electrocaloric effect and pyroelectric performance in (K, Na) NbO3‐based lead‐free ceramics | |
WO2019096335A1 (zh) | 一种复合型热敏电阻材料及其制备方法和应用 | |
Peng et al. | Evolution of microstructure and dielectric properties of (LiCe)-doped Na0. 5Bi2. 5Nb2O9 Aurivillius type ceramics | |
US10643768B2 (en) | Thermistor sintered body and thermistor element | |
CN101765573A (zh) | 热敏电阻用金属氧化物烧结体、热敏电阻元件、热敏电阻温度传感器和热敏电阻用金属氧化物烧结体的制备方法 | |
RU2767488C1 (ru) | Материал для терморезистора | |
CN105967674A (zh) | 一种铬掺杂铝酸镁高温热敏电阻材料及其制备方法 | |
JP2017191856A (ja) | サーミスタ素子及びその製造方法 | |
CN115093224A (zh) | 一种烧绿石相高熵陶瓷的制备方法及应用 | |
CN106278226A (zh) | 一种三元系负温度系数热敏电阻材料的制备方法 | |
JP2004221519A (ja) | サーミスタ素子用焼結体及びその製造方法、並びにサーミスタ素子、温度センサ | |
JPH10321408A (ja) | サーミスタ素子およびその製造方法 | |
JP2010225903A (ja) | サーミスタ用組成物とサーミスタ素子及びその製造方法 | |
CN112110727B (zh) | 一种氟化物掺杂的高温负温度系数热敏电阻材料及制备方法 | |
CN103360052A (zh) | 热敏陶瓷材料和其制得的温度传感热敏电阻及制造方法 | |
CN113683410B (zh) | 具有负电卡效应的钛酸铋基铋层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法 | |
JP6447841B2 (ja) | チタン酸バリウム系半導体セラミック、チタン酸バリウム系半導体セラミック組成物および温度検知用正特性サーミスタ | |
JP6738984B1 (ja) | サーミスタ焼結体および温度センサ素子 | |
RU2637260C2 (ru) | Керамический материал для варисторов | |
KR101782382B1 (ko) | Ntc 써미스터 온도 센서용 세라믹 조성물, 이를 이용한 ntc 써미스터 온도 센서용 세라믹 소결체의 제조 방법 및 이를 포함하는 ntc 써미스터 소자 | |
CN102701731B (zh) | 一种用于温度检测器的温敏陶瓷材料 | |
KR101647354B1 (ko) | La 산화물을 주성분으로 하는 온도센서용 서미스터 세라믹 조성물 | |
KR970007509B1 (ko) | 부온도계수 써미스터 | |
CN115894029B (zh) | 基于高熵稀土锆酸盐的氧不敏感型负温度系数热敏材料 |