RU2073274C1 - Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления - Google Patents

Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления Download PDF

Info

Publication number
RU2073274C1
RU2073274C1 RU92001896A RU92001896A RU2073274C1 RU 2073274 C1 RU2073274 C1 RU 2073274C1 RU 92001896 A RU92001896 A RU 92001896A RU 92001896 A RU92001896 A RU 92001896A RU 2073274 C1 RU2073274 C1 RU 2073274C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
resistance
thermosensitive resistors
negative
ohm
temperature coefficient
Prior art date
Application number
RU92001896A
Other languages
English (en)
Other versions
RU92001896A (ru
Inventor
Э.Г. Бондаренко
Э.С. Чеботарева
А.О. Олеск
О.Н. Малышева
Я.В. Павлоцкий
Original Assignee
Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД" filed Critical Научно-исследовательский институт "ГИРИКОНД"
Priority to RU92001896A priority Critical patent/RU2073274C1/ru
Publication of RU92001896A publication Critical patent/RU92001896A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2073274C1 publication Critical patent/RU2073274C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиоэлектронной техники и может быть использовано для изготовления терморезисторов (ТР) с отрицательным ТКС различного конструктивного исполнения и функционального назначения. Предложенный материал, обладая повышенной стойкостью к тепловым и электрическим нагрузкам, обеспечивает широкие пределы значений удельного сопротивления от единиц до тысяч Ом•см при отрицательном (ТКС25) не менее 3,4%/К. Указанные электрические параметры, согласно изобретению, обеспечиваются тем, что в качестве материала ТР использован твердый раствор со структурой кристаллической решетки типа шпинели, отвечающий формуле:
CO3-x-y-zMnzMyCrxO4,
где М - один из ряда Сu, Fe, Mg; 0,9≅z<1,5,0<y≅0,5,0<x<0,2, причем х+y+z≅2. Применение материала позволяет, в частности, изготовить мощные дисковые ТР с номинальным сопротивлением от 0,5 Ом до ед. кОм при отрицательном (ТКС25), не менее 3,4%/К, предназначенных для защиты от пусковых токов импульсных источников питания, источников питания мониторов и дискетов с ЭЛТ, цветных телевизоров, видеомагнитофонов, ламп накаливания и других сильноточных устройств. 1 табл.

Description

Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении терморезисторов (ТР) с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС).
ТР широко используются в технике в режимах слабых и сильных токов. К числу сильноточных применений ТР относится их возможное использование в качестве пусковых элементов.
Широко известны и применяются для массового производства различных типов ТР полупроводниковые материалы на основе двойных и тройных окислов марганца, кобальта, никеля и меди [1]
Большая номенклатура составов позволяет в широких пределах варьировать удельное сопротивление от единиц до 106 Ом.см. при ТКС25 от -2 до -(5oC6)% /К.
Однако, при этом соблюдается закономерность: большой ТКС соответствует материалам с большим ρ25; чем меньше ρ25; тем меньше ТКС. Для материалов c /TKC25/≥3,4%/K-ρ25>103Oм•cм.. Кроме того, эти материалы, как правило, неоднофазны, что заметно снижает стойкость керамики, спеченной из этих материалов, и электрическим и тепловым нагрузкам.
Известен материал для ТР со структурой кристаллической решетки типа шпинели, выполненный в виде твердого раствора содержащего марганец и катионы, выбранные из ряда кобальт, никель, медь, хром и цинк [2]
Недостатком этого материала является относительно высокое удельное сопротивление составов с большим ТКС (ρ25>5000 Oм•cм.) В том случае, когда удельное сопротивление мало (ρ25<15 Oм•cм.) ТКС снижается до недопустимо малых значений [(ТКС25)<3,4%К] В качестве прототипа, как наиболее близкий по технической сущности к изобретению, выбран материал, выполненный в виде твердого раствора с кристаллической структурой типа шпинели, с общей формулой:
Co3-x-y-zNixCuyMnzO4, (1)
где 0,05≅x≅0,40
0,01≅y≅0,50
0,95≅z≅1,50, причем x+y+z≅2. (3)
Обладая достаточно высоким ТКС, необходимой стойкостью керамики к тепловым и электрическим нагрузкам, материал-прототип не охватывает всего спектра номинальных значений ρ25, необходимых для производства серии ТР, предназначенных для пусковых защитных элементов.
Настоящее изобретение решает задачу по созданию материала, обладающего стойкостью к тепловым и электрическим нагрузкам, обеспечивающего широкие пределы значений удельного сопротивления от ≈10 Ом.см. до ≈ ед. кОм. см. при отрицательном (ТКС25)≥3,45%К.
Указанный технический результат достигается тем, что заявляемый материал, выполненный в виде твердого раствора с кристаллической структурой типа шпинели, содержащей катионы кобальта и марганца дополнительно содержит хром и катион, выбранный из ряда медь, железо, магний, с общей формулой:
CO3-x-y-zMnzMyCrxO4, (2)
где М один из ряда Сu, Fe, Mg.
0,9≅z≅1,5
0<y≅0,5
0<x≅0,2, причем х+y+z≅2.
Заявленный материал образует ряд твердых растворов со структурой кристаллической решетки типа кубической шпинели, его удельное сопротивление целиком определяется катионным составом и лежит в расширенных, по сравнению с прототипом, пределах при одновременном увеличении значения ТКС. Примеры зависимости электрических свойств от катионного состава заявляемого материала приведены в таблице.
В качестве исходных материалов используют углекислые соли кобальта, меди и марганца, окислы хрома, магния и железа.
Исходные реактивы в соответствии со структурой формулой смешиваются, подвергаются предварительному синтезу при 700oC, а затем высокотемпературному обжигу при 1150-1250oC.
Рентгенофазовый анализ подтверждает образование однофазного материала с кристаллической структурой типа кубической шпинели.
В качестве примера конкретного исполнения рассмотрим состав, отвечающий средним значением содержания компонентов:
CO1,35Mn1,30Cu0,30Cr0,05 (3)
Для получения состава по формуле (3) берут 154,19 г углекислого основного кобальта ГОСТ 5407-78; 161,11 г марганца углекислого основного ГОСТ 7205-77; 34,11 г меди углекислой основной ГОСТ 8927-71; 3,64 г окиси хрома ТУ 6-09-4272-76. Реактивы смешивают в шаровой мельнице "мокрым" способом в течение 20 час. Полученную смесь высушивают в термостате при 100-120oC. Высушенный порошок подвергают изотермическому обжигу (предварительный синтез) в течение 4 часов, охлаждают в режиме естественного остывания печи. После этого материал вновь подвергают "мокрому" помолу в течение 20 часов и высушивают при 100-120oC. Для приготовления пресс-порошка шихту смешивают с органической связкой (5% -раствор поливинилового спирта) в количестве 20% от веса шихты. Из пресс-порошка методом прессования изготавливают заготовки терморезисторов необходимой формы и размеров. Заготовки обжигают при 1050oC в течение 2 часов. После высокотемпературного синтеза материал представляет собой практически однофазный твердый раствор со структурой кристаллической решетки типа кубической шпинели. Его ρ25= 25 Oм•cм. при ТКС25=-3,49%/К.
Изобретение может быть применено для изготовления всевозможных типов ТР с широким спектром электрических параметров и в различном конструктивном оформлении. В частности, он может быть использован для производства мощных дисковых ТР с номинальным сопротивлением от 0,5 до единиц кОм при отрицательном
Figure 00000001
, предназначенных для защиты от пусковых токов импульсных источников питания, источников питания мониторов и дисплеев с электронно-лучевыми трубками, цветных телевизоров, видеомагнитофонов, ламп накаливания и других сильноточных устройств.

Claims (1)

  1. Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС), выполненный в виде твердого раствора с кристаллической структурой, типа шпинели, содержащей катионы кобальта и марганца, отличающийся тем, что он дополнительно содержит хром и катион, выбранный из ряда: медь, железо, магний с общей формулой
    Co3-x-y-z Mnz My CrxO4,
    где М один из ряда Cu, Fe, Mg;
    0,9≅z≅1,5;
    0<y≅0,5;
    0<x≅0,2,
    причем x+y+z≅2.
RU92001896A 1992-10-15 1992-10-15 Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления RU2073274C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92001896A RU2073274C1 (ru) 1992-10-15 1992-10-15 Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92001896A RU2073274C1 (ru) 1992-10-15 1992-10-15 Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU92001896A RU92001896A (ru) 1996-10-10
RU2073274C1 true RU2073274C1 (ru) 1997-02-10

Family

ID=20130880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU92001896A RU2073274C1 (ru) 1992-10-15 1992-10-15 Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2073274C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2556876C1 (ru) * 2014-01-29 2015-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет" Терморезистивный материал на основе асфальта пропановой деасфальтизации
RU2767488C1 (ru) * 2020-12-28 2022-03-17 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА - Российский технологический университет» Материал для терморезистора

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Шефтель И.Г. Терморезисторы.- М.: Наука, 1973, с.91-110. 2. Патент Франции N 2582851, кл. H 01 B 1/08, 1996. 3. Авторское свидетельство СССР N 1817603, кл. H 01 C 7/04, 1991. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2556876C1 (ru) * 2014-01-29 2015-07-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет" Терморезистивный материал на основе асфальта пропановой деасфальтизации
RU2767488C1 (ru) * 2020-12-28 2022-03-17 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА - Российский технологический университет» Материал для терморезистора

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0641749B1 (en) Porous sintered bodies and solid oxide fuel cells using such porous sintered bodies as air electrodes
EP2966050A1 (en) Semiconductor ceramic composition and ptc thermistor
EP0455277B1 (en) Aluminum nitride sintered body and preparation thereof
RU2073274C1 (ru) Полупроводниковый керамический материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления
KR940001710B1 (ko) 질화알루미늄 분말 및 그 제조법
US5976421A (en) Indium-containing, oxide-ceramic thermistor
JP3541549B2 (ja) 高温用熱電材料およびその製造方法
JP3089301B1 (ja) 熱電変換材料及び複合酸化物焼結体の製造方法
US3925261A (en) Exponential resistance material and method of manufacturing same
US20050121066A1 (en) Figure of merit in Ytterbium-Aluminum-manganese intermetallic thermoelectric and method of preparation
RU2042220C1 (ru) Материал для терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления
KR0132158B1 (ko) 저온형 NTC 써미스터(Negative Temperature Coefficient Thermistor : 감온 온도 센서)의 저온 제조방법 및 그 조성물
JP2647347B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体放熱板の製造方法
KR20000025229A (ko) 메카니칼그라인딩법에 의한 열전재료 제조방법
EP0444877A2 (en) Electrical resistor element
JPH0333055A (ja) 酸化物超電導材料とその製造方法
JP2003282968A (ja) 酸化物熱電変換材料
WO1991003426A1 (en) Superconducting material and production thereof
JPH03141611A (ja) 微粒組織Mn―Znフェライト材料及びその製造方法
JP2002203994A (ja) 熱電変換材料の製造方法
SU1138838A1 (ru) Материал дл терморезисторов
JPH05226137A (ja) 酸化物磁性体材料およびその製造方法
JPH0677009A (ja) 厚膜サーミスタ組成物及びその製造方法並びにこの組成 物を用いた厚膜サーミスタ及びその製造方法
JPH09307147A (ja) 熱電変換素子の製造方法
JPH03290321A (ja) 超電導材料の製造方法