JPH0297001A - ガラス封止型サーミスタ素子 - Google Patents

ガラス封止型サーミスタ素子

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JPH0297001A
JPH0297001A JP24943588A JP24943588A JPH0297001A JP H0297001 A JPH0297001 A JP H0297001A JP 24943588 A JP24943588 A JP 24943588A JP 24943588 A JP24943588 A JP 24943588A JP H0297001 A JPH0297001 A JP H0297001A
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JP
Japan
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glass
thermistor
sealed
series alloy
alloy
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JP24943588A
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Tooru Kineri
透 木練
Yukio Kawaguchi
行雄 川口
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は改良されたガラス封止型サーミスタ素子に関す
るものである。さらに詳しくいえば、本発明は例えば自
動車排気ガス温度検出センサなと、高温で耐湿性が要求
される雰囲気で用いられる温度検出センサなどとして好
適な、耐湿性に優れ、かつ500°C以上の高温域にお
いても使用しうるガラス封止型サーミスタ素子に関する
ものである。
従来の技術 従来、サーミスタ素子は、その感温抵抗体の電気抵抗の
温度依存性を利用して、温度測定や温度制御用などの温
度センサとして、多くの分野において広く用いられてい
るが、近年、機器の電子制御化が進むに伴い、厳しい条
件下での使用においても信頼の高いものが要求されるよ
うになってきている。例えば自動車排気ガス温度検出セ
ンサや石油・ガス燃焼制御用センサなどに用いられるサ
ーミスタ素子は高温に耐えうるものが要求され、特に自
動車排気ガス温度検出センサ用には、さらに耐湿性に優
れたものが要求される。
ところで、該サーミスタ素子には、ガラス封止型や薄膜
型などがあり、このうちガラス封止型サーミスタ素子は
、それぞれにリード線が接続された一対の電極を有する
サーミスタチップがガラス中に封止された構造を有して
いる。
このようなガラス封止型サーミスタ素子においては、サ
ーミスタチップ、封止方ラス、リード線などの構成部材
の材質を、それぞれ適宜選択して、それらの熱膨張率を
ほぼ一致させ、熱的に安定であるとともに、高温での使
用に耐えるサーミスタ素子を作製することが試みられて
いる。このようなものとしては、例えばサーミスタチッ
プに酸化物焼結体を、耐熱リード線にコバール線を、封
止ガラスにホウケイ酸ガラスを用いたものが知られてい
る。また、最近では、高耐熱性のものとして、リード線
に耐熱金属をめっきしたコバール線を用い、かつ封止ガ
ラスにホウケイ酸ガラスを用いたガラス封止型サーミス
タや(特開昭60−124803号公報)、リード線に
42Ni −Fe合金のようなコバルトを含まない材料
を用い、かつ封止ガラスとして、該リード線と熱膨張率
の近似したガラスを用いたガラス封入サーミスタ(特開
昭61−46002号公報)などが提案されている。
しかしながら、このようなガラス封止型サーミスタ素子
においては、高温使用における劣化を抑制する効果は有
しているものの、封止ガラスと、リード線、特に白金な
どの耐熱金属をめっきしたリード線や42Ni −Fe
系合金から成るリード線との濡れ性が悪くて、密着封止
が十分でなく、耐湿性に劣るのを免れないという欠点が
ある。
発明が解決しようとする課題 本発明は、このような事情のもとで、500℃以上の高
温域における使用においても安定したサーミスタ特性を
有する上、耐湿性に優れたガラス封止型サーミスタ素子
を提供することを目的としてなされたものである。
課題を解決するための手段 本発明者らは耐湿性に優れた高温用ガラス封止型サーミ
スタ素子を開発するために鋭意研究を重ねた結果、リー
ド線として鉄系合金から成る耐熱リード線を用い、かつ
該リード線の少なくとも封止ガラスとの接触部を表面酸
化処理することにより、γ−Fe、O,やFe、O,な
どが析出して、ガラスとリード線との界面でFeの拡散
反応が促進され、その結果ガラスとリード線との濡れ性
が向上して優れた密着性が得られ、前記目的を達成しう
ろことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成する
に至った。
すなわち、本発明は、両側に一対の電極層を有するサー
ミスタチップを、該両側から鉄系合金から成る耐熱リー
ド線で保持し、ガラス中に封止して成るガラス封止型サ
ーミスタ素子において、該リード線を、少なくともガラ
スとの接触部が表面酸化処理されたFe−Ni系合金、
Fe−Co−Ni系合金、Fe−Cr系合金又はFe−
Cr−Ni系合金で形成したことを特徴とするガラス封
止型サーミスタ素子を提供するものである。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明のサーミスタ素子において用いられるサーミスタ
チップの材料については、特に制限はなく、従来サーミ
スタ材料として慣用されているもの、例えばMnO,−
MnO系、AQ20z −Tie、系、Z「02系、A
1210.− Cr2O,系、Fe2O,系、スピネル
系、SiC系などを用いることができるが、特に炭化物
、窒化物、ホウ化物及びケイ化物の中から選ばれた少な
くとも1種を含有する焼結体が好ましく用いられる。
このようなサーミスタ材料の中で、特に熱膨張率が30
X 10−’−130X to−’deg−’、好まし
くは50×10−’−120X 10−’deg−’の
範囲にあるものが好適である。この熱膨張率が前記範囲
を逸脱すると、高温用サーミスタ素子に適したリード線
や封止ガラスの材料を選定するのが困難となり好ましく
ない。
該炭化物としては、例えば5iCXB4C% Tics
 ZrCsMo2C5NbC5Cr3G2などが、窒化
物としては、例えばBN、 TiN、 NbN、 Cr
、Nなどが、ホウ化物としては、例えばCrB、 Zr
B、 MoBSWBなどが、ケイ化物としては、例えば
MoS i2、CrSi2、TiSi2、WSizなど
が挙げられる。
これらの炭化物、窒化物、ホウ化物及びケイ化物の中か
ら選ばれた少なくとも1種を含有する焼結体は、高温域
でのB定数の安定化や不活性ガス中での高温封止の点で
有利である。
このような材料としては、例えばAQ202− SiC
系AQ、O5−BaC系、AQ201− SiC−B、
C系、Aa2o、 −84C−BN系、Al2zO3−
(TiN、 NbN)系、A(2!O,−Ti5it系
など、A60.を含有するものを挙げることができる。
これらの材料においては、該AQ20.の含有量が50
〜95重量%の範囲にあるものが好ましい。また、Si
Cを含有する場合、その含有量は50重量%以下が好ま
しく、50重量%を超えるとガラス封止の際に、発泡が
多く生じるおそれがある。
このような材料の中で、焼成温度、熱膨張率、B定数、
電気抵抗値コントロール性などの点から、酸化アルミニ
ウムと炭化ケイ素若しくは炭化ホウ素とを含有する焼結
体、又は酸化アルミニウムと炭化ケイ素と炭化ホウ素と
を含有する焼結体であって、酸化アルミニウム、炭化ケ
イ素及び炭化ホウ素の含有量をそれぞれχ重量%、7重
量%及び2重量%とじた場合(ただし、χ十y + z
 = 100)、酸化アルミニウム、炭化ケイ素及び炭
化ホウ素の組成(χ、ylZ)が、第1図に示されるよ
うなA(100,0,0)、B(0,0,100)及び
C(0,100,0)を頂点とする三元組成図において
、A、B及びD(50,50,0)によって囲まれ、か
つA点及びB点を含まない領域、好ましくはE(95,
0,5)、F(5,0,95)、D(50,50,0)
、G(95,5,0)によって囲まれた領域、より好ま
しくは、E(95,0,5)、H(50,0,50)、
D(50,50,0)、G(95,5,0)によって囲
まれた領域、特に好ましくはE(95,01,5)、■
(80,0,20)、J(65,35,0)、G(95
,5、O)によって囲まれた領域にあるもの、特に特願
昭62−61996号明細書に記載されているものが好
適である。
すなわち、該第1図の三元組成図において、A(100
,0,0)点、すなわち酸化アルミニウム含有量が10
0重量%となると高温でも高抵抗となり、またB(0,
0,100)点、すなわち炭化ホウ素の含有量が100
重量%となると焼結体を形成するのが困難となる。一方
、BD線より下の領域の組成においては、サーミスタ素
子とした場合のB定数が大きくなり、かつ焼結体を形成
しにくい上にガラス封止の際に発泡が多く生じるおそれ
がある。
そして、EG線以下の領域の組成では、炭化ホウ素や炭
化ケイ素を含有させることにより、所望の抵抗値を得る
ことができるし、FD線以上の領域の組成では焼結性が
向上し、良好なサーミスタチップを得ることができる。
さらに、HD線以上の領域の組成となって、A(lxo
sの含有量が50重量%以上となると焼結性がより一層
良好となる。
このような場合、炭化ホウ素や炭化ケイ素の添加効果の
1つとして、酸化アルミニウムの抵抗を低下させること
を挙げることができる。そして、この抵抗低下の効果は
EHDGで囲まれた領域内で発現し、この領域内で炭化
ホウ素や炭化ケイ素の含有量が増加するに伴い抵抗値が
漸減する。しかしながら、HD線を超えると抵抗変化は
飽和し。
抵抗値はほとんど変化しなくなる。
このため、HFDで囲まれる領域内では、通常の場合は
サーミスタとして使用可能であるが、用いる原料によっ
ては抵抗値が低すぎサーミスタとして使用できないこと
がある。したがって、原料により制約を受けないこと、
そして、添加量によって所望の抵抗値に制御しうるとい
う点で、特にHD線以上の領域にあることが好ましい。
より詳しく説明すると、原料の炭化ケイ素には、フリー
の炭素及びケイ素の外に、酸素、アルミニウム、鉄、チ
タンなどが含有されるが、炭化ケイ素の純度が99重量
%程度以上のものでは、飽和抵抗値が10’Ω・cm程
度以上となり、HDFで囲まれた領域内で使用可能であ
る。これに対し前記純度未満のものでは、HD線より下
の領域において抵抗値が小さくなる。また、原料炭化ホ
ウ素には、酸素、窒素、鉄などが不純物として含有され
るが、純度99%程度以上のものは、10’Ω・cm以
上の飽和抵抗値をもち、HFDで囲まれる領域内で使用
可能である。これに対し、前記純度未満のものでは、H
D線より下の領域で抵抗値が小さくなる。
なお、このEIJGで囲まれる領域において、K(90
,0,10)、L(85,0,15)、M(80120
,O)及びN(70,30,0)で囲まれる領域は、よ
り好ましい抵抗値を得ることができるので、この領域の
組成の焼結体が特に好適である。
このような焼結体における酸化アルミニウム、炭化ケイ
素及び炭化ホウ素は、それぞれ化学式Al2ff103
、SiC及びB4Cで示されるものであり、それらの平
均グレイン粒径は、それぞれ通常0.1〜10μ票、0
.1〜15μm及びO01〜15 ttmの範囲にある
。また、該酸化アルミニウム、炭化ケイ素及び炭化ホウ
素は、いずれも化学量論的にその組成を多小はずれても
よい。さらに、該焼結体においては、前記炭化ケイ素や
炭化ホウ素の一部が、焼成中に酸化ケイ素や酸化ホウ素
のような酸化物に変化していてもよい。
このような焼結体は、例えば所要量の酸化アルミニウム
粉末と炭化ケイ素粉末や炭化ホウ素粉末とを、エタノー
ル、アセトンなどの溶媒を用い、必要ならばさらに分散
剤などを用いて、ボールミルなどにより湿式混合したの
ち、この混合物を室温で加圧成形し、次いでこの成形体
を、酸化性又は非酸化性雰囲気中において、例えば常圧
焼結法、ホットプレス(HP)焼結法、熱間静水圧(H
IP)法などにより焼結したのち、放冷することによっ
て製造することができる。
前記湿式混合する際に用いる溶媒の使用量は、通常原料
粉末に対し、100−120重量%の範囲で選ばれる。
また、酸化アルミニウム粉末としては、一般に平均粒径
0.1〜5μmで、かつ純度99.5重量%以上のもの
が用いられ、炭化ケイ素粉末としては、一般に平均粒径
0.5〜5μmで、かつ純度98重量%以上のものが用
いられる。さらに、炭化ホウ素粉末としては、一般に平
均粒径0.5〜5μmで、かつ純度97重量%以上のも
のが用いられる。
加圧成形の際の圧力は、500〜2000kg/ cm
’程度で十分である。また、焼結時の非酸化性雰囲気と
しては、例えば窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性
ガス、水素、−酸化炭素、各種炭化水素など、あるいは
これらの混合ガス雰囲気、さらには真空など、種々のも
のを挙げることができる。
常圧焼結法の場合は大気圧下でよく、焼結温度は通常1
600〜1900℃、好ましくは1750〜1800℃
の範囲で選ばれる。この温度が1600℃未満では長時
間焼結しても十分なち密性が得られないし、1900℃
を超えると酸化アルミニウムと炭化ケイ素や炭化ホウ素
との相互反応が激しくなる傾向が生じる。
焼結時間は、通常0.5〜2時間程度であり、例えば1
750 ’Oの焼結温度では1時間程度で十分である。
一方、HP焼結法においては、通常プレス圧力は150
−250に9/ cm”の範囲、温度は1500〜18
00℃、好ましくは1650〜1750°Cの範囲で選
ばれる。この温度が1500℃未満ではち密な焼結体が
得られにくいし、1800℃を超えると酸化アルミニウ
ムと炭化ケイ素や炭化ホウ素との相互反応が激しくなる
傾向が生じる。焼結時間は、通常1〜3時間程度で十分
である。
さらに、HIP焼結法においては、原粉粉末の成形体を
、酸化性あるいは非酸化性雰囲気中(例えば、1200
°Cまでは真空中、その後はアルゴン雰囲気中などが好
ましい)で予備焼結したのち、HIP炉内でこの予備焼
結体を焼結するといった方法が用いられる。予備焼結の
温度は、通常1400〜1650℃の範囲で選ばれ、ま
た、焼結時間は、通常1〜3時間程度で十分である。さ
らに、焼結は、通常焼結温度1300〜1500℃、焼
結時間1〜5時間、圧力1000〜1500kg/ c
m2の条件におイテ、酸素雰囲気中又はアルゴンなどの
不活性ガス雰囲気中で行われる。この際、室温で酸素ガ
スやアルゴンガスなと300〜400ky/ cm”程
度まで加圧し、その後前記のように、加熱により圧力を
かけるのが有利である。
このようにして得られた焼結体は、熱膨張係数が通常5
0X 10−’〜80XIO−’/’C!の範囲にあり
、かつ抵抗値が500°Cの温度において102〜lO
7Ω・cm程度であって、400〜800℃の範囲の温
度において使用あるいは保存しても抵抗値の変化はほと
んどなく、さらに、B値は通常50〜480°Cの温度
において1000〜500o Kの範囲にあるなど、好
ましい特性を有することから、本発明のサーミスタ素子
におけるサーミスタチップの材料として好適である。
本発明のサーミスタ素子に用いられるサーミスタチップ
の寸法は、通常縦0.5〜1.o+nm、横0.5〜1
.0闘の範囲で選ばれる。
本発明のサーミスタ素子においては、該サーミスタチッ
プの両側に一対の電極層が設けられているが、この電極
層については特に制限はなく、従来サーミスタ素子に慣
用されている導電性材料から成る電極あるいは導電性材
料を含有する電極の中から任意のものを選択して用いる
ことができる。
前記導電性材料としては、公知の導電性物質、例えばA
u、 Ag%PL、 Pd、 W、 Cu、 Ni%M
o、A1% FesTilMnなど、あるいはPL−A
u、 Pd−Au、 PL−Pd −Au、 Pd−A
g、 pt−Pd−AgSFe−Ni−Co、Fe−N
i。
Mo−Mnなどの合金などいずれも使用可能である。
これらの導電性材料を、気相めっき、液相めっき、溶射
、あるいは箔にしてロウ付などにより電極層とすればよ
い。また、これらの導電性材料を、バインダ及び溶剤、
さらに好ましくはこれらに適当な酸化物を加え混合して
導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストをサーミ
スタチップに塗布して焼成し、電極層とするいわゆる厚
膜法により形成してもよい。なお、該ペーストとしては
、ガラス分を含有しないガラスフリットレスのものを用
いるのが好ましい。ガラスフリット入りのものを用いる
と、接続の際に発泡が生じやすく、接続性や密着性が悪
くなるおそれがある。このような電極層の厚さは、通常
5〜50μmの範囲で選ばれる。
本発明のサーミスタ素子においては前記したようにして
得られた一対の電極層のそれぞれに、耐熱リード線が接
続されているが、この耐熱リード線はFe−Ni系合金
、Fe−N1−Co系合金、Fe−Cr系合金又はFe
−Cr−Ni系合金のようなFeを1成分として含む合
金で形成することが重要である。このような合金として
は、従来サーミスタ素子における耐熱リード線として慣
用されているもの、例えば29重量%Ni −17重量
%C〇−残Feの組成を有するコバール合金や41〜4
3重量%Ni−残Feの組成を有する42アロイ合金な
どから成るものを用いることができるが、これらの中で
熱膨張率や封止ガラスとの密着性などの点からコバール
合金から成るものが好適である。
該コバール合金は熱膨張特性が硬質ガラスのそれとよく
一致しており、硬質ガラス、セラミックのハーメチック
シール材として用いられる合金である。また、42アロ
イ合金は硬質又は軟質ガラス封着材料としてトランジス
タ、ダイオードのリード線、ICのリードフレーム、リ
ードスイッチ用のリードなど、種々のハーメチックシー
ルとして使用されている。
本発明においては、このようなFeを1成分として含む
合金から成る耐熱リード線の少なくとも封止ガラスとの
接触部分を表面酸化処理することが必要である。この表
面酸化処理によって、該リード線の表面にF+403や
Fe、04などが析出し、前記サーミスタチップをガラ
ス中に封止する際、封止ガラスとリード線との界面でF
eの拡散反応が促進されて、該ガラスとリード線との濡
れ性が向上し密着性が良好となり、耐湿性に優れた素子
が得られる。該表面酸化処理は、通常大気中において、
800〜900°Cの範囲の温度で酸化増量が0.30
〜0.70mg7mm”、好ましくは0−40〜0.6
0mg/mm”になるように2〜20分間程分間熱処理
することによって行われる。酸化処理温度が800°C
未満や酸化増量が0.30mg7mm2では本発明の目
的が十分に達成されないし、また処理温度が900°C
を超えたり、酸化増量が0.70my/mm2を超える
と、封止ガラスとリード線との密着性が逆に低下する傾
向が生じ、好ましくない。このような表面酸化処理は、
リード線にあらかじめ施しておいてもよいし、サーミス
タチップをガラス中に封止する際に、施してもよく、ま
た、電極層を厚膜法により形成する場合、電極層の焼成
と同時に行ってもよい。
前記耐熱リード線としては、通常直径が0.2〜0.5
+nmで、長さが20〜100mmの範囲にあるものが
用いられ、また、このリード線を該電極層に接続する方
法としては、例えば金ペーストなどの導電性ペーストを
用い、電気的に接触させて接続する方法、溶接による方
法、超音波ボンダーによる方法など、任意の方法を用い
ることができる。
導電性ペーストを用いる場合は、製造が容易となり、素
子へのダメージの小さい点で好ましいが、この場合、ペ
ーストは導電性粒子と溶剤と必要に応じバインダとを含
有し、前記と同様な理由からガラス分を含有しないガラ
スフリットレスのものを用いるのが好ましい。なお、導
電性ペーストは、前記の電極層に用いたものと同じペー
ストを用いてもよい。
また、スポット溶接の方法としては、リード線を溶接す
るのに十分な時間内に、融着温度に達するように電流を
流す方法や、サーミスタ素子全体を炉の中に置き、融着
温度にする方法など、公知の方法(特公昭42−190
61号公報参照)を用いることができる。さらに超音波
ボンダーによる方法としては、従来使用されている公知
の方法を用いることができる。
本発明のサーミスタ素子に用いるガラスとしては、従来
耐熱性ガラス封止型サーミスタ素子に慣用されているも
のを用いることができるが、ホウケイ酸ガラスが好まし
い。またこのホウケイ酸ガラスにはAQ2Chが含有さ
れていてもよく、その場合、ALO3の含有量は5重量
%以下であることが望ましい。さらに、ナトリウムやカ
リウムなどのアルカリ成分は高温での絶縁抵抗値を低下
させるおそれがあるため、その含有量は1重量%以下で
あることが好ましい。
このようなホウケイ酸ガラスの中でも、ガラス転移温度
が550℃以上、好ましくは600〜700℃の範囲に
あり、かつ作業温度が1100℃以下、好ましくは80
0〜1000℃の範囲にあるものが、安定したサーミス
タ特性を有する素子を得るのに特に有利である。
次に本発明のガラス封止型サーミスタ素子の好適な製造
方法の1例について説明すると、まず、炭化物、窒化物
、ホウ化物、ケイ化物の1種以上を含み、かつ熱膨張率
が30X 10−7〜90X 10−’deg−’程度
の焼結体から成る直径3インチ程度、厚さ0.5mm程
度のウェハを作製したのち、このウェハの両面に、電極
層を形成し、次いでこの電極層が形成されたウェハを、
ダイシングソーなどにより一辺0 、75mm程度の正
方形に切断し、チップ化する。
次に、このようにして得られたチップに、あらかじめ少
なくとも封止ガラスとの接触部が表面酸化処理された直
径0.2〜0.5mm、長さ20〜100mm程度の鉄
系合金、好ましくはコバール合金から成る耐熱リード線
を、前記の方法により接続したのち、このチップを直径
1.5〜2.5tnm、長さ5mm程度の好ましくはホ
ウケイ酸ガラスから成るガラス管に挿入して、アルゴン
ガス雰囲気などの不活性雰囲気中で、750〜900°
C程度の温度において封止し、さらに必要に応じ、50
0〜750℃の範囲の温度において、10〜100時間
程度二一ジングを行うことにより、本発明のガラス封止
型サーミスタ素子を得ることができる。
このようにして作製された本発明のガラス封止型サーミ
スタ素子の構造を添付図面に従って説明すると、第2図
は本発明のガラス封止型サーミスタ素子の1例の断面図
であって、サーミスタチップlの両面に、一対の電極層
4が設けられ、この電極層4のそれぞれに、表面が酸化
処理された部分5を有する耐熱リード線3が接続され、
さらにリード線の一部を除く全体がガラス2中に封止さ
れた構造を示している。
実施例 次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、
本発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
実施例1〜4 別表に示す組成を有する直径3インチ、厚さ0.5mm
の複合焼結体を、該表に示す条件にてホットプレス焼結
して作製したのち、この複合焼結体の両面に、蒸着によ
り厚さ0.5μmのNi電極層を形成し、さらにこの上
に、めっきにより厚さ1.0μmの白金電極層を形成し
、ウェハとした。次いで、このようにして得られたウェ
ハを、外周スライシングマシンによりダイアモンドブレ
ードにて一辺0.75mmの正方形に切断加工し、サー
ミスタチップを得た。
一方、封止ガラスとの接触部を大気中にて、850℃で
3分間加熱して表面酸化処理した直径0.3+nm。
長さ65mmのコバール合金製リード線を用意し、この
リード線を前記のようにして得られたサーミスタチップ
に、下記に示す条件にてパラレルギャップ溶接法により
接続した。
(パラレルギャップ溶接条件) 交流電圧   0.60〜0.83V 時   間    30〜40m5ecギヤツプ長  
0.20mm 印加圧力   2.8kg 次に、こうようにして得られたものを、ガラス転移温度
650°C1作業温度942°Cのホウケイ酸ガラスの
管(直径2.5mm、長さ4 mm’)に挿入し、アル
ゴンガス雰囲気中で800°Cにてガラス封止したのち
、これをエージング処理して、第2図に示される本発明
のガラス封止型サーミスタ素子を作製した。
このものについて、以下に示す方法により、耐熱性及び
耐湿性を求めた。その結果を該表に示す。
耐熱性 サンプルを500°Cにて5000時間保持し、高温保
存による抵抗値の変化をΔR0高温保存前の抵抗値をR
Oとして、式 %式% に従って抵抗変化率を求めた。
紅旦立 サンプルを85°C190%RH雰囲気下に1000時
間保持し、100時間目、500時間目及び1000時
間目における抵抗変化率を前記と同様にして求めた。
比較例1〜4 使用するリード線の表面酸化処理を行わなかったこと以
外は、それぞれ実施例1〜4と全く同様にしてガラス封
止型サーミスタ素子を作成し、その耐高温性及び耐湿性
を求めた。その結果を表に示す。
この表から分かるように本発明のガラス封止型サーミス
タ素子は、耐湿性が極めて優れている。
発明の効果 本発明のガラス封止型サーミスタ素子は、500°C以
上の高温域における使用においても安定したサーミスタ
特性を有する上、耐湿性に優れた特徴を有し、高温で、
かつ耐湿性が要求される雰囲気で用いられる温度検出セ
ンサ、例えば自動車排気ガス温度検出センサなどとして
、好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のガラス封止型サーミスタ素子に用いら
れるサーミスタ材料の好ましい組成を表す三元組成図、
第2図は本発明のガラス封止型サーミスタ素子の1例の
断面図である。図中符号lはサーミスタチップ、2は封
止ガラス、3は耐熱リード線、4は電極層、5は表面酸
化処理部分である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 両側に一対の電極層を有するサーミスタチップを、
    該両側からFe系合金から成る耐熱リード線で保持し、
    ガラス中に封止して成るガラス封止型サーミスタ素子に
    おいて、該リード線を、少なくともガラスとの接触部が
    表面酸化処理されたFe−Ni系合金、Fe−Co−N
    i系合金、Fe−Cr系合金又はFe−Cr−Ni系合
    金で形成したことを特徴とするガラス封止型サーミスタ
    素子。 2 サーミスタチップが炭化物、窒化物、ホウ化物及び
    ケイ化物の中から選ばれた少なくとも1種を含有する焼
    結体から成るものである請求項1又は2記載のガラス封
    止型サーミスタ素子。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6880969B2 (en) * 2001-03-23 2005-04-19 Denso Corporation Temperature sensor and production method thereof

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