JPH0291120A - ポリカーボネートの精製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光皿至丘量 本発明は一般にゲムービス（ヒドロキシアリール）アル
カンのようなビスフェノールから得られたポリカーボネ
ート（”　Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｆｏｒ　Ｂ１５ｐｈｅｎｏ
ｌｓなる名称の米国特許出願第０６７．５８８号参照、
該米国特許出願の記載はすべて参考として本明細書に引
用する）を包含するポリカーボネートの精製方法に関す
る。さらに詳細には、本発明はポリカーボネート、特に
、ポリカーボネート（Ａ）、ポリカーボネート（Ｚ）、
およびこれらのコポリマー等の精製方法に関し、その調
製において用いた触媒のような望ましくない不純物を除
去することを含む。本発明の１つの実施態様においては
、例えば、公知の溶融ポリエステル化反応から得られた
ポリカーボネートの精製方法が提供され、この精製方法
はチタン触媒との錯体を形成しそれを除去して改良され
た特性を有するポリカーボネートを得ることを含む。従
って、本発明方法によれば、ある場合にポリカーボネー
トの調製において使用するチタンブトキサイド触媒を実
質的に含まないポリカーボネートが得られる。本発明方
法によって得られた精製ポリカーボネートは、これらポ
リカーボネートを、例えば、米国特許第４，２６５，９
９０号に例示されているような多層型像形成部材（該米
国特許の記載はすべて参考として本明細書に引用する）
における移送分子用のバインダーとして使用するときに
、低暗減衰値およびサイクルアップを伴う最小残留電位
を包含する改良された特性を有する。また、本発明の精
製ポリカーボネートによれば、上述の像形成部材を形成
するためにその中に分散させた了り−ルアミン分子の望
ましくない結晶化が排除される。さらに、有毒な化合物
ホスゲンは本発明方法によって回避される。また、本発
明の方法によれば、約２５．０００〜約１００，０００
好ましくは約２６．０００〜約５５，０００の重量平均
分子量を有するポリカーボネートが得られる。これらの
分子量は、チタンまたはジルコニウムアルコキシドを含
むより活性な触媒を先ずポリカーボネートの調製におい
て使用し、次いで、このポリカーボネートを本発明の方
法により精製することにより得られるものと考えられる
。活性の小さい酢酸マンガンをポリカーボネートの調製
に使用する場合、得られるポリカーボネートの重量平均
分子量は低く、即ち、約２０．０００〜１６．０００よ
り低い。約２５．０００〜約１００．０００の高分子量
ポリカーボネートは改善された強じん性を有し、多層型
像形成部材の樹脂バインダーとして用いたとき、より釣
り込み性（Ｌｅｓｔｉｎｇ）がありかつより弾性のある
装置を与える。

従来の技術 ビスフェノール類の調製方法は公知であり、般に、２モ
ル当量のフェノールと１モル当量のカルボニル化合物と
の酸触媒の存在下での縮合を含む。この縮合に用いる酸
触媒は濃塩酸、ガス状塩化水素、濃硫酸、フッ化水素、
臭化水素、トリフッ化はう素、はう酸、塩化第２鉄、塩
化リン、リンベントキシド、ベンゼンスルホン酸等であ
る。

これらの酸触媒、特に、ガス状塩化水素はフェノールと
アセトンのような立体的に受は入れ可能なケトンとの縮
合を促進させるのには極めて有効であるけれども、ビス
フェノール、特に、シクロペンタノンまたはシクロヘキ
サノンのような立体要求性小環状ケトンから誘導される
ビスフェノール（Ｚ）の調製においては有効でない。小
環状ケトンとの縮合は急速な形では通常進行せず、生成
物の収量は一般に所望するよりも小さい。上記の反応、
特に、触媒としての塩化水素の存在下で行うときの反応
は米国特許第４．３０４．８９９号に記載されている。

同様な教示は米国特許第１．７６０．７５８号、第２．
０６９．５６０号および第２．０６９．５７３号にも存
在し、これらの米国特許には塩化水素触媒によるビスフ
ェノールの調製方法が開示されている。これらのビスフ
ェノールから得られるポリカーボネートはアリールアミ
ン正孔移送化合物用の樹脂バインダーとして使用できる
。

コスジウエノおよびＳ、ハセガワの日本特許出願第４６
−６１．３４２号は金属酢酸塩、主として、酢酸マンガ
ンを用いるポリカーボネー）Ｚ生成物の調製方法を開示
している。これらの生成物はトルエンからメタノール中
への沈澱の後は許容し得る静電複写特性を有するけれど
も、酢酸マンガン触媒重合は前述したような高分子量ポ
リマーを与えない。前述したような約２５．０００〜約
１００．０００の高分子量ポリカーボネートによって感
光体用の強じんな材料が与えられる。また、チタンアル
コネート触媒を脱活性化する多くの方法が公知である。

これらの方法は、使用するチタン化合物の触媒活性を抑
制するけれども、触媒残渣のポリマーの静電複写性能に
与える有害な影響を排除しない。

米国特許第３．４８３．．１５７号においては、ひ素化
合物または水蒸気を使用する方法が開示されている。

詳細には、該３．４８３．１５７号米国粋許に開示され
た方法は追加の処理工程が、特に混合工程において、重
合を触発しないように触媒不活性化を意図しており、従
って、上記のひ素化合物または水蒸気は触媒“毒”であ
り、例えば、触媒は水溶性でないのでポリマーから除去
されない。また、ひ素化合物は極めて有毒である。さら
に、仏国特許第２、３４３．７７８号（１９７７年）お
よびミラーの西独公開第２．５０６．３５３号（１９７
５年）には、触媒不活性化目的のリン錯体化が開示され
ているが、これら方法は共にポリマー中にポリマーの静
電複写性能にマイナスの効果を与える分子種を残存して
いる。水性塩基でチタン触媒ポリマーを処理する繊維工
業では無色のポリマーを得ているが、無色のチタン残留
物はポリマーに貧弱な静電複写性能を与える。

従って、ポリカーボネートの調製方法は公知であるけれ
ども、その改良された精製方法を必要としている。さら
に詳細には、得られたポリマーから望ましくない不純物
を除去することのできる方法が求められている。さらに
、チタン触媒を除去しそれによってポリカーボネート含
有多層型像形成部材に低暗減衰値を含む改良された電気
特性を保持させ得るポリカーボネート精製方法が求めら
れている。さらにまた、実質的にチタン不純物を含まず
、例えば、電子写真像形成部材のバインダーとしての使
用を可能にし、かつ使用する電荷移送分子が実質的に結
晶化しないポリカーボネートの精製方法が求められてい
る。さらに、ポリカーボネートの調製に用いたチタン触
媒を実質的に除去するポリカーボネートの精製を可能に
する経済的方法が求められている。また、低燃性または
不燃性の薬剤を用いてポリカーボネートの精製を可能に
する効果的な方法が求められている。また、チタン触媒
重合から無色のポリマーを得る方法も求められている。

発明の内容 従って、本発明の目的はポリカーボネートの精製方法を
提供することである。

本発明の上記および他の目的はポリカーボネートの精製
方法を提供することによって達成される。

さらに詳細には、本発明方法はポリカーボネートから除
去することが望ましい不純物を含有する錯体を形成する
ことを含む。１つの特定の実施態様にふいては、本発明
は、溶媒に錯生成成分を加え、その溶媒は好ましくは酸
性水素を含ます；ポリカーボネートを、例えば、上記錯
体と溶媒混合物に溶解させ；その後、それより精製ポリ
カーボネート沈殿を分離し、錯体化不純物を含有する溶
液を廃棄することによるポリカーボネー）　（Ａ）　、
ポリカーボネート　（Ｚ）またはこれらのコポリマーを
包含するポリカーボネートの精製方法に関する。

本発明の１つの実施態様においては、ポリカーボネート
を溶媒と混合し、生成した溶液混合物に錯形成成分を添
加し、得られた混合物を水と混合し、続いて、それより
ポリカーボネート生成物を分離するチタン触媒残留物を
含有するポリカーボネートの精製方法が提供される。本
発明の他の実施態様はポリカーボネートを溶媒と混合し
、生成した溶液を錯形成成分と混合し、得られた混合物
を水と混合し、続いて、それより精製したポリカーボネ
ート生成物を分離するチタン触媒残留物を含有するポリ
カーボネートの精製方法に関する。

混合工程順序は本発明の目的が達成される限り任意の順
序で実施できる、即ち、例えば、錯形成成分をポリカー
ボネートの混合前または後の溶媒に溶解させてもよい。

錯形成成分を含有するポリカーボネート溶液は該溶液を
約３０〜約２４０分間でゆっくりと１００ｒｄの溶液を
撹拌水中に滴下しながら添加するようにして、あいは１
００ｍ１を約３０秒〜約５分間で急速に添加するように
して加えることによって水と混合できる。溶液は約３０
０〜１０００スタラーｒｐｍで撹拌しながらの水面下で
の散布チューブによりあるいは例えば約２秒〜約３日間
で急速にまたはゆっくりと水を撹拌ポリカーボネートに
加えることにより混合できる。

１つの実施態様における本発明方法はポリカーボネート
（Ａ）またはポリカーボネート　（Ｚ）のようなチタン
触媒により調製したポリカーボネートを、好ましくは、
撹拌しながら、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド
等を包含する極性非プロトン性溶媒のような適当な溶媒
中に溶解し；生成した混合物に上記ポリカーボネート中
に含まれるチタン不純物、特に、チタンブトキシド触媒
と錯体（コンプレックス）を形成する酒石酸のような錯
形成成分を添加し；水を加え；精製したポリカーボネー
トを例えば濾過により分離し；そして錯体化チタン不純
物を含む水不純物混合物を廃棄することを含むポリカー
ボネートの精製方法に関する。

本発明の１つの好ましい実施態様においては、０、２５
　ｇの酒石酸を１００ｍｊ！のジメチルホルムアミドに
溶解し、錯形成性酒石酸の完全な溶解後、チタンブトキ
シドを触媒として用いた溶融エステル交換により得た１
０ｇのポリカーボネートまたはコポリマー（９０モル％
のビスフェノール（Ｚ）と１０モル％のビスフェノール
（Ａ））を加えることを含むポリカーボネートの精製方
法が提供される。次にこの混合物を１６時間攪拌し、そ
の間にコポリマーは溶解する。次いでコポリマーをこの
溶液を３．０００ｍｊ＋の急速に攪拌されている脱イオ
ン水に滴下することによって沈澱させる。その後、沈澱
させたコポリマーを濾過により集め真空炉中で１００℃
、２０時間乾燥させる。

本発明の方法において使用するポリカーボネートの例に
は、４，４′−ジヒドロキシジフェニル−１，１−エタ
ン、４，４′−ジヒドロキシジフェニル−１，１−イソ
ブタン、４．４′−ジヒドロキシジフェニル−２，２−
プロパン、４．４’−ジヒドロキシジフェニル−４，４
−へブタン、４．４′−ジヒドロキシジフェノール−１
，１シクロヘキサン、４．４’−ジヒドロキシ−３゜３
′−ジメチルジフェニル−２，２−プロパン、４．４′
−ジヒドロキシ−３，３’、５．５’テトラクロロジフ
ェニル−２，２−プロパン、４゜４′−ジヒドロキシジ
フェニルスルホン、および４．４′−ジヒドロキシジフ
ェニルエーテルから得られたポリマー、これらのコポリ
マー、並びに前記の米国特許出願に開示されているポリ
カーボネートがある。それらの構造は”　Ｈｅｒｍａｎ
ｎ　５ｃｈｎｅ１１　’　ｓ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａ
ｎｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｐｏ１ｙｃａｒｂｏｎａ
ｔｅｓ。

Ｐｏ１）ｎ＋ｅｒ　Ｒｅｖｉｅｗｓ　Ｖ、９ｊｎｔｅｒ
ｓｃｉｅｎｃｅ　Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓに記載されてお
り、主として、８６〜９０頁の表ＩＶ−１、さらには、
表ｒＶ−２、Ｖ−１、Ｖ−２、Ｖ−３、Ｖ−４、Ｖ−５
およびＶ−６において見い出される；この文献の記載は
すべて参考として本明細書に引用する。

本発明方法において使用する通常ポリマーに対して約１
０〜約２０重量／水容量％の量で存在する溶媒の例には
、酸水素を有しない非プロトン溶媒、即ち、ジメチルホ
ルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキ
シド、ジメチルアセトアミド、スルホラン等のような中
高絶縁定数、即ち、例えば、約３０〜約５０の絶縁定数
を有する極性溶媒がある；文献”　Ｍｏｒｖｉｓｏｎ　
ａｎｄ　Ｂｏｙｄ。

Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｅｙ、３ｒｄ　Ｉ！ｄ
、、　Ｐ、　　３１”参照、該文献の記載はすべて参考
として本明細書に引用する。使用する溶媒はポリカーボ
ネートを溶解せしめまた水に混和性であるべきである。

本発明の方法で使用し通常ポリマーの約０．５〜約２．
５％（ｗｔ／ｗｔポリマー）の量で存在する錯形成成分
には酒石酸、クエン酸、およびマレイン酸のようなα−
ヒ°ドロキシ酸；アスパラギン酸、グリシン、アルギニ
ンおよびヒスチジンのようなα−アミノ酸等がある。α
−ヒドロキシ酸は、主としてこれらがポリマー溶媒と水
により溶解性であることから、好ましい錯形成剤である
。本発明方法の重要な点は上記の錯形成剤とポリマー溶
媒の選択にある。

チタニウム（ＩＶ）ブトキシド、チタニウム（ＴＶ）タ
レシレート、チタニウム（ＩＶ）エトキシド、チタニウ
ム（■）２−エチルヘキソキシド、チタニウム（ｒＶ）
イソブトキシド、チタニウム（ＩＶ）イソプロポキシド
、チタニウム（■）メトキシド、チタニウム（ＩＶ）　
ｎ−ノニレート、チタニウム（■）ｎ−プロポキシド、
ジルコニウムアルコキシド等の実質的にすべてのチタン
アルコキシド触媒は本発明方法によって実質的に完全に
除去可能であるべきである。チタン錯体は本発明方法に
よって形成されるのみならず、該錯体は水溶性でありか
くして水中でのポリマー沈降中にポリマーマトリックス
から容易に抽出できる。理論によって拘束することは望
まないけれども、重合途中において、触媒中でチタンに
結合している原ブトキサイド基は重合中に生じたフェノ
キシト基によって置換されるものと考えられる。適当な
溶媒中で、酒石酸のようなα−ヒドロキシ酸はチタンに
結合したフェノキシト基をポリマーから分離し得る水溶
性錯体が形成される十分な程度まで置換し得る。

溶媒中でのポリマーの溶解は通常約２〜約２４時間を要
するが、その溶解速度は分子量および利用可能な表面積
を含む多くの要因による。触媒錯体の形成はこの同じ時
間内に起る。例えば、室温から約１４０℃まで加熱する
ことによりポリマーの溶解を促進させ得る。ポリマーの
攪拌も溶解を促進し、この攪拌は振盪、機械攪拌または
磁力攪拌により行い得る。精製ポリカーボネートの沈澱
は調製したポリマー溶液の水への添加を含む多くの方法
によって行い得る。−膜内には、激しい攪拌を沈澱工程
においては行う。

本発明方法で得た好ましくは約２５，０００〜約１００
．０００の重量平均分子量ＭＷを有する精製ポリカーボ
ネートは、例えば、米国特許第４，２６５．９９０号に
例示されているような多層型感光性像形成部材の光励起
性顔料および電荷移送分子用の樹脂バインダーとして有
用である。さらに詳細には、これらの部材は支持基体；
約１〜約１５重量％の量で存在する上記精製ポリカーボ
ネート樹脂バインダー中に必要に応じて分散させた約８
５〜約９９重量％の三方晶セレン、金属フタロシアニン
または無金属フタロシアニンを含有する光励起層；およ
び本発明の方法により得た精製ポリカーボネート樹脂バ
インダー中に分散させた（５０１５０）　、例えば、上
記４，２６５，９９０号米国粋許および有機光導電性像
形成部材に関する米国特許出願第８５１，０５１号（該
米国特許出願の記載はすべて参考として本明細書に引用
する）に開示されているような了り−ルアミンを含む電
荷移送層を通常含む。これらの光導電性像形成部材は静
電複写像形成法を包含する多くの像形成複写方法および
装置において使用できる。

種々の適当な電荷移送層を上述の光導電性像形成部材に
おいて使用でき、この層は約５〜約５０ミクロン好まし
くは約ｌＯ〜約４０ミクロンの厚さを有する。好ましい
実施態様においては、この移送層は本発明方法によって
得た精製ポリカーボネート樹脂バインダー中に分散させ
た次式：〔式中、Ｘは（オルト）Ｃ１ｈ、（メタ）ＣＬ
、（パラ）Ｃ１ｈ＜（オルト）ＣＺ、　（メタ）Ｃ１お
よび（バラ）Ｃｊ２のようなアルキルおよびハロゲンか
らなる群より選ばれる〕 のアリールアミン分子を含む。

上記式に相応する化合物には、例えば、Ｎ、Ｎ’−ジフ
ェニルーＮ、Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−（１，
１−ビフェニル：］−］４．４’−ビアミがあり、式中
、アルキルはメチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキ
シル等がある。ハロ置換におい・では、上記アミンはＮ
、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（ハロフェニル）
−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミンであ
り、式中、ハロは２−クロロ、３−１０ロマタハ４−　
クロロである。

また、本発明の範囲には、上述の感光性部材による像形
成方法も包含される。これらの方法は、一般に、上記像
形成部材上に静電潜像を形成し；次いで、この像を公知
の現像剤組成物（例えば、米国特許第３．５９０．００
０号、第４．４６９．７７０号、第４．５６０．６３５
号および第４，２９８，６７２号参照、これら米国特許
の記載はすべて参考として本明細書に引用する）で現像
し；その後、像を適当な基体に転写し、像を基体に永久
的に定着することを含む。

劣旌炭 実施例１ 以下の実施例においては、螺旋コイル攪拌器および二重
機械的シールを備えた１１のステンレススチール反応器
を用いた。攪拌器は３０：１ギア減速を有する２馬カモ
−ターで駆動し、攪拌器駆動装置にはトルクメーターが
含まれていた。反応器は電気的に加熱し、圧力は圧力ト
ランジュサーおよびビラニ計の両方でモニターし、また
温度は白金ＲＴＤで測定した。特別設計のコンデンサー
よりフェノールとジフェニルカーボネートの効果的な縮
合を確立した。原料のいくつかは室温で固体であるので
、コンデンサー設計により、これら原料が固化したとき
反応器と真空ポンプ間の系を閉塞して反応を停止しない
ようにし、た。さらに、反応終了時の０．１〜１００ミ
リバール以下の低圧において、フェノールは室温で十分
な蒸気圧を有し、さらに、フェノールは系によって達成
され得る最低圧を上昇させることにより、あるいはコン
デンサーの他の部分に昇華させ系を閉塞することによっ
て重合を阻止し得た。

このコンデンサーにおいては、反応器からコンデンサー
へのパイプの直径は０．９５　ａｍ　（３／８インチ）
であった。系の主要部分は可撓性のスチールパイプから
なり反応器とコンデンサーの両方を正確に位置付するこ
とはしなかった。加熱用マントルを用いて系を包み、熱
電対をマントルとパイプの間に挿入して温度をモニター
した。縮合は１０．１６ｃｍ（４インチ）径Ｘ１９．０
５ｃｍ（約７．５インチ）長のステンレススチールパイ
プ中で起った。パイプの外側をシリコーンゴム加熱デー
プにより特に反応器からパイプが出る領域を加熱した。

この領域をよく加熱しない場合、ジフェニルカーボネー
トは反応の後半部において系を閉塞することがあり得る
。フェノールは壁土および４５℃のシリコーンオイルが
循環している螺旋コイル上で凝縮した。この方法で、フ
ェノールは液体としてパイトンシールを用いたフランジ
により上部ステンレススチール部分に連結されたコンデ
ンサーのガラス底部分に滴下する。このガラス片は５０
０ｍ１樹脂フラスコの底部である。このガラスにより、
フェノール凝縮の量および速度をモニターできる。コン
デンサーから真空ポンプに至る系は閉塞の機械をさらに
減じる１、２７ｃｆｆｉ（！４インチ）直径である。こ
の系のコンデンサーへの長い延伸より蒸気が排出し得る
前に蒸気をコンデンサーコイルを横切ってコンデンサー
の冷却ガラス部分に押下ぼる。フェノールのような移行
を回避するために、ドライアイスとイソプロパツールの
ジュア−フラスコを用いて反応器圧が１００ミリバール
以下に低下したときのコンデンサーの下部ガラス部分を
囲った。重合はフェノールの除去により誘導し、フェノ
ールの除去は圧力と温度により誘導した。一連のパルプ
、回転オイルポンプおよびサージタンクは反応器圧に制
御された変化を与えた。

上記の特定のコンデンサーを有する反応器に、１５５．
５ｇの米国特許出願第０６７．５８８号に開示されてい
るような方法で得たビスフェノール（Ｚ）（４，４’−
シクロヘキシリデンジフェノール）（該米国特許出願の
記載はすべて参考として本明細書に引用する）、１３８
ｇのジフェニルカーボネート、および０．２５ｍ１のチ
タン＜ＩＶ）ブトキサイドを加えた。次いで、反応器を
密閉し、２２０°Ｃに加熱し、圧を１０００ミリバール
（大気圧）から約５００ミリバールに低下させた。約１
５分間で、フェノールはコンデンサー中に集まり始め、
その量をコンデンサーの下部ガラス部分で観察した。圧
力低下速度を遅くして約２時間で５ミリバールの圧力に
到達させた。この遅い圧力低下中に、約７０〜８０ｍｌ
のフェノールがコンデンサーの下部ガラス部分に集まる
のが観察された。圧力が約１００ミリバールに達したと
き、イソプロパツールとドライアイスのジュア−フラス
コをコンデンサーの下部部分の周りに置いてフェノール
の蒸気圧を低下させた。２２０℃で３時間後、温度２８
０℃に上昇させ、加熱を２時間続けた。その後、温度を
２９０℃に上げ、得られた溶融ポリマーを反応器から大
ピンセットにより乾燥した窒素雰囲気中に引き出し加熱
ポリマーの加水分解または酸化を防止した。このポリマ
ーは冷却後ポリカーボネート（Ｚ）のＧＰＣにより測定
したとき３９０００のポリスチレン当量の重量平均分子
量を有していた。続いて、生成物の精製を行うために、
１０ｇの上記ポリカーボネートを０．２５　ｇの酒石酸
を錯形成成分として含有する１００ｍ１のポリマー溶媒
としてのジメチルホルムアミドに加えた。

１６時間の混合物の攪拌後、得られたポリマー溶液を３
１の急速に攪拌されている脱イオン水中に沈澱させた。

得られた精製ポリマーを濾過により回収し真空炉中で約
１００℃で一夜乾燥させた。

ＤＣプラズマ発出吸光分光分析により測定したとき、未
処理ポリマーは１６０ｇｇｇ−’　（μｇ／ｇ、ｐｐｍ
の旧来の標示）のチタンを含有しており、酒石酸含有ジ
メチルホルムアミド中での溶解およびその後の水中での
沈澱による精製ポリカーボネートは１．１ｇｇｇ−１の
チタンを含有していた。

実施例２ 実施例１の方法を繰返したが、１４０ｇのビスフェノー
ル（Ｚ）（４，４’−シクロへキシリデンジフェノール
）　、１３．２ｇのビスフェノール（Ａ）（４，４’−
イソプロピリデンジフェノール）および１３６．７ｇの
ジフェニルカーボネートを用いた。また、温度条件は２
２０℃で２時間、２６０℃で１．５時間、２８０℃で１
時間および３００℃で１時間であった。ＧＰＣ重量平均
分子ｆｆ１６７０００を有するポリカーボネートが得ら
れ、このポリカーボネートは２２０ｇｇｇ−’のチタン
含有量および５．６μｇｇ−’の精製後チタン含有量を
有していた。

実施例３ 実施例２の方法を繰返したが、２８０ｇのビスフェノー
ル（Ｚ）（４，４’−シクロヘキシリデンジフェノール
）、２６．４ｇのビスフェノール（Ａ）（４，４’−イ
ソプロピリデンジフェノール）、２７３．４ｇのジフェ
ニルカーボネートおよびＱ、　５　ｍ　ｌのチタン（Ｉ
Ｖ）ブトキサイドを用いた。

得られたコポリマーカーボネートを実施例２のように精
製したところ、チタン量は未処理ポリマーの１９８ｇｇ
ｇ−’から精製後１．８μｇｇ−’に減少した。

実施例４ 溶媒としてジメチルホルムアミドの代りにジメチルアセ
トアミドを用いた以外は実施例３の方法を繰返し実質的
に同様な結果を得た。精製ポリマーは５．６μｇｇ−’
のチタン含有量を有していた。

実施例５ 溶媒としてジメチルホルムアミドの代りにＮ−メチルピ
ロリドンを用いた以外は実施例３の方法を繰返して、実
質的に同様な結果を得た。精製ポリカーボネートポリマ
ーは１８μｇｇ””のチタン含有量を有していた。

実施例６ 錯形成剤として酒石酸の代りにクエン酸を用いた以外は
実施例３の方法を繰返し、実質的に同様な結果を得た。

精製ポリマーは１０．３μｇｇ−’のチタン含有量を有
していた。

実施例７ 錯形成剤として酒石酸の代りにマレイン酸を用いた以外
は実施例３の方法を繰返して、実質的に同様な結果を得
た。精製ポリマーは６．６μｇｇ−’のチタン含有量を
有していた。

実施例８ 実施例３の方法を繰返したが、沈澱水の量をポリマー１
ｇ当り３００ｍｌからポリマー１ｇ当り５０ｍ１に減し
、散布チューブをポリマー溶液導入用に用い、また実施
例３におけるよりも高速攪拌を用いた。実質的に同様な
結果を得た。精製ポリカーボネートポリマーは３．１ｇ
ｇｇ−’のチタン含有量を有していた。

実施例９ 実施例３の方法を繰返したが、１０％溶液の代りに２０
％ポリマー溶液を用い、中高速攪拌を用いてのポリマー
溶液の水への添加の代りに水を超高速攪拌条件下上記ポ
リマー溶液に加えた。水の量もポリマー１ｇ当り３００
ｍｌの代りにポリマーＩｇ当り２５ｍ１に減じて、実質
的に同様な結果を得た。精製ポリマーは１．９μｇｇ−
’のチタン含有量を有していた。

実施例１０ 実施例３の方法を繰返したがアスパラギン酸をα−アミ
ノ酸錯形成剤として酒石酸の代りに用い、ポリマー溶液
は沈澱前に濾過した。実質的に同様な結果を得た。

実施例１１ 複数の感光性像形成部材を、各部材において、厚さＯ，
ＯＳミクロンのＮ−メチル−３−アミノプロピルトリエ
チロキシシラン層とその上の厚さ０．０５ミクロンのデ
ュポン４９，０００ポリ工ステル接着層を有する厚さ７
５ミクロンのチタン処理マイラー基体を用意し、その上
に、ポリ　（ビニルカルバゾール）中に分散させた７容
量％の三方晶セレンからなる２ミクロンの光励起体層を
付着させることによって作製した。

その後、上記光励起層を次のようにしてアミン電荷移送
層でオーバーコーテイングした。

実施例１〜１０の方法で得られた本発明の各精製ポリカ
ーボネー）５０重量％からなる移送層を１０重量％の塩
化メチレン中のＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス
（３−メチルフェニル）（１，１’ビフエニル）−４，
４’−ジアミン５０重量％とこはくびん中で混合した。

次いで、得られた各溶液を上記の各光励起層の上にマル
チプルクリアランスフィルムアプリケーターにより乾燥
厚２４ミクロンでコーティングした。得られた各部材を
強制送風炉中で１３５℃、２０分間乾燥させた。

次に、これら１０ケの部材の感光度を、それらの表面を
コロナ放電源によって、表面電位が電位計に接続した容
量結合プローブにより測定したとき、露光前に８００　
（ＶＩＩＤＰ　）ボルトになるまで、静電的に帯電させ
ることによって測定した。次いで、帯電部材の前表面を
１５０ワツトキセノンランプからの光に露光し４００〜
７００ｎｍ波長の光を部材表面に到達せしめた。その後
、表面電位をその初期値の半分に低減する露光Ｅ’Ａお
よび種々の露光エネルギーによる表面電位の％放電を測
定した。感光度は部材を初期表面電位からその半分まで
放電するのに必要なエルグ／ｃｆｆｌでの露光に関して
測定し得る。感光度から高い程、層を表面電位の５０％
まで放電するのに必要な露光エネルギーは小さい。これ
ら部材のサイクル操作安定性はＶＤＤＰ％即ち、露光前
の表面電位；Ｖ□。、即ち、１１エルグ／　ｃｉ白色光
露光０．２５秒後の背景電位；およびｖｒ＊ｓ　％即ち
、１４０工ルグ／ｃｄ白色光露光後の残留電位を１００
０サイクル以上に亘ってモニターすることによって測定
した。１０００サイクル中での表面電位（デルタ）　Ｖ
ＤｆｌＰｓ　ＶＩｌｌＫＧおよびＬｅｓの変化が小さい
程、サイクル操作安定性は大きい。感光度およびサイク
ル操作試験結果を次表に要約する。

本実施例の各像形成部材の特性はこれら部材が実質的に
背景付着物のない優れた品質の現像を形成するのに使用
できることを示している。これらの像形成部材は、例え
ば、光励起層を正孔移送層と支持基体の間に存在させた
ときに負帯電させることができ、また正孔移送層を光励
起層と基体の間に存在させたときに正帯電させることが
できる。

負帯電型像形成部材においては、正帯電現像剤組成物、
即ち、トナー組成物を正帯電させ、かつジステアリルジ
メチルアンモニウムメチルサルフェートのような帯電促
進添加剤を含有するものを用いる（米国特許第４，５６
０，６３５号参照、その記載はすべて参考として本明細
書に引用する）。像形成部材を正帯電させたときには、
スチレンｎ−ブチルメタクリレートコポリマーとカーボ
ンブラックのような顔料粒子とを含む負帯電現像剤組成
物）を用いる（例えば、米国特許第４，４６９，７７０
号、その記載はすべて参考として本明細書に引用する）
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ポリカーボネートまたはそのコポリマーを溶媒と混合し
   ；生成した溶液混合物に錯生成成分を添加し；得られた
   混合物を水と混合し；その後、ポリカーボネートまたは
   コポリマー生成物を混合物から分離することを特徴とす
   るチタン触媒残留物を含有するポリカーボネートまたは
   そのコポリマーの精製方法。