JPH0288789A - ビスマス―錫合金電気めっき浴 - Google Patents
ビスマス―錫合金電気めっき浴Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビスマス量が30〜55%(重量%、以下同
じ)の低融点ビスマス−錫合金電気めっき皮膜を形成す
ることができるビスマス−錫合金電気めっき浴及びめっ
き方法に関する。
じ)の低融点ビスマス−錫合金電気めっき皮膜を形成す
ることができるビスマス−錫合金電気めっき浴及びめっ
き方法に関する。
従来、電子部品に半田付けを行なうような場合。
錫めっきや錫−鉛合金めっきを施すことが行なわれてい
るが、最近半田付けのためにビスマス−錫(Bi−8n
)合金めっきが要望されている。
るが、最近半田付けのためにビスマス−錫(Bi−8n
)合金めっきが要望されている。
このB1−8n合金めっき法としては、従来、硫酸浴、
有機スルホン酸浴などが知られている(特開昭63−1
4887号公報)。
有機スルホン酸浴などが知られている(特開昭63−1
4887号公報)。
しかし、これらの硫酸浴及び有機スルホン酸浴は、いず
れもビスマスが貴の金属であるため、浴中のビスマスイ
オンが置換反応を起こし易く、被めっき物を浴中に浸漬
するとき或いはB1−8n合金めっきが施された被めっ
き物を浴から引き上げるとき、被めっき物が通電されて
いないと被めっき物やその表面に電気めっきされたB1
−5n皮膜上にBiが置換析出する。また、B1−8n
合金陽極上にも非通電時にBiが置換析出する。
れもビスマスが貴の金属であるため、浴中のビスマスイ
オンが置換反応を起こし易く、被めっき物を浴中に浸漬
するとき或いはB1−8n合金めっきが施された被めっ
き物を浴から引き上げるとき、被めっき物が通電されて
いないと被めっき物やその表面に電気めっきされたB1
−5n皮膜上にBiが置換析出する。また、B1−8n
合金陽極上にも非通電時にBiが置換析出する。
このように、被めっき物にめっき前にBiが置換析出す
ることは、その上にB1−Sn合金めっき皮膜が形成さ
れた場合、その密着を損ない、また得られたB i −
S n合金めっき皮膜上にBiが置換析出することは、
B1−Sn合金めっき皮膜の特性を損なう。更に、B1
−Sn合金陽極にBiが置換析出することは、めっき作
業を困難にする。しかも、Biが置換析出した場合、こ
れによって消費したBiを補給しなければならない。
ることは、その上にB1−Sn合金めっき皮膜が形成さ
れた場合、その密着を損ない、また得られたB i −
S n合金めっき皮膜上にBiが置換析出することは、
B1−Sn合金めっき皮膜の特性を損なう。更に、B1
−Sn合金陽極にBiが置換析出することは、めっき作
業を困難にする。しかも、Biが置換析出した場合、こ
れによって消費したBiを補給しなければならない。
このため、被めっき物或いはその上に形成されたB1−
Sn合金めっき皮膜へのBiの置換を防止する対策とし
て、被めっき物を浴中に浸漬するとき及び浴中から引き
上げるときに被めっき物を通電することが必要となる。
Sn合金めっき皮膜へのBiの置換を防止する対策とし
て、被めっき物を浴中に浸漬するとき及び浴中から引き
上げるときに被めっき物を通電することが必要となる。
また、B i −S n合金陽極はめっき作業の終了と
同時に浴から引き上げ、めっき作業の開始時に再び浴中
に吊り下げるという作業が必要となり、かなりの手間を
要する。
同時に浴から引き上げ、めっき作業の開始時に再び浴中
に吊り下げるという作業が必要となり、かなりの手間を
要する。
また、従来の硫酸浴は浴の安定性が悪く、しかもビスマ
ス塩の溶解度が低いので、Bi量の低いB1−Sn合金
めっき皮膜しか得られず、低融点とならないという問題
がある。
ス塩の溶解度が低いので、Bi量の低いB1−Sn合金
めっき皮膜しか得られず、低融点とならないという問題
がある。
一方、有機スルホン酸浴として、上述したように特開昭
63−14887号公報に記載のものが知られているが
、これに開示されたB1−Sn合金めっき浴からは電流
密度が0 、3 A /dm”以下でBi量が30%以
上のB1−Sn合金めっき皮膜は得られていない。
63−14887号公報に記載のものが知られているが
、これに開示されたB1−Sn合金めっき浴からは電流
密度が0 、3 A /dm”以下でBi量が30%以
上のB1−Sn合金めっき皮膜は得られていない。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、Bi量が多
く、低融点のB1−Sn合金めっき皮膜を低電流密度か
ら高電流密度の広い範囲に亘って確実に得ることができ
、また、非通電時において被めっき物やB i −S
n合金陽極にBiの置換析出のないB1−Sn合金電気
めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
く、低融点のB1−Sn合金めっき皮膜を低電流密度か
ら高電流密度の広い範囲に亘って確実に得ることができ
、また、非通電時において被めっき物やB i −S
n合金陽極にBiの置換析出のないB1−Sn合金電気
めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明者は、上
記目的を達成するため鋭意検討を行なった結果、ビスマ
ス塩と、2価の錫塩と、該錫塩を溶解する酸、例えば硫
酸、有機スルホン酸等とを含有するめっき浴に対し、更
にグルコン酸等のオキシカルボン酸を添加すること、ま
たこのようなオキシカルボン酸添加浴中のビスマスと2
価の錫との含有割合を1:1〜10:1とすることによ
り、Bi量が30〜55%の高Bi量のB1−Sn合金
電気めっき皮膜を形成することが可能になり、しかもこ
の浴は低電流密度でもめっき皮膜中にBiが入り易く、
バレルめっきにおいても高Bi量で低融点のB1−Sn
合金めっき皮膜が得られることを知見した。更に、この
浴はBiの置換析出が生じ難く、被めっき物を通電しな
がら浴中に浸漬したり浴中から引き上げたりしなくとも
被めっき物或いはB1−Sn合金めっき皮膜上にBiが
置換析出せず、またB1−Sn合金陽極やSn陽極にも
非通電時にBiの置換析出がなく、このため作業終了時
に陽極を浴から引き上げるような必要がなく、従って作
業性が良好であることを見い出し、本発明をなすに至っ
た。
記目的を達成するため鋭意検討を行なった結果、ビスマ
ス塩と、2価の錫塩と、該錫塩を溶解する酸、例えば硫
酸、有機スルホン酸等とを含有するめっき浴に対し、更
にグルコン酸等のオキシカルボン酸を添加すること、ま
たこのようなオキシカルボン酸添加浴中のビスマスと2
価の錫との含有割合を1:1〜10:1とすることによ
り、Bi量が30〜55%の高Bi量のB1−Sn合金
電気めっき皮膜を形成することが可能になり、しかもこ
の浴は低電流密度でもめっき皮膜中にBiが入り易く、
バレルめっきにおいても高Bi量で低融点のB1−Sn
合金めっき皮膜が得られることを知見した。更に、この
浴はBiの置換析出が生じ難く、被めっき物を通電しな
がら浴中に浸漬したり浴中から引き上げたりしなくとも
被めっき物或いはB1−Sn合金めっき皮膜上にBiが
置換析出せず、またB1−Sn合金陽極やSn陽極にも
非通電時にBiの置換析出がなく、このため作業終了時
に陽極を浴から引き上げるような必要がなく、従って作
業性が良好であることを見い出し、本発明をなすに至っ
た。
従って、本発明は、ビスマス塩と、2価の錫塩と、該錫
塩を溶解する酸と、オキシカルボン酸とを含有し、かつ
ビスマスと2価の錫との含有割合が重量比として1:1
〜10:1であることを特=4− 徴とするビスマス−錫合金電気めっき浴及び該めっき浴
を用いて被処理物に電気めっきを施し、該被処理物にビ
スマス量が30〜55重量%のビスマス−錫合金めっき
皮膜を形成することを特徴とするビスマス−錫合金電気
めっき方法を提供する。
塩を溶解する酸と、オキシカルボン酸とを含有し、かつ
ビスマスと2価の錫との含有割合が重量比として1:1
〜10:1であることを特=4− 徴とするビスマス−錫合金電気めっき浴及び該めっき浴
を用いて被処理物に電気めっきを施し、該被処理物にビ
スマス量が30〜55重量%のビスマス−錫合金めっき
皮膜を形成することを特徴とするビスマス−錫合金電気
めっき方法を提供する。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明浴において使用されるビスマス塩としては、硫酸
ビスマス、メタンスルホン酸ビスマス。
ビスマス、メタンスルホン酸ビスマス。
フェノールスルホン酸ビスマス等の有機スルホン酸ビス
マス、グルコン酸ビスマスなどが挙げられる。また、第
1細塩としては、硫酸錫、塩化錫。
マス、グルコン酸ビスマスなどが挙げられる。また、第
1細塩としては、硫酸錫、塩化錫。
有機スルホン酸錫、グルコン酸錫などが挙げられる。
これらビスマス塩、第1M塩の浴中の含有量は種々選定
されるが、ビスマス塩はビスマスとして5〜30 g
/ Q、特ニ8〜20 g / aとすることが好まし
く、第1錫塩は錫として1〜6 g / Q、特に2〜
5g/Qとすることが好ましい。この場合、ビスマスと
2価の錫との含有割合は、重量比として1:1〜10:
1、特に2:1〜6:1とするもので、これにより高B
i量で低融点のB1−8n合金めっき皮膜を得ることが
できる。これに対し、ビスマス量が上記範囲より少ない
場合は、ビスマスの析出量が少なくなって低融点のB1
−8n合金めっき皮膜が得難くなり、またビスマス量が
多くなり過ぎると、ビスマスの共析量が共晶点よりも多
くなり過ぎて、かえって低融点皮膜が得られない場合が
生じる。また、金属(ビスマスと2価の錫)の総合有量
は6〜36g7m、特に10〜25g/Qとすることが
好ましく、金属総量をかかる範囲とすることにより、低
電流密度部でも高Bi量のB1−8n合金めっき皮膜が
より確実に形成し得る。
されるが、ビスマス塩はビスマスとして5〜30 g
/ Q、特ニ8〜20 g / aとすることが好まし
く、第1錫塩は錫として1〜6 g / Q、特に2〜
5g/Qとすることが好ましい。この場合、ビスマスと
2価の錫との含有割合は、重量比として1:1〜10:
1、特に2:1〜6:1とするもので、これにより高B
i量で低融点のB1−8n合金めっき皮膜を得ることが
できる。これに対し、ビスマス量が上記範囲より少ない
場合は、ビスマスの析出量が少なくなって低融点のB1
−8n合金めっき皮膜が得難くなり、またビスマス量が
多くなり過ぎると、ビスマスの共析量が共晶点よりも多
くなり過ぎて、かえって低融点皮膜が得られない場合が
生じる。また、金属(ビスマスと2価の錫)の総合有量
は6〜36g7m、特に10〜25g/Qとすることが
好ましく、金属総量をかかる範囲とすることにより、低
電流密度部でも高Bi量のB1−8n合金めっき皮膜が
より確実に形成し得る。
また、第1錫塩を溶解する酸としては、硫酸、塩酸、硝
酸等の無機酸、それに有機スルホン酸などが挙げられる
。この場合、有機スルホン酸としては、置換又は未置換
のアルカンスルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸
、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などを挙
げることができる。
酸等の無機酸、それに有機スルホン酸などが挙げられる
。この場合、有機スルホン酸としては、置換又は未置換
のアルカンスルホン酸、ヒドロキシアルカンスルホン酸
、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸などを挙
げることができる。
ここで、未置換のアルカンスルホン酸としてはCnH2
n+1SO3H (但し、nは1〜5、好ましくは1又は2である)で示
されるものが使用でき、未置換のヒドロキシアルカンス
ルホン酸としては H C,H,、+、−CH−CjH,,+1−8o3H(但
し、mは0〜2、Qは1〜3である)で示されるものが
使用できる。また、置換アルカンスルホン酸、ヒドロキ
シアルカンスルホン酸としてはそのアルキル基の水素原
子の一部がハロゲン原子、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基、スルホン酸基などで置換された
ものが使用できる。一方、ベンゼンスルホン酸、ナフタ
レンスルホン酸は、下記式 で示されるものであるが、置換ベンゼンスルホン酸、ナ
フタレンスルホン酸としては、ベンゼン環、ナフタレン
環の水素原子の一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル
基、カルボキシル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ
基、スルホン酸基などで置換されたものが使用できる。
n+1SO3H (但し、nは1〜5、好ましくは1又は2である)で示
されるものが使用でき、未置換のヒドロキシアルカンス
ルホン酸としては H C,H,、+、−CH−CjH,,+1−8o3H(但
し、mは0〜2、Qは1〜3である)で示されるものが
使用できる。また、置換アルカンスルホン酸、ヒドロキ
シアルカンスルホン酸としてはそのアルキル基の水素原
子の一部がハロゲン原子、アリール基、アルキルアリー
ル基、カルボキシル基、スルホン酸基などで置換された
ものが使用できる。一方、ベンゼンスルホン酸、ナフタ
レンスルホン酸は、下記式 で示されるものであるが、置換ベンゼンスルホン酸、ナ
フタレンスルホン酸としては、ベンゼン環、ナフタレン
環の水素原子の一部が水酸基、ハロゲン原子、アルキル
基、カルボキシル基、ニトロ基、メルカプト基、アミノ
基、スルホン酸基などで置換されたものが使用できる。
具体的には、有機カルボン酸として、メタンスルホン酸
、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プロパ
ンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスルホン
酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパンスルホン酸、
2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキ
シプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタン−
1−スルホン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン酸、
アリルスルホン酸、2スルホ酢酸、2−又は3−スルホ
プロピオン酸。
、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸、2−プロパ
ンスルホン酸、ブタンスルホン酸、2−ブタンスルホン
酸、ペンタンスルホン酸、クロルプロパンスルホン酸、
2−ヒドロキシエタン−1−スルホン酸、2−ヒドロキ
シプロパン−1−スルホン酸、2−ヒドロキシブタン−
1−スルホン酸、2−ヒドロキシペンタンスルホン酸、
アリルスルホン酸、2スルホ酢酸、2−又は3−スルホ
プロピオン酸。
スルホこはく酸、スルホマレイン酸、スルホフマル酸、
ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンス
ルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸
、スルホサルチル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、p
−フェノールスルホン酸などが例示され、これらの1種
又は2種以上を組み合せて用いることができる。
ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンス
ルホン酸、ニトロベンゼンスルホン酸、スルホ安息香酸
、スルホサルチル酸、ベンズアルデヒドスルホン酸、p
−フェノールスルホン酸などが例示され、これらの1種
又は2種以上を組み合せて用いることができる。
上記酸の含有量も適宜選定されるが、浴中50〜400
g/Q、特に100〜200 g / Qとすることが
好ましい。
g/Q、特に100〜200 g / Qとすることが
好ましい。
本発明浴には、更にオキシカルボン酸が含有されるが、
これらはオキシカルボン酸塩として添加してもよい。こ
こで、オキシカルボン酸としては、グルコン酸、グルコ
ノデルタラクトン、酒石酸。
これらはオキシカルボン酸塩として添加してもよい。こ
こで、オキシカルボン酸としては、グルコン酸、グルコ
ノデルタラクトン、酒石酸。
クエン酸、コハク酸、マレイン酸、マロン酸、フマル酸
等が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を組
合せて使用できるが、これらの中ではグルコン酸が好ま
しい。オキシカルボン酸の含有量は20〜200g/Q
、特に30〜100g/Qとすることが好ましく、その
含有量が少な過ぎるとビスマスを十分錯化し得す、水酸
化ビスマスの沈殿を生じる場合がある。逆に多過ぎると
結晶の微細化を阻害する場合がある。
等が挙げられ、これらの1種を単独で又は2種以上を組
合せて使用できるが、これらの中ではグルコン酸が好ま
しい。オキシカルボン酸の含有量は20〜200g/Q
、特に30〜100g/Qとすることが好ましく、その
含有量が少な過ぎるとビスマスを十分錯化し得す、水酸
化ビスマスの沈殿を生じる場合がある。逆に多過ぎると
結晶の微細化を阻害する場合がある。
本発明に係るめっき浴には、上記成分に加え、必要によ
りアルキルノニルフェニルエーテル等のノニオン界面活
性剤を添加することができ、かかる活性剤の添加により
均一かつ微細な結晶を得る一 ことができる。なお、上記活性剤の含有量は0.1〜2
0 g / n、特に4〜8g/Qとすることが好適で
ある。更に、本発明浴にはゼラチン。
りアルキルノニルフェニルエーテル等のノニオン界面活
性剤を添加することができ、かかる活性剤の添加により
均一かつ微細な結晶を得る一 ことができる。なお、上記活性剤の含有量は0.1〜2
0 g / n、特に4〜8g/Qとすることが好適で
ある。更に、本発明浴にはゼラチン。
ペプトン、その他の適宜な添加剤を添加することもでき
る。
る。
本発明のBj−Sn合金電気めっき浴を用いてめっきを
行なう場合の条件としては、特に制限されるものではな
いが、陰極電流密度は0.1〜5A / dm”とする
ことができ、めっき温度は15〜30℃を採用すること
ができる。また、撹拌は液流、カソードロッカー等の機
械的撹拌を採用し得る。陽極としては、B1−Sn合金
、Bi金金属Sn金属を用いることができ、場合によっ
ては白金付チタン板、カーボン等の不溶性陽極を用いる
ことができる。この場合、本発明浴はBiの置換析出が
生じ難いので、B1−Sn合金陽極、Sn陽極はめっき
作業終了後にそのまま浴中に放置しておくことができ、
放置したままでもこれら陽極表面にBiの置換膜は形成
されないものである。
行なう場合の条件としては、特に制限されるものではな
いが、陰極電流密度は0.1〜5A / dm”とする
ことができ、めっき温度は15〜30℃を採用すること
ができる。また、撹拌は液流、カソードロッカー等の機
械的撹拌を採用し得る。陽極としては、B1−Sn合金
、Bi金金属Sn金属を用いることができ、場合によっ
ては白金付チタン板、カーボン等の不溶性陽極を用いる
ことができる。この場合、本発明浴はBiの置換析出が
生じ難いので、B1−Sn合金陽極、Sn陽極はめっき
作業終了後にそのまま浴中に放置しておくことができ、
放置したままでもこれら陽極表面にBiの置換膜は形成
されないものである。
被めっき物は適宜選択されるが、本発明のめっき浴は上
述したようにBiの置換析出が生じ難いので、被めっき
物を浴中に浸漬する場合や浴中から引き上げる場合に非
通電状態で行なうことができる。
述したようにBiの置換析出が生じ難いので、被めっき
物を浴中に浸漬する場合や浴中から引き上げる場合に非
通電状態で行なうことができる。
なお、被めっき物はバレル法によりめっきすることもで
きる。
きる。
本発明によれば、Bi量が30〜55%で、融点が14
0〜160℃のB1−Sn合金めつき皮膜を広い電流密
度範囲に亘って形成することができ、またBiの置換析
出が防止されるので、作業が簡便化される。従って、本
発明は半田付を目的とした電子部品のめっき等に好適に
採用される。
0〜160℃のB1−Sn合金めつき皮膜を広い電流密
度範囲に亘って形成することができ、またBiの置換析
出が防止されるので、作業が簡便化される。従って、本
発明は半田付を目的とした電子部品のめっき等に好適に
採用される。
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本
発明は下記の実施例に制限されるものではない。
発明は下記の実施例に制限されるものではない。
下記組成のめっき浴を調製し、下記条件でめっきを行な
った。得られためっき皮膜の外観及び皮膜中のBi量を
下記に示す。
った。得られためっき皮膜の外観及び皮膜中のBi量を
下記に示す。
なお、比較例3,4の浴は被めっき物を浸漬するとBi
の置換析出が生じたが、実施例の浴及び比較例1,2の
浴はBiの置換析出は起こらなかった・
の置換析出が生じたが、実施例の浴及び比較例1,2の
浴はBiの置換析出は起こらなかった・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ビスマス塩と、2価の錫塩と、該錫塩を溶解する酸
と、オキシカルボン酸とを含有し、かつビスマスと2価
の錫との含有割合が重量比として1:1〜10:1であ
ることを特徴とするビスマス−錫合金電気めっき浴。 2、請求項1記載のめっき浴を用いて被処理物に電気め
っきを施して、該被処理物にビスマス量が30〜55重
量%のビスマス−錫合金めっき皮膜を形成することを特
徴とするビスマス−錫合金電気めっき方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238304A JPH0663110B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | ビスマス―錫合金電気のめっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238304A JPH0663110B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | ビスマス―錫合金電気のめっき浴 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0288789A true JPH0288789A (ja) | 1990-03-28 |
JPH0663110B2 JPH0663110B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=17028216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63238304A Expired - Fee Related JPH0663110B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | ビスマス―錫合金電気のめっき浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0663110B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5674374A (en) * | 1993-06-01 | 1997-10-07 | Dipsol Chemicals Co., Ltd. | Sn-Bi alloy-plating bath and plating method using the same |
US5759381A (en) * | 1995-09-07 | 1998-06-02 | Dipsol Chemicals Co., Ltd. | Sn-Bi alloy-plating bath and method for forming plated Sn-Bi alloy film |
JP2006052421A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Ishihara Chem Co Ltd | 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴 |
JP2006117980A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Ishihara Chem Co Ltd | 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴 |
JPWO2014188834A1 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-02-23 | ソニー株式会社 | メッキ膜の製造方法 |
JP2017212245A (ja) * | 2016-05-23 | 2017-11-30 | 学校法人神奈川大学 | フレキシブル熱電変換部材の作製方法 |
CN110777405A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-11 | 波音公司 | 用于在金属基材上电沉积锡-铋合金的组合物和方法 |
CN116845200A (zh) * | 2023-07-10 | 2023-10-03 | 河南固锂电技术有限公司 | 一种镁离子电池负极材料及制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS535034A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-18 | Dipsol Chem | Neutral electroplating bath for tin or tin alloy |
JPS61895A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-06 | 東芝テック株式会社 | 商品販売データ処理装置 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63238304A patent/JPH0663110B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS535034A (en) * | 1976-07-06 | 1978-01-18 | Dipsol Chem | Neutral electroplating bath for tin or tin alloy |
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JPWO2014188834A1 (ja) * | 2013-05-20 | 2017-02-23 | ソニー株式会社 | メッキ膜の製造方法 |
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CN110777405A (zh) * | 2018-07-25 | 2020-02-11 | 波音公司 | 用于在金属基材上电沉积锡-铋合金的组合物和方法 |
CN116845200A (zh) * | 2023-07-10 | 2023-10-03 | 河南固锂电技术有限公司 | 一种镁离子电池负极材料及制备方法 |
CN116845200B (zh) * | 2023-07-10 | 2024-03-08 | 河南固锂电技术有限公司 | 一种镁离子电池负极材料及制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0663110B2 (ja) | 1994-08-17 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |