JPH0288250U - - Google Patents
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- JPH0288250U JPH0288250U JP16763188U JP16763188U JPH0288250U JP H0288250 U JPH0288250 U JP H0288250U JP 16763188 U JP16763188 U JP 16763188U JP 16763188 U JP16763188 U JP 16763188U JP H0288250 U JPH0288250 U JP H0288250U
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- Japan
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- drain regions
- thin film
- film transistor
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- Pending
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 2
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
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Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例を示す薄膜トランジ
スタの断面図、第２図は薄膜トランジスタのＶＧ
―ＩＤ特性図、第３図は本考案の薄膜トランジス
タのエネルギーバンド図、第４図は従来の薄膜ト
ランジスタのエネルギーバンド図である。 １……透明基板、２……ゲート電極、３……ゲ
ート絶縁膜、４……ｉ―ａ―Ｓｉ半導体層、５…
…ｎ型層（ｎ＋―Ｓｉ Ｃ）、６……ソース電極
、７……ドレイン電極、８……画素電極。
スタの断面図、第２図は薄膜トランジスタのＶＧ
―ＩＤ特性図、第３図は本考案の薄膜トランジス
タのエネルギーバンド図、第４図は従来の薄膜ト
ランジスタのエネルギーバンド図である。 １……透明基板、２……ゲート電極、３……ゲ
ート絶縁膜、４……ｉ―ａ―Ｓｉ半導体層、５…
…ｎ型層（ｎ＋―Ｓｉ Ｃ）、６……ソース電極
、７……ドレイン電極、８……画素電極。
Claims (1)
- ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ｉ―ａ―Ｓｉ
半導体層と、ソースおよびドレイン領域となるｎ
型層と、ソースおよびドレイン電極とを積層した
薄膜トランジスタにおいて、前記ソースおよびド
レイン領域となるｎ型層を、ａ―Ｓｉよりもバン
ドギヤツプの広い物質で形成したことを特徴とす
る薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16763188U JPH0288250U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16763188U JPH0288250U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0288250U true JPH0288250U (ja) | 1990-07-12 |
Family
ID=31456102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16763188U Pending JPH0288250U (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0288250U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216872A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198678A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン半導体装置 |
| JPH0228624A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP16763188U patent/JPH0288250U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198678A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-09-03 | Toshiba Corp | アモルフアスシリコン半導体装置 |
| JPH0228624A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-30 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011216872A (ja) * | 2010-03-15 | 2011-10-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |