JPH0286152A - はんだディップ装置 - Google Patents

はんだディップ装置

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Publication number
JPH0286152A
JPH0286152A JP23645588A JP23645588A JPH0286152A JP H0286152 A JPH0286152 A JP H0286152A JP 23645588 A JP23645588 A JP 23645588A JP 23645588 A JP23645588 A JP 23645588A JP H0286152 A JPH0286152 A JP H0286152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solder
semiconductor device
outer leads
gas
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23645588A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenori Nasu
那須 繁則
Tetsuo Ohori
大堀 哲男
Jitsuo Sekiya
関谷 實雄
Motofumi Suzuki
基史 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP23645588A priority Critical patent/JPH0286152A/ja
Publication of JPH0286152A publication Critical patent/JPH0286152A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、はんだディップ装置の技術に関し、特に、ア
ウタリード間隔の狭いシュリンクタイプの半導体装置の
はんだ処理に用いるはんだディップ装置などに適用して
有効な技術に関する。
[従来の技術] 基板のはんだ処理に関する技術として、たとえば、株式
会社コーラル、昭和61年8月30日発行、「ソルダリ
ング イン エレクトロニクス」P339〜2363に
記載されている。
その概要としては、ウェーブはんだ付けにおいて、外か
ら空気の流れを与えることにより、はんだブリッジを除
去し、短絡の減少を図ることができると記載されている
[発明が解決しようとする課題] ところで、前記したようなはんだブリッジの除去は、半
導体装置のアウタリードへのはんだ付け、すなわち半導
体装置のアウタリードの基板へのはんだ付は性の確保と
防錆などのために行うはんだ付けにおいてもアウタリー
ド間の短絡防止などのために必要とされる。
特に、近時、高密度実装化に伴いアウタリード間隔の狭
いシュリンクタイプの半導体装置が増加するに従い、半
導体装置の溶融はんだからの引き出しの際に、余分な溶
融はんだがその界面張力によってアウタリード間の残存
し固化してアウタリ−ド間を短絡させることによる不良
の発生が激増している。
このため、生産性の歩留りが低下し、外観検査による不
良の除去や再生作業等が必要とされ、コスト高となる。
本発明の目的は、半導体装置のアウタリード間のはんだ
ブリッジの発生を防止することができるはんだディップ
装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
[課題を解決するための手段] 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、半導体装置のアウタリード間に残存する溶融
はんだを気体の吹き付けにより除去する吹付手段を備え
ているものである。
「作用」 前記した手段によれば、吹付手段による気体の吹き付け
により、半導体装置のアウタリード間に残存する溶融は
んだが除去されるので、アウタリード間のはんだブリッ
ジの発生、これにともなう短絡を確実に防止することが
できる。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例であるはんだディップ装置を
示す模式図、第2図は本発明の一実施例であるはんだデ
ィップ装置を示す部分的平面図、第3図は第2図のはん
だディップ装置全体を示す概略図である。
本実施例のはんだディップ装置は、第3図に示すように
、半導体装置2のラインに供給するローダLとフラック
ス槽lと、このフラックス槽1によってフラックス塗布
処理がされたンユリンクデュアルインラインタイプなど
の半導体装置2のアウタリード2aにはんだ処理をする
はんだ漕3と、このはんだ槽3によるはんだ処理後の半
導体装置2を冷却する冷却手段4と、この冷却手段4に
よる冷却後の半導体装置2を洗浄する洗浄槽5と、この
洗浄槽5による洗浄後の半導体装置2を乾燥する乾燥ヒ
ータ6と、この乾燥ヒータ6による乾燥後の半導体装置
2を冷却する冷却手段7と、はんだディップ処理を終了
した半導体装置2をラインから回収するアンローダUな
どを備えている。
前記はんだ槽3内には、はんだ噴流ノズル8が設けられ
、この噴流ノズル8により該はんだ槽3内に溶融はんだ
ウェーブ9が発生されるようになっている。
そして、第2図に示すように、ホルダIOに保持された
キャリア治具11に複数配置された半導体装置2が搬送
手段(図示せず)によってはんだ槽3上を同図の矢印六
方向に搬送され、溶融はんだウェーブ9の頂上に半導体
装置2のアウタリード2a側が接触されてアウタリード
2aにはんだ被膜が形成されるようになっている。
はんだ槽3の溶融はんだウェーブ9の上方には、噴射管
12が半導体装[2の移送方向に対し交軸方向に延設さ
れている。
噴射管12には、下向きの噴射ノズル12a(吹付手段
)が複数配設され、この噴射ノズル12aは、溶融はん
だウェーブ9中を通過される各半導体装置2のアウタリ
ード2aが溶融はんだウェーブ9から抜は出す位置にお
いてその各アウタリード2aに気体を吹き付けるように
配設されている。
このため、噴射ノズル12aは、半導体装置2の移送方
向に対する交軸方向上のアウタリード2aの列数および
間隔に対応して配設され、この噴射ノズル12aからの
気体の吹き付けにより各半導体装置2の移送方向上のア
ウタリード2a間に残存する溶融はんだ13が固化前に
その吹き付は気体の圧力によって強制的に除去されるよ
うになっている。
前記噴射ノズル12aからアウタリード2aに吹き付け
られる気体は、たとえばドライエアーホットエアー、N
2 ガス等を用いることができ、その気体は低温から高
温まで任意である。
しかしながら、本実施例においては、気体の吹き付けに
よる急激な冷却により、アウタリード2aのはんだ被膜
の温度が低下されてアウタリード2aがはんだ太りする
ことと、半導体装置2のパッケージ2bなどにクランク
が生じることとを確実に防止するために、加温された気
体がアウタリード2aに吹き付けられるようになってい
る。
この場合の気体の加温手段は、噴射管12の上流側の一
部がはんだ槽3内の溶融はんだ中に位置されていること
により、気体がその溶融はんだの熱によって加温される
構造とされている。
次に、本実施例の作用について説明する。
先ず、ローダLからラインに供給され、フラックス槽1
によってフラックス塗布処理がされたキャリア治具11
上の半導体装置2は、搬送手段(図示せず)によっては
んだ[3に搬送され、各半導体装置2のアウタリード2
a側が溶融はんだウェーブ90頂上に接触されてアウタ
リード2aにはんだ被膜が形成される。
この際、溶融はんだウェーブ9から抜き出るアウタリー
ド2aには、その抜き出し直後に噴射ノズル12aから
の加温気体が吹き付けられる。
そして、この加温気体の吹き付けにより、各半導体装置
2の移送方向上のアウタリード2a間に残存する溶融は
んだ13が固化前に強制的に除去され、アウタリード2
a間のはんだブリッジの発生が防止される。
この場合に、アウタリード2aに吹き付けられる気体は
、溶融はんだ槽3内の溶融はんだによって加温されてい
るので、気体の吹き付けにともなう急激な冷却によるア
ウタリード2aのはんだ太りと、半導体装置2のパッケ
ージ2bなどにおけるクランクの発生とが確実に防止さ
れる。
また、噴射ノズル12aからの気体は、特別の加温手段
によることなく、はんだ槽3内の溶融はんだによって加
温される構造とされているので、装置の簡素化や小形化
を図ることができる。
次いで、はんだ槽3によってはんだ処理がなされた各半
導体装置2は、第3図に示すように、搬送手段(図示せ
ず)によって冷却手段4の設置部位に搬送されて冷却さ
れ、そして洗浄槽5に搬送され洗浄された後に、乾燥ヒ
ータ6などによる乾燥や冷却手段7による冷却などを経
てアウタリード2aの所定のはんだ処理が終了する。は
んだ処理終了後の半導体装置2はアンローダUでライン
・から回収される。
このように本実施例によれば、以下の効果を得ることが
できる。
(1)、溶融はんだウェーブ9から抜き出たアウタリー
ド2aに噴射ノズル12aからの加温気体が吹き付けら
れて各半導体装置2の移送方向上のアウタリード2a間
に残存する溶融はんだ13が除去されるので、アウタリ
ード2a間のはんだブリツノの発生を確実に防止するこ
とができる。
(2)、前記した(1)の効果により、アウタリード間
の短絡を確実に防止することができる。
(3)、前記した(2)の効果により、半導体装置の歩
留りの向上、外観検査による不良品の除去作業や再生作
業の工程の省略化を図ることができる。
(4)  前記した(3)の効果により、半導体装置の
コストの低廉化を図ることができる。
(5)、アウタリード2aに吹き付けられる気体が、は
んだ槽3内の溶融はんだによって加温されているので、
気体の吹き付けにともなう急激な冷却によるアウタリー
ド2aのはんだ太りと、半導体装if2のパッケージ2
bなどにおけるクランクの発生とを確実に防止すること
ができる。
(6)、前記した(5)の効果において、アウタリード
2aに吹き付けられる気体が、特別の加温手段によるこ
となく、はんだ槽3内の溶融はんだによって加温される
構造とされているので、装置の簡素化や小形化を図るこ
とができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、本実施例においては、半導体装置2がはんだ
ウェーブ9中を水平に通過されて溶融はんだに浸漬され
る構造とされているが、本発明においては、半導体装置
2が垂直に昇降されて溶融はんだに浸漬される構造とし
ても良い。
また、本実施例における半導体装置2は、シュリンクデ
ュアルインラインタイプのものを用いたが、本発明にお
ける半導体装置2は、そのようなタイプのものに限定さ
れるものではない。
[発明の効果] 本順において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりであ
る。
すなわち、吹付手段による気体の吹き付けにより、半導
体装置のアウタリード間に残存する溶融はんだが除去さ
れるので、アウタリード間のはんだブリッジの発生、こ
れにともなう短絡を確実に防止することができる。
このため、半導体装置の歩留りの向上、外観検査による
不良品の除去作業や再生作業の工程の省略化を図ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるはんだディップ装置を
示す模式図、 第2図は本発明の一実施例であるはんだディップ装置を
示す部分的平面図、 第3図は第2図のはんだディップ装置全体を示す概略図
である。 1・・・フラックス槽、2・・・半導体装置、2a・・
・アウタリード、2b・・・パッケージ、3・・・はん
だ槽、4・・・冷却手段、5・・・洗浄槽、6・・・乾
燥ヒータ、7・・・冷却手段、8・・・はんだ噴流ノズ
ル、9・・・溶融はんだウェーブ、lO・・・ホルダ、
11・・・キャリア治具、12・・・噴射管、12a・
・・噴射ノズル(噴射ノズル)、13・・・溶融はんだ
、L・・・ローダ、U・・・アンローダ。 /−一\ 第1図 !−ノ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体装置のアウタリード間に残存する溶融はんだ
    を気体の吹き付けにより除去する吹付手段を備えている
    ことを特徴とするはんだディップ装置。 2、前記気体が加温されていることを特徴とする請求項
    1記載のはんだディップ装置。 3、はんだ槽内の溶融はんだによって前記気体が加温さ
    れることを特徴とする請求項2記載のはんだディップ装
    置。
JP23645588A 1988-09-22 1988-09-22 はんだディップ装置 Pending JPH0286152A (ja)

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JP23645588A JPH0286152A (ja) 1988-09-22 1988-09-22 はんだディップ装置

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JPH0286152A true JPH0286152A (ja) 1990-03-27

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ID=17001003

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0679449A (ja) * 1992-09-04 1994-03-22 Osaka Asahi Kagaku Kk 噴流ハンダ付けにおける無洗浄化方法
CN104511677A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 气体产品与化学公司 用于在钎焊期间提供惰性化气体的设备和方法
JP2016225407A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 三菱電機株式会社 はんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法および半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0679449A (ja) * 1992-09-04 1994-03-22 Osaka Asahi Kagaku Kk 噴流ハンダ付けにおける無洗浄化方法
CN104511677A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 气体产品与化学公司 用于在钎焊期间提供惰性化气体的设备和方法
JP2016225407A (ja) * 2015-05-28 2016-12-28 三菱電機株式会社 はんだ被膜形成装置、はんだ被膜形成方法および半導体装置

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