JPH0285799A - 放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
の製造方法に関し、さらに詳しくは水分の侵入を防ぎ、
設定性能を保証し、性能耐久性のよい放射線画像変換パ
ネルの製造方法に関する。

〔従来の技術〕

Ｘ線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。

このＸ線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に代
って蛍光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法が
工夫されている。

この方法は、被写体を透過した放射線（一般にＸ線）を
蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光
又は熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体が上
記放射線吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍
光として放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方
法である。

具体的には、例えば、米国特許３，８５９，５２７号及
び特開昭５５−１２１４４号には輝尽性蛍光体を用い可
視光線又は赤外線を輝尽励起光とした放射線画像変換方
法が示されている。

この方法は、輝尽性蛍光体層（以後輝尽層と略称）を有
する放射線画像変換パネル（以後変換パネルと略称）を
使用するもので、この変換パネルの輝尽層に被写体を透
過した放射線を当てて被写体各部の放射線透過度に対応
する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を形成し、しか
る後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査することによって
各部の蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを
光に変換し、この光の強弱による光信号により画像を得
るものである。

この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよい
し、ＣＲＴ上に再生してもよい。

この放射線画像変換方法において使用される変換パネル
は、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査によ
って蓄積エネルギーを放出するので、走査径再度放射線
画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能である
。

そこで、前記変換パネルは、得られる放射線画像の画質
を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰返しの使
用に耐える性能を有することが望ましい。そのためには
、前記変換パネルの輝尽層が外部からの物理的あるいは
化学的刺激から十分に保護される必要がある。

従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図る
ため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保護
層を設け、変換パネル周縁を密閉し、輝尽層を保護する
方法がとられてきた。

この保護層は、例えば特開昭５９−４２５００号に開示
されているように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗
布して形成されるか、あるいはあらがじめ別途形成した
保護層を輝尽層上に接着する方法により形成されている
。

また、変換パネル周縁の密閉には、例えば有機高分子溶
液中に変換パネルの周縁部のみを浸漬するか、あるいは
周縁部に有機高分子溶液を塗布して高分子膜を形成して
シールする方法、周縁部をシール剤により封止し、シー
ル剤を固定部材により外側から固定する方法（特開昭６
１−２３７０９９号）、周縁部が保護層の延長部分によ
り被覆された状態でシールする方法（特開昭６１−２３
７１００号）等が用いられている。

更に防湿性を上げるために、従来の保護層より厚めの防
湿効果の大きい保護層体を用い、支持体と保護層体の間
に輝尽層を囲んでスペーサを接着、挟在させること　（
特願昭６３−１４１５２２号）が提案され、更に進んで
前記スペーサの外側に防湿材を兼ねる充填材を充填Ｑて
防湿効果を高める方法（特願昭６３−１４１５２３号）
が提示されている。

〔解決しようとする課題〕

しかしながら、このような従来技術の変換パネルは、通
常の雰囲気中で使用する場合には外部からの水分の侵入
を防止することはできるものの、過酷な温度、湿度条件
下で使用する場合や水分に弱い蛍光体を用いる場合には
依然として外部からの水分の侵入による蛍光体の劣化が
問題となってい　ｌ：、。

また、輝尽層上に保護層を設け、変換パネル周縁を密閉
しても、変換パネルを製造する工程中に輝尽性蛍光体が
吸湿して、変換パネルの設定特性が失われ、特性の低下
が起る。さらに、前記吸湿の程度は製造工程の雰囲気に
大きく左右されるので、変換パネル毎の特性のバラツギ
が犬きく、品質信頼性が失われる等の問題がある。そこ
で、加熱乾燥の手段をとると、空気膨張による変換パネ
ルの破壊、変形が起り性能耐久性をはかる密封形態は採
用できなくなる。

前記情況に照し本発明の目的は輝尽性蛍光体への水分の
侵入による劣化を防ぎ、設定性能を保証し、かつ性能耐
久性のよい放射線画像変換パネルの提供にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、支持体、輝尽性蛍光体層及び保護層体を有し
、支持体と保護層体の間に、輝尽性蛍光体層の周縁を取
り囲むスペーサを設けて密閉する放射線画像変換パネル
の製造方法において、スペーサに通気口となる切欠きを
設け、放射線画像変換パネルを加熱乾燥した後、該切欠
きを封着１７、密閉することを特徴として構成される。

尚本発明の態様においては、前記切欠さを封着し密閉す
る際、切欠きに嵌合するスペーサ片を嵌挿し、封着、密
閉することが好ましい。

本発明により製造される変換パネルの構成としては、支
持体と保護層体が輝尽層をはさんで存在しており、輝尽
層の周縁を取り囲んでスペーサが設けられている。輝尽
層は支持体もしくは保護層体に接着されていてもよいが
、輝尽層と保護層体が接していないのが好ましく、間に
低屈折率層が存在しているのがさらに好ましい。

第１図及び第２図は本発明により製造した変換パネルの
一例を模式的に表したものであり、ｌは輝尽層、２は保
護層体、３は支持体、４は低屈折率層、５はスペーサ、
６は切欠きを封着した封着部材である。

第３図及び第４図は前記スペーサの外側に更に封着部材
を充填した形態を示す。

更に第５図及び第６図はスペーサの切欠き部分に切欠き
に嵌合するスペーサ片６′を嵌挿し、スペーサとの間を
封着剤によって封着した形態であり、防湿効果に寄与す
る所大である。

また本発明においては、切欠き部分の内側には切欠き孔
に面して、封着部材、スペーサ片の封着に用いる封着剤
の流入による輝尽°層汚損防止のための衝立部材を加熱
乾燥（脱気）に支障のない形態で設けてもよい。

本発明において用いられる保護層体としては、透光性が
よく、シート状に成形できるものが使用される。保護層
体は輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過するために
、広い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、
光透過率は８０％以上が好ましい。

そのようなものとしては、例えば、石英、硼珪酸ガラス
、化学的強化ガラス等の板ガラスや、ＰＥＴ、延伸ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化合物が挙
げられる。硼珪酸ガラスは３３０ｎｍ〜２．６μｍの波
長範囲で８０％以上の光透過率を示し、石英ガラスでは
さらに短波長においても高い光透過率を示す。

さらに、保護層体の表面に、ＭｇＦ　２等の反射防止層
を設けると、輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過す
るとともに、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好ま
しい。

また、保護層体の厚さは、５０μｍ〜５ｍｍであり、良
好な防湿性を得るためには、１００μｍ〜３ｍｍが好ま
しい。

支持体又は保護層体上に輝尽層を形成せしめた後、支持
体と保護層体の間に、輝尽層を取り囲んでスペーサを設
けるが、そのようなスペーサとしては、輝尽層を外部雰
囲気から遮断した状態で保持することができるものであ
れば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、プ
ラスチック等を用いることができる。

また、スペーサは、その透湿度が３０ｇ／＋ａ”・２４
ｈｒ以下であることが好ましい。この透湿度があまり大
きすぎる場合には、外部から侵入する水分により輝尽性
蛍光体が劣化するために好ましくない。

スペーサの厚さは、輝尽層の厚さ以上の厚さであること
が好ましく、スペーサの幅は、主に、このスペーサと支
持体及び保護層体との密着部分の防湿性（前記透湿度）
に関連して決定されるものであり、１〜３０ｍｍが好ま
しい。スペーサの幅があまり小さすぎる場合にはスペー
サの安定性、強度及び防湿性の点から好ましくない。ま
た、あまり大きすぎる場合には必要以上に変換パネルが
大型化するので好ましくない。

なお、スペーサと支持体及び保護層体との密着部分の透
湿度は、３０ｇ／＠”・２４ｈｒ以下であることが好ま
しい。

スペーサは、支持体と保護層体に密着していることが変
換パネルに防湿性を付与する点及び低屈折率層の層厚を
一定に保持する点がら必要である。

ここでスペーサを支持体及び保護層体に密着させるには
、例えば接着剤等を用いるが、この接着剤としては防湿
性を有するものが好ましい。具体的には、エポキシ系樹
脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、酢
酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ウレタン系樹脂、
アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、オレフィ
ン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴム等の有
機高分子系接着剤や、シリコーン系接着剤、アルミナ、
シリカ等を主成分とする無機系接着剤等が挙げられる。

これらのなかでも半導体や電子部品の封正に用いられる
エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂は耐湿性が優れてい
るので好ましく、特にエポキシ系接着剤は透湿度が低く
好適である。

なお、スペーサと支持体又はスペーサと保護層体との密
着部分の接着性を向上させる目的で、スペーサ、支持体
及び保護層体の他の層との接触面に下引き層を設けたり
、粗面化処理を施すこともできる。

かくして構成された変換パネルは、次に、加熱乾燥して
輝尽層に含有された水分を除去するが、その際に、前記
スペーサに切欠きを有することが、本発明の特徴である
。

スペーサの切欠きは、スペーサのどの部分にあっても、
何箇所あってもよいが、好ましくは１〜２箇所である。

切欠きの幅は、変換パネルの大きさ、切欠きの個数によ
っても異なるが、２〜４０ｍｍの間から選ばれるのが適
当である。幅が狭すぎると乾燥が十分行なわれない。ま
た、広すぎると、接着剤による封着、密閉が困難となっ
たり、耐久性が低下したりして好ましくない。

加熱乾燥は４０〜１００°Ｃで０．１〜３時間行い、減
圧下で行うと除湿効果が高く好ましい。

加熱乾燥後直ちに、スペーサの切欠きは例えば前述の接
着剤を用いて封着し、密、閉する。乾燥後変換パネル内
部の空気を乾燥ガスと置換すると、変換パネルの設定性
能を保持することができてより好ましい。また、切欠き
の封着、密閉は乾燥ガス雰囲気中で行なうと切欠きから
の水分の侵入を防止でき、好ましい。

本発明により製造される変換パネルは、スペーサの外側
や変換パネルの周縁を封着部材でさらに封着すると、よ
り防湿効果が高まり好ましい。封着は、封着部材として
前記の接着剤を用いたり、低融点ガラス等の封着用ガラ
スを用いてガラス融着により封着したり、保護層体の延
長部で封着する等の方法が挙げられるが、特にガラス融
着は、気密性が優れているので好ましい。

更に切欠きに嵌合するスペーサ片を嵌挿する形態では、
輝尽層の加熱乾燥後、スペーサ片を嵌挿し、前記した接
着剤で封着すればよい。

この形態では、スペーサ片はスペーサと同材質のものが
好ましい。また使用する接着剤にはヤング率と熱膨張係
数の積の値が０．３　（Ｎ　／　ｍ’Ｘ’Ｋ　−’）以
下のものが好ましい。

本発明により製造される変換パネルにおいては、輝尽層
と保護層体の間に低屈折率層を有していると保護層体に
よる鮮鋭性の低下が抑制されるので好ましい。

この低屈折率層はスペーサにより外部雰囲気から遮断さ
れた状態で存在するものであり、このように低屈折率層
を設けることにより保護層体の厚さを実質的により厚く
することができるために、変換パネルの防湿性及び耐久
性をいっそう向上させることができる。

そのような低屈折率層としては、空気、窒素、アルゴン
等の不活性な気体からなる層及び真空層などの屈折率が
実質的に１である層；エタノール（屈折率１．３６）、
メタノール（屈折率１３３）及びジエチルエーテル（屈
折率１．３５）等の液体からなる順番：することもでき
る。低屈折率層はこれ等以外にも、例えば、ＣａＦ、（
屈折率１．２３〜１．２６）、Ｎａ１ＡＩＦ６（屈折率
１１５）、ＭｇＦ２（屈折率１．３８）、Ｓｉｎ、　（
屈折率１．４６）等の物質からなる層にすることもでき
る。

本発明により製造される変換パネルの低屈折率層として
は、気体層又は真空層であることが、鮮鋭性の低下を防
止する効果が高いことから好ましい。

低屈折率層の厚さは、０．０５μｍ〜３ｍｍまでが実用
的である。

低屈折率層に、鮮鋭性の低下を小さくするという効果を
十分に付与するためには低屈折率層が輝尽層と密着状態
にあることが好ましい。従って、低屈折率層が液体層、
気体層及び真空層の場合にはそのままでよいが、低屈折
率層を上記のＣａＦ２、Ｎａ５ＡＩＦイＭｇＦｚ、５ｉ
ｎ２などで保護層体の表面に形成した場合などには、輝
尽層と低屈折率層を例えば接着剤などにより密着させる
。この場合には接着剤の屈折率は輝尽層の屈折率に近似
したものであることが好ましい。

本発明において使用される輝尽性蛍光体は、最初の光も
しくは高エネルギー放射線が照射された後に、先約、熱
的、機械的、化学的又は電気的等の刺激（輝尽励起）に
より、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量に
対応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面か
ら好ましくは５００ｎｍ以上の励起光によって輝尽発光
を示す蛍光体である。そのような輝尽性蛍光体としては
、例えば特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢ
ａ５Ｏ，：ＡＸ。

特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ４
：ＡＸ、特開昭５３−３９２７７号のＬｉ、Ｂ、０７：
Ｃｕ、　Ａｇ等、特開昭５４−４７８８３号のＬｉ２（
１（Ｂｔｏｗ）ｘ　：Ｃｕ及びＬｉ２Ｏ・（Ｂ１０り！
：Ｃｕ、　Ａｇ等、米国特許３，８５９．５２７号のＳ
ｒＳ：Ｃｅ、　Ｓｍ。

ＳｒＳ：Ｅｕ、　Ｓｍ、　Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、　Ｓｍ
及び　（Ｚｎ、　Ｃｄ）　　Ｓ　：Ｍｎ。

で示される蛍光体が挙げられる。

また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎ
Ｓ　：Ｃｕ、　Ｐｂ蛍光体、一般式Ｂａ０−ｘＡＩ２２
０３：Ｅｕで示される■ アルミン酸バリウム蛍光体、及び一般式ＭＯ・ｘｓｉｏ
、　：　Ａで示されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体
が挙げられる。また、特開昭５５−１２１４３号に記載
されている一般式 ％式％： で示されるアルカリ土類弗化ノ＼ロゲン化物蛍光体、特
開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式％式％
： で示される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ
れている一般式 ％式％： で示される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載さ
れている一般式 ％式％ で示される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載
されている一般式 ％式％： で示される希土類元素付活２価金属フルオルノ・ライド
蛍光体、一般式ＺｎＳ：　Ａ　、　ＣｄＳ：　Ａ　、　
（Ｚｎ、　Ｃｄ）Ｓ：Ａ％ＳＥＡ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及び
ＣｄＳ：Ａ、Ｘで示される蛍光体、特開昭５９−３８２
７８号に記載されている下記いずれかの一般式 ％式％： ： で示される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
されている下記いずれかの一般式 ％式％： で示される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載さ
れている下記一般式 ％式％ ： で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。

マタ、アルカリ土類フルオルハライド蛍光体、アルカリ
ハライド蛍光体は特に水分による劣化が著しく、本発明
による効果が大きい。

しかし、本発明において用いられる輝尽性蛍光体は、前
述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射した
後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体で
あればいかなる蛍光体であってもよい。

本発明の方法においては、前記輝尽性蛍光体の層は、支
持体や保護層上に塗布法や気相成長法等を用いて形成せ
しめる。

そのような輝尽層は、前記の輝尽性蛍光体の少なくとも
一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成る輝
尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に含ま
れる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていて
もよい。

変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、結着剤を含有しない場合１０μｍ＝　１０００
μｍの範囲、好ましくは２０μｍ〜８００μｍの範囲か
ら選ばれ、結着剤を含有する場合で２０ｐ　ｍ〜１００
０．ｕ　ｍの範囲、好ましくは５０μｍ〜５００μｍの
範囲から選ばれる。

本発明において使用される支持体としては各種の高分子
材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる。

高分子材料としては例えばセルロースアセテートフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカ
ーボネート等のフィルムが挙げられる。金属としては、
アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート又は金属
板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート又は金
属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化ガラスや
結晶化ガラスなどが挙げられる。またセラミックスとし
てはアルミナやジルコニアの焼結板などが挙げられる。

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μｍ〜５ｍｍであり、取
り扱いが容易であるという点及び良好な防湿性を得ると
いう点から、好ましくは２００μｍ〜３ｍｍである。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマント面としても
よい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、個
々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造と
してもよい。

さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向上
させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けても
よいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けても
よい。

本発明により製造される変換パネルは、第７図に概略的
に示される放射線画像変換方法に用いられる。

すなわち、放射線発生装置４１からの放射線は、被写体
４２を通して変換パネル４３に入射する。

この入射した放射線はパネル４３の輝尽層に吸収され、
そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形
成される。

次にこの蓄積像を輝尽励起光源４４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー
量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等
の光電変換装置４５で光電変換し、画像再生装置４６に
よって画像として再生し画像表示装置４７によって表示
することにより、被写体の放射線透過像を観察すること
ができる。

本発明の方法により変換パネルを製造すれば、加熱乾燥
により水分を除去した輝尽層を乾燥状態のままに保つこ
とができるので、変換パネルの設定性能を保証すること
ができる。

〔実施例」 次に本発明を実施例によって説明する。

実施例１ １　ｍｍ厚の結晶化ガラス支持体（４００ｍｍＸ　５０
０ｍｍ）を、エレクトロンビーム法（ＥＢ法）による蒸
着装置中に設置した。次いで、水冷した坩堝にアルカリ
ハライド蛍光体（ＲｂＢｒ；０．０００６Ｔｌ）を入れ
、プレスして坩堝の形状に成形した。

続いて、蒸着装置内を排気し、５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒの真空度としＩ；。次に、支持体を８０〜１００°Ｃ
に保持しながら、ＥＢガンに電力を供給して輝尽性蛍光
体を蒸発させた。

目的とする輝尽層を得るために膜厚モニタにより蒸着速
度が１０４人／ｍｉｎとなるようにコントロールした。

また、電子ビームは坩堝の輝尽性蛍光体表面をラスター
状にスキャンさせた。

輝尽層の層厚が３００μｍとなったところで蒸着を終了
させた。

前記輝尽層上に、４００μｍ厚さの空気層が設けられる
ように、厚さ７００μｍで幅５ｍｍのガラスのスペーサ
を第１図に示したように配置し、スペーサには１箇所切
欠き　（幅１０ｍｍ）を設けた。スペーサと支持体はエ
ポキシ樹脂系接着剤（ＡＶ−１３８，チバガイギー社製
）にで密着した。

次いで、厚さ１ｍｍのガラスの保護層体をスペーサ上に
載置し、スペーサと保護層体が接する部分を上記のエポ
キシ樹脂系接着剤にて密着した。

このものをＩ　Ｘ　１０−”ｍｍＨｇの減圧下、８０°
Ｃで２時間加熱乾燥した後、直ちにスペーサの切欠きを
上記のエポキシ樹脂系接着剤にて封着して密閉し、第１
図に示した変換パネルを製造した。

かくして得られた放射線画像変換パネルについての評価
は、変換パネルを、４５°Ｃ１８５％ＲＨの条件下で６
０日間及び１２０日間放置して強制劣化させ、感度低下
率及び７エーデイング低下率を調べることにより行なっ
ｊ；。

また、支持体上の輝尽層を保護層体及びスペーサにより
封着、密閉（封止）して本発明により変換パネルを製造
した場合の封止前後での感度低下率及びフェーディング
低下率を調べ、変換パネル製造時の性能劣化を評価した
。なお、封止前のプレートの性能は水分の影響を除去す
るため、真空中で評価し、基準とした。結果を第２表に
示した。

感度低下率：Ｐ 管電圧８０ＫＶｐのＸ線をｌＱｍＲ照射し、１秒後に半
導体レーザ光（７８０ｎｍ、　２０ｍＷ）で輝尽励起し
、輝尽層から放射される輝尽発光を光検出器（光電子増
倍管）で光電変換し、得られた電気信号の大きさを変換
パネルの感度Ｓ　（ｔ　５ｅｃ）とした。

Ｘ線照射から５秒後における、−封止前の変換パネルの
感度Ｓ　ｏ（ｓｓａｃ）、封止後の強制劣化試験前の変
換パネルの感度Ｓ　５ｔ（５ｓｅｃ）及び強制劣化試験
後の変換パネルの感度Ｓ、。（，５ｅｅ）から感度低下
率（Ｐ）を次式により求めた。

製造時の感度低下率（Ｐ＋ｎ）： 強制劣化による感度低下率（Ｐｒ）： フエーディング低下率：Ｑ Ｘ線を照射してからレーザ光で信号を読取るまでの間に
おける蓄積エネルギーの減衰率、すなわちフエーディン
グ二Ｆは次式により求められる。

ただし、Ｓ（１，。５ｅｃ）はＸ線照射から１２０秒後
の感度、Ｓ　（ｓｓｅｃ）は５秒後の感度を表す。

封止前の変換パネルのフ二一ディングＦい封止後の強制
劣化試験前の７二−デイングＦｓｔ及び強制劣化試験後
の７二−デイングｐｓｏから次式によりフェーディング
低下率（Ｑ）を求めた。

製造時の７エーデイング低下率（Ｑｍ）：強制劣化によ
るフェーディング低下率（Ｑｒ）　：鮮鋭性 強制劣化試験前の変換パネルについて、空間周波数１０
．ｐ／　ｍｍにおけるＭＴＦ　（変調伝達関数　％）を
求め、変換パネルの鮮鋭性を評価した。

実施例２〜５ 変換パネルの真空乾燥条件及び切欠き部の幅、密閉に用
いる封着剤を第１表に示したようにしたことを除いては
実施例１と同様にして変換パネルを製造した。ただし、
実施例４は、実施例１の真空乾燥のかわりに保護層体を
封着する前に真空乾燥を行なった。

得られた変換パネルについて実施例１と同様の実施例６ ガラスのスペーサの厚さを３００μｍ１　ガラスの保護
層体の厚さを５００μｍとし、保護層体と輝尽層との接
着面をポリウレタン系接着剤（セメダイン１３００、セ
メダイン社製）で接着した以外は実施例１と同様にして
変換パネルを製造し、得られた変換パネルを評価した。

実施例７ 実施例１において、スペーサの切欠きをエポキシ樹脂系
接着剤で封着して密閉した後、スペーサの外周で支持体
と保護層体との間隙部を実施例１で使用したエポキシ樹
脂系接着剤で封着した以外は実施例１と同様にして変換
パネルを製造し、得られた変換パネルを評価した。

実施例８ 輝尽層を下記の方法で形成した以外は実施例１と同様に
して本発明による変換パネルを製造した。

輝尽層の形成方法は次のとおりである。まず、平均粒子
径２μｍのＢａＦＢｒ：Ｅｕ蛍光体８重量部及びポリビ
ニルブチラール（結着剤）１重量部を溶剤（シクロヘキ
サノン）を用いて分散して塗布液とした。次に、この塗
布液を水平に置いＩ：実施例１と同様の支持体上に均一
に塗布し、−昼夜放置して輝尽層を形成した。

得られた変換パネルについて実施例１と同様の評価を行
なった。

実施例９ 実施例１において、スペーサの切欠きをエポキシ樹脂系
接着剤で封着した後、更に切欠き幅と同じ幅のガラスの
スペーサ片を嵌挿して密閉した以外は実施例と同様にし
て変換パネルを得た。

実施例１０ スペーサ片にアクリル樹脂を用いた以外は実施例９と同
様にして変換パネルを得た。

実施例９及び１０で得た変換パネルについて実施例１と
同様の評価を行った。

比較例（１） 実施例１と同様にして輝尽層を作成した後、輝尽層上に
厚さ１ｍｍのガラス保護層体を重ね、更に、輝尽層の周
縁部分を実施例１で用いたのと同じエポキシ樹脂系接着
剤で封着し、変換パネルを製造しＩ：。得られた変換パ
ネルについて実施例１と同様の評価を行なった。

比較例（２） ガラス保護層体を用いるかわりに、厚さ１０μｍのポリ
エチレンテレフタレートフィルムヲ用いた以外は比較例
（１）と同様にして変換パネルを製造した。得られた変
換パネルについて実施例１と同様の評価を行なった。

実施例２〜ＩＯ及び比較例（１）〜（２）の変換パネル
についての評価の結果を第２表に併記した。

〔発明の効果〕

第２表より、実施例１−１０の本発明の方法により製造
した変換パネルは、製造時の水分の侵入をほとんど完全
に防止することができるため、水分による感度及びフェ
ーディング特性の劣化が著しく小さく、変換パネル製造
時の性能（設定性能）を充分に保ちえた。また、高温、
高湿度下でも設定性能を長期間維持し、優れた耐久性を
有していた。ただし、実施例６は輝尽層と保護層との間
に低屈折率層を有しないので画像の鮮鋭性が劣化した。

また、実施例７は更に長期間の強制劣化に対しても性能
の劣化が極めて少なかった。更に実施例９のように切欠
きにガラスのスペーサ片を嵌挿することによって、−層
の高耐久性を示した。４、

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は、本発明により製造した放射線画像変
換パネルの実施例の平面図及び断面図であり、第２図は
第１図のＡ−Ａ　’断面図であり、第４図は第３図のＢ
−Ｂ　’断面図であり、第６図は第５図のｃ−ｃ　’断
面図である。第７図は放射線画像変換パネルを用いる放
射線画像変換方法の説明図である。 １　−−一輝尽層 ２−一一保護層体 ３−ｍ−支持体 ４−ｍ−低屈折率層 ５−ｍ−スペーサ ６一−−封着部材（切欠き部分） ６′−−−スペーサ片 ４１−ｍ−放射線発生装置 ４２−ｍ−被写体 ４３−−一放射線画像変換パネル ４４−ｍ−輝尽励起光源 ４５−−一光電変換装置 ４６一−−放射線画像再生装置 ４７一−−放射線画像表示装置 ４８−ｍ−フィルタ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体、輝尽性蛍光体層及び保護層体を有し、支
   持体と保護層体の間に、輝尽性蛍光体層の周縁を取り囲
   むスペーサを設けて密閉する放射線画像変換パネルの製
   造方法において、スペーサに通気口となる切欠きを設け
   、放射線画像変換パネルを加熱乾燥した後、該切欠きを
   封着し、密閉することを特徴とする放射線画像変換パネ
   ルの製造方法。
2. （２）前記切欠きを封着し密閉する際、切欠きに嵌合す
   るスペーサ片を嵌挿し、封着、密閉することを特徴とす
   る請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。