JPH0285366A - 薄膜製造装置における薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜製造装置における薄膜形成方法Info
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- JPH0285366A JPH0285366A JP23561288A JP23561288A JPH0285366A JP H0285366 A JPH0285366 A JP H0285366A JP 23561288 A JP23561288 A JP 23561288A JP 23561288 A JP23561288 A JP 23561288A JP H0285366 A JPH0285366 A JP H0285366A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分骨］
本発明は、薄膜の製造装置における基板への薄［従来の
技術］ 近年、光磁気記録媒体に関する研究が盛んで、実用化に
近いレベルまで進んでいる。そこで、薄膜製造装置によ
る従来の光磁気記録媒体の製造方法を、第６図に示して
詳述する。
技術］ 近年、光磁気記録媒体に関する研究が盛んで、実用化に
近いレベルまで進んでいる。そこで、薄膜製造装置によ
る従来の光磁気記録媒体の製造方法を、第６図に示して
詳述する。
第６図は、光磁気記録媒体の保護層もしくは、光磁気記
録層を成膜するスパッタ室の横断面図である。
録層を成膜するスパッタ室の横断面図である。
第１段階は、基板１を基板保持板３２に設けられた基板
１より大きい内径と厚みの円筒形空隙５３に保持し、セ
ンターマスキングギャップ４を取り付ける。さらに、基
板保持板の公転用軸５に取り付け、真空ポンプ６で、ス
パッタ室７を高真空にする。
１より大きい内径と厚みの円筒形空隙５３に保持し、セ
ンターマスキングギャップ４を取り付ける。さらに、基
板保持板の公転用軸５に取り付け、真空ポンプ６で、ス
パッタ室７を高真空にする。
第２段階は、公転用軸５を回転させると、基板１は基板
保持板中心を中心に公転する。そして、基板１は円筒形
空＠３３に保持されているため、公転一回転につき、基
板１の外周長さと円筒形空３５の内周長さとの差だけ、
基板は自転する。
保持板中心を中心に公転する。そして、基板１は円筒形
空＠３３に保持されているため、公転一回転につき、基
板１の外周長さと円筒形空３５の内周長さとの差だけ、
基板は自転する。
第３段階は、スパッタ室１７に約２ ｍ Ｔ ｏ ｒ
ｒになるようアルゴンガスを導入し、自公転する基板１
と、ターゲット８との間にＲＩＦ電圧をかけ放電させる
ことにより基板上に、第−層の５ｉＡｔＮ保護膜を１ｏ
ｏｏＸ成膜する。
ｒになるようアルゴンガスを導入し、自公転する基板１
と、ターゲット８との間にＲＩＦ電圧をかけ放電させる
ことにより基板上に、第−層の５ｉＡｔＮ保護膜を１ｏ
ｏｏＸ成膜する。
続けて、第２層のＮｄＤｙｌＦｅ系光磁気記録膜を５０
０Ｘ成膜する。
０Ｘ成膜する。
再び続けて、第５層の５ｉＡｔＮ保護膜を１０ｏｏＸ成
膜し【いた。
膜し【いた。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、前述の従来技術では第６図の様に、基板が自転
するためには、基板外径よりも円筒形空隙の内径の方が
大きくする必要がある。当然、円筒形空隙の内径中心と
基板中心は上下方向にずれる。そのずれた距離だけ、成
膜時の基板の上部において、外周マスク部分９が基板外
周をマスキングする部分が狭（なる。逆に基板下部では
広くなる。つまり、膜厚分布や組成分布の向上をはかる
ため自転回転数を多（するため、円筒形空隙の内径と、
基板外径の差を大きくすると円筒形空隙の内径中心と基
板中心が大きくずれ、基板外周部に膜厚の不均一な部分
が広くなる。すると、基板外周部に必要な未成膜部分が
第７図の様になくなるか又は、第８図の様に狭くなる。
するためには、基板外径よりも円筒形空隙の内径の方が
大きくする必要がある。当然、円筒形空隙の内径中心と
基板中心は上下方向にずれる。そのずれた距離だけ、成
膜時の基板の上部において、外周マスク部分９が基板外
周をマスキングする部分が狭（なる。逆に基板下部では
広くなる。つまり、膜厚分布や組成分布の向上をはかる
ため自転回転数を多（するため、円筒形空隙の内径と、
基板外径の差を大きくすると円筒形空隙の内径中心と基
板中心が大きくずれ、基板外周部に膜厚の不均一な部分
が広くなる。すると、基板外周部に必要な未成膜部分が
第７図の様になくなるか又は、第８図の様に狭くなる。
そして、透明プラスチック基板を保護のため、成膜した
基板の成膜側に、接着効果のある未成膜部分がなく又は
、狭（充分密着力を確保することができず、歩留シが低
下し、さらに、信頼性に欠けるなどの課題があった。
基板の成膜側に、接着効果のある未成膜部分がなく又は
、狭（充分密着力を確保することができず、歩留シが低
下し、さらに、信頼性に欠けるなどの課題があった。
さらに、膜厚や組成の不均一な部分が広（なれば、当然
、均一な有効記録領域が狭くなる課題があった。
、均一な有効記録領域が狭くなる課題があった。
そこで、本発明はこのような課頭点を解決するもので、
その目的とするところは、薄膜の特性が基板の全領域に
わたって広く均一で、且つ、基板の外周部分に＃膜が積
層しないよう薄膜の製造装置における、基板への薄膜形
成方法を提供するところにある。
その目的とするところは、薄膜の特性が基板の全領域に
わたって広く均一で、且つ、基板の外周部分に＃膜が積
層しないよう薄膜の製造装置における、基板への薄膜形
成方法を提供するところにある。
〔課題を解決するための手段］
本発明の薄膜製造装置における薄膜形成方法は、基板保
持板に保持された複数枚の基板上に単層及び、多層の薄
膜を成膜する一面スパッタ方式の薄膜製造装置において
前記基板保持板には、該基板保持板が取り付けられる治
具の回転と共に、前記基板を自転させるため、前記基板
よりも大きい径と厚みをもった円筒形空隙が設けられて
おり、前記基板の成膜側にリング状の外周マスクを設け
、前記基板が前記円筒形空隙内で一緒に自転することを
特徴とする。
持板に保持された複数枚の基板上に単層及び、多層の薄
膜を成膜する一面スパッタ方式の薄膜製造装置において
前記基板保持板には、該基板保持板が取り付けられる治
具の回転と共に、前記基板を自転させるため、前記基板
よりも大きい径と厚みをもった円筒形空隙が設けられて
おり、前記基板の成膜側にリング状の外周マスクを設け
、前記基板が前記円筒形空隙内で一緒に自転することを
特徴とする。
［作用コ
本発明のリング状外周マスクを使うと、基板とリング状
外周マスクが一緒に回転するため、常に基板外周部をマ
スキングすることで、未成膜領域を確保できる。
外周マスクが一緒に回転するため、常に基板外周部をマ
スキングすることで、未成膜領域を確保できる。
又、自転数を多くするため円筒形空隙の内径と、基板外
径との差を太きくシ、中心のずれが大きくなっても、本
発明のリング状外周マスクがあるため、未成膜領域を確
保し、且つ、膜厚や組成の均一な有効記録領域を広く確
保できる。
径との差を太きくシ、中心のずれが大きくなっても、本
発明のリング状外周マスクがあるため、未成膜領域を確
保し、且つ、膜厚や組成の均一な有効記録領域を広く確
保できる。
［実施例］
（実施例１）
本発゛明の具体的応用分骨の実施例は、光磁気記録媒体
の製造工程における薄膜製造過程で以下、実施例に基づ
き詳細に説明する。
の製造工程における薄膜製造過程で以下、実施例に基づ
き詳細に説明する。
第１図は、本発明の実施例における光磁気記録媒体の製
造装置であり、透明プラスチック基板を、スパッタ室に
一度に多数枚収容した時の断面模式図である。第２図は
、第１図の製造装置の基板保持板の一部分を正面から見
た模式図である。
造装置であり、透明プラスチック基板を、スパッタ室に
一度に多数枚収容した時の断面模式図である。第２図は
、第１図の製造装置の基板保持板の一部分を正面から見
た模式図である。
第１段階は、外形が基板１と同じφ９０ｍで、内径は均
一な膜厚が必要な範囲φ８５ｎｍで、厚みはｃＬ５ｍで
、成膜側の角度は３０°に加工したリング状外周マスク
１０を、基板１とともに基板保持板２に設け・られた、
円筒形中＠３に保持する。
一な膜厚が必要な範囲φ８５ｎｍで、厚みはｃＬ５ｍで
、成膜側の角度は３０°に加工したリング状外周マスク
１０を、基板１とともに基板保持板２に設け・られた、
円筒形中＠３に保持する。
円筒形空隙３は基ｖｉ１とリング状外周マスク１゜を重
ねた厚みより０．５ｍ厚く、内径はφ９５ｍである。そ
して、センターマスキングキャップ４を取り付けて、さ
らに、基板保持板の公転用軸５に取り付け、真空ポンプ
６で、スパッタ室７を高真空にする。
ねた厚みより０．５ｍ厚く、内径はφ９５ｍである。そ
して、センターマスキングキャップ４を取り付けて、さ
らに、基板保持板の公転用軸５に取り付け、真空ポンプ
６で、スパッタ室７を高真空にする。
第２段階は公転用軸５を回転させると、第２図の様に基
板１は基板保持板中心を中心に公転する。そして、基板
１は円筒形空１ｉｉｉ５に保持されイいるため公転一回
転につき、基板１の外周長さと円筒形空隙３の内周長さ
との差だけ基板１は、リング状外周マスク１０と共に自
転する。
板１は基板保持板中心を中心に公転する。そして、基板
１は円筒形空１ｉｉｉ５に保持されイいるため公転一回
転につき、基板１の外周長さと円筒形空隙３の内周長さ
との差だけ基板１は、リング状外周マスク１０と共に自
転する。
第３段階は、スパッタ室７に約２ｍＴｏｒｒになるよう
にアルゴンガスを導入し、自公転する基板１と、ターゲ
ット８との間にＲＦ電圧をかけ放電させることにより基
板上に、第−層の８１ＡｔＮ保護膜を１ｏｏｏ１成膜す
る。
にアルゴンガスを導入し、自公転する基板１と、ターゲ
ット８との間にＲＦ電圧をかけ放電させることにより基
板上に、第−層の８１ＡｔＮ保護膜を１ｏｏｏ１成膜す
る。
続けて、第２層のＮｄＤｙ１Ｐｅ系光磁気記録膜を５０
０Ｘ成膜する。
０Ｘ成膜する。
再び続けて、第５層の５ｉＡｔＮ保護膜を１０ｏｏＸ成
膜していた。
膜していた。
以上のような条件で成膜すれば、第５図の様に未成膜領
域を確保しさらに、有効記録可能領域を広く確保した製
品を製造できる。
域を確保しさらに、有効記録可能領域を広く確保した製
品を製造できる。
尚、リング状外周マスクの寸法は、本発明の実施例と同
じでなく、その製品に合う寸法に変更しくも効果は同じ
である。
じでなく、その製品に合う寸法に変更しくも効果は同じ
である。
（実施例２）
第５図は、本発明の他の実施例における光磁気記録媒体
の製造装置であり、透明プラスチック基板を、スパッタ
室に一度に多数枚収容した時の断面模式図である。
の製造装置であり、透明プラスチック基板を、スパッタ
室に一度に多数枚収容した時の断面模式図である。
第１段階は、第５図の様に基板１がしつくり入り又、基
板外周部の必要な未成膜領域をマスクできるリング状外
周マスク２０に基板１を入れる。
板外周部の必要な未成膜領域をマスクできるリング状外
周マスク２０に基板１を入れる。
基板１をリング状外周マスク２０にセットしたまま、基
板保持板１２に設げられた円筒形空隙１５に保持する。
板保持板１２に設げられた円筒形空隙１５に保持する。
尚、リング状外周マスク２０が入る部分は、第５図の様
に、リング状外周マスク２０の外径よりも大きく、リン
グ状外周マスク２０が充分、公転と共に、自転するよう
にした大きさの内径と厚みである。そして、センターマ
スキングキャップ４を取り付け、真空ポンプ６で、スパ
ッタ室７を高真空にする。
に、リング状外周マスク２０の外径よりも大きく、リン
グ状外周マスク２０が充分、公転と共に、自転するよう
にした大きさの内径と厚みである。そして、センターマ
スキングキャップ４を取り付け、真空ポンプ６で、スパ
ッタ室７を高真空にする。
第２段階、第３段階は、実施例１と同じなので省略する
。
。
（実施例５）
第４図は、本発明のさらに他の実施例における光磁気記
録媒体の製造装置であり、透明プラスチック基板を、ス
パッタ室に一度に多数枚収容した時の断面模式図である
。
録媒体の製造装置であり、透明プラスチック基板を、ス
パッタ室に一度に多数枚収容した時の断面模式図である
。
第１段階は、外形が基板１より大きいムラ００肩で、内
径は均一な膜厚が心安な範囲のφ８５＋ｍ＋で、厚みは
０．５ｍで、成膜側の角度は３０°に加工したリング状
外周マスク５０を、基板１とともに基板保持板２２に設
けられた、基板より大きい円筒形空隙２３に保持する。
径は均一な膜厚が心安な範囲のφ８５＋ｍ＋で、厚みは
０．５ｍで、成膜側の角度は３０°に加工したリング状
外周マスク５０を、基板１とともに基板保持板２２に設
けられた、基板より大きい円筒形空隙２３に保持する。
尚、リング状外周マスク５０が入る部分は、第４図の様
に、基板１が入る円筒形空＠２５の内径よりも大きく、
リング状外周マスク５０が充分基板と共に、自転するよ
うにした大きさの内径と厚みである。そして、センター
マスキングキャップ４を取り付けて、さらに、基板保持
板の公転用軸５に取り付け、真空ポンプ６でスパッタ室
７を高真空にする。
に、基板１が入る円筒形空＠２５の内径よりも大きく、
リング状外周マスク５０が充分基板と共に、自転するよ
うにした大きさの内径と厚みである。そして、センター
マスキングキャップ４を取り付けて、さらに、基板保持
板の公転用軸５に取り付け、真空ポンプ６でスパッタ室
７を高真空にする。
第２段階、第３段階は、実施例１と同じなので省略する
。
。
［発明の効果コ
以上に述べたように、本発明によれば、基板上に単層及
び、多層成膜する薄膜の製造装置における基板への薄膜
形成において、基板の公転と共に、基板自身をリング状
外周マスクと一緒に回転つまり、自転させることＫより
面内膜厚分布及び、面内組成分布のない有効記録可能領
域を広く確保できる効果がある。
び、多層成膜する薄膜の製造装置における基板への薄膜
形成において、基板の公転と共に、基板自身をリング状
外周マスクと一緒に回転つまり、自転させることＫより
面内膜厚分布及び、面内組成分布のない有効記録可能領
域を広く確保できる効果がある。
さらに、他の効果として基板外周部に薄膜の積層しない
領域を確実に確保し、それによってＵＶ硬化樹脂と基板
との密着性向上によって、密着貼り合わせ工程の歩留シ
が安定向上し、そして、光磁気記録媒体の特性の安定と
、寿命と、信頼性の向上などに多大の効果を有するもの
である。
領域を確実に確保し、それによってＵＶ硬化樹脂と基板
との密着性向上によって、密着貼り合わせ工程の歩留シ
が安定向上し、そして、光磁気記録媒体の特性の安定と
、寿命と、信頼性の向上などに多大の効果を有するもの
である。
そして、実施例２及び３では、基板外形と、円筒形空隙
の内径の差を大きくでき、基板が基板保持板より落下す
ることなく、自転数を多くでき、膜厚分布１組成分布の
良好な成膜が可能となる効果を有する。
の内径の差を大きくでき、基板が基板保持板より落下す
ることなく、自転数を多くでき、膜厚分布１組成分布の
良好な成膜が可能となる効果を有する。
第１図が、本発明の実施例１における光磁気記録媒体の
製造装置の断面模式図。 第２図は、第１図の基板の保持板の一部分を正面から見
た模式図。 第６図は、本発明の実施例２における光磁気記録媒体の
製造装置の断面模式図。 第４図は、本発明の実施例５における光磁気記録媒体の
製造装置の断面模式図。 第５図は、本発明により基板上に成膜した後の基板平面
図。 第６図は、従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式
図。 第７図は、従来の方法による成膜後の基板で、基板外周
部の未成膜領域のない場合の基板を示す図。 第８図は、従来の方法による成膜後の基板で、膜厚の不
均一な領域の広い基板を示す図。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・本発明の実施例１０基板保持板３
・・・・・・・・・本発明の実施例１０円筒形空隙４・
・・・・・・・・センターマスキングギャップ５・・・
・・・・・・公転用軸 ６・・・・・・・・・真空ポンプ ７・・・・・・・・・スパッタ室 ８・・・・・・・・・ターゲット ９・・・・・・・・・外周マスク部分 １０・・・・・・本発明の実施例１のリング状外周マス
ク １２・・・・・・本発明の実施例２０基板保持板１５・
・・・・・本発明の実施例２０円筒形空隙２０・・・・
・・本発明の実施例２のリング状外周マスク ２２・・・・・・本発明の実施例３０基板保持板２３・
・・・・・本発明の実施例３０円筒形空隙５０・・・・
・・本発明の実施例３のリング状外周マスク ・・・・・・従来技術の基板保持板 ・・・−一従来技術の円筒形空隙 ・・・・・・未成膜領域 ・・・・・・有効記録可能領域 ・・・・・・膜厚不均一領域 以上
製造装置の断面模式図。 第２図は、第１図の基板の保持板の一部分を正面から見
た模式図。 第６図は、本発明の実施例２における光磁気記録媒体の
製造装置の断面模式図。 第４図は、本発明の実施例５における光磁気記録媒体の
製造装置の断面模式図。 第５図は、本発明により基板上に成膜した後の基板平面
図。 第６図は、従来の光磁気記録媒体の製造装置の断面模式
図。 第７図は、従来の方法による成膜後の基板で、基板外周
部の未成膜領域のない場合の基板を示す図。 第８図は、従来の方法による成膜後の基板で、膜厚の不
均一な領域の広い基板を示す図。 １・・・・・・・・・基 板 ２・・・・・・・・・本発明の実施例１０基板保持板３
・・・・・・・・・本発明の実施例１０円筒形空隙４・
・・・・・・・・センターマスキングギャップ５・・・
・・・・・・公転用軸 ６・・・・・・・・・真空ポンプ ７・・・・・・・・・スパッタ室 ８・・・・・・・・・ターゲット ９・・・・・・・・・外周マスク部分 １０・・・・・・本発明の実施例１のリング状外周マス
ク １２・・・・・・本発明の実施例２０基板保持板１５・
・・・・・本発明の実施例２０円筒形空隙２０・・・・
・・本発明の実施例２のリング状外周マスク ２２・・・・・・本発明の実施例３０基板保持板２３・
・・・・・本発明の実施例３０円筒形空隙５０・・・・
・・本発明の実施例３のリング状外周マスク ・・・・・・従来技術の基板保持板 ・・・−一従来技術の円筒形空隙 ・・・・・・未成膜領域 ・・・・・・有効記録可能領域 ・・・・・・膜厚不均一領域 以上
Claims (1)
- 基板保持板に保持された複数枚の基板上に単層及び多
層の薄膜を成膜する一面スパッタ方式の薄膜製造装置に
おいて、前記基板保持板には、該基板保持板が取り付け
られる治具の回転と共に、前記基板を自転させるため、
前記基板よりも大きい径と厚みをもった円筒形空隙が設
けられており、前記基板の成膜側にリング状の外周マス
クを設け、前記基板が前記円筒形空隙内で一緒に自転す
ることを特徴とする薄膜製造装置における薄膜形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561288A JPH0285366A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜製造装置における薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23561288A JPH0285366A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜製造装置における薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285366A true JPH0285366A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16988587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23561288A Pending JPH0285366A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜製造装置における薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0285366A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480530A (en) * | 1993-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Aktiengesellschaft | Mask for covering the margin of a disk-shaped substrate |
| US6413381B1 (en) | 2000-04-12 | 2002-07-02 | Steag Hamatech Ag | Horizontal sputtering system |
| WO2001079580A3 (en) * | 2000-04-12 | 2002-07-04 | Steag Hamatech Ag | Apparatus and method for handling and masking a substrate |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23561288A patent/JPH0285366A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5480530A (en) * | 1993-03-09 | 1996-01-02 | Leybold Aktiengesellschaft | Mask for covering the margin of a disk-shaped substrate |
| US5822842A (en) * | 1993-03-09 | 1998-10-20 | Leybold Aktiengesellschaft | Method for masking a disk shaped substrate |
| US6413381B1 (en) | 2000-04-12 | 2002-07-02 | Steag Hamatech Ag | Horizontal sputtering system |
| WO2001079580A3 (en) * | 2000-04-12 | 2002-07-04 | Steag Hamatech Ag | Apparatus and method for handling and masking a substrate |
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