JPH0284053A - 半導体素子用温度検出装置 - Google Patents
半導体素子用温度検出装置Info
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- JPH0284053A JPH0284053A JP23201288A JP23201288A JPH0284053A JP H0284053 A JPH0284053 A JP H0284053A JP 23201288 A JP23201288 A JP 23201288A JP 23201288 A JP23201288 A JP 23201288A JP H0284053 A JPH0284053 A JP H0284053A
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 21
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- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Power Conversion In General (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
- Control Of Voltage And Current In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子用温度検出装置、詳細には、ス
イッチング動作により電力変換を行う半導体素子に取付
けた温度検出手段を作動させる電源回路に関する。
イッチング動作により電力変換を行う半導体素子に取付
けた温度検出手段を作動させる電源回路に関する。
第２図は公知の単相インバータの主回路接続図である。
この第２図において、半導体素子としてのゲートターン
オフサイリスク（以下ではＧＴＯサイリスクと略記する
）２Ｇに、フィードバックダイオード２Ｄを別個に逆並
列接続したもの４＆ｌＩを単相フ″りンジ接続すること
で１．％Ｊ−づ！−二ｋ・−エイ〆□−タ２をｔ葺成し
ている。この単相インバータ２は図示していない制御装
置からの指令にもとづいて、これら４個のＧＴＯサイリ
スク２Ｇを順次オン・オフさせることにより、この単相
インバータ２は、直流電源ｌからの直流電力を所望の電
圧と周波数の交流電力に変換して負荷３に給電する。
オフサイリスク（以下ではＧＴＯサイリスクと略記する
）２Ｇに、フィードバックダイオード２Ｄを別個に逆並
列接続したもの４＆ｌＩを単相フ″りンジ接続すること
で１．％Ｊ−づ！−二ｋ・−エイ〆□−タ２をｔ葺成し
ている。この単相インバータ２は図示していない制御装
置からの指令にもとづいて、これら４個のＧＴＯサイリ
スク２Ｇを順次オン・オフさせることにより、この単相
インバータ２は、直流電源ｌからの直流電力を所望の電
圧と周波数の交流電力に変換して負荷３に給電する。
ここで使用しているＧＴＯサイリスク２Ｇは、ゲート制
御によりアノードからカソードへの電流の導通や遮断を
行う自己消弧形半導体素子であり、この素子の定格に定
めている緒特性を得るために、当該ＧＴＯサイリスク２
Ｇは、その接合部温度が所定の上限値を越えない範囲で
使用しなければならない。
御によりアノードからカソードへの電流の導通や遮断を
行う自己消弧形半導体素子であり、この素子の定格に定
めている緒特性を得るために、当該ＧＴＯサイリスク２
Ｇは、その接合部温度が所定の上限値を越えない範囲で
使用しなければならない。
ところで、ＧＴＯサイリスタ２Ｇは、他の半導体素子と
同様に電流が通流することで損失を生じ、また、オン動
作あるいはオフ動作の過渡時には、短時間ではあるが、
大きな損失を生じる。よって、これらの発生損失による
当該半導４素子の接合部温度が、所定上限値以内にある
ためには、この発生損失による発熱を効果的に放散でき
るように、何らかの冷却装置が必要となる。
同様に電流が通流することで損失を生じ、また、オン動
作あるいはオフ動作の過渡時には、短時間ではあるが、
大きな損失を生じる。よって、これらの発生損失による
当該半導４素子の接合部温度が、所定上限値以内にある
ためには、この発生損失による発熱を効果的に放散でき
るように、何らかの冷却装置が必要となる。
第３図は平形構造半導体素子の冷却系をあられした構造
図である。この第３図に示すように、大容量のＧＴＯサ
イリスク２Ｇは平形構造であって、そのアノード電極Ａ
に冷却体４が、またカソード電極Ｋに冷却体５が直接取
付けられていて、これらの冷却体４と５を空気あるいは
液体で強制的に冷却することにより、当該ＧＴＯサイリ
スク２Ｇに生じた熱を取去るようにしている。
図である。この第３図に示すように、大容量のＧＴＯサ
イリスク２Ｇは平形構造であって、そのアノード電極Ａ
に冷却体４が、またカソード電極Ｋに冷却体５が直接取
付けられていて、これらの冷却体４と５を空気あるいは
液体で強制的に冷却することにより、当該ＧＴＯサイリ
スク２Ｇに生じた熱を取去るようにしている。
ところで、第２図に示す単相イン１＜−夕２で、負荷３
の容量が一定であり、かつ運転方式もあらかじめ定まっ
ているような場合には、各ＣＴＯサイリスク２Ｇの最大
発生損失も予想できるので、この損失による当２１ Ｇ
Ｔ Ｏサイリスク２Ｇの接合部温度が許容値以内とな
るように冷却系を設計するのは容易である。
の容量が一定であり、かつ運転方式もあらかじめ定まっ
ているような場合には、各ＣＴＯサイリスク２Ｇの最大
発生損失も予想できるので、この損失による当２１ Ｇ
Ｔ Ｏサイリスク２Ｇの接合部温度が許容値以内とな
るように冷却系を設計するのは容易である。
しかし、負荷３の容量が変動し、または負荷によって運
転方法が変化する場合や、実験装置のように負荷容量の
予測がつかない場合などでは、予想される最大損失を想
定して冷却系を設計することになるが、ごくまれにしか
発生しない最大損失に対応できる冷却系を用意するのは
不経済である。
転方法が変化する場合や、実験装置のように負荷容量の
予測がつかない場合などでは、予想される最大損失を想
定して冷却系を設計することになるが、ごくまれにしか
発生しない最大損失に対応できる冷却系を用意するのは
不経済である。
そこでこのように大きな損失がごくまれに生しる場合、
あるいは第２図に示す単相インパーク２のアーム短絡や
負荷３の短絡などにより、過大な短絡電流が流れた場合
に備えて、ＧＴＯサイリスク２Ｇの温度上昇を検出して
、その温度が所定値以上になれば当該単相インバータ２
を停止させることのほうが経済的である。そこで、たと
えば第３図に示すＧＴＯサイリスタ２Ｇのカソード電極
にと冷却体５との接合面にサーミスタなどの温度検出手
段を取付け、このサーミスタで接合部温度を推定して、
その温度が所定値に到達すれば警報の発令、あるいは運
転停止などの処置をするようにしている。
あるいは第２図に示す単相インパーク２のアーム短絡や
負荷３の短絡などにより、過大な短絡電流が流れた場合
に備えて、ＧＴＯサイリスク２Ｇの温度上昇を検出して
、その温度が所定値以上になれば当該単相インバータ２
を停止させることのほうが経済的である。そこで、たと
えば第３図に示すＧＴＯサイリスタ２Ｇのカソード電極
にと冷却体５との接合面にサーミスタなどの温度検出手
段を取付け、このサーミスタで接合部温度を推定して、
その温度が所定値に到達すれば警報の発令、あるいは運
転停止などの処置をするようにしている。
第４図は半導体素子の温度検出に使用するサーミスタの
従来例を示した回路図である。
従来例を示した回路図である。
温度検出手段としてのサーミスタ２１は、温度によって
その抵抗値が大幅に変化するので、このサーミスタ２１
と抵抗２２との直列回路に一定電圧を印加すると、温
度変化に対応して抵抗２２の両端電圧が変化する。そこ
でこの両端電圧と比較電源２３の電圧との大小関係をコ
ンパレータ２４で監視し、温度が所定値以上になればこ
のコンパレータ２４の出力信号が変化し、ホトカブラ２
６を介して警報回路２７にこれを伝える。なお符号２５
は抵抗である。
その抵抗値が大幅に変化するので、このサーミスタ２１
と抵抗２２との直列回路に一定電圧を印加すると、温
度変化に対応して抵抗２２の両端電圧が変化する。そこ
でこの両端電圧と比較電源２３の電圧との大小関係をコ
ンパレータ２４で監視し、温度が所定値以上になればこ
のコンパレータ２４の出力信号が変化し、ホトカブラ２
６を介して警報回路２７にこれを伝える。なお符号２５
は抵抗である。
ところで、第２図に示す単相インバータ２を構成してい
るＧＴＯサイリスタ２Ｇのアノード・カソード間電圧は
高電圧が一般的であるが、特に大容量のものでは１ 、
０００ボルト以上となる。それ故、このＧＴＯサイリス
タ２Ｇに取付ける温度検出手段としてのサーミスタ２Ｉ
の外周部にも高電圧が印加されることになる。
るＧＴＯサイリスタ２Ｇのアノード・カソード間電圧は
高電圧が一般的であるが、特に大容量のものでは１ 、
０００ボルト以上となる。それ故、このＧＴＯサイリス
タ２Ｇに取付ける温度検出手段としてのサーミスタ２Ｉ
の外周部にも高電圧が印加されることになる。
しかしながら、通常、サーミスタ２１ はその外周部と
電極との間の耐電圧は低いので、警報回路２７に高電圧
が印加されるのを防ぐために、コンパレータ２４の出力
をホトカプラ２６で絶縁している。またサーミスタ２１
に一定電圧の直流を供給する電源も同様に絶縁しておく
必要がある。そこで制御ｎ直流電源１１をインバータ１
２で交流に変換し、絶縁変圧器１３で絶縁したのち、整
流器１４ と平滑コンデンサ１５とにより平滑な定電圧
直流にしてサーミスタ２１ に印加する電源回路を用意
するのであるが、このようなｗＡ縁電源は、部品点数が
多くて信転性が低下し、コストが高検かつ大形になるな
ど、各種の不都合がある。
電極との間の耐電圧は低いので、警報回路２７に高電圧
が印加されるのを防ぐために、コンパレータ２４の出力
をホトカプラ２６で絶縁している。またサーミスタ２１
に一定電圧の直流を供給する電源も同様に絶縁しておく
必要がある。そこで制御ｎ直流電源１１をインバータ１
２で交流に変換し、絶縁変圧器１３で絶縁したのち、整
流器１４ と平滑コンデンサ１５とにより平滑な定電圧
直流にしてサーミスタ２１ に印加する電源回路を用意
するのであるが、このようなｗＡ縁電源は、部品点数が
多くて信転性が低下し、コストが高検かつ大形になるな
ど、各種の不都合がある。
そこでこの発明の目的は、高電圧で運転する電力変換用
半導体素子に取付ける温度検出手段の電源回路を簡単に
して、部品点数を削減し、小形化と低コスト化を実現す
ることにある。
半導体素子に取付ける温度検出手段の電源回路を簡単に
して、部品点数を削減し、小形化と低コスト化を実現す
ることにある。
上記の目的を達成するために、この発明の１ｉ源回路は
、スイッチング動作をして電力変換を行う半導体素子に
温度検出手段を取付け、この検出温度が所定値以上のと
きに警報する構成の半導体素子用温度検出装置において
、定電圧ダイオードとコンデンサとの並列回路に、抵抗
々ダイオードとの直列回路を直列に接続して電源回路を
構成し、この電源回路を前記半導体素子に並列接続する
とともに、当該電源回路のコンデンサに前記温度検出手
段を並列接続するものとする。
、スイッチング動作をして電力変換を行う半導体素子に
温度検出手段を取付け、この検出温度が所定値以上のと
きに警報する構成の半導体素子用温度検出装置において
、定電圧ダイオードとコンデンサとの並列回路に、抵抗
々ダイオードとの直列回路を直列に接続して電源回路を
構成し、この電源回路を前記半導体素子に並列接続する
とともに、当該電源回路のコンデンサに前記温度検出手
段を並列接続するものとする。
この発明は、温度検出手段用の電源を、この温度検出手
段を取付けている半導体素子の７ノード・カソード間電
圧から得るようにするとともに、この温度検出手段の外
周部と電極との間に高電圧が印加されない電源構成にす
ることで、絶縁変圧器、ならびに直流を交流に変換する
インバータと、交流を直流に変換する整流器とを省略し
、電源回路の面素化と小形化・低価格化を図るものであ
る。
段を取付けている半導体素子の７ノード・カソード間電
圧から得るようにするとともに、この温度検出手段の外
周部と電極との間に高電圧が印加されない電源構成にす
ることで、絶縁変圧器、ならびに直流を交流に変換する
インバータと、交流を直流に変換する整流器とを省略し
、電源回路の面素化と小形化・低価格化を図るものであ
る。
第１図は本発明の実施例をあられした回路図である。
この第１図において、符号２Ｇなる半導体素子としての
ＧＴＯサイリスクの接合部温度を推定するために、温度
検出手段としてのサーミスタ２１の外周部が、このＧＴ
Ｏサイリスク２Ｇのカソード極に取付けられている。な
おこの第１図に図示のサーミスタ２１ 、抵抗２２、比
較電源２３、コンパレータ２４、抵抗２５、ホトカプラ
２６および警報回路２７の名称・用途・機能は、第４図
において既述の従来例回路と同じであるから、これらの
説明は省略する。
ＧＴＯサイリスクの接合部温度を推定するために、温度
検出手段としてのサーミスタ２１の外周部が、このＧＴ
Ｏサイリスク２Ｇのカソード極に取付けられている。な
おこの第１図に図示のサーミスタ２１ 、抵抗２２、比
較電源２３、コンパレータ２４、抵抗２５、ホトカプラ
２６および警報回路２７の名称・用途・機能は、第４図
において既述の従来例回路と同じであるから、これらの
説明は省略する。
本発明においては、電源回路３０がＧＴＯサイリスク２
Ｇに並列に接続している。このＴＩ源回桜３０は、定電
圧ダイオード３Ｉ とコンデンサ３２との並列回路に、
抵抗３３ とダイオード３４ との直列回路を直列に接
続したものであって、このコンデンサ３２の両端電圧を
サーミスタ２１ と抵抗２２ との直列回路に印加する
構成である。
Ｇに並列に接続している。このＴＩ源回桜３０は、定電
圧ダイオード３Ｉ とコンデンサ３２との並列回路に、
抵抗３３ とダイオード３４ との直列回路を直列に接
続したものであって、このコンデンサ３２の両端電圧を
サーミスタ２１ と抵抗２２ との直列回路に印加する
構成である。
スイッチング動作をするＧＴＯサイリスク２Ｇがオンの
期間は、アノード・カソード間電圧はほぼ零ポルトであ
るが、オフ期間中のアノード・カソード間電圧は、第２
図に示す直流電源ｌの電圧と等しい、よってこのＣＴＯ
サイリスタ２Ｇのアノード・カソード間に正の電圧が印
加、されると、抵抗３３→ダイオード３４→コンデンサ
３２の経路で電流が流れ、コンデンサ３２を充電する。
期間は、アノード・カソード間電圧はほぼ零ポルトであ
るが、オフ期間中のアノード・カソード間電圧は、第２
図に示す直流電源ｌの電圧と等しい、よってこのＣＴＯ
サイリスタ２Ｇのアノード・カソード間に正の電圧が印
加、されると、抵抗３３→ダイオード３４→コンデンサ
３２の経路で電流が流れ、コンデンサ３２を充電する。
サーミスタ２Ｉ はこのコンデンサ３２０充１を電荷を
電源にして動作することになる。
電源にして動作することになる。
ＧＴＯサイリスタ２Ｇのアノード・カソード間電圧は、
大容量の場合には前述したようにｉ、ｏｏ。
大容量の場合には前述したようにｉ、ｏｏ。
ボルト以上の高電圧である。一方サーミスタ２１を含ん
だ温度構出回路に必要な電圧は１２ボルト程度で十分で
あることから、電圧クランプの目的で、コンデンサ３２
には定電圧ダイオード３１を並列に接続している。また
このコンデンサ３２は電圧を平滑にする役割を有する。
だ温度構出回路に必要な電圧は１２ボルト程度で十分で
あることから、電圧クランプの目的で、コンデンサ３２
には定電圧ダイオード３１を並列に接続している。また
このコンデンサ３２は電圧を平滑にする役割を有する。
抵抗器３３は定電圧ダイオード３１の電流制限を、ダイ
オード３４はＧＴＯサイリスク２Ｇがオンしている期間
中に、コンデンサ３２の’ｌ ＮがこのＧＴＯサイリス
ク２Ｇを通って放電するのを防止するためのものである
。
オード３４はＧＴＯサイリスク２Ｇがオンしている期間
中に、コンデンサ３２の’ｌ ＮがこのＧＴＯサイリス
ク２Ｇを通って放電するのを防止するためのものである
。
なお、この第１図に示す実施例回路においては、サーミ
スタ２１をＧＴＯサイリスク２Ｇのカソード電極に取付
ける場合を示しており、このサーミスタ２１ の電極は
カソード電位にほぼ等しいことから、当該サーミスタ２
１ の外周部と電極との間に高電圧が印加されるおそれ
はない。
スタ２１をＧＴＯサイリスク２Ｇのカソード電極に取付
ける場合を示しており、このサーミスタ２１ の電極は
カソード電位にほぼ等しいことから、当該サーミスタ２
１ の外周部と電極との間に高電圧が印加されるおそれ
はない。
もしもサーミスタ・２１ をＣＴＯサイリスク２Ｇのア
ノード電極に取付けて使用する場合には、このサーミス
タ２１ の外周部と電極との間に高電圧が印加されない
ように、抵抗３３ とダイオード３４ との直列回路が
ＧＴＯサイリスク２Ｇのカソード側に、また定電圧ダイ
オード３１ とコンデンサ３２との並列回路がＧＴＯサ
イリスク２Ｇのアノード側にあるように、接続を変更す
ればよい。
ノード電極に取付けて使用する場合には、このサーミス
タ２１ の外周部と電極との間に高電圧が印加されない
ように、抵抗３３ とダイオード３４ との直列回路が
ＧＴＯサイリスク２Ｇのカソード側に、また定電圧ダイ
オード３１ とコンデンサ３２との並列回路がＧＴＯサ
イリスク２Ｇのアノード側にあるように、接続を変更す
ればよい。
この発明によれば、スイッチング動作により電力変換を
行う半導体素子の温度を検出するために、この半導体素
子に温度検出手段を取付ける場合に、この温度検出手段
の動作電源を、当該半導体素子の両極から取出すのであ
るが、このときの温度検出手段の外周部と電極とがほぼ
同電位となるように回路を構成しているので、従来のよ
うに、温度検出手段動作用として絶縁電源を用意するの
が不要になり、電源回路の構成が筒素化されて偉績性が
向上し、かつ、装置の小形化と低コスト化とを実現する
ことができる。
行う半導体素子の温度を検出するために、この半導体素
子に温度検出手段を取付ける場合に、この温度検出手段
の動作電源を、当該半導体素子の両極から取出すのであ
るが、このときの温度検出手段の外周部と電極とがほぼ
同電位となるように回路を構成しているので、従来のよ
うに、温度検出手段動作用として絶縁電源を用意するの
が不要になり、電源回路の構成が筒素化されて偉績性が
向上し、かつ、装置の小形化と低コスト化とを実現する
ことができる。
第１図は本発明の実施例をあられしたＵ路図、第２図は
公知の単相インバータの主回路接続図、第３図は平形構
造半導体素子の冷却系をあられした構造図、第４図は半
導体素子の温度検出に使用するサーミスタの従来例を示
した回路図である。 １・・・直流？ｉ！源、２・・・単相インバータ、２Ｄ
・・・フィードバックダイオード、２Ｇ・・・半導体素
子としてのＧＴＯサイリスク、３・・・負荷、４，５・
・・冷却体、１１・・・制御直流ｉ源、１２・・・イン
バータ、１３・・・絶縁変圧器、Ｉ４・・・整流器、１
５・・・平滑コンデンサ、２１・・・温度検出手段とし
てのサーミスタ、２２．２５・・・抵抗、２３・・・比
較電源、２４・・・コンパレータ、２６・・・ホトカプ
ラ、２７・・・警報回路、３０・・・電源回路、３１・
・・定電圧ダイオード、３２・・・コンデンサ、３３・
・・抵抗、３４・・・ダイオード。 ２υ ６２ 図 １６３ 図
公知の単相インバータの主回路接続図、第３図は平形構
造半導体素子の冷却系をあられした構造図、第４図は半
導体素子の温度検出に使用するサーミスタの従来例を示
した回路図である。 １・・・直流？ｉ！源、２・・・単相インバータ、２Ｄ
・・・フィードバックダイオード、２Ｇ・・・半導体素
子としてのＧＴＯサイリスク、３・・・負荷、４，５・
・・冷却体、１１・・・制御直流ｉ源、１２・・・イン
バータ、１３・・・絶縁変圧器、Ｉ４・・・整流器、１
５・・・平滑コンデンサ、２１・・・温度検出手段とし
てのサーミスタ、２２．２５・・・抵抗、２３・・・比
較電源、２４・・・コンパレータ、２６・・・ホトカプ
ラ、２７・・・警報回路、３０・・・電源回路、３１・
・・定電圧ダイオード、３２・・・コンデンサ、３３・
・・抵抗、３４・・・ダイオード。 ２υ ６２ 図 １６３ 図
Claims (1)
- １）スイッチング動作をして電力変換を行う半導体素子
に温度検出手段を取付け、この検出温度が所定値以上の
ときに警報する構成の半導体素子用温度検出装置におい
て、定電圧ダイオードとコンデンサとの並列回路に、抵
抗とダイオードとの直列回路を直列に接続して電源回路
を構成し、この電源回路を前記半導体素子に並列接続す
るとともに、当該電源回路のコンデンサに前記温度検出
手段を並列接続することを特徴とする半導体素子用温度
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23201288A JPH0284053A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 半導体素子用温度検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23201288A JPH0284053A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 半導体素子用温度検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284053A true JPH0284053A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=16932570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23201288A Pending JPH0284053A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 半導体素子用温度検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284053A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7377870B2 (en) | 2005-03-22 | 2008-05-27 | Aisin Aw Co., Ltd. | Planetary gear lubrication unit |
| JP2010091466A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Nec Microwave Inc | 温度検出装置 |
| JP2011047875A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 過温度検出回路 |
| US8033941B2 (en) | 2007-07-05 | 2011-10-11 | Aisin Aw Co., Ltd. | Lubricating oil feeding device for automatic transmission |
| US8876647B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-11-04 | Snecma | Device for lubricating an epicycloidal reduction gear |
| CN111367332A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-07-03 | 深圳芥子科技有限公司 | 基于电阻的温度采集电路及控制方法 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP23201288A patent/JPH0284053A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7377870B2 (en) | 2005-03-22 | 2008-05-27 | Aisin Aw Co., Ltd. | Planetary gear lubrication unit |
| US8033941B2 (en) | 2007-07-05 | 2011-10-11 | Aisin Aw Co., Ltd. | Lubricating oil feeding device for automatic transmission |
| JP2010091466A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Nec Microwave Inc | 温度検出装置 |
| JP2011047875A (ja) * | 2009-08-28 | 2011-03-10 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 過温度検出回路 |
| US8876647B2 (en) | 2012-02-23 | 2014-11-04 | Snecma | Device for lubricating an epicycloidal reduction gear |
| CN111367332A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-07-03 | 深圳芥子科技有限公司 | 基于电阻的温度采集电路及控制方法 |
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