JPS58151879A - 交直変換回路の制御回路 - Google Patents
交直変換回路の制御回路Info
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- JPS58151879A JPS58151879A JP57033067A JP3306782A JPS58151879A JP S58151879 A JPS58151879 A JP S58151879A JP 57033067 A JP57033067 A JP 57033067A JP 3306782 A JP3306782 A JP 3306782A JP S58151879 A JPS58151879 A JP S58151879A
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
- H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
- H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
- H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
- H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
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- Control Of Direct Current Motors (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ζＯ発＠杜、多相の交流電源をシリコンダイオード勢の
半導体素子でＩＥＩＩｌシて直流に変換し。
半導体素子でＩＥＩＩｌシて直流に変換し。
必費に応じて直流側の余剰エネルギーを交１１に逆変換
する仁とがで龜る可逆Ｏ交直変換回路に関す為。
する仁とがで龜る可逆Ｏ交直変換回路に関す為。
従来、この種の変換ａｍとしては、可逆Ｏナイシスタ変
換回路が一般的に使用されている。
換回路が一般的に使用されている。
ζＯナイリスタ変変換絡路、４１１ＫＩ流電動機Ｏ可責
遮這転に好適であゐが、制御−路が複雑で０、また直流
電圧が余波ｍｓｉ電圧近くまで上昇す１と転流失敗の危
険があるため直流電圧を充分像滅して使用する必ＩＩが
０．Ｉ！って低力率で運転しな轄ればな６１に％Ａ。
遮這転に好適であゐが、制御−路が複雑で０、また直流
電圧が余波ｍｓｉ電圧近くまで上昇す１と転流失敗の危
険があるため直流電圧を充分像滅して使用する必ＩＩが
０．Ｉ！って低力率で運転しな轄ればな６１に％Ａ。
管次、第１図に示すように、変換回路の主回路−成にト
ランジスタｔ−使用した場合、逆変換を行うＫはパルス
暢変＠（ＰＷＭ）等の豪雑な制御回路を適用しなければ
ならず、ｔイリスタｆＲ用した場合とは逆に直流電圧が
交流の余液１１＃１電圧よシ充分高くないと逆変換を円
滑に遁成し得ない等の難点がある。
ランジスタｔ−使用した場合、逆変換を行うＫはパルス
暢変＠（ＰＷＭ）等の豪雑な制御回路を適用しなければ
ならず、ｔイリスタｆＲ用した場合とは逆に直流電圧が
交流の余液１１＃１電圧よシ充分高くないと逆変換を円
滑に遁成し得ない等の難点がある。
なお、実際の回路構成において、各半導体素子は制御１
路からのオン・オフｆＩ号を伝送すゐ際にフォトカブ′
ｙ勢で絶縁する必ｌ！がある。また、 ｔｓｉａ路のエ
ネルギーを抵抗で消費させて慇履する方式も多用されて
いる。
路からのオン・オフｆＩ号を伝送すゐ際にフォトカブ′
ｙ勢で絶縁する必ｌ！がある。また、 ｔｓｉａ路のエ
ネルギーを抵抗で消費させて慇履する方式も多用されて
いる。
しかしながら、前述した従来の変換回路は制御（ロ）路
が複雑となシ、製造コストが増大する難点が１）ゐ。
が複雑となシ、製造コストが増大する難点が１）ゐ。
そこで１本発明者は、前述した従来Ｏ交直変換回路の問
題点を克服すべく種々検討を重ね九結果、整流ダイオー
ドにそれでれ回虫用の半導体スイッチを並列に接続し九
三相全波１１流用ダイオードブリッジ回路からなる交直
変換回路にｔｔＩ／％て、この変換回路ｏ５ｅｇ側に供
給される三相交流電源に対し、前記変換（ロ）路ｏｍｔ
ｌｔ正Ｉｌ！ｉ側に接続される各半導体スイッチを交流
電源電圧の各相電位が最高の時にそれぞれオン状態とな
るよう構成し、一方前記羨換回路の直流負極側に接続さ
れる各半導体スイッチを交流電源電圧の各相電位が最低
の時にそれぞれオン状−となゐよ５＃ＩＩ成することに
より、簡単ｔｋ回路構成でしかも三相交流電源電圧を特
殊攻絶縁伝送回路を設ける仁となく半導体スイッチＯ制
御を達成することができ、前記問題点を解消し得ること
を央龜止めた。
題点を克服すべく種々検討を重ね九結果、整流ダイオー
ドにそれでれ回虫用の半導体スイッチを並列に接続し九
三相全波１１流用ダイオードブリッジ回路からなる交直
変換回路にｔｔＩ／％て、この変換回路ｏ５ｅｇ側に供
給される三相交流電源に対し、前記変換（ロ）路ｏｍｔ
ｌｔ正Ｉｌ！ｉ側に接続される各半導体スイッチを交流
電源電圧の各相電位が最高の時にそれぞれオン状態とな
るよう構成し、一方前記羨換回路の直流負極側に接続さ
れる各半導体スイッチを交流電源電圧の各相電位が最低
の時にそれぞれオン状−となゐよ５＃ＩＩ成することに
より、簡単ｔｋ回路構成でしかも三相交流電源電圧を特
殊攻絶縁伝送回路を設ける仁となく半導体スイッチＯ制
御を達成することができ、前記問題点を解消し得ること
を央龜止めた。
従って２本発明の目的は、半導体スイッチで主回路構成
された交直変換回路において、半導体スイッチの制御回
路の簡略化をＷＡシ、変換閘路０可逆制御を有効に達成
すると共に製造：ＩストＯ低減を図ることができる交直
変換回路０制御回路を提供するにある。
された交直変換回路において、半導体スイッチの制御回
路の簡略化をＷＡシ、変換閘路０可逆制御を有効に達成
すると共に製造：ＩストＯ低減を図ることができる交直
変換回路０制御回路を提供するにある。
前記Ｏａ的を達成する丸め５本発−においては、＋導体
スイッチで主回路構成してなる交直変換回路において、
直流正極側に接続される半導体スイッチを交流電機電圧
の各相電位の略最高の時にそれぞれオン動作し、直流負
＠ＩＩＫ接続される半導体スイッチを交流電源電圧Ｏ各
相電位の略最低の時にそれぞれオン動作するよう構成し
九制御園路を設けることを特徴とすゐ。
スイッチで主回路構成してなる交直変換回路において、
直流正極側に接続される半導体スイッチを交流電機電圧
の各相電位の略最高の時にそれぞれオン動作し、直流負
＠ＩＩＫ接続される半導体スイッチを交流電源電圧Ｏ各
相電位の略最低の時にそれぞれオン動作するよう構成し
九制御園路を設けることを特徴とすゐ。
前記の制御回路において、各半導体スイッチをオン・オ
フ動作する信号は、交流電源ラインをそれぞれ保護抵抗
を介して複数の＝ンパレータＫ１ｍ続し、各−ンパレー
タの比較電位出力に基づいて各相電位の略最高ｔｉは略
最低の時を判別しながら得るようにすれば好適である。
フ動作する信号は、交流電源ラインをそれぞれ保護抵抗
を介して複数の＝ンパレータＫ１ｍ続し、各−ンパレー
タの比較電位出力に基づいて各相電位の略最高ｔｉは略
最低の時を判別しながら得るようにすれば好適である。
オ九、交直 変換回路の直流側に電流検出抵抗を介して
過電流検出回路を設叶、直流側から交流側へ逆流する過
電流を検出した際に直流負極側に接続される半導体スイ
ッチを一括してオフ状態となるよう構成すれば好適であ
る。
過電流検出回路を設叶、直流側から交流側へ逆流する過
電流を検出した際に直流負極側に接続される半導体スイ
ッチを一括してオフ状態となるよう構成すれば好適であ
る。
次に、本発−に係る交直変換回路の制御回路の実施例に
つき添付図面を参照しながら以下詳細に説明する。
つき添付図面を参照しながら以下詳細に説明する。
馬／ｍａｍ本発＠制御回路を適用するため交直変換回路
の主回路の構成を示す、すなわち。
の主回路の構成を示す、すなわち。
第１ＥＩＩＣ示す回路は、従来の三相全波整流用ダイオ
ードブリッジを構成する！１概ダイオードＤ１〜Ｄ６に
、それぞれ回虫用の半導体スイッチ（トランジスタ）Ｔ
１〜Ｔ番を並列Ｋｍ絖した構成から唸る。なお、前記ダ
イオードブリッジ回路の三相交流電源之インにはそれぞ
れ交流リアタトルムＣＬが接続され、を九直流出カシイ
ンに祉電流検出抵抗Ｒ１および平滑コンデンサＣＩを介
して直流電動機ＤＣＭが負荷として接続される。しかる
に、第１図において、参照符号１０は前記半導体スイッ
チＴ１〜Ｔ６を制御する丸めの制御回路であゐ。
ードブリッジを構成する！１概ダイオードＤ１〜Ｄ６に
、それぞれ回虫用の半導体スイッチ（トランジスタ）Ｔ
１〜Ｔ番を並列Ｋｍ絖した構成から唸る。なお、前記ダ
イオードブリッジ回路の三相交流電源之インにはそれぞ
れ交流リアタトルムＣＬが接続され、を九直流出カシイ
ンに祉電流検出抵抗Ｒ１および平滑コンデンサＣＩを介
して直流電動機ＤＣＭが負荷として接続される。しかる
に、第１図において、参照符号１０は前記半導体スイッ
チＴ１〜Ｔ６を制御する丸めの制御回路であゐ。
従来、この種の回路において、牛導体スイッチ〒零〜Ｔ
、を制御するためには、制御回路１０内士は非常に複雑
な制御が行われている０例えｄｓ”相の電流を制御する
大めに、半導体スイッチＴ、とＴ４のオンーオフ状＠ｔ
Ｖ関係をパルス幅変調等を応用して制御し、その電流の
電源電圧に対する位相と大きさを１ｉｌＩＩｌａｌｌで
きるようにしている。Ｓ相およびＴ相についても同様に
制御できるようにし、三相の電流を同時に位相と大きさ
を制御すれｔｆ、 を力を交流→直流または直流→交流
に自由に移動させることができる。
、を制御するためには、制御回路１０内士は非常に複雑
な制御が行われている０例えｄｓ”相の電流を制御する
大めに、半導体スイッチＴ、とＴ４のオンーオフ状＠ｔ
Ｖ関係をパルス幅変調等を応用して制御し、その電流の
電源電圧に対する位相と大きさを１ｉｌＩＩｌａｌｌで
きるようにしている。Ｓ相およびＴ相についても同様に
制御できるようにし、三相の電流を同時に位相と大きさ
を制御すれｔｆ、 を力を交流→直流または直流→交流
に自由に移動させることができる。
しかしながら、このような複雑な制御によれば、前述の
゛ように、直流電圧が交流の全波整流電圧より充分高く
ないと（ｉｏＮ数十−）逆変換が円滑にできず、しかも
パルス幅変調による高周波スイッチングにより半導体ス
イッチ等のスイッチング損失が増大する難点がある。
゛ように、直流電圧が交流の全波整流電圧より充分高く
ないと（ｉｏＮ数十−）逆変換が円滑にできず、しかも
パルス幅変調による高周波スイッチングにより半導体ス
イッチ等のスイッチング損失が増大する難点がある。
そζで、本発明において、第１１５ｉ０に示す制御回路
ＩＯは、半導体スイッチＴ１の制御回路として、第一図
に示す回路を好適に使用することができる。なお、ｊＩ
Ｊ図には、半導体スイッチＴ１のみを制御する回路を示
したが、同一の制御回路を半導体スイッチＴ！〜Ｔ、４
全てに適用できる。ｔた２％に第２図に示す制御回路轄
、半導体スイッチＴ１〜Ｔ、の制御に好適である。すな
わち、第一図に示す回路は、三相交流電源２インとそれ
ぞれ接続されるラインに保賎抵抗λｌ、λコ、λＪｔ接
続し、これらの三相ツインｔ−一対のコンパレータλ弘
、コｊの入力端に接続し、これらのコンパレータ２ぴ、
コ！の出力をムＮＤＸ子−２７Ｇｆ、介して半導体スイ
ッチＴ１の駆動部（ベース端子）に供給するよう構成し
たものである。この場合、一方のコ／ノくレータＪ参は
、Ｒ相２インとＳｓツインに接続され、８相の電位が８
相の電位よシも高い時に出力（高レベル）を出すよう構
成し、また他方Ｏコンパレータ、２！は％Ｒ＠ラインと
Ｔ相うインに接続され、Ｒ相の電位がＴ相の電位よシも
高い時に出力（高レベル）を出すよう構成する。
ＩＯは、半導体スイッチＴ１の制御回路として、第一図
に示す回路を好適に使用することができる。なお、ｊＩ
Ｊ図には、半導体スイッチＴ１のみを制御する回路を示
したが、同一の制御回路を半導体スイッチＴ！〜Ｔ、４
全てに適用できる。ｔた２％に第２図に示す制御回路轄
、半導体スイッチＴ１〜Ｔ、の制御に好適である。すな
わち、第一図に示す回路は、三相交流電源２インとそれ
ぞれ接続されるラインに保賎抵抗λｌ、λコ、λＪｔ接
続し、これらの三相ツインｔ−一対のコンパレータλ弘
、コｊの入力端に接続し、これらのコンパレータ２ぴ、
コ！の出力をムＮＤＸ子−２７Ｇｆ、介して半導体スイ
ッチＴ１の駆動部（ベース端子）に供給するよう構成し
たものである。この場合、一方のコ／ノくレータＪ参は
、Ｒ相２インとＳｓツインに接続され、８相の電位が８
相の電位よシも高い時に出力（高レベル）を出すよう構
成し、また他方Ｏコンパレータ、２！は％Ｒ＠ラインと
Ｔ相うインに接続され、Ｒ相の電位がＴ相の電位よシも
高い時に出力（高レベル）を出すよう構成する。
従って、半導体スイッチＴ１はＲ相の電位が最高の時に
オン状態となる。同様にして、半導体スイッチＴ２につ
いて拡、８相の電位が最高の時にオフ状態となるよう設
定すると共に、半導体スイッチＴ、については、Ｔ相の
電位が最高の時にオン状態となるよう設定する。
オン状態となる。同様にして、半導体スイッチＴ２につ
いて拡、８相の電位が最高の時にオフ状態となるよう設
定すると共に、半導体スイッチＴ、については、Ｔ相の
電位が最高の時にオン状態となるよう設定する。
これに対し、牛導体スイッチＴ４〜Ｔｉ＃ｔ、前記半碍
体スイッチＴ１〜Ｔ、の場合と反対に、次のような動作
条件を設定する。すなわち、半導体スイッチＴ４はＲ相
の電位が最低の時にオン状態となり、また半導体スイッ
チＴｓは８相の電位が最低の時にオン状態となシ、さら
に半導体スイッチＴ６はＴ相の電位が最低の時にオン状
態となるよう設定する。
体スイッチＴ１〜Ｔ、の場合と反対に、次のような動作
条件を設定する。すなわち、半導体スイッチＴ４はＲ相
の電位が最低の時にオン状態となり、また半導体スイッ
チＴｓは８相の電位が最低の時にオン状態となシ、さら
に半導体スイッチＴ６はＴ相の電位が最低の時にオン状
態となるよう設定する。
なお、第２図に示す回路構成から明らかな過り、各半導
体スイッチＴ１〜Ｔ６を制御するための制御回路はそれ
ぞれ独立しておシ、シかも保論抵抗コｌ〜、２Ｊ祉充分
高抵抗とすることができるので、従来のように７オトカ
プ２勢による絶縁信号伝送手段を使用することなく、三
相電源ラインと各半導体スイッチＴ１〜Ｔ６とを直接接
続することができる。また、第１図に示す主回路構成か
らなる交直変換回路では、半導体スイッチＴ４〜で６の
エミッタ端子は同一電位に接続されているので、各制御
回路は相互に絶縁する必要はなく、保鰺抵抗のａＳにつ
きさらに簡略化することが可能である。
体スイッチＴ１〜Ｔ６を制御するための制御回路はそれ
ぞれ独立しておシ、シかも保論抵抗コｌ〜、２Ｊ祉充分
高抵抗とすることができるので、従来のように７オトカ
プ２勢による絶縁信号伝送手段を使用することなく、三
相電源ラインと各半導体スイッチＴ１〜Ｔ６とを直接接
続することができる。また、第１図に示す主回路構成か
らなる交直変換回路では、半導体スイッチＴ４〜で６の
エミッタ端子は同一電位に接続されているので、各制御
回路は相互に絶縁する必要はなく、保鰺抵抗のａＳにつ
きさらに簡略化することが可能である。
そζで、第３図は、前記半導体スイッチＴ４〜Ｔ４のａ
制御回路を単一化し、過電流保線回路を付加した実施例
を示す、すなわち、第３図において、参照符号３１−１
１は保＠抵抗、７４ｔ〜Ｊ６ｄ’ｓンパレ−１，Ｊ ７
〜Ｊ ＦａＮＯＴ＠子、参〇−４ＩコはＡＮＤ素子、ダ
Ｊは過電流検出回路を示す。しかるに、前記過電流検出
回路参Ｊ紘、第７図にも示すように、電流検出抵抗Ｒ１
の電圧降下で過電流を検出するよう構成され。
制御回路を単一化し、過電流保線回路を付加した実施例
を示す、すなわち、第３図において、参照符号３１−１
１は保＠抵抗、７４ｔ〜Ｊ６ｄ’ｓンパレ−１，Ｊ ７
〜Ｊ ＦａＮＯＴ＠子、参〇−４ＩコはＡＮＤ素子、ダ
Ｊは過電流検出回路を示す。しかるに、前記過電流検出
回路参Ｊ紘、第７図にも示すように、電流検出抵抗Ｒ１
の電圧降下で過電流を検出するよう構成され。
過電流を検出した際に半導体スイッチＴ４〜で・をオフ
状態にするよりその出力ラインがＡＮＤ素子＃０−４１
’λに接続される。第Ｊ１３に示す制御回路の動作を説
明すれば、Ｒ相の電位が最低の時は、；ンバレータＪダ
の出力は為レベルとなゐと共に；ンパレータＪ１）出力
は低レベルとなＬこれに伴いＮＯＴ素子Ｊデの出力ツイ
ンは高レベルとなシ、この結果ムＮＤ素子＃Ｏは出力状
態となシ、牛導体スイッチＴ４をオン状態とすることが
できる。同様にして、８相の電位が最低の時は半導体ス
イッチＴｓをオン状緒とし、またＴ相の電位が最低の時
は半導体スイッチＴ６をオン状態とすることができる。
状態にするよりその出力ラインがＡＮＤ素子＃０−４１
’λに接続される。第Ｊ１３に示す制御回路の動作を説
明すれば、Ｒ相の電位が最低の時は、；ンバレータＪダ
の出力は為レベルとなゐと共に；ンパレータＪ１）出力
は低レベルとなＬこれに伴いＮＯＴ素子Ｊデの出力ツイ
ンは高レベルとなシ、この結果ムＮＤ素子＃Ｏは出力状
態となシ、牛導体スイッチＴ４をオン状態とすることが
できる。同様にして、８相の電位が最低の時は半導体ス
イッチＴｓをオン状緒とし、またＴ相の電位が最低の時
は半導体スイッチＴ６をオン状態とすることができる。
前述した実施例から明らかなように、本発明によれば簡
単なｌ！ＩＩＪ＃！１回路で半導体スイッチＴ１〜Ｔ、
をオン・オフ制御することができる。この場合の電源電
圧波形と半導体スイッチＴ１〜Ｔ、のオン・オフ動作は
、第参図に示すようになる。この結果、交直変換回路の
出力電圧線。
単なｌ！ＩＩＪ＃！１回路で半導体スイッチＴ１〜Ｔ、
をオン・オフ制御することができる。この場合の電源電
圧波形と半導体スイッチＴ１〜Ｔ、のオン・オフ動作は
、第参図に示すようになる。この結果、交直変換回路の
出力電圧線。
第参図において破線で示すように、三相電源電圧の最大
の線間電圧のみ選別して負荷に供給される三相全波整流
波形となる。しかし、平滑コンデンサＣ１に現われる出
力電圧は、交流リアクトルＡＣＬと平滑コンデンサＣ１
との関係から実線で示すように平坦となる。なお、この
ように構成される交直変換回路は、半導体スイッチＴ１
〜Ｔ６の効果により可逆の整ｆｌＩＬ器となる。
の線間電圧のみ選別して負荷に供給される三相全波整流
波形となる。しかし、平滑コンデンサＣ１に現われる出
力電圧は、交流リアクトルＡＣＬと平滑コンデンサＣ１
との関係から実線で示すように平坦となる。なお、この
ように構成される交直変換回路は、半導体スイッチＴ１
〜Ｔ６の効果により可逆の整ｆｌＩＬ器となる。
また、この種の交直変換回路において祉、電源電圧の急
峻な低下等による半導体スイッチＴ、〜Ｔ、に流れる過
大電流に対し半導体スイッチＴ、〜Ｔ、を保護すること
は重要であるが、これは第３図に示すような簡単な回路
によシ夾蝙することができる。なお、この樵の過１１流
の立上シを抑制した９、平滑コンデンサに流れるリプル
電流を抑制するために、交流リアクトルは有効に作用す
る。
峻な低下等による半導体スイッチＴ、〜Ｔ、に流れる過
大電流に対し半導体スイッチＴ、〜Ｔ、を保護すること
は重要であるが、これは第３図に示すような簡単な回路
によシ夾蝙することができる。なお、この樵の過１１流
の立上シを抑制した９、平滑コンデンサに流れるリプル
電流を抑制するために、交流リアクトルは有効に作用す
る。
さらに、本発明の実施例回路に使用するコンパレータは
、電位の最高または最低を正確に判別する必要はなく、
交流リアクトルの限流効果によシ、電位がある程度高い
かまたはある程度以下であるという程度の判定でも充分
実用となる。
、電位の最高または最低を正確に判別する必要はなく、
交流リアクトルの限流効果によシ、電位がある程度高い
かまたはある程度以下であるという程度の判定でも充分
実用となる。
前述し九種々の利点を有する制御回路を備えた交直変換
回路線、直流出力電圧と交流電圧の間に大小関係の制約
条件があった亀のに対し、出力電圧の可変能力は失われ
るが、交流電圧と直流電圧の大小関係は固定され、制御
の煩雑さを除去することができる。この結果、変換回路
の運転力率は略ｌに固定され石、を九、抵抗勢によル直
流回路エネルギーを消費してい丸ものに対しては、省エ
ネルギー効果を発揮すると共に小形軽量化が達成できる
。
回路線、直流出力電圧と交流電圧の間に大小関係の制約
条件があった亀のに対し、出力電圧の可変能力は失われ
るが、交流電圧と直流電圧の大小関係は固定され、制御
の煩雑さを除去することができる。この結果、変換回路
の運転力率は略ｌに固定され石、を九、抵抗勢によル直
流回路エネルギーを消費してい丸ものに対しては、省エ
ネルギー効果を発揮すると共に小形軽量化が達成できる
。
以上１本５＃ｉ例の好適な実施例について説明したが１
本発明は頻繁に加減速する電動機の九め゛の直流電源等
のように、エネルギーの回生をなし得る直流電源に好適
に応用することができると共に％その他事発明の指押を
逸脱しない範囲内において樵々の設計変更をなし得るこ
と紘勿論である。
本発明は頻繁に加減速する電動機の九め゛の直流電源等
のように、エネルギーの回生をなし得る直流電源に好適
に応用することができると共に％その他事発明の指押を
逸脱しない範囲内において樵々の設計変更をなし得るこ
と紘勿論である。
＃！／図は本発明に係る制御回路を着用し得る図、第３
図は本発明制御回路の別の実施例を示す要部回路図、第
参図は本発明制御回路による交直変換回路の動作波形図
である。 ＩＯ・・・制御回路 Ｄ１〜Ｄ６・・・整流ダ
イオードＴ、〜Ｔ６・・・半導体スイッチ ムＣＬ・・
・交流リアクトルＲ１・・・電流検出抵抗 Ｃ１・・
・平滑コンデンサＤＣＭ・・・直流電動機 、２／、
ＪＪ、Ｊｊ・・・保護抵抗λグ、λｊ・・・コンパレー
タ Ｊｊ 、ＪＪ、ＪＪ・・・保ｓｍ抗Ｊ参、３１．Ｊ
４・・・コンパレータ Ｊ７．Ｊｒ、Ｊり・・・ＮＯＴ素子 参〇、参ｌ、弘コ・・・ＡＮＤ素子 μＪ・・・過電流検出回路 特許出願人 富士電機製造株式会社 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ Ｆ Ｉ Ｇ、 ３ ムｎ
図は本発明制御回路の別の実施例を示す要部回路図、第
参図は本発明制御回路による交直変換回路の動作波形図
である。 ＩＯ・・・制御回路 Ｄ１〜Ｄ６・・・整流ダ
イオードＴ、〜Ｔ６・・・半導体スイッチ ムＣＬ・・
・交流リアクトルＲ１・・・電流検出抵抗 Ｃ１・・
・平滑コンデンサＤＣＭ・・・直流電動機 、２／、
ＪＪ、Ｊｊ・・・保護抵抗λグ、λｊ・・・コンパレー
タ Ｊｊ 、ＪＪ、ＪＪ・・・保ｓｍ抗Ｊ参、３１．Ｊ
４・・・コンパレータ Ｊ７．Ｊｒ、Ｊり・・・ＮＯＴ素子 参〇、参ｌ、弘コ・・・ＡＮＤ素子 μＪ・・・過電流検出回路 特許出願人 富士電機製造株式会社 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ Ｆ Ｉ Ｇ、 ３ ムｎ
Claims (3)
- （１） 半導体スイッチで主關路構成してなる交直変
換回路において、直流正極側に線銃される半導体スイッ
チを交流電源電圧ｏ４相電位の略最高の時にそれぞれオ
ン動作し、直流負極側に接続される半導体スイッチを交
流電源電圧の各相電位の略最低の時にそれぞれオン動作
するよう構成し九制御回路を設けゐことを＊＊とする交
直変換關路Ｏ制御回路。 - （２） 特許請求の範Ｓ第１項記載の制御回路におい
て、各半導体スイッチをオン・オフ動作する信号は、交
流電ＩＩラインをそれぞれ保■抵抗を介して複数のコン
パレータＫ１１ｌ続し、各コンパレータの比較電位出力
に基づいて各相電位の略最高オたは略最低の時を判断し
なから得ゐことからなる交直変換回路Ｏ制御−路。 - （３）％許請求の範囲第１項壕九はｊｌｌＪ項記１！０
制御（９）路において、交１変換回路０１［＊側に電流
検出抵抗を介して過電流検出−路を設け。 直流側から交流側へ逆流する過電流を検出し九−に直流
負極側に接続される半導体スイッチを一括してオフ状態
とするよう構成してなる交直変換回路の制御囲路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033067A JPS58151879A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 交直変換回路の制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57033067A JPS58151879A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 交直変換回路の制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58151879A true JPS58151879A (ja) | 1983-09-09 |
Family
ID=12376380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57033067A Pending JPS58151879A (ja) | 1982-03-04 | 1982-03-04 | 交直変換回路の制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58151879A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175384A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-04 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 回生用整流回路の点弧方法 |
| JPS60190176A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電力回生装置 |
| JPS61285085A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 交流電動機の制御装置 |
| WO2019087944A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 住友重機械工業株式会社 | コンバータ、インバータ装置、電力変換装置および分散電源型のコンベア搬送システム |
-
1982
- 1982-03-04 JP JP57033067A patent/JPS58151879A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59175384A (ja) * | 1983-03-24 | 1984-10-04 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 回生用整流回路の点弧方法 |
| JPS60190176A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電力回生装置 |
| JPH041595B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1992-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | |
| JPS61285085A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 交流電動機の制御装置 |
| WO2019087944A1 (ja) * | 2017-11-02 | 2019-05-09 | 住友重機械工業株式会社 | コンバータ、インバータ装置、電力変換装置および分散電源型のコンベア搬送システム |
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