JPH028252A - 多環キノン系顔料の昇華精製方法及び多環キノン系顔料を含有する電子写真感光体 - Google Patents
多環キノン系顔料の昇華精製方法及び多環キノン系顔料を含有する電子写真感光体Info
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
本発明は多環キノン系顔料の昇華精製方法、並びに多環
キノン系顔料を含む電子写真感光体に関するものである
。 [従来技術] 電子写真感光体は一般に電子写真複写機、プリンター等
に広く用いられているが、その用途に応じて電子写真感
光体に要求される特性も異なるものである。例えば電子
写真複写機、特に事務用複写機においては、黒ならびに
青系統の原稿の複写画像再現性と共に赤色画@(例えば
赤色の印かんの文字、アンダーラインなど)の複写画像
再現性が重要視される。これらの複写画像再現性を達成
するためには、450nm 〜600nm (良(て
620nm )に電子写真感光体の分光感度を充分有し
ていることが望まれる。電子写真感光体の分光感度が6
6001や700rv付近までのびると上記の赤色画像
の複写再現性が劣り、事務用複写機としては好ましくな
い。このため、通常のアゾ系顔料、特にジスアゾ系顔料
やトリスアゾ系顔料を電荷発生物質として用いた電子写
真感光体では、分光感度が700nm付近までのびるの
で、620〜630nm以上の波長の光をフィルターで
カットし、赤色感度を低下させて使用している。しかし
、このようなフィルターを用いると赤色感度のみでなく
、短波長感度も低下し、全体的に感度が低下してしまう
という欠点を有する。さらに、このようなアゾ系顔料を
電荷発生物質として用いた場合、その電化輸送能の低さ
から電荷発生層の膜厚を0.1〜0.3μm程度の7a
膜で形成する必要があり、このような薄膜を一般的な製
造方法である浸漬塗布法によって塗布すると、段ムラ、
液ダレ、凝集などの塗布欠陥を生じやすく、収率低下、
コストアップにつながっていた。 また、複写画憬再坦性の良好な顔料としては多環キノン
系顔料が知られている(特開昭57−67933号参照
)。多環キノン系顔料は450nm〜570r+n+の
領域に対して感度が高く、このため赤色画像の複写再現
性が優れており、さらにアゾ系化合物やフタロシアニン
系化合物に比べ感度、帯電電位、残留電位などについて
の繰り返し特性が著しく安定であるという特徴を有する
。 [発明が解決しようとする問題点コ ところで、ここに用いられる多環キノン系顔料は、市販
されているままのもの、独自に合成したもの、等が殆ど
である。しかしながら、斯かる多環キノン系顔料を電子
写真感光体の構成に用いた時には次のような問題がある
。 すなわち、上記のような多環キノン系顔料には、副生成
物、界面活性剤、態様塩類等の不純物が含まれているた
め、生成した荷電キャリアがトラップされ、反復して多
数回の複写操作を行なった場合に残留電位が累積的に大
きくなり複写画像にカブリが発生するようになる。 この問題を解決するための方法として、多環キノン系顔
料が昇華性を有するという性質を利用して、昇華生成さ
れた多環キノン系顔料を用いる方法が、例えば特開昭5
7−67934号公報に記載されている。ところが従来
の昇華精製法では、精製時に昇華精製品の粉体が飛散し
て回収率を上げることができなかったり、また不純物が
十分に除去されておらず純度を上げることができなかっ
たので、電子写真特性及び画像特性において満足のいく
結果が得られなかった。 このため、多環キノン系顔料を電荷発生物質として用い
た実際上充分良好な特性を有する電子写真感光体が今ま
で望まれていた。 本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたちのであり、
第1に純度の高い多環キノン系顔料を効率良く得るため
の昇華精製方法を提供すること、第2にこのような昇華
精製法により得られた多環キノン系顔料を含有し、電子
写真複写機、プリンター等に適した分光感度特性を有し
かつ電子写真特性及び画像特性の優れた電子写真感光体
を提供することを目的とする。 [問題を解決するための手段] 本発明の昇華精製方法は、前記多環キノン系顔料を30
〜400メツシュの網を設けた昇華ボート内で昇華精製
することを特徴とする。 また、本発明の電子写真感光体は、30〜400メツシ
ュの網を設けた昇華ボート内で昇華精製された多環キノ
ン系顔料を感光層に含有することを特徴とする。 本発明に係る多環キノン系顔料の昇華精製方法について
述べる。 第1図及び第2図は本発明の昇華Fa製方法を実施する
ために用いられる具体的な装置の一例を示す断面図であ
る。 1は昇華精製された顔料が付着する回収板である。2は
原料3である多環キノン系顔料を入れるための昇華ボー
トであり、例えばグラファイト等でできている。4は原
料3を加熱するためのヒータである。5は30〜400
メツシュの網で、例えばステンレス袈のものである。網
5は第1図ではヒータ4の上方の位IAに原料3を覆う
ような形で設置され、第2図ではヒータ4と原料3表面
との間の位置Bに設置されており、もちろん、網5の設
置位置は原料3を覆うような位置であれば良く、これら
の位置に限定されるものではない。 また、本発明の昇華精製方法において、その雰囲気温度
や圧力については適宜好ましい範囲に設定することがで
きる。 かかる構成の装置を用いて本発明に係る多環キノン系顔
料の昇華精製を行えば、純度の高い多環キノン系顔料を
高収率で得ることができる。 本発明に用いられる多環キノン系顔料としては下記−数
式[A]で示されるアントアントロン系顔料、下記−数
式[8]で示されるジベンズピレンキノン系Ml′l及
び下記−数式[C]で示されるとラントロン系顔料から
選ばれる少なくとも一種を挙げることができる。 一般式[A] −数式[B][A
1] [A3] 一般式[C] [A5] 式中、Xはハロゲン原子、ニドO基、シアムLアシル基
又はカルボキシル基を表わし、nは0〜4の整数を表わ
し、軸は0〜6の゛整数を表わす。 −数式[A]で示されるアントアントロン系顔料の具体
的化合物を挙げると次の通りである。 〔A7〕 [A9] [B11 [A10] [B11 [A11] [B11 一般式[8]で示されるジベンズ−ピレンキノン系顔料
の具体的化合物例を挙げると次の通りである。 [B11 fA2] [A4〕 [A6] [A8] [B11 [B11 [B7] [B11 [C1] [C2] [C3] [B91 一般式[C] でボされるビラントロン系頷利の 具体的化合物例を挙げると次の通りである。 〔C4]
キノン系顔料を含む電子写真感光体に関するものである
。 [従来技術] 電子写真感光体は一般に電子写真複写機、プリンター等
に広く用いられているが、その用途に応じて電子写真感
光体に要求される特性も異なるものである。例えば電子
写真複写機、特に事務用複写機においては、黒ならびに
青系統の原稿の複写画像再現性と共に赤色画@(例えば
赤色の印かんの文字、アンダーラインなど)の複写画像
再現性が重要視される。これらの複写画像再現性を達成
するためには、450nm 〜600nm (良(て
620nm )に電子写真感光体の分光感度を充分有し
ていることが望まれる。電子写真感光体の分光感度が6
6001や700rv付近までのびると上記の赤色画像
の複写再現性が劣り、事務用複写機としては好ましくな
い。このため、通常のアゾ系顔料、特にジスアゾ系顔料
やトリスアゾ系顔料を電荷発生物質として用いた電子写
真感光体では、分光感度が700nm付近までのびるの
で、620〜630nm以上の波長の光をフィルターで
カットし、赤色感度を低下させて使用している。しかし
、このようなフィルターを用いると赤色感度のみでなく
、短波長感度も低下し、全体的に感度が低下してしまう
という欠点を有する。さらに、このようなアゾ系顔料を
電荷発生物質として用いた場合、その電化輸送能の低さ
から電荷発生層の膜厚を0.1〜0.3μm程度の7a
膜で形成する必要があり、このような薄膜を一般的な製
造方法である浸漬塗布法によって塗布すると、段ムラ、
液ダレ、凝集などの塗布欠陥を生じやすく、収率低下、
コストアップにつながっていた。 また、複写画憬再坦性の良好な顔料としては多環キノン
系顔料が知られている(特開昭57−67933号参照
)。多環キノン系顔料は450nm〜570r+n+の
領域に対して感度が高く、このため赤色画像の複写再現
性が優れており、さらにアゾ系化合物やフタロシアニン
系化合物に比べ感度、帯電電位、残留電位などについて
の繰り返し特性が著しく安定であるという特徴を有する
。 [発明が解決しようとする問題点コ ところで、ここに用いられる多環キノン系顔料は、市販
されているままのもの、独自に合成したもの、等が殆ど
である。しかしながら、斯かる多環キノン系顔料を電子
写真感光体の構成に用いた時には次のような問題がある
。 すなわち、上記のような多環キノン系顔料には、副生成
物、界面活性剤、態様塩類等の不純物が含まれているた
め、生成した荷電キャリアがトラップされ、反復して多
数回の複写操作を行なった場合に残留電位が累積的に大
きくなり複写画像にカブリが発生するようになる。 この問題を解決するための方法として、多環キノン系顔
料が昇華性を有するという性質を利用して、昇華生成さ
れた多環キノン系顔料を用いる方法が、例えば特開昭5
7−67934号公報に記載されている。ところが従来
の昇華精製法では、精製時に昇華精製品の粉体が飛散し
て回収率を上げることができなかったり、また不純物が
十分に除去されておらず純度を上げることができなかっ
たので、電子写真特性及び画像特性において満足のいく
結果が得られなかった。 このため、多環キノン系顔料を電荷発生物質として用い
た実際上充分良好な特性を有する電子写真感光体が今ま
で望まれていた。 本発明は上記従来の問題点に鑑みなされたちのであり、
第1に純度の高い多環キノン系顔料を効率良く得るため
の昇華精製方法を提供すること、第2にこのような昇華
精製法により得られた多環キノン系顔料を含有し、電子
写真複写機、プリンター等に適した分光感度特性を有し
かつ電子写真特性及び画像特性の優れた電子写真感光体
を提供することを目的とする。 [問題を解決するための手段] 本発明の昇華精製方法は、前記多環キノン系顔料を30
〜400メツシュの網を設けた昇華ボート内で昇華精製
することを特徴とする。 また、本発明の電子写真感光体は、30〜400メツシ
ュの網を設けた昇華ボート内で昇華精製された多環キノ
ン系顔料を感光層に含有することを特徴とする。 本発明に係る多環キノン系顔料の昇華精製方法について
述べる。 第1図及び第2図は本発明の昇華Fa製方法を実施する
ために用いられる具体的な装置の一例を示す断面図であ
る。 1は昇華精製された顔料が付着する回収板である。2は
原料3である多環キノン系顔料を入れるための昇華ボー
トであり、例えばグラファイト等でできている。4は原
料3を加熱するためのヒータである。5は30〜400
メツシュの網で、例えばステンレス袈のものである。網
5は第1図ではヒータ4の上方の位IAに原料3を覆う
ような形で設置され、第2図ではヒータ4と原料3表面
との間の位置Bに設置されており、もちろん、網5の設
置位置は原料3を覆うような位置であれば良く、これら
の位置に限定されるものではない。 また、本発明の昇華精製方法において、その雰囲気温度
や圧力については適宜好ましい範囲に設定することがで
きる。 かかる構成の装置を用いて本発明に係る多環キノン系顔
料の昇華精製を行えば、純度の高い多環キノン系顔料を
高収率で得ることができる。 本発明に用いられる多環キノン系顔料としては下記−数
式[A]で示されるアントアントロン系顔料、下記−数
式[8]で示されるジベンズピレンキノン系Ml′l及
び下記−数式[C]で示されるとラントロン系顔料から
選ばれる少なくとも一種を挙げることができる。 一般式[A] −数式[B][A
1] [A3] 一般式[C] [A5] 式中、Xはハロゲン原子、ニドO基、シアムLアシル基
又はカルボキシル基を表わし、nは0〜4の整数を表わ
し、軸は0〜6の゛整数を表わす。 −数式[A]で示されるアントアントロン系顔料の具体
的化合物を挙げると次の通りである。 〔A7〕 [A9] [B11 [A10] [B11 [A11] [B11 一般式[8]で示されるジベンズ−ピレンキノン系顔料
の具体的化合物例を挙げると次の通りである。 [B11 fA2] [A4〕 [A6] [A8] [B11 [B11 [B7] [B11 [C1] [C2] [C3] [B91 一般式[C] でボされるビラントロン系頷利の 具体的化合物例を挙げると次の通りである。 〔C4]
【C5]
[C6]
[C71
【C8】
[C9]
以上の如き多環キノン系顔料は公知の方法により合成す
ることができるが、市販品として入手することもできる
。 電子写真感光体の構成は種々の形態が知られているが、
本発明の電子写真感光体はそれらのいずれの形態をもと
り得る。 通常は、第3図〜第8図の形態である。第3図及び第4
図では、導電性支持体6上に前述の多環キノン系顔料を
含有する電荷発生層7と、後述する電荷輸送物質を主成
分として含有する電荷輸送層8との81層体より成る感
光層9を設けており、第3図と第′4図では、電荷発生
層7と電荷輸送18の積層順が異なる。第5図及び第6
図に示すようにこの感光19は、導電性支持体上に、接
着層、バリア層などの中間PJ10を介して設けてもよ
い。 このように感光層9を二層構成としたときに最も優れた
電子写真特性を有する感光体が得られる。 また本発明においては、第7図および第8図に示すよう
に前記多環キノン系顔料を電荷輸送物質を含有する層1
1中に分散せしめて成る感光層9を導電性支持体6上に
直接、あるいは中間!510を介して設けてもよい。ま
た本発明にお(■ては、最外層として保護層を設けても
よい。 二層構成の感光層9を構成する電荷発生層7は導電性支
持体6、もしくは電荷輸送層8上に直接、あるいは必要
に応じて接着層もしくはバリヤ層などの中間1ii10
を設けた上に例えば次の方法によって形成することがで
きる。 M−1)多環キノン系顔料を適当な溶媒に溶解した溶液
を、あるいは必要に応じてバインダー樹脂を加え混合溶
解した溶液を塗布する方法。 M−2)多環キノン系化合物をボールミル、ホモミキサ
等によって分散媒中で微細粒子(好ましくは粒径5μm
以下、更に好ましくは1μm以下)とし、必要に応じて
バインダー樹脂を加え混合分散した分散液を塗布する方
法。 また、この多環キノン系顔料は他の電荷発生物質と併用
して電荷発生層を形成してもよい。 電荷発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒とし
ては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジ
アミン、イソプロパツールアミン、トリエタノールアミ
ン、トリエチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムア
ミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1
.2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロプロパン、1
゜1.2−トリクロロエタン、1.1.1−1〜リクロ
ロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、
ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メ
タノール、エタノール、イソプロパツール、酢酸エチル
、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソル
ブ等が挙げられる。 また、電荷輸送層は上記電荷発生層と同様にして形成す
ることができる。 電荷発生層あるいは電荷輸送層の形成に用いられるバイ
ンダー樹脂は任意のものを用いることができるが、疎水
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい。このような高分子
重合体としては、例えば次のものを挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。 P−1)ポリカーボネート P−2)ポリエステル P−3)メタクリル酸 P−4)アクリル樹脂 P−5)ポリ塩化ビニル P−6)ポリ塩化ビニリデン P−7)ポリスチレン P−8)ポリビニルアセテート P−9)スチレン−ブタジェン共重合体p −io)塩
化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 p−11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P−12>
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 P −13)シリコン樹脂 P −14)シリコン−アルキッド樹脂P −Is)フ
ェノールホルムアルデヒド樹脂p −16)スチレン−
アルキッド樹脂p −17)ポリ−N−ビニルカルバゾ
ールp −18)ポリビニルブチラール p −19)ポリビニルフォルマール これらのバインダー樹脂は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。 以上のようにして形成される電荷発生層において、多環
キノン系顔料とバインダーとの重量比は好ましくは10
0:O〜1000である。電荷発生物質の含有割合がこ
れより少ないと光感度が低く、残留電位の増加を招き、
またこれより多いと暗減衰及び受容電位が低下する。 形成される電荷発生層の膜厚は、好ましくは0.01〜
10μmである。 また、前記のようにして形成される電荷輸送層において
、電荷輸送物質は電荷輸送層中のバインダー樹脂100
重量部当り20〜200重量部が好ましく、特に好まし
くは30〜150重量部である。 また、形成される電荷輸送層の厚さは、好ましくは5〜
50μm、特に好ましくは5〜30μmである。 本発明で使用する電荷輸送物質は、カルバゾール誘導体
、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チア
ゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘
導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、イミ
ダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリ
ル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、オキ
サシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミ
ダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフランX
1体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノス
チルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−
ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以上で
あってよい。 かかる電荷輸送物質の具体的化合物例は特願昭61−1
95881号明[111に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。 電荷輸送物質としての次の一般式[I]又は[I]のス
チリル化合物が使用可能である。 −数式[I]: l (但、この−数式中、 R+R2:置換若しくは未置換のアルキル基、アリール
基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アミノ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。 Ar1.Ar2:置換若しくは未置換のアリール基を表
わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、置換
アミン基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を用いる
。 R3R4:置換若しくは未置換のアリール基、水素原子
を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、
置換アミン基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を用
いる。) 一般式[■]: (但、この−数式中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミン基、置換アミLL水M基、 R7=置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換の複素環基を表わす。)また、電荷輸送物質とし
て次の一般式[1[[]、%式%) シン化合物も使用可能である 一般式[■]: A「3:置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす。 ) 一般式[■]: (但、この−数式中、 R+2:@換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換の
複素環基を表し、 R+3.R14及びR15:水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置
換のアラルキル基を表す。) −数式[IVal: (但、この−数式中、 R8及びR9:それぞれ水素原子又はハロゲン原子、 Rto及びR11:それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 R’〕 (但、この−数式中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又は)工二ル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[IVbl (但、この−数式中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基;R21は水素原子、アル
キル基又はアルコキシB 、 R22及びR23は1δ
換若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリ
ール基からなる互いに同一の若しくは異なる塁を示す。 ) 一般式[■]: (但、この−数式中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換の7リール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコキシ基
又はシアノ基、S:0又は1の整数を表す。) また、電荷輸送物質として、次の一般式[Vl ]のピ
ラゾリン化合物も使用可能である。 −数式[■]: (但、この−数式中、 2:O又は1、 R26及びR27:置換若しくは未置換のアリール基、 R28:置換若しくは未置換のアリール基、若しくは複
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR3°は共に水素原子で
あることはなく、また前記2がOのときはR29は水素
原子ではない。)〕更に、次の一般式[Vl ]のアミ
ン誘導体も電荷輸送物質として使用できる。 一般式[■1: A R6:置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フルオレニル基、複素y1基を表し
、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子、水Ml、アリールオキシ基、アリール基、アミノ
基、ニトロ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナフチル
基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。但、置換
アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、アリー
ル基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物も電荷輸送物質として
使用できる。 一般式[■]: (但、この−数式中、 Ar4.Ar5:li置換若くは未置換のフェニル基を
表し、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アル
ケニル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる。 (但、この−数式中、 Ar’:置換又は未置換のアリーレン基を表し、R31
,R32,R羽及びR34:置換若しくは未置換のアル
キル基、置換若しくは未置換の7リール基、又は置換若
しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[rX]の化合物も電荷輸送物質とし
て使用できる。 一般式[IX]: (但、この−数式中、R35、R36、R37及びR3
Bは、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40のアルキル基、シクロアル4ニル基、アルケニル基
、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキルW(
(Ll、RJ9とR40どが共同して炭素原子数3〜1
0の飽和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもJ:
い。)R41、R42、R43及びR44は、それぞれ
水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しく
は未置換のアルキル基、シクロアルキル塁、アルケニル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミン
基、アルキルアミノ基又はアリールアミノ基である。] 本発明の電子写真感光体に用いられる導電性支持体とし
ては、合金を含めた金属板、金属ドラムまたは導電性ポ
リマー、酸化インジウム等の導電性化合物や合金を含め
たアルミニウム、パラジウム、金等の金H薄層を塗布、
蒸着あるいはラミネートして、導電性化された紙、プラ
スチックフィルム等が挙げられる。接着層あるいはバリ
ヤ層などの中間層としては、前記バインダー樹脂として
用いられる高分子重合体のほか、ポリビニルアルコール
、エチルセルロ−ス ロース ニウムなどが用いられる。 [実施例] 次に実施例によって本発明を説明するが、これらによっ
て本発明が限定されるものではない。 比較例1 網を設置していない以外は第1図と同様な装置を用い、
市販の多環牛ノン系顔料である4、10−ジブロムアン
トアントロン(Monolite Red2Y IC
1社製、 C,I 、 No、59300 )を装置内
に配置したグラファイト製の昇華ボートに充填し、装置
内部を所望の真空度にし、温度350℃で5分間昇華せ
しめ、昇華ボートの40cn+上方に配置した回収板上
に沈着させた。斯くして得られた昇華精製顔料(I>の
30aを1.2−ジクロロエタン10001Q中に加え
て48vf間ボールミルにより分散を行なって電荷発生
層形成用塗布液を得た。 次にアルミドラムに厚さ0.1μmの塩化ビニル−酢酸
ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂より成る中間層を
浸漬塗布にて形成し、その後、前記電荷発生層形成用塗
布層を浸漬塗布にて厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成
した。 一方、4−メチル−4’−((1−クロロスチリル)ト
リフェニルアミン100gと2.4.6−ドリニトロー
1−クロルベンゼン0,1Qとポリカーボネー1〜樹脂
[パンライトL−12504(余人化成社製) 130
CIとを1.2−ジクロルエタン100100Oの溶剤
中に溶解せしめ、電荷輸送層形成用塗布層を浸漬塗布し
、温度90℃で1時間乾燥させて厚さ14μlの電荷輸
送層を形成し、比較の電子写真感光体(試料No、1)
を作製した。 実施例1 前記多環キノン系顔料4,10−ジブロムアントアント
ロン(MonoliteRed 2Y ICI社製
、 C,1,No、59300 )を第1図の昇華精製
装置内に配置したグラファイト製の昇華ボートに充填し
、装置内部を所望の真空度にし、温度350℃で5分間
昇華せしめ、昇華ボートの4QCIIl上方に配置した
回収板上に沈着させた。ただし位置Aに置かれた網の目
の大きさは30メツシュのステンレス製である。斯くし
て得られた精製顔料(II)を用いて、比較例1と全く
同様にして厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成した。ま
た比較例1と全く同様にして厚さ14ミクロンの電荷輸
送層を形成し、本発明の電子写真感光体(試料No、2
)を作製した。 実施例2 前記多環キノン系顔料4,10−ジブロムアントアント
ロン(MonoliteRed 2Y ICI社製
、 C,I 、 NO,59300)を第2図の昇華精
製装置内に配置したグラファイト製の昇華ボートに充填
し、装置内部を所望の真空度にし、温度350℃で5分
間昇華せしめ、昇華ボートの40co+上方に配置した
回収板上に沈着させた。ただし位置Bに置かれた網の目
の大きさは30メツシュのステンレス製である。斯くし
て得られた精製顔料(I[[)を用いて、比較例1と全
く同様にして厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成した。 また比較例1と全く同様にして厚さ14ミ・クロンの電
荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体(試料N・
0.3)を作製した。 実施例3・比較例2 前記多環キノン系顔料4,10−ジブロムアント7ント
oン(Monolite Red 2Y I CI
社製、 C,I 、 No、59300 )を第2図の
昇華精製装置内に配置したグラファイト製の昇華ボート
に充填し、装置内部を所望の真空度にし、温度350℃
で5分間昇華せしめ、昇華ボートの4Qcm上方に配置
した回収板上に沈着させた。ただし位it!Bに置かれ
た網の目の大きさはそれぞれ25 、 200゜400
、 500メツシュのステンレス製である。斯くして得
られたそれぞれの精製顔料を用いて、比較例1と全く同
様にして厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成した。また
比較例1と全く同様にして厚さ14ミクロンの電荷輸送
層を形成し、本発明及び比較の電子写真感光体(試料N
014〜7)を作製した。 以上の比較例1並びに実施例1及び2の昇華精製で得ら
れた精製顔料(I)〜(I[I)の重さを測定し、回収
率を調べた。結果は表−1に示す通りである。 また、実施例2及び3並びに比較例1及び2で得られた
感光体試料NO,1,3〜7をエレクトロメーターr
S P −428型」 (川口電機製作所製)に装着し
、帯電器放!糧に対する印加電圧を一6KVとして5秒
間帯電操作を行ない、この帯電操作直後における感光層
表面の帯電電位Vo(V)とこの帯電を終了した後5秒
後の値V1から初期値Voに対する暗減衰の暗減衰率(
DO)と、その後の光照射により帯電電位が500Vか
ら50Vまで減衰するのに必要な照射光IEr (lu
x −sec )とを測定した。結果は表−2に示す通
りである。 更に感光体試料No、1.3〜7を乾式電子複写el
rU−Bix 1200 J (コニカ側製)に装着
して複写操作を行ない、解像力チャート(11ml当た
りの本数)による解像力評価と白地部の地力ブリについ
て評価を行なった。解像力評価は5倍のルーペにより目
視判断を行なった。また、白地部の地力ブリについての
評価は反tI411度計(5AKtlRADENSIT
OHETEII PDA 65 )を用いて測定し、
測定値0.01以下を極めて低い(○)、0.02をや
や高い(X)、0.03以上を高い(X)と判定し表−
1かられかるように網を設けることによって精製顔料の
回収率を上げることができ、ヒーターと原料との間の位
置Bに網を置いて昇華精製を行なった時、昇華精製顔料
の回収率は特に高い値を示した。 また、表−2かられかるように昇華ボートに30〜40
Gメツシュの網を置いて昇華精製を行なった場合、この
顔料を用いた感光体は、暗減衰、感度等の電子写真特性
において満足のいく値が得られた。 さらに、表−2かられかるように昇華ボートに30〜4
00メツシュの網を置いて昇華精製を行なった場合、こ
の顔料を用いた感光体は、解像力、カブリ等の画像特性
においても満足のいく値が得られた。 なお、暗減衰、感度、解像力、カブリ等の評価について
は網位1tAでも行なったが、網位IBで行なった結果
と同様の結果が得られた。 [発明の効果] 以上詳細に述べたように、本発明により電子写真複写機
、プリンター等に適した分光感度特性を有し、かつ電子
写真特性及び画像特性の優れた電子写真感光体を提供す
ることができた。また、そのために必要とされる純度の
高い多環牛ノン系顔料を効率良く得るための昇華精製方
法についての検討もなされ、良好な結果が得られた。
ることができるが、市販品として入手することもできる
。 電子写真感光体の構成は種々の形態が知られているが、
本発明の電子写真感光体はそれらのいずれの形態をもと
り得る。 通常は、第3図〜第8図の形態である。第3図及び第4
図では、導電性支持体6上に前述の多環キノン系顔料を
含有する電荷発生層7と、後述する電荷輸送物質を主成
分として含有する電荷輸送層8との81層体より成る感
光層9を設けており、第3図と第′4図では、電荷発生
層7と電荷輸送18の積層順が異なる。第5図及び第6
図に示すようにこの感光19は、導電性支持体上に、接
着層、バリア層などの中間PJ10を介して設けてもよ
い。 このように感光層9を二層構成としたときに最も優れた
電子写真特性を有する感光体が得られる。 また本発明においては、第7図および第8図に示すよう
に前記多環キノン系顔料を電荷輸送物質を含有する層1
1中に分散せしめて成る感光層9を導電性支持体6上に
直接、あるいは中間!510を介して設けてもよい。ま
た本発明にお(■ては、最外層として保護層を設けても
よい。 二層構成の感光層9を構成する電荷発生層7は導電性支
持体6、もしくは電荷輸送層8上に直接、あるいは必要
に応じて接着層もしくはバリヤ層などの中間1ii10
を設けた上に例えば次の方法によって形成することがで
きる。 M−1)多環キノン系顔料を適当な溶媒に溶解した溶液
を、あるいは必要に応じてバインダー樹脂を加え混合溶
解した溶液を塗布する方法。 M−2)多環キノン系化合物をボールミル、ホモミキサ
等によって分散媒中で微細粒子(好ましくは粒径5μm
以下、更に好ましくは1μm以下)とし、必要に応じて
バインダー樹脂を加え混合分散した分散液を塗布する方
法。 また、この多環キノン系顔料は他の電荷発生物質と併用
して電荷発生層を形成してもよい。 電荷発生層の形成に使用される溶媒あるいは分散媒とし
ては、n−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレンジ
アミン、イソプロパツールアミン、トリエタノールアミ
ン、トリエチレンジアミン、N、N−ジメチルホルムア
ミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、1
.2−ジクロロエタン、1,2−ジクロロプロパン、1
゜1.2−トリクロロエタン、1.1.1−1〜リクロ
ロエタン、トリクロロエチレン、テトラクロロエタン、
ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、メ
タノール、エタノール、イソプロパツール、酢酸エチル
、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド、メチルセロソル
ブ等が挙げられる。 また、電荷輸送層は上記電荷発生層と同様にして形成す
ることができる。 電荷発生層あるいは電荷輸送層の形成に用いられるバイ
ンダー樹脂は任意のものを用いることができるが、疎水
性で、かつ誘電率が高く、電気絶縁性のフィルム形成性
高分子重合体を用いるのが好ましい。このような高分子
重合体としては、例えば次のものを挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。 P−1)ポリカーボネート P−2)ポリエステル P−3)メタクリル酸 P−4)アクリル樹脂 P−5)ポリ塩化ビニル P−6)ポリ塩化ビニリデン P−7)ポリスチレン P−8)ポリビニルアセテート P−9)スチレン−ブタジェン共重合体p −io)塩
化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体 p−11)塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体P−12>
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 P −13)シリコン樹脂 P −14)シリコン−アルキッド樹脂P −Is)フ
ェノールホルムアルデヒド樹脂p −16)スチレン−
アルキッド樹脂p −17)ポリ−N−ビニルカルバゾ
ールp −18)ポリビニルブチラール p −19)ポリビニルフォルマール これらのバインダー樹脂は、単独であるいは2種以上の
混合物として用いることができる。 以上のようにして形成される電荷発生層において、多環
キノン系顔料とバインダーとの重量比は好ましくは10
0:O〜1000である。電荷発生物質の含有割合がこ
れより少ないと光感度が低く、残留電位の増加を招き、
またこれより多いと暗減衰及び受容電位が低下する。 形成される電荷発生層の膜厚は、好ましくは0.01〜
10μmである。 また、前記のようにして形成される電荷輸送層において
、電荷輸送物質は電荷輸送層中のバインダー樹脂100
重量部当り20〜200重量部が好ましく、特に好まし
くは30〜150重量部である。 また、形成される電荷輸送層の厚さは、好ましくは5〜
50μm、特に好ましくは5〜30μmである。 本発明で使用する電荷輸送物質は、カルバゾール誘導体
、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チア
ゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘
導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、イミ
ダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、スチリ
ル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘導体、オキ
サシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミ
ダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフランX
1体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノス
チルベン誘導体、トリアリールアミン誘導体、フェニレ
ンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−
ビニルアントラセン等から選ばれた一種又は二種以上で
あってよい。 かかる電荷輸送物質の具体的化合物例は特願昭61−1
95881号明[111に記載されている。以下にその
一般式を掲げる。 電荷輸送物質としての次の一般式[I]又は[I]のス
チリル化合物が使用可能である。 −数式[I]: l (但、この−数式中、 R+R2:置換若しくは未置換のアルキル基、アリール
基を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アミノ基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を
用いる。 Ar1.Ar2:置換若しくは未置換のアリール基を表
わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、置換
アミン基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を用いる
。 R3R4:置換若しくは未置換のアリール基、水素原子
を表わし、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、
置換アミン基、水酸基、ハロゲン原子、アリール基を用
いる。) 一般式[■]: (但、この−数式中、 R5:置換若しくは未置換のアリール基、R6:水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換のアルキル基、
アルコキシ基、アミン基、置換アミLL水M基、 R7=置換若しくは未置換のアリール基、置換若しくは
未置換の複素環基を表わす。)また、電荷輸送物質とし
て次の一般式[1[[]、%式%) シン化合物も使用可能である 一般式[■]: A「3:置換若しくは未置換のアリーレン基を表わす。 ) 一般式[■]: (但、この−数式中、 R+2:@換若しくは未置換のアリール基、置換若しく
は未置換のカルバゾリル基、又は置換若しくは未置換の
複素環基を表し、 R+3.R14及びR15:水素原子、アルキル基、置
換若しくは未置換のアリール基、又は置換若しくは未置
換のアラルキル基を表す。) −数式[IVal: (但、この−数式中、 R8及びR9:それぞれ水素原子又はハロゲン原子、 Rto及びR11:それぞれ置換若しくは未置換のアリ
ール基、 R’〕 (但、この−数式中、 R16:メチル基、エチル基、2−ヒドロキシエチル基
又は2−クロルエチル基、 R17:メチル基、エチル基、ベンジル基又は)工二ル
基、 R18:メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル
基を示す。) 一般式[IVbl (但、この−数式中、R19は置換若しくは未置換のナ
フチル基;R20は置換若しくは未置換のアルキル基、
アラルキル基又はアリール基;R21は水素原子、アル
キル基又はアルコキシB 、 R22及びR23は1δ
換若しくは未置換のアルキル基、アラルキル基又はアリ
ール基からなる互いに同一の若しくは異なる塁を示す。 ) 一般式[■]: (但、この−数式中、 R24:置換若しくは未置換のアリール基又は置換若し
くは未置換の複素環基、 R25:水素原子、置換若しくは未置換のアルキル基又
は置換若しくは未置換の7リール基、Q:水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、アルコキシ基
又はシアノ基、S:0又は1の整数を表す。) また、電荷輸送物質として、次の一般式[Vl ]のピ
ラゾリン化合物も使用可能である。 −数式[■]: (但、この−数式中、 2:O又は1、 R26及びR27:置換若しくは未置換のアリール基、 R28:置換若しくは未置換のアリール基、若しくは複
素環基、 R29及びR30:水素原子、炭素原子数1〜4のアル
キル基、又は置換若しくは未置換のアリール基若しくは
アラルキル基(但、R29及びR3°は共に水素原子で
あることはなく、また前記2がOのときはR29は水素
原子ではない。)〕更に、次の一般式[Vl ]のアミ
ン誘導体も電荷輸送物質として使用できる。 一般式[■1: A R6:置換若しくは未置換のフェニル基、ナフチル
基、アントリル基、フルオレニル基、複素y1基を表し
、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン
原子、水Ml、アリールオキシ基、アリール基、アミノ
基、ニトロ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ナフチル
基、アンスリル基及び置換アミノ基を用いる。但、置換
アミノ基の置換基としてアシル基、アルキル基、アリー
ル基、アラルキル基を用いる。) 更に、次の一般式[■]の化合物も電荷輸送物質として
使用できる。 一般式[■]: (但、この−数式中、 Ar4.Ar5:li置換若くは未置換のフェニル基を
表し、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アル
ケニル基、ニトロ基、アルコキシ基を用いる。 (但、この−数式中、 Ar’:置換又は未置換のアリーレン基を表し、R31
,R32,R羽及びR34:置換若しくは未置換のアル
キル基、置換若しくは未置換の7リール基、又は置換若
しくは未置換のアラルキル基を表す。) 更に、次の一般式[rX]の化合物も電荷輸送物質とし
て使用できる。 一般式[IX]: (但、この−数式中、R35、R36、R37及びR3
Bは、それぞれ水素原子、置換若しくは未置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、
ベンジル基又はアラルキル基、R39及びR40は、そ
れぞれ水素原子、置換若しくは未置換の炭素原子数1〜
40のアルキル基、シクロアル4ニル基、アルケニル基
、シクロアルケニル基、アリール基又はアラルキルW(
(Ll、RJ9とR40どが共同して炭素原子数3〜1
0の飽和若しくは不飽和の炭化水素環を形成してもJ:
い。)R41、R42、R43及びR44は、それぞれ
水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しく
は未置換のアルキル基、シクロアルキル塁、アルケニル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アミン
基、アルキルアミノ基又はアリールアミノ基である。] 本発明の電子写真感光体に用いられる導電性支持体とし
ては、合金を含めた金属板、金属ドラムまたは導電性ポ
リマー、酸化インジウム等の導電性化合物や合金を含め
たアルミニウム、パラジウム、金等の金H薄層を塗布、
蒸着あるいはラミネートして、導電性化された紙、プラ
スチックフィルム等が挙げられる。接着層あるいはバリ
ヤ層などの中間層としては、前記バインダー樹脂として
用いられる高分子重合体のほか、ポリビニルアルコール
、エチルセルロ−ス ロース ニウムなどが用いられる。 [実施例] 次に実施例によって本発明を説明するが、これらによっ
て本発明が限定されるものではない。 比較例1 網を設置していない以外は第1図と同様な装置を用い、
市販の多環牛ノン系顔料である4、10−ジブロムアン
トアントロン(Monolite Red2Y IC
1社製、 C,I 、 No、59300 )を装置内
に配置したグラファイト製の昇華ボートに充填し、装置
内部を所望の真空度にし、温度350℃で5分間昇華せ
しめ、昇華ボートの40cn+上方に配置した回収板上
に沈着させた。斯くして得られた昇華精製顔料(I>の
30aを1.2−ジクロロエタン10001Q中に加え
て48vf間ボールミルにより分散を行なって電荷発生
層形成用塗布液を得た。 次にアルミドラムに厚さ0.1μmの塩化ビニル−酢酸
ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂より成る中間層を
浸漬塗布にて形成し、その後、前記電荷発生層形成用塗
布層を浸漬塗布にて厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成
した。 一方、4−メチル−4’−((1−クロロスチリル)ト
リフェニルアミン100gと2.4.6−ドリニトロー
1−クロルベンゼン0,1Qとポリカーボネー1〜樹脂
[パンライトL−12504(余人化成社製) 130
CIとを1.2−ジクロルエタン100100Oの溶剤
中に溶解せしめ、電荷輸送層形成用塗布層を浸漬塗布し
、温度90℃で1時間乾燥させて厚さ14μlの電荷輸
送層を形成し、比較の電子写真感光体(試料No、1)
を作製した。 実施例1 前記多環キノン系顔料4,10−ジブロムアントアント
ロン(MonoliteRed 2Y ICI社製
、 C,1,No、59300 )を第1図の昇華精製
装置内に配置したグラファイト製の昇華ボートに充填し
、装置内部を所望の真空度にし、温度350℃で5分間
昇華せしめ、昇華ボートの4QCIIl上方に配置した
回収板上に沈着させた。ただし位置Aに置かれた網の目
の大きさは30メツシュのステンレス製である。斯くし
て得られた精製顔料(II)を用いて、比較例1と全く
同様にして厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成した。ま
た比較例1と全く同様にして厚さ14ミクロンの電荷輸
送層を形成し、本発明の電子写真感光体(試料No、2
)を作製した。 実施例2 前記多環キノン系顔料4,10−ジブロムアントアント
ロン(MonoliteRed 2Y ICI社製
、 C,I 、 NO,59300)を第2図の昇華精
製装置内に配置したグラファイト製の昇華ボートに充填
し、装置内部を所望の真空度にし、温度350℃で5分
間昇華せしめ、昇華ボートの40co+上方に配置した
回収板上に沈着させた。ただし位置Bに置かれた網の目
の大きさは30メツシュのステンレス製である。斯くし
て得られた精製顔料(I[[)を用いて、比較例1と全
く同様にして厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成した。 また比較例1と全く同様にして厚さ14ミ・クロンの電
荷輸送層を形成し、本発明の電子写真感光体(試料N・
0.3)を作製した。 実施例3・比較例2 前記多環キノン系顔料4,10−ジブロムアント7ント
oン(Monolite Red 2Y I CI
社製、 C,I 、 No、59300 )を第2図の
昇華精製装置内に配置したグラファイト製の昇華ボート
に充填し、装置内部を所望の真空度にし、温度350℃
で5分間昇華せしめ、昇華ボートの4Qcm上方に配置
した回収板上に沈着させた。ただし位it!Bに置かれ
た網の目の大きさはそれぞれ25 、 200゜400
、 500メツシュのステンレス製である。斯くして得
られたそれぞれの精製顔料を用いて、比較例1と全く同
様にして厚さ1ミクロンの電荷発生層を形成した。また
比較例1と全く同様にして厚さ14ミクロンの電荷輸送
層を形成し、本発明及び比較の電子写真感光体(試料N
014〜7)を作製した。 以上の比較例1並びに実施例1及び2の昇華精製で得ら
れた精製顔料(I)〜(I[I)の重さを測定し、回収
率を調べた。結果は表−1に示す通りである。 また、実施例2及び3並びに比較例1及び2で得られた
感光体試料NO,1,3〜7をエレクトロメーターr
S P −428型」 (川口電機製作所製)に装着し
、帯電器放!糧に対する印加電圧を一6KVとして5秒
間帯電操作を行ない、この帯電操作直後における感光層
表面の帯電電位Vo(V)とこの帯電を終了した後5秒
後の値V1から初期値Voに対する暗減衰の暗減衰率(
DO)と、その後の光照射により帯電電位が500Vか
ら50Vまで減衰するのに必要な照射光IEr (lu
x −sec )とを測定した。結果は表−2に示す通
りである。 更に感光体試料No、1.3〜7を乾式電子複写el
rU−Bix 1200 J (コニカ側製)に装着
して複写操作を行ない、解像力チャート(11ml当た
りの本数)による解像力評価と白地部の地力ブリについ
て評価を行なった。解像力評価は5倍のルーペにより目
視判断を行なった。また、白地部の地力ブリについての
評価は反tI411度計(5AKtlRADENSIT
OHETEII PDA 65 )を用いて測定し、
測定値0.01以下を極めて低い(○)、0.02をや
や高い(X)、0.03以上を高い(X)と判定し表−
1かられかるように網を設けることによって精製顔料の
回収率を上げることができ、ヒーターと原料との間の位
置Bに網を置いて昇華精製を行なった時、昇華精製顔料
の回収率は特に高い値を示した。 また、表−2かられかるように昇華ボートに30〜40
Gメツシュの網を置いて昇華精製を行なった場合、この
顔料を用いた感光体は、暗減衰、感度等の電子写真特性
において満足のいく値が得られた。 さらに、表−2かられかるように昇華ボートに30〜4
00メツシュの網を置いて昇華精製を行なった場合、こ
の顔料を用いた感光体は、解像力、カブリ等の画像特性
においても満足のいく値が得られた。 なお、暗減衰、感度、解像力、カブリ等の評価について
は網位1tAでも行なったが、網位IBで行なった結果
と同様の結果が得られた。 [発明の効果] 以上詳細に述べたように、本発明により電子写真複写機
、プリンター等に適した分光感度特性を有し、かつ電子
写真特性及び画像特性の優れた電子写真感光体を提供す
ることができた。また、そのために必要とされる純度の
高い多環牛ノン系顔料を効率良く得るための昇華精製方
法についての検討もなされ、良好な結果が得られた。
第1図及び第2図はそれぞれ本発明の昇華精製方法を実
施するために用いられる装置の一例を示す断面図である
。 第3図〜第8図はそれぞれ本発明の感光体の構成例につ
いて示す断面図である。 1・・・回収板 2・・・昇華ボート3・・・原
料 4・・・ヒータ5・・・網 6
・・・導電性支持体7・・・電荷発生層 8・・・電
荷輸送層9・・・感光層 10・・・中間層11・
・・電荷輸送物質を特徴する
施するために用いられる装置の一例を示す断面図である
。 第3図〜第8図はそれぞれ本発明の感光体の構成例につ
いて示す断面図である。 1・・・回収板 2・・・昇華ボート3・・・原
料 4・・・ヒータ5・・・網 6
・・・導電性支持体7・・・電荷発生層 8・・・電
荷輸送層9・・・感光層 10・・・中間層11・
・・電荷輸送物質を特徴する
Claims (2)
- (1)多環キノン系顔料を30〜400メッシュの網を
設けた昇華ボート内で昇華精製することを特徴とする多
環キノン系顔料の昇華精製方法。 - (2)30〜400メッシュの網を設けた昇華ボート内
で昇華精製された多環キノン系顔料を感光層に含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16018888A JPH028252A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 多環キノン系顔料の昇華精製方法及び多環キノン系顔料を含有する電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16018888A JPH028252A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 多環キノン系顔料の昇華精製方法及び多環キノン系顔料を含有する電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH028252A true JPH028252A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15709724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16018888A Pending JPH028252A (ja) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | 多環キノン系顔料の昇華精製方法及び多環キノン系顔料を含有する電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH028252A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009031788A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-02-12 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、及び、画像形成方法 |
-
1988
- 1988-06-28 JP JP16018888A patent/JPH028252A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009031788A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-02-12 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 電子写真感光体、及び、画像形成方法 |
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