JPH0280396A - 砥粒及び砥粒へのダイヤモンド析出合成方法 - Google Patents
砥粒及び砥粒へのダイヤモンド析出合成方法Info
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- JPH0280396A JPH0280396A JP63232933A JP23293388A JPH0280396A JP H0280396 A JPH0280396 A JP H0280396A JP 63232933 A JP63232933 A JP 63232933A JP 23293388 A JP23293388 A JP 23293388A JP H0280396 A JPH0280396 A JP H0280396A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
現在、硬度が比較的硬いセラミックス、超鋼等の研削、
ラッピングには、天然または人口ダイヤモンドや、炭化
ケイ素（Ｓｉ Ｃ）等の砥粒が使われている。本発明は
、７この研削、ラッピング等に使われる砥粒に関するも
のである。
ラッピングには、天然または人口ダイヤモンドや、炭化
ケイ素（Ｓｉ Ｃ）等の砥粒が使われている。本発明は
、７この研削、ラッピング等に使われる砥粒に関するも
のである。
本発明は、炭化ケイ素（Ｓｉ Ｃ）等の砥粒表面にダイ
ヤモンドを均一に析出合成することにより、従来のダイ
ヤモンド砥粒とほぼ同等の性能を持つ砥粒を、粒径の大
きいものから小さいものまで安価に提供するものである
。
ヤモンドを均一に析出合成することにより、従来のダイ
ヤモンド砥粒とほぼ同等の性能を持つ砥粒を、粒径の大
きいものから小さいものまで安価に提供するものである
。
従来、研削、ラッピングにはダイヤモンドや炭化ケイ素
（ＳｉＣ）等の砥粒が使われている。研削能率は、硬度
の高い方が良く、物質中最高硬度を存するダイヤモンド
の砥粒の方が他の砥粒よりも良い。
（ＳｉＣ）等の砥粒が使われている。研削能率は、硬度
の高い方が良く、物質中最高硬度を存するダイヤモンド
の砥粒の方が他の砥粒よりも良い。
ダイヤモンド砥粒には、高圧法による人口のものと天然
のものとがあるが、粒径が太き（なるにつけ高価になる
という問題点があった。炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、粒径
が大きくてもダイヤモンドに比べ安価であるが、硬度が
低く大きな研削能率を得ることができないという欠点が
あった。
のものとがあるが、粒径が太き（なるにつけ高価になる
という問題点があった。炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、粒径
が大きくてもダイヤモンドに比べ安価であるが、硬度が
低く大きな研削能率を得ることができないという欠点が
あった。
そこで本発明は、従来のこのような問題点を解決するこ
と、すなわち、研削能率の良い砥粒を大きいものから小
さなものまで安価に得ることを目的とする。
と、すなわち、研削能率の良い砥粒を大きいものから小
さなものまで安価に得ることを目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は、安価に得られ
る炭化ケイ素等の砥粒表面に、気相合成法でダイヤモン
ドを析出合成させた。
る炭化ケイ素等の砥粒表面に、気相合成法でダイヤモン
ドを析出合成させた。
また、砥粒表面に均一に析出合成を行なうため、加振機
の振動を加振棒、支持棒と伝え、ホルダーを振動させた
。そしてホルダーの上に叔セである被着体の砥粒が、ホ
ルダーの振動により横ずれでなく転がるようにさせるた
め、ホルダーの上部表面を凹凸の加工を施したり、また
はメソシュをホルダーの上に敷いたりした。
の振動を加振棒、支持棒と伝え、ホルダーを振動させた
。そしてホルダーの上に叔セである被着体の砥粒が、ホ
ルダーの振動により横ずれでなく転がるようにさせるた
め、ホルダーの上部表面を凹凸の加工を施したり、また
はメソシュをホルダーの上に敷いたりした。
上記の方法で、ダイヤモンドを炭化ケイ素（ＳｉＣ）等
の安価な砥粒に均一に析出合成させることによって、従
来のダイヤモンド砥粒とほぼ同等の性能を持つ砥粒を安
価に得ることができる。
の安価な砥粒に均一に析出合成させることによって、従
来のダイヤモンド砥粒とほぼ同等の性能を持つ砥粒を安
価に得ることができる。
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
ダイヤモンドを析出合成するための気相合成法としては
、プラズマＣＶＤ法（特開昭５８−１１０４９４号）、
熱ＣＶＤ法（特開昭５８−１５６５９４号）、光ＣＶＤ
法、イオンビーム法、イオン化薄着法、スパック法等が
あるが、いずれを用いても良く、−例としてプラズマＣ
ＶＤ法を用いた実施例について以下に説明する。
、プラズマＣＶＤ法（特開昭５８−１１０４９４号）、
熱ＣＶＤ法（特開昭５８−１５６５９４号）、光ＣＶＤ
法、イオンビーム法、イオン化薄着法、スパック法等が
あるが、いずれを用いても良く、−例としてプラズマＣ
ＶＤ法を用いた実施例について以下に説明する。
第１図は本発明によるダイヤモンド析出合成装置の一実
施例を示す概略図である。
施例を示す概略図である。
本装置は、反応管１０の上部から原料ガス（Ｈ２＋ＣＨ
ｍ）が導入され、下部からロータリーポンプ６で排気さ
れる。反応室９には、被着体の砥粒を載せてあるホルダ
ー３が、支持棒２で設置される。反応室９には、導波管
８によりマイクロ波発振機７で発振されたマイクロ波が
入射され、ホルダー３の周囲に球形のプラズマが発生す
る。本実施例のダイヤモンド析出合成条件を表１に示す
。
ｍ）が導入され、下部からロータリーポンプ６で排気さ
れる。反応室９には、被着体の砥粒を載せてあるホルダ
ー３が、支持棒２で設置される。反応室９には、導波管
８によりマイクロ波発振機７で発振されたマイクロ波が
入射され、ホルダー３の周囲に球形のプラズマが発生す
る。本実施例のダイヤモンド析出合成条件を表１に示す
。
表１ ダイヤモンド析出合成条件の一例次に振動機構に
ついて説明する。加振機１は、加振棒１２を介して、外
から反応管１０の壁を通して支持棒２に接触させておく
、加振棒１２を通ずためのチャンバーの穴には、０リン
グを設置しておき、加振棒１２の振動でリークが無いよ
うにしておく。
ついて説明する。加振機１は、加振棒１２を介して、外
から反応管１０の壁を通して支持棒２に接触させておく
、加振棒１２を通ずためのチャンバーの穴には、０リン
グを設置しておき、加振棒１２の振動でリークが無いよ
うにしておく。
加振機１で加振棒１２を振動させると、支持棒２が振動
し、さらにホルダー３が振動する機構にした。
し、さらにホルダー３が振動する機構にした。
次に、ホルダー３の振動によりホルダー３上の砥粒１１
が、横ずれなく転がるようにさせた工夫について説明す
る。第２図は、ホルダーの上部表面に凹凸の加工を施し
たものである。第３図は、ホルダーの上部にメツシュ（
＃２４〜＃６０）を載せた場合の図である。このような
工夫をすることにより、ホルダー３が振動することによ
って、砥粒１１を十黄ずれなく転がすことができた。
が、横ずれなく転がるようにさせた工夫について説明す
る。第２図は、ホルダーの上部表面に凹凸の加工を施し
たものである。第３図は、ホルダーの上部にメツシュ（
＃２４〜＃６０）を載せた場合の図である。このような
工夫をすることにより、ホルダー３が振動することによ
って、砥粒１１を十黄ずれなく転がすことができた。
析出合成開始後、約１５分おきに１分ずつホルダー３を
振動させる操作を行った。約４時間経過後に析出合成を
停止し、砥粒１１を走査型電子顕微鏡で観察したところ
、砥粒表面に均一にダイヤモンドが析出していることを
確認できた。
振動させる操作を行った。約４時間経過後に析出合成を
停止し、砥粒１１を走査型電子顕微鏡で観察したところ
、砥粒表面に均一にダイヤモンドが析出していることを
確認できた。
上述の如く、本発明によれば従来のダイヤモンド砥粒と
ほぼ同等の性能を有する砥粒を大きいものから小さいも
のまで安価に提供できる。
ほぼ同等の性能を有する砥粒を大きいものから小さいも
のまで安価に提供できる。
第１図は本発明によるダイヤモンド析出合成装置の一実
施例を示す概略図、第２図は本発明によるホルダーの一
実施例を示す断面図、第３図は本発明によるホルダーの
他の実施例を示す断面図である。 １・・・加振機 ２・・・支持棒 ３・・・ホルダー ４・・・１■２ガスボンへ ５・・・Ｃ１１４ガスポンへ ６・・・ロータリーポンプ ７・・・マイクロ波発振機 ８・・・導波管 ９・・・反応室 １０・・・反応管 １１・・・砥粒 １２・・・加振棒 １３・・・メツシュ 以上
施例を示す概略図、第２図は本発明によるホルダーの一
実施例を示す断面図、第３図は本発明によるホルダーの
他の実施例を示す断面図である。 １・・・加振機 ２・・・支持棒 ３・・・ホルダー ４・・・１■２ガスボンへ ５・・・Ｃ１１４ガスポンへ ６・・・ロータリーポンプ ７・・・マイクロ波発振機 ８・・・導波管 ９・・・反応室 １０・・・反応管 １１・・・砥粒 １２・・・加振棒 １３・・・メツシュ 以上
Claims (4)
- （１）砥粒表面に気相合成法によりダイヤモンド膜を析
出合成させる方法において、 前記砥粒を載せてあるホルダーを振動させて、前記砥粒
を回転させ、前記砥粒表面に均一なダイヤモンド膜を析
出合成させる砥粒へのダイヤモンド析出合成方法。 - （２）前記ホルダーの上部表面に凹凸を形成し、前記ホ
ルダーの振動による前記砥粒の横ずれを防止した事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の砥粒へのダイヤモ
ンド析出合成法。 - （３）前記ホルダーの上部表面にメッシュを配置し、前
記ホルダーの振動による前記砥粒の横ずれを防止した事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の砥粒へのダイ
ヤモンド析出合成方法。 - （４）セラミックス、超鋼等の研削、ラッピングに用い
られる砥粒において、炭化けい素等で形成される砥粒表
面にダイヤモンド膜を被覆した事を特徴とする砥粒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232933A JPH0280396A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 砥粒及び砥粒へのダイヤモンド析出合成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232933A JPH0280396A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 砥粒及び砥粒へのダイヤモンド析出合成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280396A true JPH0280396A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=16947125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232933A Pending JPH0280396A (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 砥粒及び砥粒へのダイヤモンド析出合成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0280396A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012164767A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1988
- 1988-09-16 JP JP63232933A patent/JPH0280396A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012164767A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-06 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JPWO2012164767A1 (ja) * | 2011-05-27 | 2014-07-31 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
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