JPH0279448A - 半導体チツプのパツケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野１ この発明は、半導体チップのパッケージに係り、特に、
ハーメチックシールカバーにより密封するようにした半
導体チップのパッケージの改良に関する。 （従来の技術］ 半導体チップのパッケージ構造の一種として、第４図に
示されるようなセラミックパッケージがある。 このセラミックパッケージは、セラミック基板１の開口
内に半導体素子４を配置し、この半導体素子４の周囲に
カバー取付は用のメタライズ層３を形成し、このメタラ
イズ層３にシールリング５を介して金属製シールカバー
６を溶着したものであり、このシールカバー６の取付は
工程を一般にハーメチックシールと称している。 ここで、前記シールリング５は僅か５０μ−程度の厚さ
で極めて扱い難く、且つ僅かな振動で位置ずれを生じる
ためにメタライズ層３及びシールカバー６との位置ずれ
が生じ易いという問題点がある。 これに対して、例えば特開昭６２−２８２４５０号公報
には第５図に示されるように、受は台８上面に形成され
た凹部７内に前記シールカバー６及びシールリング５を
この順で載置し、超音波工具ホーン９によって超音波振
動を印加し、シールリング５の材料である合余ろう材の
融点よりも低い温度で両者を加圧接合し、しかる後に第
４図に示されるメタライズ層３にシールリング５の部分
を重ね合わせ溶着密封するものが開示されている。 ［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、上記特開昭６２−２８２４５０号公報に
開示される方法は、超音波工具ホーン９によってシール
カバー６とシールリング５を加圧接合する際に、該シー
ルリング５が薄く扱い難いものであるために、接合が不
均一になり易く、シール工程において欠陥が発生し易い
という問題点がある。 又、超音波によりシールカバーとシールリングを接合す
る工程が追加されることになり、製造コストの増大をも
らたすという問題点がある。 更に又、予めシールリングをシールカバーに接合したと
しても、シールカバーとメタライズ層との位置ずれを防
止するための手段がないために、位置ずれによるシール
不良が発生する恐れがあるという問題点があった。 （発明の目的１ この発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたもので
あって、シール工程に新たな工程を追加することなく、
又、加圧治具等でシールリングを押圧する必要がなくシ
ールリング及びシールカバーのメタライズ層に対する位
置決めを正確に行い、シールを確実にすることができる
ようにした半導体チップのパッケージを提供することを
目的とする。 【課題を解決するための手段］ この発明は、半導体チップを基板内に装着し、該基板上
のメタライズ層にシールリングを介してシールカバーを
取付け、半導体チップを密封してなる半導体チップのパ
ッケージにおいて、前記メタライズ層の前記シールリン
グが接合された接合面の周囲に、該シールリング及び前
記シールカバーの、接合面と平行方向の位置決めをする
固定構造を設けることにより上記目的を達成するもので
ある。 又、前記固定構造を、前記基板表面の前記接合面の周囲
に形成された段差とすることにより上記目的を達成する
ものである。 又、前記固定構造を、前記接合面の周囲に突設された枠
構造とすることにより上記目的を達成するものである。 【作用】 この発明において、メタライズ層のシールリング接合面
の周囲に、シールリング及びシールカバーの、接合面と
平行方向の位置決めをする固定構造を設けているので、
ハーメチックシールの過程でシールリング及びシールカ
バーの、メタライズ層に対するずれがなく、正確に且つ
容易にハーメチックシールを行うことができる。 又、この過程で、新たなシール工程を追加したり、他の
加圧治具を利用したりする必要がない。 【実施例１ 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 この実施例は、第１図及び第２図に示されるように、半
導体チップ（図示省略）をセラミック基板１０内に装着
し、該セラミック基板１０１のメタライズ層１２にシー
ルリング１４を介してシールカバー１６を取付け、半導
体チップを密封してなる半導体チップのパッケージにお
いて、前記メタライズＷ！Ｊ１２の前記シールリング１
４が接合される接合面１２Ａの周囲に、該シールリング
１４及び前記シールカバー１６の、接合面１２Ａと平行
方向の位置決めをする段差１８を設けたものである。 即ち、この実施例においては、メタライズ層１２の上面
（接合面１２Ａ）が、セラミック塞板１０の上面１０Ａ
から距離Ａだけ低くなるように、段差１８を形成したも
のである。 この段差１８により形成された凹部の大きさＢは、ハー
メチックシール時のシールリング１４の溶出を考慮して
、シールリング１４及びシールカバー１６の外径寸法よ
りも＋０，５〜１．０ｍｍ大きい値とする。 又、段差１８の寸法Ａは、シールリング１４とシールカ
バー１６の厚さの和と略等しくする。 例えば、シールリング１４を、１２ｍｍ角の開口を有す
る１５ｍｍ角、厚さ０．０５ｕのＡＵ　−８ｎ（Ｓｎ　
二２０ｗｔ％）の合金製とし、シールカバー１６は１５
ｍ１角、厚さ０．２５ｕのコバール等の金属板の全面に
厚さ２μｍの金めつき被膜を施したものとした場合、メ
タライズ層１２は１１１角の開口を有する外径１６ｍｍ
角の導電被膜とし、段差１８の段差寸法を０．３０ｕと
すればよい。 上記のようなシールリング１４及びシールカバー１６を
、段差１８の内側に落し込み、しかる後、ハーメチック
シールを行う。 本発明者の実験によれば、上記のような寸法のメタライ
ズ層１２、シールリング１４、シールカバー１６、及び
段差１８の構成で、シール条件をＮ２雰囲気中で、Ａｕ
−２０％３ｎ共晶合金の融点よりも高い３００℃とし、
シールカバー１６の押え治具を用いた場合及び用いない
場合のいずれの場合も１０〜１５秒でハーメチックシー
ル工程を完了した。 シール工程完了後のパッケージの外観検査によれば、い
ずれの場合もシールカバー１６の位置ずれがなく、又、
シールカバーの周縁部に均一にシールリング１４が溶出
していることが確認された。 又、シール完了後のパッケージについて１−１ｅガスを
トレーサガスとして用いる微量リークテストを行ったが
、シール不良は、シールカバー１６を押える治具の使用
の有無に拘わらず認められなかった。 なお、上記実施例は、シールリング１４及びシールカバ
ー１６の位置決め手段として、セラミック基板１０の上
１１ｉ７１ＯＡに形成された段差１日を利用したもので
あるが、本発明はこれに限定されるものでなく、メタラ
イズ層１２の接合面１２Ａに対してシールリング１４及
びシールカバー１６を該接合面１２Ａと平行方向に位置
決めできる固定構造であればよい。 従って、例えば第３図に示されるように、メタライズ層
２０に、接合面２ＯＡの周囲に突設された枠構造２０Ｂ
を一体的に形成するようにしてもよい。 更に、接合面の周囲に突設された枠構造の場合、該接合
面の全周に亘って突出させることなく、間欠的に突出さ
せるようにしてもよい。 ［発明の効果］ 本発明は、上記のように構成したので、メタライズ層に
対してシールリング及びシールカバーを特別の治具を用
いたり、新たな工程を追加することなく、容易確実にハ
ーメチックシールを行うことができるという優れた効果
を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体チップのパッケージを示す
分解斜視図、第２図は第１図の■−■線相当部分の断面
図、第３図は本発明の第２実施例を示す第２図と同様の
断面図、第４図は従来の半導体チップのパッケージ構造
を示す分解斜視図、第５図は他の従来のシールリングと
シールカバー接合工程を示す断面図である。 １０・・・セラミック基板、 １０Ａ・・・上面、 １２．２０・・・メタライズ層、 １２Ａ、２ＯＡ・・・接合面、 １４・・・シールリング、 １６・・・シールカバー、 １８・・・段差、 ２０Ｂ・・・枠構造。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体チップを基板内に装着し、該基板上のメタ
   ライズ層にシールリングを介してシールカバーを取付け
   、半導体チップを密封してなる半導体チップのパッケー
   ジにおいて、前記メタライズ層の前記シールリングが接
   合された接合面の周囲に、該シールリング及び前記シー
   ルカバーの、接合面と平行方向の位置決めをする固定構
   造を設けてなる半導体チップのパッケージ。
2. （２）前記固定構造は、前記基板表面の前記接合面の周
   囲に形成された段差である請求項１に記載の半導体チッ
   プのパッケージ。
3. （３）前記固定構造は、前記接合面の周囲に突設された
   枠構造である請求項１に記載の半導体チップのパッケー
   ジ。