JPH0277160A - ホトトライアック - Google Patents
ホトトライアックInfo
- Publication number
- JPH0277160A JPH0277160A JP63229171A JP22917188A JPH0277160A JP H0277160 A JPH0277160 A JP H0277160A JP 63229171 A JP63229171 A JP 63229171A JP 22917188 A JP22917188 A JP 22917188A JP H0277160 A JPH0277160 A JP H0277160A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gates
- rear side
- cathodes
- impurity
- Prior art date
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は光結合による半導体を用いたソリッドステート
リレーＣ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｒｅ１ａｙ）等に使
用されるホトトライアックの改良に関するものである。
リレーＣ５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｒｅ１ａｙ）等に使
用されるホトトライアックの改良に関するものである。
（従来の技術）
第２図は従来のホトトライアックの構造を示す略断面図
である。Ｎ型の半導体よりなるＮ基板１の表面には、第
１及び第２のアノード２，３、第１及び第２のカソード
６．７並びに第１及びｆｊＩＪ２のカン−ドロ、７のそ
れぞれを包囲する第１及び第２のＰゲート４，５等が形
成され、端子２０が第１のアノード２及び第２のカソー
ド７に接続され、端子２１が第２のアノード３及び＠ｌ
のカン−ドロの電極に接続されている。それら０表面は
Ｓｉ酸化膜９により覆われ、さらンこ保′Ｉ！に樹脂膜
ｌＯによって保護されている。他方の表面にはＮ＋拡散
層１２が形成され、ＢＳＦ構造として光電流を増加させ
ている。各アノードと各カソードとの接続は、Ｓ１酸化
膜ｌＯの上Ｖ（設けられたＡｔ配線によって行われる。
である。Ｎ型の半導体よりなるＮ基板１の表面には、第
１及び第２のアノード２，３、第１及び第２のカソード
６．７並びに第１及びｆｊＩＪ２のカン−ドロ、７のそ
れぞれを包囲する第１及び第２のＰゲート４，５等が形
成され、端子２０が第１のアノード２及び第２のカソー
ド７に接続され、端子２１が第２のアノード３及び＠ｌ
のカン−ドロの電極に接続されている。それら０表面は
Ｓｉ酸化膜９により覆われ、さらンこ保′Ｉ！に樹脂膜
ｌＯによって保護されている。他方の表面にはＮ＋拡散
層１２が形成され、ＢＳＦ構造として光電流を増加させ
ている。各アノードと各カソードとの接続は、Ｓ１酸化
膜ｌＯの上Ｖ（設けられたＡｔ配線によって行われる。
（発明が解決しようとする線菌）
従来の構造のホトトライアックにおいては、第１のアノ
ード２と第４のカン−ドロとの間が、導通状態から非導
通状態に変った瞬間に、第２のアノード３と第２のカソ
ード７との間に高電圧の順バイアスがかかった場合、Ｎ
ｌ板１中の正孔が第２のＰゲート５に注入され、赤外発
光ダイオード等による光電流によらずに、アノード８と
カソード７との間は非導通状態から導通状態へ移行し、
転流失敗する。
ード２と第４のカン−ドロとの間が、導通状態から非導
通状態に変った瞬間に、第２のアノード３と第２のカソ
ード７との間に高電圧の順バイアスがかかった場合、Ｎ
ｌ板１中の正孔が第２のＰゲート５に注入され、赤外発
光ダイオード等による光電流によらずに、アノード８と
カソード７との間は非導通状態から導通状態へ移行し、
転流失敗する。
アノード８とカソード７との間が導通状態より非導通状
態となった瞬間に、アノード２とカソード６との間に高
電圧の順バイアスがかかった場合も同様の現象が発生す
る。
態となった瞬間に、アノード２とカソード６との間に高
電圧の順バイアスがかかった場合も同様の現象が発生す
る。
（課題を解決するための手段）
本発明ｒ（おいては、前述の問題を解決するため、Ｎ基
板の裏面で第１及び第２０Ｐゲートの下方にＰ散拡散層
を設け、さらにＮ基板の裏面の全面に導電性の被膜を施
した。
板の裏面で第１及び第２０Ｐゲートの下方にＰ散拡散層
を設け、さらにＮ基板の裏面の全面に導電性の被膜を施
した。
（作用）
Ｎ基板とＮ基板裏面Ｖこ設けたＰ散拡散層との拡散電位
差により、Ｎ基板中の正孔をＰ散拡散層に吸収するから
、これらの正孔が第１又は第２のＰゲートに注入される
ことを防止し転流特性を改善する。また、Ｎ基板裏面に
全面に導電性の被膜を施し、Ｐ散拡散層に入った正孔が
Ｎ基板にもどらないように、Ｐ散拡散層をＮ生鉱散層と
短絡させる。
差により、Ｎ基板中の正孔をＰ散拡散層に吸収するから
、これらの正孔が第１又は第２のＰゲートに注入される
ことを防止し転流特性を改善する。また、Ｎ基板裏面に
全面に導電性の被膜を施し、Ｐ散拡散層に入った正孔が
Ｎ基板にもどらないように、Ｐ散拡散層をＮ生鉱散層と
短絡させる。
（実施例）
第１図は本発明によるホトトライアックの略断面図であ
る。ｗｊｚ図の従来例と同様の部分については同一の符
号で示されている。第２図と異なる所は、第１及び第２
のＰゲートの下方に、Ｎ基板１からＮ＋拡散層１２を貫
いて裏面に達するＰ型拡散Ｍ８を設け、さらに裏面全面
にわたり導電性被膜が設けられていることである。Ｎ基
板１は１０ ” ＣＭ−８程度の濃度で燐を不純物とし
て含むシリコンウェファであり、これの表面に硼素を不
純物として拡散し、第１及び第２のアノード２，８、並
に第１及び第２のＰゲート４，５を形成する。
る。ｗｊｚ図の従来例と同様の部分については同一の符
号で示されている。第２図と異なる所は、第１及び第２
のＰゲートの下方に、Ｎ基板１からＮ＋拡散層１２を貫
いて裏面に達するＰ型拡散Ｍ８を設け、さらに裏面全面
にわたり導電性被膜が設けられていることである。Ｎ基
板１は１０ ” ＣＭ−８程度の濃度で燐を不純物とし
て含むシリコンウェファであり、これの表面に硼素を不
純物として拡散し、第１及び第２のアノード２，８、並
に第１及び第２のＰゲート４，５を形成する。
この＠ｘ及びｖＪ２のＰゲート４．５の領域中に、更に
燐を不純物として拡散し、第１及び第２のカソード６．
７を形成する。それらの表面ＶｃＳｉ酸化膜９を設け、
これを貫いて＃５１及び第２の７ノード２，８のＭ、極
並に第１及び第２のカソード６゜７のＷ、極を設は各［
極に所望のＡｔ配線を行い、全面を保護樹脂膜１０で被
覆する。ＮＪｉｉ板１の裏面ＫｔｈｉＮ＋拡散／１１２
を形成し、これを貫いてＮ基板ｌに達するＰ型拡散層８
を第１及び第２のＰゲートの下方に設け、更に裏面に金
属蒸着又は導電性樹脂の塗布により導電性の被膜１１を
施す。
燐を不純物として拡散し、第１及び第２のカソード６．
７を形成する。それらの表面ＶｃＳｉ酸化膜９を設け、
これを貫いて＃５１及び第２の７ノード２，８のＭ、極
並に第１及び第２のカソード６゜７のＷ、極を設は各［
極に所望のＡｔ配線を行い、全面を保護樹脂膜１０で被
覆する。ＮＪｉｉ板１の裏面ＫｔｈｉＮ＋拡散／１１２
を形成し、これを貫いてＮ基板ｌに達するＰ型拡散層８
を第１及び第２のＰゲートの下方に設け、更に裏面に金
属蒸着又は導電性樹脂の塗布により導電性の被膜１１を
施す。
（発明の効果）
本発明は以上のような構造であるから、第１のアノード
２と第１のカソード６との間が導通状態から非導通状態
に変った瞬間に、第２のアノード８と第２のカソード７
との間忙高屯圧の順バイアスが印加された場合において
も、Ｎ基板１中の正孔は、Ｎ基板ｌとＰ散拡ｒｉＪｉ層
８の拡散電位差により、Ｐ型拡散層８に吸収され、転流
の失敗は防止され、トライアックの性態を向上すること
ができる。第２のアノード８と第２のカソード７との間
の導通状態が変化し、第４のアノード２と第１のカソー
ド６との間に高電圧の順バイアスが印加された場合につ
いても同様である。この様にしてＰ型拡散層８によって
捕捉された正孔は、Ｐ型拡散層８とＮ生鉱散層１２が導
電性の被膜１１によって短絡されているからＮ４板１に
戻ることを防止し転流の失敗をさらに発生し難くする。
２と第１のカソード６との間が導通状態から非導通状態
に変った瞬間に、第２のアノード８と第２のカソード７
との間忙高屯圧の順バイアスが印加された場合において
も、Ｎ基板１中の正孔は、Ｎ基板ｌとＰ散拡ｒｉＪｉ層
８の拡散電位差により、Ｐ型拡散層８に吸収され、転流
の失敗は防止され、トライアックの性態を向上すること
ができる。第２のアノード８と第２のカソード７との間
の導通状態が変化し、第４のアノード２と第１のカソー
ド６との間に高電圧の順バイアスが印加された場合につ
いても同様である。この様にしてＰ型拡散層８によって
捕捉された正孔は、Ｐ型拡散層８とＮ生鉱散層１２が導
電性の被膜１１によって短絡されているからＮ４板１に
戻ることを防止し転流の失敗をさらに発生し難くする。
ｆ４ｒ１図は本発明の一実施例の略断面図、第２図は従
来例の略断面図である。
来例の略断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の導電型の半導体基板の一方の面に設けられた
第２の導電型の第１及び第２のゲートの下方の前記の半
導体基板の他方の面に第２の導電量の拡散層を設けたホ
トトライアック。 ２、第１の導電型の半導体基板の他方の面に導電性の被
膜を施した請求項１記載のホトトライアック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229171A JPH0277160A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ホトトライアック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63229171A JPH0277160A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ホトトライアック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0277160A true JPH0277160A (ja) | 1990-03-16 |
Family
ID=16887901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63229171A Pending JPH0277160A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | ホトトライアック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0277160A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315603A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Sharp Corp | フォト・トライアック |
| JP2008516837A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | シンガポール エアラインズ リミテッド | 読書灯を備えた表示モニタを有する航空機座席 |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP63229171A patent/JPH0277160A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05315603A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Sharp Corp | フォト・トライアック |
| JP2008516837A (ja) * | 2004-10-14 | 2008-05-22 | シンガポール エアラインズ リミテッド | 読書灯を備えた表示モニタを有する航空機座席 |
| JP4870676B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2012-02-08 | シンガポール エアラインズ リミテッド | 読書灯を備えた表示モニタを有する航空機座席 |
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