JPH0273975A - 高密着性ダイヤモンド被覆焼結体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、超硬合金に代表されるような炭化タングステ
ンを１７成分とする焼結体の表面にダイヤモンド及び／
又はダイヤ干〕Ｉド状カーボンの被膜を形成した。例え
ば切削工具用材料、耐摩耗［具用材料又は装飾用材料な
どに適する高密着性ダイヤモンド被覆焼結体及びその製
造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、金属１合金又はセラミックスなどの焼結体でなる
基材の表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カ
ーボンの被膜を形成してなる被覆焼結体の実用化への検
討が行われている。この被覆焼結体の最大の課題として
は、ダイヤモンドが他の物質との濡れ性に劣ることから
、ダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボンの被
膜と基材との密着性及び付着強度性をいかにして高める
かにある。特に、超硬合金の基材にダイヤモンド及び／
又はダイヤモンド状カーボンの被膜を形成してなるダイ
ヤモンド被覆焼結体の場合は、切削Ｉ具用材料や耐摩耗
用材料のように最も１゛η酷な用途を１−１的とするた
めに被膜と基材との密着性及び付着強度性が一層重要な
問題となる。

ダイヤモンド被覆焼結体における超硬合金の基材と被膜
との密着性及び付着強度性に関して、多数の提案があり
、その代表的なものに、特開昭５８２６９７２づ公報、
特開昭６１−５７８０２号公報及び特開昭６３−５３２
６９号公報がある。

（発明が解決しようとする問題点） 特開昭５１１−１２６９７２号公報は、１秤取」−の炭
化物及び／叉は窒化物を含む超硬合金の母材に隣接する
内層が、４ａ、　５ａ、　６ａ族元索の炭化物、窒化物
。

ホウ化物、酸化物及びこれらの化合物、混合物並び＋：
　　Ａｊ２ｚＯｓ、　Ａｊ２Ｎ、　ｌ１４Ｃ，ＳｉＣ，
５ｉａＮ４．５ｉｎ２から選ばれた１秤取−トよりなり
、外層はダイヤモンドよりなる被覆超硬合金工具が示さ
れている。この特開昭５８−１２６９７２号公報による
発明は、　ＣｏやＮｉを含む超硬合金に直接ダイヤモン
ドの被膜を被覆するとダイヤモンドが変態してグラファ
イト化してしまうという問題な超硬合金とダイヤモンド
被膜との間にＦｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉなどの金属を含まな
い、例えばＷＣの中間層を介在させることにより解決し
ようとしたものであるけれども、気相合成法によりダイ
ヤモンドの被膜を形成する場合、ダイヤモンドの変態以
前にグラファイトが生成し、そのために中間層と被膜と
の境界部にグラファイトが存在し、中間層と被膜との付
着強度を低下させるという問題がある。また、特開昭５
８−１２６９７２号公報による発明は、化学蒸着法１Ｃ
ＶＤ法）や物理蒸着法ｆＰＶＤ法）でもって中間層を形
成した後、ダイヤモンドの被膜を形成するという全く別
の反応容器による１程を必要とするため煩雑になると共
に、中間層と被膜との境界部に不純物が付着しやすく、
そのために中間層と被膜との付着強度が低Ｆするという
問題がある。

特開昭６２−５７８０２号公報には、気相により硬質炭
素薄膜を基材表面に析出させて被覆した硬質炭素被覆部
品の該硬質炭素薄膜と基材との中間にＷ、Ｃを主成分と
するＷとＣとの化合物薄膜の中間層を厚さ　０．１μｍ
以Ｌ　ＩＩ在させてなる硬質炭素被覆部品が示されてい
る。この特開昭６２−　５７ｓａｚｓｙ公報による発明
は、超硬合金やセラミックスでなる基材の表面にＷＣの
中間層を形成しても付着強度の向上が殆んど認められな
かったのに対して、ＣＶＤ法や　ＰＶＤ法でもって　Ｗ
２Ｃを主成分とするＷとＣとの化合物薄膜の中間層を被
覆すると硬質炭素と　Ｗ、Ｃの界面にはＷＣでなる拡散
中間層が形成され、その結果付着強度の向上を達成でき
たものであるけれども、　ＣＶＤ法やＩ’ＶＤ法でもっ
て形成した中間層であるために中間層と基材との境界部
に不純物が付着しやすく、その結果中間層と基材との界
面における付着強度が劣ること、又特開昭５８１２６９
７２−号公報の発明と同様に中間層と硬質炭素薄膜との
境界部に不純物が付着しやすく、そのために中間層と硬
質炭素薄膜との付着強度が劣ること、及び−］゛稈が煩
雑になるという問題がある。

特開昭６３−　５３２６９号公報は、ｃｏ１〜４ｗシ％
含有し、残りが炭化タングステンと不可避不純物からな
る組成、並びに炭化タングステンのモ均粒径が２〜１０
μｍ相粒組織を右する炭化タングステン基超硬合金基材
の表面に、エツチング層を介して低圧気相合成ダイヤモ
ンド被覆層を形成してなるダイヤモンド被覆切削［具チ
ップが示されている。

この特開昭６３−　５３２６９号公報の発明は、１−述
の特開明５８−１２６９７２号公報及び特開昭６２−５
７８０２づ公報のように外部からｗＣ又はＷ２Ｃの中間
層を形成させたものとは異なり、超硬合金基材の表面を
酸処理によりエツチングして基材表面に存在するＣｏを
除去したエツチング層の表面にダイヤモンド被覆層を形
成してなるもので、「程トの煩雑さの問題及びエツチン
グ層と基材との付着強度劣ドの問題がないけれども、ダ
イヤモンド被覆層とエツチング層との界面にグラファイ
トが付着すること、及びエツチングにより除去されたＣ
（＋の部分が空隙として残存する場合があることからダ
イヤモンド被覆層とエツチング層との付着強度が極端に
低ト″し、ダイヤモンド被覆層の欠落が発生しゃずいと
いう問題がある。

本発明は、１−述のような問題点を解決したもので、具
体的には、炭化タングステンを１−、成分とする焼結体
の表面部の炭化タングステンを気相処理により脱炭させ
てタングステンにすると共に、例えば焼結体の表面部に
Ｇｏなどの金属の結合相が存在する場合には、同時に表
面部の結合相を金属カルボニルとして除去した後、ダイ
ヤモンド気相合成処理を施し、その初期段階で焼結体の
表面部のタングステンを［Ｉｊ品出の炭化タングステン
でなる表面調質層とし、次いでこの表面調質層に隣接し
てダイヤモンド被膜を形成してなる高密着性ダイヤモン
ド被覆焼結体及びその製造方法の提供を目的とするもの
である。

（問題点を解決するだめの手段） 本発明者らは、炭化タングステンを主成分とする焼結体
、例えば超硬合金基材の表面に気相合成法でもってダイ
ヤモンド被膜を形成する場合において、被膜を形成する
前の基材の表面状態、及び被膜の形成条件と被膜形成後
における基材の表面状態について検討していた所、 第１に、基材の表面部に存在するＣｏ金属をエツチング
処理により除去してなる基材のエツチング層の表面に気
相合成法でもってダイヤモンドの被膜を形成した場合に
も、気相合成法の初期におけるグラファイトの析出が抑
制されるものの基材と被膜との界面に徴用のグラファイ
トの析出がみられるという知見を得たものである。

第２に、第１の知見によるグラファイトの析出を完全に
抑制するためにダイヤモンドの被膜形成前に酸素ガスを
微晴流入させると、基材の表面部は脱炭及びＧｏなどの
金属の除去が生じ、次いでダイヤモンドの被膜形成処理
を行うと基材の表面部は再晶出の炭化タングステンでな
る表面調質層となり、この表面調質層の表面にダイヤモ
ンドの被膜を形成させると密着性及び付着強度性にすぐ
れるという知見を得たものである。以−Ｌの知見に基づ
いて１本発明を完成するに至ったものである。

すなわち、本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体は
、炭化タングステンをＬ成分とする焼結体を基材とし、
該基材の表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモンド状
カーボンの被膜を形成してなるダイヤモンド被覆焼結体
における、該被膜の隣接してなる該基材の表面から該基
材の内部へ向って少なくとも　０．１μｍが再晶出の炭
化タングステンでなる表面調質層であることを特徴とす
るものである。

本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体における基材
は、炭化タングステンのみからなる焼結体又は炭化タン
グステンが少なくとも５０ｖｏＩ２％含右し、残りが例
えば周期律表４ａ、　５ａ、　６ａ族元素の炭化物、窒
化物及びこれらの州庁固溶体又はＦｅ。

Ｃｏ、　Ｎｉ、　’ｆｊ、　Ｃｒ、　Ｖ、　Ｍｎ、　Ｓ
ｉ、　Ｃｕなどの金属化合物、金属又は合金でなるもの
である。これらの内、特にＣｏ及び／又はＮｉ２〜６ｗ
ｔ％と残り炭化タングステンと不ｒ１■避不純物とでな
る基材の場合は、基材自体の強度及び表面調質層の調整
のしやすさの両方から好ましいことである。

本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体における表面
調質層は、厚さが、基材の表面から内部に向って５０μ
ｍ程度に調整ｉ＋Ｊ能であるが、特に表面調質層の強度
、被膜と表面調質層との密着性及び付着強度性の観点か
らできるだけ薄い方が好ましく、例えば０．５〜５μｍ
厚さに調整するのが好ましいことである。また、表面調
質層の炭化タングステンの粒径は、基材に含有している
炭化タングステンの粒径から基材に含有している炭化タ
ンゲステンの粒径よりも極端に微細な粒径にまで調整可
能で、例えば表面調質層全体を微細粒の炭化タングステ
ン層にする場合、又は被膜と隣接している表面調質層の
みが微細粒の炭化タングステン層で、他の基村内部側の
表面調質層が粗粒の炭化タングステン層でなる構成にす
ることもできる。

この表面調質層は、好ましくは粒径０．３μｍ以下の微
細粒の炭化タングステン層、さらに好ましくは粒径０．
１μｍ以ドの微細粒の炭化タングステン層を有し、かつ
該微細粒の炭化タングステン層に被膜が隣接して形成さ
れている場合が被膜の密着性及び付着強度性から好まし
いことである。

また、表面調質層を構成している再品出炭化タングステ
ンとは、全体がＷＣの層でなる場合、又は表面調質層の
厚さ及び処理条件によっては被膜に隣接する部分がＷＣ
の層で、被膜から離れた部分がＷ、Ｃ、もしくは胃２Ｃ
とｗＣの混在した層になっている場合がある。この再品
出炭化タングステンは、焼結体自体に含有している炭化
タングステンが１度タングステンになった後、ＩＭび炭
化タングステンとして再晶出してなるものである。

本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体におけるダイ
ヤモンド及び／又はダイヤモンド状カーボンの被膜は、
電気抵抗、光透過率、硬度などがダイヤモンドの性質又
はダイヤモンドに近い性質をもつもので、具体的にはラ
マン分光分析した場合にダイヤモンドのラマン線である
といわれている１３３３ｃｍ−’にピークを示すもので
ある。さらに、詳述すると被膜は、ダイヤモンドのみか
らなる場合、又はダイヤモンドと他の、例えば非晶質カ
ーボンなどを金白している場合である。この被膜の厚さ
は、従来から提案されている、例えば０．１μｍ〜２０
μｍ程度にすればよく、特に衝撃が加わらずにすきとり
摩耗性のみを重要視するような用途には厚めの被膜の構
成にし、フライス切削工具用のように衝撃が加わる用途
、及びドリルやスリッターのように鋭角な切刃を有する
用途には薄めの被膜の構成にすることが好ましいことで
ある。

本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体を製造する方
法は、例えば炭化タングステンを主成分とする焼結体の
基材の表面部を酸化性ガス雰囲気中にさらして、基材の
表面部を脱炭した後、引続いて気相合成法によるダイヤ
モンド被覆処理する方法、又は基材の表面部を何らかの
方法で脱炭した後、別の反応容器で一酸化炭素ガスの含
イ１した雰囲気中にさらした後、引続いて気相合成法に
よるダイヤモンド被膜処理する方法なども考えられるけ
れども、工程の簡素化、不純物の付着し難さ及び基材表
面調質層の制御の容易性から以ドの方法が好ましいもの
である。

すなわち、本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体の
製造方法は、炭化タングステンを主成分とする焼結体の
基材を反応容器中に設置し、該反応容器内に水素ガスと
酸素ガスとの混合ガス、又は水素ガスと酸素ガスと炭素
の供給源となりうるガスとの混合ガスを流入した後、該
基材を５００〜１２００℃の温度でプラズマ化処理をし
、次いで気相合成法によるダイヤモンド被覆処理を行っ
て、該基材の表面部をｍ品出炭化タングステンでなる表
面調質層とし、該表面調質層に隣接してダイヤモンド及
び／又はダイヤモンド状カーボンでなる被膜を形成させ
ることを特徴とする方法である。

本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体の製造方法に
おける反応容器中に流入させる混合ガスは、水素ガスと
酸素ガスとの混合ガス場合には酸素ガスを０．１〜５ν
０β％、残り水素ガスの比率にすることが好ましくこの
場合は微細粒の再晶出炭化タングステンからなる表面調
質層が得られる。

また、混合ガスが水素ガスと酸素ガスと炭素の供給源と
なりうるガスとの混合ガスの場合には、基材の表面部の
脱炭速度が緩和されて粗粒のｍ品出炭化タングステンか
らなる表面調質層が得られる。このときの混合ガス比率
は、炭素の供給源となりうるガスの組成成分により異な
るが、水素と酸素の比率がｔ＝述の水素ガスと酸素ガス
の混合ガス比率になるようにすればよく、炭素の供給源
となりうるが又としては、例えばメタン、エタン。

プロパン、ブタン、メタノール、エタノール、プロパツ
ール、ブタノール、メチルエーテル、エチルエーテルな
どの炭素と水素又は炭素と水素と酸素の含有した有機化
合物を挙げることができる。

本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体の製造方法に
おけるプラズマ化処理は、従来から行われているマイロ
夕波。高周波などで行うことができ、又気相合成法によ
るダイヤモンド被覆処理も、従来から行われている方法
をそのまま応用することができるものである。

（作用） 本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体は、炭化タン
グステンを１ミ成分とする基材の表面部に、例えばＧｏ
などの金属が存在している場合にはコバルトカルボニル
としてＣｏが除去され、一方基材の表面部に存在する炭
化タングステンを脱炭してタングステン又はタングステ
ンカルボニルとした後、次いで気相合成法でのダイヤモ
ンド被膜形成初期に浸炭させて基材の表面部を両品用の
炭化タングステンでなる表面調質層としているもので、
基材にもともと含有している炭化タングステンから百品
出した炭化タングステンでなる表面調質層の表面に連続
工程でもって被膜を形成したも！５ のであるために、表面調質層が被膜の密着性及び付着強
度性を高める作用をしているものである。

また、本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体は、基
材表面部にＧｏなどの金属が存在している場合には、そ
の金属の除去された所にも表面調質層の微細炭化タング
ステンが埋設されてクサビ状になるために、表面調質層
と表面調質されてない基材内部との境界部の付着強度性
を著しく高めているものである。

本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体の製造方法は
、酸素ガスの含有した混合ガス中でのプラズマ化処理に
より基材の表面部に存在しているＧｏなどの金属の除去
作用が生じ、プラズマ化処理と気相合成法によるダイヤ
モンド被覆処理の初期段階により基材の表面部に１１１
品出炭化タングステンでなる表面調質層の形成作用が生
じているものである。さらに、本発明の高密着性ダイヤ
モンド被覆焼結体の製造方法は、焼結体の表面部を表面
調質層とすると同時に被膜の形成を行うことができるた
めに、表面調質層と被膜の界面に不純物が生じ難く、そ
の結果ダイヤモンドの核生成の促進作用が高く、緻密で
微細な被膜を生成しやすくしているものである。

（実施例） 実施例！ ＷＣ−４ｗＬ％Ｃｏ焼結体の基材表面をそれぞれ研摩面
又は焼肌面にした後、ダイヤモンドの気相合成処理を行
う反応容器内に設置し、ド記　（Ａｌのプラズマ化処理
、（Ｂ）のダイヤモンド被覆処理を行って本発明品１及
び２を得た。

ＩＡ）のプラズマ化処理 ガス組成　　　　９８ｖｏｎ％ｌｌ５−２ｖｏＡ％０□
ガス圧力　　　　９２　Ｔｏｒｒ 基材温度　　　　１０４０　　℃ マイロク波出力　０．８ｋｗ 処理時間　　　　１５　　ｍ１ｎ ＴＢＩのダイヤモンド被覆処理 ガス組成　　　　９８ｖｏｎ％Ｉｈ　　２ｖｏｎ％Ｃ１
１４ガス圧力　　　　９０　Ｔｏｒｒ 基材温度　　　　１０５０　　℃ マイロク波出力　１．Ｏｋｗ 処理時間　　　　１２０　ｍｉｎ 比較として、］−記と同じ基材を用いて、その基材表面
を研摩後、ＣＶＤ法でもって基材表面にＷｉＣの中間層
を２μｍ厚さ被覆し、次いでダイヤモンドの気相合成処
理を行う反応容器内に設置して上記　（Ｂｌのダイヤモ
ンド被覆処理を行って、中間層の表面にダイヤモンド被
膜を形成して比較品ｌを得た。また、比較品１の内、Ｃ
ＶＤ法でもって基材表面にＷＣの中間層を２μｍ厚さ被
覆した以外は。

比較品Ｉと同様に行って比較品２を得た。さらに、同じ
基材の表面を酸処理し、基材表面部（５μｍ厚さ）のＣ
ｏを除去した後、ダイヤモンドの気相合成処理を行う反
応容器内に設置して」−記　（Ｂｌのダイヤモンド被覆
処理を行って比較品３を得た。

こうして得た本発明品１．２及び比較品１゜２．３のそ
れぞれの断面をＳＦ、Ｍで調べて、表面調質層、中間層
及び被膜の厚さを第１表に示した。

これらの本発明品１．２及び比較品１，２．３の他に市
販の焼結体（ＪＩＳ規格超硬合金に１０）を比較品４と
して加えて、被削材：硬質カーボン、切削速度：　　３
００ｍ／ｍｉｎ、　　送り：　０．１ｍｍ／Ｌｏｏｌ；
ｈ　、切込み量：　０．５ｍｍ　、切削時間：　９０ｍ
１ｎ、　　チップ形状：５ＰＰ４２２の条件でフライス
切削試験を行い、そのときの平均逃げ面摩耗（Ｖ、）ｆ
ｆｌを求めて第１表に併記した。

以下余白 尚１本発明品１及σ２は、基材の表面、−上記（＾）の
プラズマ化処理後の表面及び上記　（ロ）のダイヤモン
ド被覆処理後ダイヤモンド被膜を除去した表面を第１表
の試料と異なるチップでもってＸ線回折により調べた所
、基材の表面はｌｌＩｃの回折線で、　（Ａ）処理後の
表面はＷの回折線で、　（Ａｌ及び（８１処理後被膜を
除去した表面は１１１びＷＣの回折線になっていること
が確認できた。また、本発明品ｌ及び２の表面調質層と
表面調質されてない基材内部との境界部は、凹凸が激し
く、基材の表面部のＣｏの抜けた所まで微細（０，１μ
ｍ）ＷＣが緻密に埋設した状態になっているのがＳＥＭ
で観察できた。

これに対し、比較品１及び２は、基材と中間層の境界部
が直線状に明確に区別されているものであった・ 実施例２ 実施例１で得た本発明品１．２及び比較品！、２．３．
４と、さらにＷＣの焼結体を基材とし、この基材の表面
を研摩後、実施例１における（＾）のプラズマ化処理及
び　＋Ｂ）のダイヤモンド被覆処理を施して本発明品３
を得た。また１本発明品３の内、　（＾）のプラズマ化
処理を削除して他は同様に処理して比較品５を得た。こ
れらの本発明品１．２．３及び比較品１．２．３．４．
５を用いて、被削材：　＾β−３０％ＳｉＣウィスカー
合金。

切削速度：　　３５５ｍ／ｍｉｎ　、送り：　Ｏ，Ｉ　
ｍｍ／ｒｅｖ、切込み＠　：　０．５　ｍｍ、切削時間
：　３０ｍ１ｎ　、チップ形状：５ＰＧＮ１２０３０８
の条件で外周連続旋削試験を行い、そのときの゛ト均逃
げ面摩耗ｍ＋）’Ｉｔを求めて第２表に示した。

尚、本発明品３及び比較品５についても、実施例１にお
ける他の試料と同様にしてＸ線回折及びＳＥＭにより調
べた所、本発明品３は、基材の内部のＷＣ粒と異なり、
約０．１μｍの微細粒の表面調質層を有し、被膜との境
界部における表面調質層はＷＣ層からなり、表面調質さ
れてない基村内部側の表面調質層は肛に微帽のＷ２Ｃが
混在した層からなっていた。比較品５は、被膜と基材の
境界部にグラファイトがイを在していた。

（発明の効果） 本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体は、超硬合金
の基材とダイヤモンド被膜との間にＣＶＤ法によるＷＣ
中間層又はＷ２Ｃ中間層を介在してなる従来のダイヤモ
ンド被覆焼結体と比べて、被膜の耐剥離性にすぐれてお
り、その結果硬質力ボンを被削材とした切削試験におい
ては約４０％〜４０％も寿命が向トするという効果があ
り、ｉＳ１合金を被削材とした切削試験においては約２
５％〜１３０％も寿命が向１−するという効果がある。

また、本発明の高密ｒ１性ダイヤモンド被覆焼結体は、
酸によりエツチング処理した超硬合金の基材表面にダイ
ヤモンド被膜を形成してなる従来のダイヤモンド被覆焼
結体と比べて、被膜の耐剥離性にすぐれており、その結
果硬質カーボン又は１−３ｉ合金を被削材とした切削試
験においては約２７％〜　１１０％も寿命が向にすると
いう効果がある。

さらに、本発明の高密着性ダイヤモンド被覆焼結体の製
造方法は、基材を表面調質するプラズマ化処理と被膜を
形成するダイヤモンド被膜処理を連続的に同一反応容器
でもって行うことができ、そのために不純物の影響が少
なく、緻密で付着性のすぐれた被膜を形成することがで
きるという効果がある。

特許出願人　東芝タンガロイ株式会社

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）炭化タングステンを主成分とする焼結体を基材と
   し、該基材の表面にダイヤモンド及び／又はダイヤモン
   ド状カーボンの被膜を形成してなるダイヤモンド被覆焼
   結体において、該被膜の隣接してなる該基材の表面から
   該基材の内部へ向って少なくとも０．１μｍが再晶出の
   炭化タングステンでなる表面調質層であることを特徴と
   する高密着性ダイヤモンド被覆焼結体。
2. （２）上記焼結体は、Ｃｏ及び／又はＮｉ２〜６ｗｔ％
   と、残り炭化タングステンと不可避不純物とからなるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高密着性ダ
   イヤモンド被覆焼結体。
3. （３）上記表面調質層は、粒径が０．３μｍ以下の微細
   粒の炭化タングステン層を有し、かつ該微細粒の炭化タ
   ングステン層に上記被膜が隣接して形成されていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の高
   密着性ダイヤモンド被覆焼結体。
4. （４）炭化タングステンを主成分とする焼結体の基材を
   反応容器中に設置し、該反応容器内に水素ガスと酸素ガ
   スとの混合ガス、又は水素ガスと酸素ガスと炭素の供給
   源となりうるガスとの混合ガスを流入した後、該基材を
   ５００〜１２００℃の温度でプラズマ化処理をし、次い
   で気相合成法によるダイヤモンド被覆処理を行って、該
   基材の表面部を再晶出炭化タングステンでなる表面調質
   層とし、該表面調質層に隣接してダイヤモンド及び／又
   はダイヤモンド状カーボンでなる被膜を形成させること
   を特徴とする高密着性ダイヤモンド被覆焼結体の製造方
   法。