JPH0273420A - 半導体ディスク装置 - Google Patents
半導体ディスク装置Info
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- JPH0273420A JPH0273420A JP63224809A JP22480988A JPH0273420A JP H0273420 A JPH0273420 A JP H0273420A JP 63224809 A JP63224809 A JP 63224809A JP 22480988 A JP22480988 A JP 22480988A JP H0273420 A JPH0273420 A JP H0273420A
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operation
- G06F11/1402—Saving, restoring, recovering or retrying
- G06F11/1471—Saving, restoring, recovering or retrying involving logging of persistent data for recovery
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
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- G06F3/0656—Data buffering arrangements
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的Ｊ
（産業上の利用分野）
本発明は半導体記憶部を記憶媒体として用いる半導体デ
ィスク装置に関するものである。
ィスク装置に関するものである。
（従来の技術）
近年においては複数の半導体記憶素子によって構成され
る半導体記憶装置の技術開発が目ざましく、アクセスタ
イムが非常に高速であるという利点を有し、大容量の記
憶装置の実現が可能であり、情報処理システムの外部記
憶装置として用いられ、磁気ディスク装置と同様の方法
で制御される。
る半導体記憶装置の技術開発が目ざましく、アクセスタ
イムが非常に高速であるという利点を有し、大容量の記
憶装置の実現が可能であり、情報処理システムの外部記
憶装置として用いられ、磁気ディスク装置と同様の方法
で制御される。
このような従来の半導体記憶装置を用いた半導体ディス
ク装置とその周辺装置を第５図及び第６図に示す。
ク装置とその周辺装置を第５図及び第６図に示す。
半導体ディスク￥装置１０１は半導体ディスク制御Ｉ装
置１０３と接続され、この半導体ディスク制御Ｉ装置１
０３は上位装置Ｉ ０５と接続されている。
置１０３と接続され、この半導体ディスク制御Ｉ装置１
０３は上位装置Ｉ ０５と接続されている。
半導体ディスク制御装＠１０３からパスラインＢＬを介
して伝送されるデータは、転送制御回路１１１の制御に
基づいてデータバッファ１１５ヘー時的に格納される。
して伝送されるデータは、転送制御回路１１１の制御に
基づいてデータバッファ１１５ヘー時的に格納される。
次に制御部１１３からの制御に基づいてアドレスレジス
タ１１７が動作し、このアドレスレジタ１１７によって
指定された半導体メモリ１１９のアドレスへ前記データ
、すなわちデータバッファ１１５に格納されたデータが
記憶される。
タ１１７が動作し、このアドレスレジタ１１７によって
指定された半導体メモリ１１９のアドレスへ前記データ
、すなわちデータバッファ１１５に格納されたデータが
記憶される。
半導体メモリ１１９に記憶されたデータを読み出して転
送する場合には、まず制御部１１３からの制御に基づい
てアドレスレジスタ１１７を動作させ、このアドレスレ
ジスタ１１７によって指定された半導体メモリ１１９の
アドレスから所望のデータを読Ｊメ出してデータバッフ
ァ１１５へ一時的に格納する。次に転送制御回路１１１
の制御にＶづいて前記データバッファ１１５へ一時的に
格納したデータをパスラインＢＬを介して半導体ディス
ク制御ｌ装置１０３へ転送する。
送する場合には、まず制御部１１３からの制御に基づい
てアドレスレジスタ１１７を動作させ、このアドレスレ
ジスタ１１７によって指定された半導体メモリ１１９の
アドレスから所望のデータを読Ｊメ出してデータバッフ
ァ１１５へ一時的に格納する。次に転送制御回路１１１
の制御にＶづいて前記データバッファ１１５へ一時的に
格納したデータをパスラインＢＬを介して半導体ディス
ク制御ｌ装置１０３へ転送する。
また不揮発性の磁気記憶材料で構成された記憶部を得す
るハードディスク装置（＋−ＩＤ）１２３と、半導体メ
七り１１９とハードディスク装置１２３とのあいだの情
報の伝送を制御するためのディスクコントローラ（ＤＣ
）１２１とを有している。
るハードディスク装置（＋−ＩＤ）１２３と、半導体メ
七り１１９とハードディスク装置１２３とのあいだの情
報の伝送を制御するためのディスクコントローラ（ＤＣ
）１２１とを有している。
このディスクコントローラ１２１は停電時に半導体メモ
リ１１９に記憶されたデータをハードディスク装置１２
３へ転送する。このように半導体ディスク装置１０１は
、いわゆるデータ自動退避機能を有しており、停電時に
おいても半導体メモリ１１９に記憶されたデータが確実
に保護される。
リ１１９に記憶されたデータをハードディスク装置１２
３へ転送する。このように半導体ディスク装置１０１は
、いわゆるデータ自動退避機能を有しており、停電時に
おいても半導体メモリ１１９に記憶されたデータが確実
に保護される。
従って停電時の保護を必要としない情報、いわゆるテン
ポラリファイルを取り扱う場合には前述したディスクコ
ントローラ１２１とハードディスク装置１２３は不要で
ある。
ポラリファイルを取り扱う場合には前述したディスクコ
ントローラ１２１とハードディスク装置１２３は不要で
ある。
ところで中央のＶｔ置と通信回線により接続された多数
−の端末装置から、中央のマスタデータファイル装置等
に対してデータの更新、照会などを行なう、いわゆるト
ランザクション処理システムでは、このトランザクショ
ンのアトミシティを実現する必要が生じる。すなわち各
端末装置から入力されるデータであるトランザクション
ににって要求される処理群は、「完全にすべて正常に処
理される。」か、又は「まったく処理されず、該当する
トランザクションがなかったものとして処理される。」
の２つの場合し゛か許されない。従って、処理の途中で
異常等が生じて終了した場合は、それまでに行なった処
理において変更等のなされた箇所がある場合にはこれを
元の状態に戻す必要が生じる。
−の端末装置から、中央のマスタデータファイル装置等
に対してデータの更新、照会などを行なう、いわゆるト
ランザクション処理システムでは、このトランザクショ
ンのアトミシティを実現する必要が生じる。すなわち各
端末装置から入力されるデータであるトランザクション
ににって要求される処理群は、「完全にすべて正常に処
理される。」か、又は「まったく処理されず、該当する
トランザクションがなかったものとして処理される。」
の２つの場合し゛か許されない。従って、処理の途中で
異常等が生じて終了した場合は、それまでに行なった処
理において変更等のなされた箇所がある場合にはこれを
元の状態に戻す必要が生じる。
このようなトランザクションのアトミシティを実現する
ため、データベースを有するディスク装置や半導体ディ
スク装置にデータの書き込みを行う場合には、同一の番
地における書き込む前のすでに記憶されたデータと、新
たに書き込まれるデータとを対応させたジャーナル情報
を作成するようにしている。第６図に示す従来例では上
位装置１０５が前述したジャーナル情報を作成し、これ
を半導体ディスク制御装置１０７を介して半導体ディス
ク装置１０９へ格納するようにしている。
ため、データベースを有するディスク装置や半導体ディ
スク装置にデータの書き込みを行う場合には、同一の番
地における書き込む前のすでに記憶されたデータと、新
たに書き込まれるデータとを対応させたジャーナル情報
を作成するようにしている。第６図に示す従来例では上
位装置１０５が前述したジャーナル情報を作成し、これ
を半導体ディスク制御装置１０７を介して半導体ディス
ク装置１０９へ格納するようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、第５図及び第６図に示した従来例ではＦ
位装置１０５がジャーナル情報を作成するようにしてお
り、このジャーナル情報を作成する際には、専用の記憶
装置を用いなければならず、システムの性能を低下させ
る要因となっていた。またジャーナル情報を作成するた
めのプログラムをオンライン用のプログラムに含めなけ
ればならず、このようなオンライン用のプログラムの作
成が困難であった。
位装置１０５がジャーナル情報を作成するようにしてお
り、このジャーナル情報を作成する際には、専用の記憶
装置を用いなければならず、システムの性能を低下させ
る要因となっていた。またジャーナル情報を作成するた
めのプログラムをオンライン用のプログラムに含めなけ
ればならず、このようなオンライン用のプログラムの作
成が困難であった。
また、いわゆる特権命令の使用が許されるＳＭＣ（スー
パーバイザーコール）処理、又は中央処理装置と独立し
たプログラム、いわゆるチャネルプログラムによる処理
においては、オーバーヘッドが大きく、処理時間が長く
なり、中央処理装置等の上位装置へ入力したトランザク
ションが処理されて出力されるまでの時間、すなわちト
ランザクションのターンアラウンド時間が長くなってし
まうという問題点を有していた。
パーバイザーコール）処理、又は中央処理装置と独立し
たプログラム、いわゆるチャネルプログラムによる処理
においては、オーバーヘッドが大きく、処理時間が長く
なり、中央処理装置等の上位装置へ入力したトランザク
ションが処理されて出力されるまでの時間、すなわちト
ランザクションのターンアラウンド時間が長くなってし
まうという問題点を有していた。
本発明は上記課題に鑑みてなされたもので、トランザク
ションのターンアラウンド時間を短縮し、システムの性
能を向上させることのできる半導体ディスク装置を提供
することを目的とする。
ションのターンアラウンド時間を短縮し、システムの性
能を向上させることのできる半導体ディスク装置を提供
することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため本発明が提供する手段は、前記
半導体記憶部に記憶される任意の情報と、この任意の情
報に対して新たに書き込まれる情報に対応するジャーナ
ル情報を生成するジャーナル情報生成手段と、前記新た
に占ぎ込まれル情報に対応する前記任意の情報を記憶す
る第１の記憶手段と、前記新たに書き込まれる情報を記
憶する第２の記憶手段とを有して構成した。
半導体記憶部に記憶される任意の情報と、この任意の情
報に対して新たに書き込まれる情報に対応するジャーナ
ル情報を生成するジャーナル情報生成手段と、前記新た
に占ぎ込まれル情報に対応する前記任意の情報を記憶す
る第１の記憶手段と、前記新たに書き込まれる情報を記
憶する第２の記憶手段とを有して構成した。
（作用）
本発明における半導体ディスク装置においては、上位ｇ
ｉ置等から入力する制御指令に基づいて、任意の情報の
占き換えが行なわれる際に、この書き換えられる任意の
情報とこの任意の情報に換えてよき込まれる情報が、そ
れぞれ１の記憶手段と第２の記憶手段に自動的に記憶さ
れると共に、これら第１、第２の記憶手段に占き込まれ
る情報に対応するジャーナル情報がジャーナル情報生成
手段によって生成される。
ｉ置等から入力する制御指令に基づいて、任意の情報の
占き換えが行なわれる際に、この書き換えられる任意の
情報とこの任意の情報に換えてよき込まれる情報が、そ
れぞれ１の記憶手段と第２の記憶手段に自動的に記憶さ
れると共に、これら第１、第２の記憶手段に占き込まれ
る情報に対応するジャーナル情報がジャーナル情報生成
手段によって生成される。
従って、情報処理工程に異常が生じた場合であっても、
当該上位ｇ置に負担をかけることなく速やかに復旧を行
なうことができる。
当該上位ｇ置に負担をかけることなく速やかに復旧を行
なうことができる。
（実施例）
以下、本発明に係る一実施例を図面を参照して説明する
。
。
まず第１図及び第２図を参照して構成を説明すると、半
導体ディスク装置１は半導体ディスク制御装置３と接続
され、この半導体ディスク制御装置３は上位装置５と接
続されている。上位装置５はシステ全体の制御を行なう
ものであり、半導体ディスク制御装置３を動作させて半
導体ディスク装置１に内蔵された記憶装置に対する情報
の書き込み及び情報の読み出しを行なう。またディスク
制御Ｉ装置７は上位装置５と接続されるとともに、ディ
スク装置９と接続されており、上位装置５からの制御指
令に基づいてディスク装置９を制御する。
導体ディスク装置１は半導体ディスク制御装置３と接続
され、この半導体ディスク制御装置３は上位装置５と接
続されている。上位装置５はシステ全体の制御を行なう
ものであり、半導体ディスク制御装置３を動作させて半
導体ディスク装置１に内蔵された記憶装置に対する情報
の書き込み及び情報の読み出しを行なう。またディスク
制御Ｉ装置７は上位装置５と接続されるとともに、ディ
スク装置９と接続されており、上位装置５からの制御指
令に基づいてディスク装置９を制御する。
次に、半導体ディスク装置１の内部構成を説明する。
転送制御回路１１は半導体ディスク制御装置３と接続さ
れるとともに、制御部１３、データバッフ？１５、アド
レスレジスタ１７及びディスク制御装置２１と接続され
ている。この転送制御回路１１は半導体ディスク制ｍ＋
装置３と半導体メモリ１９とのあいだにおける情報の転
送に関する制御を行なう。
れるとともに、制御部１３、データバッフ？１５、アド
レスレジスタ１７及びディスク制御装置２１と接続され
ている。この転送制御回路１１は半導体ディスク制ｍ＋
装置３と半導体メモリ１９とのあいだにおける情報の転
送に関する制御を行なう。
ｉ［ｉｌｌ ｔｉ１１部１３はデータバッファ１５及び
アドレスレジスタ１７と接続されるとともに、マイクロ
コンピュータ等の演算処理部及びプログラムを格納する
ための内部メモリを有しており、この内部メモリに格納
されたプログラムに基づいて情報の読み出し又は書き込
み等の各種制御処理を実行する。
アドレスレジスタ１７と接続されるとともに、マイクロ
コンピュータ等の演算処理部及びプログラムを格納する
ための内部メモリを有しており、この内部メモリに格納
されたプログラムに基づいて情報の読み出し又は書き込
み等の各種制御処理を実行する。
データバッフ１１５はパスラインＢＬを介して半導体デ
ィスク制御装置３と接続されるとともに、半導体メモリ
１９と接続されており、半導体ディスク制御装置３から
伝送された情報、又は半導体メモリ１９から読み出され
た情報を一時的に格納する。
ィスク制御装置３と接続されるとともに、半導体メモリ
１９と接続されており、半導体ディスク制御装置３から
伝送された情報、又は半導体メモリ１９から読み出され
た情報を一時的に格納する。
アドレスレジスタ１７は半導体メモリ１９と接続されて
おり、前述した制御部１３又は転送制御回路１１からの
制御に基づいて情報の読出時又は書込時における半導体
メモリ１９のアドレスを発生する。
おり、前述した制御部１３又は転送制御回路１１からの
制御に基づいて情報の読出時又は書込時における半導体
メモリ１９のアドレスを発生する。
半導体メモリ１９は揮発性の複数の半導体記憶素子で構
成されており、半導体ディスク制御装置３を介して上位
袋Ｗ５から伝送された情報を記憶する。
成されており、半導体ディスク制御装置３を介して上位
袋Ｗ５から伝送された情報を記憶する。
ディスクコントローラ２１は半導体メモリ１９と接続さ
れるとともにハードディスク装置２３と接続されており
、半導体メモリ１９とハードディスク装置２３とのあい
だの情報の伝送を制御する。
れるとともにハードディスク装置２３と接続されており
、半導体メモリ１９とハードディスク装置２３とのあい
だの情報の伝送を制御する。
ニューバッファ３１はデータバッフ７１５と接続される
とともに、マルチプレクサ（ＭＰＸ）３５と接続されて
おり、データバッファ１５からの新たな情報、すなわち
次の書込タイミングで半導体メモリ１９へ書込まれる情
報を一時的に格納し、この新たな情報をマルチプレクサ
３５へ出力する。
とともに、マルチプレクサ（ＭＰＸ）３５と接続されて
おり、データバッファ１５からの新たな情報、すなわち
次の書込タイミングで半導体メモリ１９へ書込まれる情
報を一時的に格納し、この新たな情報をマルチプレクサ
３５へ出力する。
オールドバッファ３３は半導体メモリ１９と接続される
とともにマルチプレクサ３５と接続されており、半導体
メモリ１９に記憶されていた情報、詳しくは、前記新た
な情報が書込まれるアドレスと同一のアドレスに記憶さ
れていた情報を一時的に格納し、この情報をマルチプレ
クサ３５へ出力する。
とともにマルチプレクサ３５と接続されており、半導体
メモリ１９に記憶されていた情報、詳しくは、前記新た
な情報が書込まれるアドレスと同一のアドレスに記憶さ
れていた情報を一時的に格納し、この情報をマルチプレ
クサ３５へ出力する。
マルチプレクサ３５はジャーナル制御部３７と接続され
、ニューバッファ３１及びオールドバッファ３３からの
各情報を入力すると、ジャーナル制御部３７からの制御
に基づいてジャーナル情報を生成する。具体的に説明す
ると、マルチプレクサ３５は半導体メモリ１９の任意の
アドレスから読取られた情報と、前記番地と同一の番地
へ記憶される新たな情報とを対応付けてジャーナル情報
を生成し、ディスク制御Ｉ装置７を介してディスク装置
９へ出力する。
、ニューバッファ３１及びオールドバッファ３３からの
各情報を入力すると、ジャーナル制御部３７からの制御
に基づいてジャーナル情報を生成する。具体的に説明す
ると、マルチプレクサ３５は半導体メモリ１９の任意の
アドレスから読取られた情報と、前記番地と同一の番地
へ記憶される新たな情報とを対応付けてジャーナル情報
を生成し、ディスク制御Ｉ装置７を介してディスク装置
９へ出力する。
ジャーナル制御部３．７は制御部１３と接続されており
、制御部１３からの制御指令に基づいて動作する。また
ジャーナル制御部３７はジャーナル情報の生成に関する
制御プログラムを格納した内部メモリを有しており、こ
の制御プログラムに基づいてマルチプレクサ３５を動作
させ、ジャーナル情報の生成に関するａｉｌ制御処理を
実行する。
、制御部１３からの制御指令に基づいて動作する。また
ジャーナル制御部３７はジャーナル情報の生成に関する
制御プログラムを格納した内部メモリを有しており、こ
の制御プログラムに基づいてマルチプレクサ３５を動作
させ、ジャーナル情報の生成に関するａｉｌ制御処理を
実行する。
次に第３図及び第４図を参照してジャーナル情報を生成
する場合の動作を説明する。
する場合の動作を説明する。
半導体ディスク制御装置３から送出された新たな情報は
パスラインＢＬを介してデータバッファ１５へ与えられ
、転送制御回路１１からの制御指令に基づいて一時的に
格納される。次に制御部１３からの制御指令に基づいて
アドレスレジスタ１７が動作し、新たな情報を書込むべ
き半導体メモリ１９のアドレス、例えばアドレスＡＤＯ
，〜ＡＤ９を生成する。
パスラインＢＬを介してデータバッファ１５へ与えられ
、転送制御回路１１からの制御指令に基づいて一時的に
格納される。次に制御部１３からの制御指令に基づいて
アドレスレジスタ１７が動作し、新たな情報を書込むべ
き半導体メモリ１９のアドレス、例えばアドレスＡＤＯ
，〜ＡＤ９を生成する。
一方、制御部１３の制御指令に基づいて半導体メモリ１
９のアドレスＡ Ｄ Ｏ，〜、Ａ Ｄ ９に記憶されて
いる情報が読み出されてオールドバッファ３３へ一時的
に格納される。
９のアドレスＡ Ｄ Ｏ，〜、Ａ Ｄ ９に記憶されて
いる情報が読み出されてオールドバッファ３３へ一時的
に格納される。
また前記データバッファ１５に一時的に格納された新た
な情報が半導体メモリ１９のアドレスＡＤＯ１〜、△Ｄ
９へ書込まれるとともに、ニューバッファ３１へ与えら
れる。
な情報が半導体メモリ１９のアドレスＡＤＯ１〜、△Ｄ
９へ書込まれるとともに、ニューバッファ３１へ与えら
れる。
次にジャーナル制御部３７の制御指令に基づいてマルチ
プレクサ３５が動作し、ニューバッファ３１及びオール
ドバッファ３３からの双方の情報を入力すると、シリア
ルデータに変換し第３図に示すようなジャーナル情報４
０を作成する。すなわちジャーナル情報４０は識別符号
（ＩＤ）４１と、情報が記憶されたアドレスのうち先頭
のアドレスを示すアドレス情報４３と、オールドバッフ
ァ３３から入力した元の情報であるオールドデータ４５
と、ニューバッファ３１から入力した新たな情報である
ニューデータ４７とから形成される。
プレクサ３５が動作し、ニューバッファ３１及びオール
ドバッファ３３からの双方の情報を入力すると、シリア
ルデータに変換し第３図に示すようなジャーナル情報４
０を作成する。すなわちジャーナル情報４０は識別符号
（ＩＤ）４１と、情報が記憶されたアドレスのうち先頭
のアドレスを示すアドレス情報４３と、オールドバッフ
ァ３３から入力した元の情報であるオールドデータ４５
と、ニューバッファ３１から入力した新たな情報である
ニューデータ４７とから形成される。
マルチプレクサ３５は前記シリアルデータに変換された
ジャーナル情報を順次ジャーナル格納装置であるディス
ク装置９へ送出する。
ジャーナル情報を順次ジャーナル格納装置であるディス
ク装置９へ送出する。
以上の如くジャ−ナル情報を作成する際には、新たな情
報が潜込まれる半導体メモリ１９のアドレスと同一のア
ドレスに記憶されていた先の情報を読出すと同時に前記
新たな情報を書込むようにしている。
報が潜込まれる半導体メモリ１９のアドレスと同一のア
ドレスに記憶されていた先の情報を読出すと同時に前記
新たな情報を書込むようにしている。
このような元の情報の読出タイミングと、新たな情報の
書込タイミングを半導体メモリ１９としてＤＲＡＭ （
Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ
Ｍｅｍｏｒｙ ）を用いた場合を例にとって説明する。
書込タイミングを半導体メモリ１９としてＤＲＡＭ （
Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ
Ｍｅｍｏｒｙ ）を用いた場合を例にとって説明する。
第４図に示ずように制御クロックＲＡＳとＣＡＳが出力
されており、アドレスレジスタ１７で発生したアドレス
に基づいて行（ＲＯＷ）アドレスと列（ＣＯＬＵＭＮ）
アドレスが指定される。信号ＷＲＩＴＥがＨレベルのタ
イミングで元の情報ＱｏｕＴを読出すとともに、信号Ｗ
ＲＩＴＥがＬレベルのタイミングで新たな情報ＤＩＮを
書込むようにしている。
されており、アドレスレジスタ１７で発生したアドレス
に基づいて行（ＲＯＷ）アドレスと列（ＣＯＬＵＭＮ）
アドレスが指定される。信号ＷＲＩＴＥがＨレベルのタ
イミングで元の情報ＱｏｕＴを読出すとともに、信号Ｗ
ＲＩＴＥがＬレベルのタイミングで新たな情報ＤＩＮを
書込むようにしている。
以上のように半導体メモリ１９としてＤＲＡＭを用いる
ことにより、元の情報の続出タイミングと新た−な情報
の書込タイミングとを容易に設定することができる。
ことにより、元の情報の続出タイミングと新た−な情報
の書込タイミングとを容易に設定することができる。
尚、第２図に示した例ではジャーナル情報をディスク装
置９へ格納するように構成したが、本発明はこれに限定
されることなく適宜の装置、例えば半導体ディスク装置
又は磁気ディスク装置へ格納するように構成したちよい
。これによってジャーナル情報を上位装置から容易に読
出すことができ、ジャーナル情報を迅速に利用すること
ができる。
置９へ格納するように構成したが、本発明はこれに限定
されることなく適宜の装置、例えば半導体ディスク装置
又は磁気ディスク装置へ格納するように構成したちよい
。これによってジャーナル情報を上位装置から容易に読
出すことができ、ジャーナル情報を迅速に利用すること
ができる。
［発明の効果］
以上説明してきたように本発明によれば、ジャーナル情
報を生成するためのジャーナル生成手段、および新旧の
情報を記憶する記憶手段を半導体ディスク′ＩＡ置内に
設けたことから、上位装置の負担を軽減することができ
、システムの性能を更に向上させることができる。
報を生成するためのジャーナル生成手段、および新旧の
情報を記憶する記憶手段を半導体ディスク′ＩＡ置内に
設けたことから、上位装置の負担を軽減することができ
、システムの性能を更に向上させることができる。
また、上位装置の負担を軽減することができるので、ト
ランザクションのターンアラウンド時間を短縮すること
ができる。
ランザクションのターンアラウンド時間を短縮すること
ができる。
更に、ジャーナル生成用のプログラムを作成する必要が
なくオンライン用のプログラムを簡略化することができ
る。
なくオンライン用のプログラムを簡略化することができ
る。
第１図は本発明の一実施例を示したブロック図、第２図
は本発明が適用される半導体ディスク装置ｎとその周辺
装置を示したシステム構成図、第３図はジャーナル情報
の一例を示した説明図、第４図は半導体メモリに対する
情報の続出タイミングと書込タイミングを示したタイミ
ングチャート、第５図及び第６図は従来例を示したブロ
ック図である。 ３１・・・ニューバッファ ３３・・・オールドバッファ ３５・・・マルチプレクサ ３７・・・ジャーナル制御部
は本発明が適用される半導体ディスク装置ｎとその周辺
装置を示したシステム構成図、第３図はジャーナル情報
の一例を示した説明図、第４図は半導体メモリに対する
情報の続出タイミングと書込タイミングを示したタイミ
ングチャート、第５図及び第６図は従来例を示したブロ
ック図である。 ３１・・・ニューバッファ ３３・・・オールドバッファ ３５・・・マルチプレクサ ３７・・・ジャーナル制御部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 前記半導体記憶部に記憶される任意の情報と、この任意
の情報に対して新たに書き込まれる情報に対応するジャ
ーナル情報を生成するジャーナル情報生成手段と、 前記新たに書き込まれる情報に対応する前記任意の情報
を記憶する第１の記憶手段と、 前記新たに書き込まれる情報を記憶する第２の記憶手段
と、 を有することを特徴とする半導体ディスク装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224809A JPH0273420A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体ディスク装置 |
| EP19890116650 EP0358224A3 (en) | 1988-09-09 | 1989-09-08 | Semiconductor disk device useful in transaction processing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63224809A JPH0273420A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0273420A true JPH0273420A (ja) | 1990-03-13 |
Family
ID=16819547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63224809A Pending JPH0273420A (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 半導体ディスク装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0358224A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0273420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006177141A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-07-06 | Monegasque Gouvernement | いわゆるキャメルバック型の消波装置の改良 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5596710A (en) * | 1994-10-25 | 1997-01-21 | Hewlett-Packard Company | Method for managing roll forward and roll back logs of a transaction object |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0096199A2 (en) * | 1982-06-21 | 1983-12-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for logging journal data in a computing apparatus |
| GB2172126A (en) * | 1985-01-24 | 1986-09-10 | John Richard Mumford | Interchangeable solid state memory device |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP63224809A patent/JPH0273420A/ja active Pending
-
1989
- 1989-09-08 EP EP19890116650 patent/EP0358224A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006177141A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-07-06 | Monegasque Gouvernement | いわゆるキャメルバック型の消波装置の改良 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0358224A2 (en) | 1990-03-14 |
| EP0358224A3 (en) | 1992-08-19 |
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