JPH02664A - ナフタロシアニン誘導体及びその製造法並びにそれを用いた光学記録媒体及びその光学記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフタロシアニン誘導体及びその製造
法並びにそれを用いた光学的情報記録媒体及びその光学
的情報記録媒体の製造方法に関する。

〔従来の技術〕

近年、コンパクトディスク、ビデオディスク。

液晶表示装置、光学文字読取機等における書込みあるい
は、読取りのためかつ電子写真用光源として半導体レー
ザ光を利用することが提案されている。半導体レーザ光
による書込み又は、読取りのためには、半導体レーザ光
すなわち近赤外光を吸収できる物質が不可欠である。

近赤外光を吸収する有機色素としては、従来、シアニン
色素がよく知られており、またオキシムやチオールの金
屑錯体、アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収
する色素として知られている〔有機合成化学協会誌、４
３巻、３３４頁（Ｉ９８５年）２色材協会誌、５３巻、
１９７頁（Ｉ９８０年）２色材協会誌、５８巻、２２０
頁（Ｉ９８５年）〕。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、シアニン色素は耐光堅牢性が極めて低い
ので、これを使用する場合には、多くの制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体も、あ
る種の媒体中では、錯体から金属が脱雛して、近赤外光
の吸収能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノ
ン誘導体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い問題
がある。

一方、これらの問題点を克服できる材料として。

最近ナフタロシアニン誘導体が知られているが、従来の
無置換金属ナフタロシアニン〔ラニーナル・オブシェ・
キミ（Ｚｈｕｒｎａｌ　０ｂｓｈｃｈｅｉ　Ｋｈｉｍｉ
ｉ）　。

第３９巻２５５４頁、１９６９年１モル・クリスト・リ
フ・クリスト（Ｍｏ１．Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓ
ｔ、　）第１１２巻３４５頁、１９８４年〕は、有機溶
媒に不溶であるために、精製が極めて困難である。また
、最近、有機溶媒に可溶なナフタロシアニン誘導体の合
成が報告されている（特開昭６０−２３４５１号公報、
特開昭６０−１８４５６５号公報、特開昭６１−２１５
６６２号公報、特開昭６１−２１５６６３号公報）が、
これらのナフタロシアニン誘導体は、その吸収が溶媒の
種類、濃度、温度等により大きく変化し、高濃度の溶液
中あるいは固体膜とした場合には、半導体レーザ光を吸
収する能力が極めて低下してしまうだけでなく、光ディ
スクにおいて記録された情報の読み出しに反射光を用い
る場合に重要な反射率が、半導体レーザ領域（７８０〜
８３０　ｎｍ）で非常に低いという問題点があった。

また、反射率の高いナフタロシアニンが特開昭６１−２
３５１８８号公報に２つの化合物だけ報告され、またそ
の合成法の概念が特開昭６１−１７７２８７号公報及び
特開昭６１−１７７２８８号公報に報告されているが、
実施例が少なく、実際その通りに合成できるものは少な
い。たとえば、特開昭６１−１７７２８８号公報第８頁
右上欄第１行目記載の反応式Ｉでは、Ｘ、　ｎに長鎖ア
ルキル基等が含まれると、原料であるの溶解度が大きく
なり、この原料自体の合成において、反応溶液からこの
原料の単離が不可能となるだけでなく、その原料である の合成段階でも複雑な反応混合物となってしまい反応系
からのこの化合物の分離精製が困難となってしまうこと
から、所望のナフタロシアニン合成に用いることができ
なくなる。また、同じく特開昭６１−１７７２８８号公
報第８頁右上欄第３行目記載の反応式■は、　Ｆｒ１ｅ
ｄｅｌ−Ｃｒａｆｔ反応類似のナフタロシアニン環の求
核反応であり、アルコキシル基。

アルキルチオ基、アミノ基の導入には適さない。

さらに、同じく特開昭６１−１７７２８８号公報第８頁
右上欄第５行目記載の反応式■では原料の精製が不可能
であり、生成物が非常に複雑な混合物となり、生成物も
精製困難であることから純度の高い生成物の単離には不
適当であるだけでなく、原料のＳｉに付いたヒドロキシ
ル基の影響で本反応自体が阻害され好ましい方向に反応
を進めることができない。このように、実際に有機溶媒
に可溶で光記録媒体として特性の優れた特にナフタロシ
アニン環に長鎖アルキル基を有するナフタロシアニンの
合成には、別途合成法を見出さなければならないという
問題があった。

〔課題を解決するための手段〕

仮に、請求項１の発明を第１の発明と呼ぶことにする。

すなわち第１の発明は、−形成（Ｉ）［式中、ｋ、ｌ、
ｍ及びｎは０〜４の整数を示し同一でも相違してもよく
かっに＋Ｒ＋ｍ＋ｎが１以上の整数であり、Ｒ１はアル
キル基、置換基を有するアルキル基又はアリール基を示
し、／（ｋ＋Ｑ＋ｍ＋ｎ）個のＲ１は同一でも相異して
もよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはアリール
オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
も相違してもよいコで表わされるナフタロシアニン誘導
体に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
芳香族系、ハロゲン系、エーテル系、ケトン系及び飽和
炭化水素系溶媒に可溶であり、容易に精製し純度を向上
できるだけでなく、溶媒の種類及び濃度等による吸収の
変化がなく、半導体レーザ光を吸収する能力に著しく優
れている。

上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチル
ベンゼン、１−クロロナフタレン。

キノリン等があり、上記ハロゲン系溶媒としては、塩化
メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、トリクロロエタ
ン等があり、上記エーテル系溶媒としては、ジエチルエ
ーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルジメチルエーテル、ジエチレングリコール七ツメチル
エーテル。

ジエチレングリコールジメチルエーテル等があり、ケト
ン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルプロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、アセトンアルコール等があり、飽和炭化水素系溶
媒としては、ヘキサン。

ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ド
デカン等がある。

前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１のアルキル基の例とし
ては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、　５ｅｃ
−プロピル基、ｎ−ブチル基、　ｓｅｅブチル基、し−
ブチル基、ｎ−アミル基、ｔ−アミル基、２−アミル基
、３−アミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基
、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシ
ル基、オクタデシル基、エイコシル基、トコシル基等が
あげられ、置換基を有するアルキル基の例としては、エ
ステル基を有するアルキル基、アミド基を有するアルキ
ル基、ヒドロキシル基を有するアルキル基。

アラルキル基、アルコキシアルキル基、ハロアルキル基
等があり、アリール基としては、フェニル基、トリル基
、アニシル基、ハロフェニル基等がある。

前記一般式（Ｉ）において、Ｍとしては、Ｓｉ。

Ｇｅ及びＳｎがあげられ、Ｙとしては、アリールオキシ
ル基としてフェノキジル基、トリルオキシル基、アシロ
キシル基等があり、アルコキシル基としては、アミロキ
シル基、ヘキシロキシル基、オクチロキシル基、チシロ
キシル基、トデシロキシル基、テトラゾシロキシル基、
ヘキサデシロキシル基、オクタデシロキシル基、エイコ
シロキシル基、トコシロキシル基等があり、トリアルキ
ルシロキシル基としては、トリメチルシロキシル基、ト
リエチルシロキシル基、トリプロピルシロキシル基、ト
リブチルシロキシル基等があり、トリアリールシロキシ
ル基としては、トリフェニルシロキシル基、トリアニシ
ルシロキシル基、トリトリルシロキシル基等があり、ト
リアルコキシシロキシル基としては、トリメトキシシロ
キシル基、トリエトキシシロキシル基、トリプロポキシ
シロキシル基、トリブトキシシロキシル基等があり、ト
リアリールオキシシロキシル基としては、トリフエノキ
シシロキシル基、ドリアニシロキシシロキシル基、トリ
トリルオキシシロキシル基等があり、アシロキシル基と
しては、アセトキシル基、プロピオニルオキシル基、ブ
チリルオキシル基、バレリルオキシル基、ピバロイルオ
キシル基。

ヘキサノイルオキシル基、オクタノイルオキシル基等が
ある。

これらのアルキル基の長さは、前記一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体を有機溶媒に溶解すると
きの溶解度だけでなく、この化合物の融点の値、さらに
はこの化合物を有機溶媒に溶かしその溶液はガラス板な
どの適当な基板上にスピンコードして形成した非晶質膜
の吸光スペクトル、透過スペクトル及び反射スペクトル
に大きな影響を及ぼす。

特に、中心金属Ｍに結合した置換基Ｙのアルキル基の長
さは、スピンコード膜のスペクトルに大きく影響を与え
る。したがって、使用するレーザーの発振波長に合わせ
てＹのアルキル鎖長を変化させることができる。

一方、Ｒ１のアルキル鎖長は、前述のＹのアルキル鎖長
を変化させたときのこの化合物の有機溶媒に対する溶解
度及び融点を調節するための機能を有する。

たとえば、Ｙがトリアルキルシロキシル基の場合、その
アルキル基の長さは、スピンコード膜のスペクトルに大
きく影響を与え、アルキル鎖長が短いほど、極大吸収、
極小透過率及び極大反射率は、それぞれ大きく長波長シ
フトする。したがって、使用半導体レーザーに対して極
大反射率の点で特に好ましいものを、トリアルキルシロ
キシル基のアルキル基の長さを変化させることで得られ
、Ｒ１はナフタロシアニン誘導体の溶解度及び融点が最
適となるように適当に選択することができる。

前記一般式（Ｉ）においてＭがＳｉ又は、Ｇｅであるナ
フタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１で
あるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て炭素数１〜２２個
のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい
６ 前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て置換基を有するア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

本発明に係るナフタロシアニン誘導体の具体例を次に示
す。なお式中、ｐｈはフェニル基を示す。

しｒｔ、Ｕし２１１４ｂ しＩＩ、ＩＡ；２１１４ら ５Ｃ２Ｈ，ＱＣ）ｌ。

δし２”４υしＩＩ３ ５Ｃ４Ｈ。

し４ＩＩり） Ｃ４＋４．Ｓ コし４”９ し■３≧ し■３ろ し４＋１９Ｓ し！＋１１１２１” ＳＣ□。１１□□ ［Ｒ”　＝　−５Ｃ２Ｈ４Ｃｏ・０Ｃ１１□Ｃ（ＣＨ，
）ｚＣＨ，（ｔＣ４Ｉ＋、）コ［Ｒ１ ５Ｃ２ＩＩ４Ｃ０・０Ｃ）１□Ｃ（ＣＨ，）ｚｃ＋＋□
（ｔＣ４Ｈ９）コ［Ｒ１＝ ＳＣ２）１４ＣＯ−ＯＣＩＩ□Ｃ（ＣＩ、）２ＣＨ２（
ｔＣ，Ｈ，）コ仮に、請求項７の発明を第２の発明と呼
ぶことにする。すなわち、第２の発明は、一般式（ＩＩ
）（ＳＲ″）＋。

［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは○〜４の整数を示し同一で
も相違してもよくかつに＋Ｒ＋ｍ＋ｎが１以上の整数で
あり１ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示す。コ で表わされるナフタロシアニン誘導体を一般式％式％（
） で表わされるクロロシラン、一般式（ＩＶ）（Ｒ’）、
　Ｓ　ｉ　ＯＨ（ｒＶ） ［ただし、式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、Ｒ′及びＲ３
は、それぞれアルキル基、アリール基、アルコキシル基
又はアリールオキシル基である］で表わされるシラノー
ル、一般式（Ｖ） Ｒ４０Ｈ（Ｖ） ［ただし、式中Ｒ４は、アルキル基又はアリール基であ
るコで表わされるアルコール又は一般式％式％（） ［ただし、式中Ｒｓは、アルキル基、Ｘはハロゲン原子
、ヒドロキシル基又はアシロキシル基である］で表わさ
れる化合物と反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し同一で
も相違してもよくかつに十〇十ｍ＋ｎが１以上の整数で
あり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキル基又
はアリール基を示し、夕（ｋ＋ｆｆ＋ｍ＋ｎ）個のＲ１
は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを
示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、トリ
プルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、ト
リアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロキ
シル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル法を示し
、２個のＹは同一でも相違してもよいコで表わされるナ
フタロシアニン誘導体の製造法に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
−形成（ＩＩ）で表わされる化合物と過剰の一般式（■
）、−形成（■）、−形成（Ｖ）又は−形成（ＶＩ）で
表わされる化合物とを加熱反応させることにより得るこ
とができる。この場合、反応温度は８０〜２５０　’Ｃ
が好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が好ましい。

この反応は、溶媒なしで反応させるか、あるいは溶媒と
して、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベン
ゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロ
ベンゼン、１−クロロナフタレン、テトラリン、ピリジ
ン、β−ピコリン、キノリン等を使用し、必要に応じて
トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルア
ミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン等の脂
肪族アミン存在下行うのが好ましい。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単離・精製は、反応混合物をクロマトグ
ラフィー法により分能した後、再結晶法により精製する
などの方法によって行うことができる。

一般式（ＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、−形成（ＩＫ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
でも相違してもよくかつに一１１２＋ｍ＋ｎが１以上の
整数であり、Ｒ１はアルキル基、＝換基を有するアルキ
ル基又はアリール基を示し、／（ｋ＋　Ｑ　＋　ｍ　＋
　ｎ　）個のＲ１は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ
、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｘはハロゲン原子を示し、２個
のＸは同一でも相違してもよいコで表わされるナフタロ
シアニン誘導体を加熱上加水分解反応をさせることによ
り得ることができる。この場合、反応温度は５０〜１５
０℃が好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が好まし
い。

このためには、ピリジン／水、ピリジン／アンモニア水
、メタノール／アンモニア水、エタノール／アンモニア
水、プロパツール／アンモニア水などの混合溶媒中で反
応させるのが好ましい。

−形成（ＩＸ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、−形成（Ｘ） ［ただし、式中Ｒ１は、同一でも相異してもよいアルキ
ル基、置換基を有するアルキル基又はアリール基であり
、ｎは同−又は相異してもよい１〜４の整数である］で
表わされる１、３−ジイミノベンゾ［ｆｌイソインドリ
ン誘導体又は−形成［ただし、式中Ｒ１は、同一でも相
異してもよいアルキル基、置換基を有するアルキル基又
はアリール基であり、ｎは同−又は相異してもよい１〜
４の整数であるコで表わされる２、３−ジシアノナフタ
レン誘導体１モルに対して一般式（Ｘ［Ｉ）ＭＸ、　　
　　　　　　　　　　　　　　（Ｘ［ｌ）［ただし、式
中Ｘはハロゲン原子及びｐは金ｆｆ１ＭへのＸの結合数
を示す正の整数であり１ＭはＳｉ。

Ｇｅ又はＳｎを示す］で表わされる金属ハロゲン化物を
０．１〜１モルの比で共存させ加熱反応させることによ
り得ることができる。この場合、反応温度は１５０〜３
００℃が好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が好ま
しい。この反応は、溶媒なしで反応させてもよいし、ま
た溶媒として尿素、テトラリン、キノリン、１−クロロ
ナフタレン、１−ブロモナフタレン、トリメチルベンゼ
ン。

ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等ヲ使用しても
よい。また、この反応は、アミン類の存在下行うのが好
ましく、使用するアミンとしては、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチル
アミン、トリヘキシルアミン等がある。上記金属ハロゲ
ン化物としては、５ｉＣＱ４，５ｉＢｒ、、Ｓｉ　ｒ、
、ＧｅＣＱ４゜ＧｅＢ　ｒ４，５ｎＣＱ２．Ｓｎ　Ｉ２
等がある。

一般式（Ｘ）で表わされる１、３−ジイミノベンゾ［ｆ
ｌイソインドリンは、一般式（ＸＩ）で表わされる２、
３−ジシアノナフタレン誘導体をメタノール中、触媒と
してナトリウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き
込みながら１〜１０時間加熱還流することによって得る
ことができる。

一般式（Ｘ［）で表わされる２、３−ジシアノナフタレ
ン誘導体は、主に次の２つの方法により製造することが
できる。

すなわち、その一つは、一般式（ＸＩ）（ただし式中Ｒ
１は、同一でも相異してもよいアルキル基、置換基を有
するアルキル基又はアリール基を示し、ｎは１〜４の整
数を表わす）で表わされる０−キシレン誘導体と式（Ｘ
Ｎ）す で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱上光
照射されて得られる一般式（ＸＶ）（ただし式中Ｒ１は
、同一でも相異してもよいアルキル基、置換基を有する
アルキル基又はアリール基を示し、ｎは１〜４の整数を
表わす）で表わされる化合物を、式（ＸＹ） ＨＣＮ ＼　　／ １１（ｘ■） ／　　＼ ＮＣＲ で表わされるフマロニトリルと加熱上反応させて一般式
（Ｘ［）で表わされる２、３−ジシアノナフタレン誘導
体を合成する方法である。

一般に、一般式（ＸＩ）で表わされる０−キシレン誘導
体と式（Ｌｌｌ）で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミ
ドとの反応は、０−キシレン誘導体０．２ｍｏｆｆとＮ
−ブロモこはく酸イミド０．８ｍｏＱ　を高圧水銀灯照
射下、光照射に対して不活性な溶媒中で、４〜１２時間
加熱還流することにより行うことができる。反応は、光
反応開始剤として、ラジカル発生剤である過酸化物を添
加する必要がある。

過酸化物としては、過酸化ベンゾイル、過酸化オクタノ
イル、過酸化シクロヘキサノン、過酸化イソブチリル、
過酸化２，４−ジクロロベンゾイル、過酸化メチルエチ
ルケトンなどが挙げられ、通常、溶媒５００　ｍ　Ｑに
対して５００■〜２ｇの範囲で使用される。また光照射
に対して不活性な溶媒としては、クロロホルム、四塩化
炭素などのハロゲン系溶媒、または、ベンゼン、クロロ
ベンゼンなどの芳香族系溶媒から適宜選択される。

また、次の一般式（ＸＹ）で表わされる化合物と式（Ｘ
Ｙ）で表わされるフマロニトリルとの反応は、一般式（
ＸＶ）で表わされる化合物１　ｍｏ　Ｑに対して、式（
ＸＹ）で表わされるフマロニトリルを１〜２ｍｏΩの比
で共存させ１反応温度は、７０°Ｃ〜１００℃が好まし
く、反応時間は、５〜１０時間が好ましい。溶媒として
は、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチル
アセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミド等の極
性有機溶媒が好ましい。

他の一つは、一般式（ＸＹ） （ただし、式中ｎは１〜４の整数を表わす）で表わされ
るブロモ−２，３−ジシアノナフタレンを過剰の一般式
（ＶＩＩ） 。ｕＳＲ・　　　　　　　　　　　　（ＶＩＩ）［ただ
し、式中Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキル基
又はアリール基である。コで表わされる銅（Ｉ）チオレ
ートと加熱上置換反応させることにより得ることができ
る。この場合、反応温度は８ｏ〜２５０℃が好ましく１
反応時間は、１〜３０時間が好ましい。また、この反応
の溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリ
メチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、
トリクロロベンゼン、１−クロロナフタレン。

テトラリン、ピリジン、β−ピコリン、キノリン等を単
一または、混合溶媒として用いることができる。

一般式（Ｘ■）で表わされるブロモ−２，３−ジシアノ
ナフタレンは、例えばラニーナル・オルガニヘスコ・キ
ミ（Ｚｈｕｒｎａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃｈｅｓｋｏｉ　Ｋ
ｈｉｍｉｉ）　。

第７巻３６９頁、１９７１年に記載された方法を参考に
して下記式（Ａ）の経路で合成することができる。

で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱上光
照射されて得られるビス（ジブロモメチル）ブロモベン
ゼン（Ｘりを式（Ｘ■） で表わされるフマロニトリルと加熱上反応させて一般式
（Ｘ■）で表わされるブロモ−２，３−ジシアノナフタ
レンを得る方法である。

一般に、一般式（Ｘ■）で表わされるブロモ−〇−キシ
レンと式（ＸＮ）で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミ
ドとの反応は、ブロモ−０−キシレン０．２ｍｏＱ　と
Ｎ−ブロモこはく酸イミド０　、８　ｍｏ　Ｑを高圧水
銀灯照射下、光照射に対して不活性な溶媒中で、４〜１
２時間加熱還流することにより行うことができる。反応
は、光反応開始剤としてラジカル発生剤である過酸化物
を添加する必要がある。過酸化物としては、過酸化ベン
ゾイル、過酸化オクタノイル、過酸化シクロヘキサノン
、過酸化インブチリル、過酸化２，４−ジクロロベンゾ
イル、過酸化メチルエチルケトンなどが挙げられ、通常
、溶媒５００　ｍ　Ｑに対して５００■〜２ｇの範囲で
使用される。また光照射に対して不活性な溶媒としては
、クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン系溶媒また
はベンゼン、クロロベンゼン、などの芳香族系溶媒から
適宜選択される。

また次の式（Ｘりで表すされる化合物と式（Ｘ■）で表
わされるフマロニトリルとの反応は、一般式（Ｘりで表
わされる化合物１　ｍｏ　Ｑに対して式（Ｘ■）で表わ
されるフマロニトリルを１〜２　ｍｏ　Ｑの比で共存さ
せ、反応温度は、７０〜１００℃が好ましく、反応時間
は、５〜１０時間が好ましい。溶媒としでは、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ。

Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ
、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジエチルアセト
アミド等の極性有機溶媒が好ましい。

仮に請求項８の発明を第３の発明と呼ぶことにする。す
なわち、第３の発明は一般式（ＶＩＩ）（Ｂｒ）ｍ ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し同一で
も相違してもよくかっｋ　＋　Ｑ　＋　ｍ　＋　ｎが１
以上の整数であり、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙ
はアリールオキシル基、アルコキシル基。

トリアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基
、トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシ
ロキシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を
示し、２個のＹは同一でも相違してもよい］で表わされ
るナフタロシアニン誘導体を一般式（ＶＩＩ） Ｃｕ　Ｓ　Ｒ・　　　　　　　　　　　　（ＶＩＩ）［
ただし１式中Ｒ１は、アルキル基、置換基を有するアル
キル基又はアリール基である］で表わされる銅（Ｉ）チ
オレートと反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し同一で
も相違してもよくかつｋ　＋　Ｑ　＋　ｍ　＋　ｎが１
以上の整数であり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有する
アルキル基又はアリール基を示し、！（ｋ＋Ｑ＋ｍ＋ｎ
）個のＲ１は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ
又はＳｎを示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシ
ル基、トリアルキルシロキシル基、トリアリールシロキ
シル基、トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオ
キシシロキシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシ
ル基を示し、２個のＹは同一でも相違してもよいコで表
わされるナフタロシアニン誘導体の製造法に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（ＶＩＩ）で表わされる化合物と過剰の一般式（
ＶＩＩ）で表わされる銅（Ｉ）チオレー１へとを加熱下
置換反応させることにより得ることができる。この場合
、反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反応時間は１
〜３０時間が好ましい。

また、この反応の溶媒としては、ベンゼン、トルエン、
キシレン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジク
ロロベンゼン、トリクロロベンゼン。

１−クロロナフタレン、テトラリン、ピリジン。

β−ピコリン、キノリン等を単一または混合溶媒として
用いることができる。

一般式（Ｉ）においてＲ１が相異する置換基であるナフ
タロシアニン誘導体を得る場合は、相異する置換基に対
応する置換基を有する数種の一般式（ＶＩＩ）で表わさ
れる銅（Ｉ）チオレートと反応させることが必要である
。

−Ｉ＆式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の
反応混合物からの単離・精製は、反応混合物をカラムク
ロマトグラフィー法または薄層クロマトグラフィー法に
より分離した後、再結晶法により精製するなどの方法に
よって行うことができる。

一般式（ＶＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘［式
中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは○〜４の整数を示し同一でも相
違してもよくかつに−１−Ｑ＋ｍ＋ｎが１以上の整数で
あり、ＭはＳｉ、Ｇｓ又はＳｎを示す］で表わされるナ
フタロシアニン誘導体を過剰の一般式（ＩＩＩ） （Ｒ２）３Ｓ　ｉ　ＣＱ　　　　　　　　　　（Ｉｌｌ
ｒ）で表わされるクロロシラン、一般式（ｍＶ）（Ｒ’
）、Ｓ　ｉ　ＯＨ（ｒＶ） ［ただし、式（ＩＩＩ）及び（ＴＶ）中　Ｒ２及びＲ３
はそれぞれアルキル基、アリール基、アルコキシル基又
はアリールオキシル基であるコで表わされるシラノール
、一般式（Ｖ） Ｒ４０Ｈ（Ｖ） ［ただし１式中Ｒ４は、アルキル基又はアリール基であ
るコで表わされるアルコール又は一般式％式％（） ［ただし１式中Ｒ５はアルキル基、Ｘはハロゲン原子、
ヒドロキシル基又はアシロキシル基であるコで表わされ
る化合物と加熱反応させることにより得ることができる
。この場合、反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反
応時間は３０分〜１０時間が好ましい。この反応は、溶
媒なしで反応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼン
、トルエン。

キシレン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼン。

ジグ口口ベンゼン、トリクロロベンゼン、１−クロロナ
フタレン、テトラリン、ピリジン、β−ピコリン、キノ
リン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミン、トリ
プロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミ
ン、トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行うの
が好ましい。

一般式（ＶＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘導体
の反応混合物からの単離・精製は、反応混合物をクロマ
トグラフィー法により分離した後、再結晶法により精製
するなどの方法によって行うことができる。

一般式（ＸＸ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、一般式（ＸＩ） （Ｂｒ）＋ｎ 〔式中、ｋ、Ｒ，ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し、同一
でも相違してもよくかつｋ　＋　Ｑ　＋　ｍ　＋　ｎが
１以上の整数であり、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、
Ｘはハロゲン原子を示し、２個のＸは同一でも相違して
もよいコで表わされるナフタロシアニン誘導体を室温下
１〜１０時間濃硫酸中で処理した後、濃アンモニア水中
で３０分〜１０時間還流するか、または、ピリジン／水
、ピリジン／アンモニア水、メタノール／アンモニア水
、エタノール／アンモニア水、プロパツール／アンモニ
ア水中で３０分〜１０時間加熱還流することによって得
ることができる。

一般式（Ｘｌｌ）で表わされるナフタロシアニン誘導体
は、一般式（ＸＩ） ［ただし、式中ｎは、１〜４の整数を表わすコで表わさ
れるブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソインド
リン１モルに対して一般式（Ｘｎ）ＭＸ、　　　　　　
　　　　　　　　　　（Ｘ［Ｉ）（ただし１式中Ｘはハ
ロゲン原子を表わし、ｐは、金属ＭへのＸの結合数を表
わす正の整数であり、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示す）
で表わされる金属ハロゲン化物を０．１　〜１モルの比
で共存させて加熱反応させて得ることができる。この場
合、反応温度は１５０〜３００℃が好ましく、反応時間
は３０分〜１０時間が好ましい。この反応は、溶媒なし
で反応させてもよいし、また溶媒として尿素、テトラリ
ン、キノリン、１−クロロナフタレン、１−ブロモナフ
タレン、トリメチルベンゼン、ジクロロベンゼン、トリ
クロロベンゼン等を使用してもよい。また、この反応は
、アミン類の存在下行うのが好ましく、使用するアミン
としては、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ト
リブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルア
ミン等がある。上記金属ハロゲン化物としては、Ｓ　ｉ
　Ｃｌ、、　Ｓ　ｉ　Ｂ　ｒ４．　Ｓｉ１．、　ＧｅＣ
Ｑ４゜ＧｅＢｒ４，５ｎＣＱ２．ＳｎＩ、等がある。

一般式（ＸＩ）で表わされるブロモ−１，３−ジイミノ
ベンゾ［ｆ〕イソインドリンは、一般式［ただし、式中
ｎは、１〜４の整数を表わす］で表わされるブロモ−２
，３−ジシアノナフタレンをメタノール中触媒としてナ
トリウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込みな
がら１〜１０時間加熱還流すことによって得ることがで
きる。

前記第２の発明及び第３の発明において、−放火（ＩＩ
）、−放火（Ｉ）、−放火（■）、−放火（Ｘｌｌ）　
、−放火（ＶＩＩ）、−放火（ＸＩ）及び−放火（ＸＩ
）で、ＭがＳｉ又はＧｅであるナフタロシアニン誘導体
の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、−放火（ＩＩ
）、−放火（■）、−放火（■）、−放火（Ｘ）、−放
火（ＸＩ）　、−放火（ＸＩ）、−放火（ＸＹ）　、−
放火（Ｘ’α）、−放火（Ｘ■）、−放火（ＸＩ）　、
−放火（ＶＩＩ）、−放火（ＸＸ）　、−放火（ＸｙＩ
）又は−放火（ＸＸＩ）でに、Ｒ，ｍ及びｎが全て１で
あるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、−放火（ｍ）
及び−放火（ＩＶ）でそれぞれＲ２及びＲ３がアルキル
基であり、−放火（Ｔ）及び−放火（ＶＩＩ）で２個の
Ｙがトリアルキルシロキシル基であるナフタロシアニン
誘導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、−放火（ＩＩ
）、−放火（Ｉ）、−放火（■）、−放火（Ｘ）、−放
火（Ｘ［）　、−放火（Ｉ厘）、−放火（ＸＶ）及び−
放火（ＶＩＩ）でＲ１が全て炭素数１〜２２個のアルキ
ル基であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい
。

前記第２の発明及び第３の発明において一般式（ＩＩ）
、−放火（Ｉ）、−放火（■）、−放火（Ｘ）、−放火
（ＸＩ）　、−放火（ＸＩ）　、−放火（ＸＶ）及び−
放火（ＶＩＩ）で、Ｒ１が全て置換基を有するアルキル
基であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。

仮に請求項１４の発明を第４の発明と呼ぶことにする。

すなわち、第４の発明は、基板表面に一般式（Ｉ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し同一で
も相違してもよくかっに十〇十ｍ＋ｎが１以上の整数で
あり、Ｒ１はアルキル基、置換基を有するアルキル基又
はアリール基を示し、／Ｐ（ｋ＋１２＋ｍ＋ｎ）個のＲ
１は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
を示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、ト
リアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、
トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロ
キシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を示
し、２個のＹは同一でも相違してもよいコで表わされる
ナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成
されていることを特徴とする光学記録媒体に関する。

本発明に係る光学記録媒体は、基板上に本発明の一般式
（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘週休を主成分と
する記録層を設けたものであるが必要に応じて下地層や
保護層などの他の層を設けることができる。

使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込み
、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明で
なければならない。

一方、基板と反対側すなわち記録層側から書き込み、読
出しを行う場合は、使用するレーザー光に対して透明で
ある必要はない。基板材料としては、ガラス、石英、マ
イカ、セラミック、板状または箔状の金属などの無機材
料のほか、紙、ポリカーボネート、ポリエステル、酢酸
セルロース、ニトロセルロース、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン。

ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド
、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びメチル
メタクリレート共重合体等の有機高分子材料の板が挙げ
られるが、これらに限定されない。記録時に熱損失が少
なく、感度をあげるという意味で低熱伝導率の有機高分
子からなる支持体が望ましく、基板には必要に応じて凹
凸で形成される案内溝を設けても良い。

また、基板には必要に応じて下地膜を設けてもよい。

前記一般式（Ｉ）においてＭが、Ｓｉ又はＧｅであるナ
フタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成さ
れている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてに、α２ｍ及びｎが全て１で
あるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が
形成されている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする
記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て炭素数１〜２２個
のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分と
する記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい
。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て置換基を有するア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする
記録膜層が形成されている光学記録媒体が好ましい。

仮に請求項２０の発明を第５の発明と呼ぶことにする。

すなわち、第５の発明は、一般式（Ｉ）［式中、ｋ、ｌ
、ｍ及びｎはＯ〜４の整数を示し同一でも相違してもよ
くかっに＋１２＋ｍ＋ｎが１以上の整数であり、Ｒ１は
アルキル基、置換基を有するアルキル基又はアリール基
を示し、／（ｋ十Ｑ　＋　ｍ　＋　ｎ　）個のＲ１は同
一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し
、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、トリアル
キルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、トリア
ルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロキシル
基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を示し、２
個のＹは同一でも相違してもよいコで表わされるナフタ
ロシアニン誘導体を主として有機溶媒に溶解した溶液を
用いて基板表面に記録膜層を形成することを特徴とする
光学記録媒体の製造方法に関する。

上記有機溶媒としては、一般式（Ｉ）で表わされるナフ
タロシアニン誘導体を溶解する前記芳香族系、ハロゲン
系、エーテル系、ケトン系及び飽和炭化水素系等の溶媒
の中から選択され、単一でも混合された溶媒でもよい。

ただし、使用する基板を浸さない溶媒を用いるのが好ま
しい。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を有
機溶媒に溶解した溶液を用いた記録膜層の形成方法とし
ては、塗布法、印刷法、浸漬法がある。具体的には、色
素を上記溶媒に溶解し、ス時に、必要に応じてポリマー
バインダー等の結着材、安定剤等を添加することもでき
る。バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリアミド
樹脂。

ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂等を挙げることができ
るが、これらに限定されない。

該記録層材料は、単独あるいは２種以上の組み合わせで
用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい。記録層の膜層は５
０〜１００００人の範囲が好ましく、特に１００〜５０
００人の範囲が好ましい。

また、形成された記録像を光学的に再生する時。

反射光を利用することが多い。この場合にはコントラス
トを高める有効な方法として、基板側から書き込み、読
み出しを行う場合は基板と反対側の記＠層の表面に、高
い反射率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対
側すなわち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合
は、基板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設け
ることもできる。この高反射率の金属としては、ＡＱ。

Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどが用いられる。これらの膜
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着などの公
知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜厚は１
００〜１００００人の範囲で選ばれる。

ただし、該ナフタロシアニン誘導体は、それ自身の反射
率が高く、金属反射層を設ける必要はない。

また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらのポ
リマーとしては、ポリエステル。

ポリ塩化ビニルなどの市販のポリマーが適用可能である
。

さらに、最外層に保護層を設け、これにより安定性、保
護性を増し、さらに、表面反射率の低減による感度増加
を目的とする暦を設けることもできる。このような保護
層に用いられる材料としては、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リ塩化ビニル、塩化ビニリデンとアクリロニトリル共重
合体、ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリメチルメタク
リレート、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブタジ
ェン、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、フッ素ゴ
ム、ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、酢
酸セルロースなどがある。これらは、単独でまたはブレ
ンドとして用いられる。保護層にシリコーンオイル、帯
電防止剤、架橋剤などを存在させることは、膜性能の強
化の点で好ましい。

また、保護層は２層に重ねることもできる。上述した保
護層用の材料は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、薄
いフィルムとしてラミネートする方法が適用可能である
。このような保護層の膜厚は０．１〜１０μｍの厚みに
設けるが、好ましくは０．１〜２μｍで用いられる。

前記一般式（Ｉ）においてＭが、Ｓｉ又はＧｅであるナ
フタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体の製造方法
が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１で
あるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体の製
造方法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがトリアルキルシロ
キシル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記
録媒体の製造方法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て炭素数１〜２２個
のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光
学記録媒体の製造方法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て置換基を有するア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記
録媒体の製造方法が好ましい。

（実施例〕 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は、こ
れらに制限されるものではない。

合成例１ 〔３，４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼンの合
成〕 ４−ブロモ−０−キシレン（７５％）　（Ａｌｄｒｉｃ
ｈ社製）３７ｇ（０，２ｍｏｎ）及びＮ−ブロモこはく
酸イミド１４２．４ｇ　（０，８ｍｏｎ）の四塩化炭素
５００ｍＱ溶液に過酸化ベンゾイル１ｇを加え内部照射
管（ウシオ電気工業社製）中で還流しながら８〜１２時
間高圧水銀灯（Ｉ００Ｗ）により光照射した。放冷後、
析出した白色結晶を吸引ろ過して除き、母液の四塩化炭
素溶液を減圧上濃縮した。得られた固体をヘキサン／塩
化メチレンより再結晶し、無色結晶として３，４−ビス
（ジブロモメチル）ブロモベンゼン６４ｇを得た。３，
４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼンの物性は下
記に示すものであった。

（Ｉ）融点　１０８．５〜１１０．５℃（２）元素分析
値： ＣＨＢｒ 計算値（％）　　　１９．１９　１．０１　７９．８０
分析値（％）　　　１９，１２　０．８８　７９．８４
（３）ＮＭＲスペクトル値：ＣＤＣＩＩＩ、溶媒δ値　
７．８１（ＬＨ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．５７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．５４１（ｚ）７．５０（
ＬＨ，ｄｄ、Ｊ＝８．５４，１．８３Ｉ（ｚ）７．０６
（ＬＨ，ｓ） ７．０２（ＬＨ，５） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１図に示す。

合成例２ 〔６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレンの合成〕 ３．４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼン１００
．２ｇ　（０，２ｍｏＱ）、７ｖｏニトリル２７ｇ（０
，３４６ｍｏＱ）の無水Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
８００ｍＲ溶液に、よくかくはんしながらヨウ化ナトリ
ウム２００ｇ（０，６７ｍｏＱ）を加え、窒素雰囲気下
約７５°Ｃで約７時間かくはんした。反応後、内容物を
約４ｋｇの氷中へ注ぎ出した。赤かっ色水溶液が淡黄色
になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウムを加え、わずか
に過剰量亜硫酸水素ナトリウムを加え、しばらくかくは
んした後、室温下−晩装置した。析出した淡黄色固体を
吸引ろ過し充分に水、次にメタノールで洗浄した。淡黄
色固体をアセトン／エタノールから再結晶することによ
って無色針状晶が３３ｇ得られた。

この結晶は、下記の分析結果から６−ブロモ−２゜３−
ジシアノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　２５４．５〜２５５．５℃（２）元素分析
値： ＣＨＮ　　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　　５６，０６　１．９６　１０．９０
　３１．０８分析値（％）　　５５．９９　１．６７　
１０．８７　３０．７４（３）ＮＭＲスペクトル値：Ｃ
ＤＣｌ２３溶媒（ＮＭＲスペクトルを第２図に示す） δ値　８．３４（ＬＨ，ｓ） ８．２７（ＬＨ，ｓ） ８．１７（ＩＨ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８８（２Ｈ，ｍ） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３図に示す。

合成例３ 〔６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソイン
ドリンの合成〕 窒素雰囲気下、無水メタノール２７０ｍＱに金属ナトリ
ウム１．９２　ｇ（８４ｍｍｏＱ）を５回に分けて加え
て調整したナトリウムメトキシド−メタノール溶液に６
−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレン４４．１　ｇ　
（０，１７２ｍｏＱ）を加え、よくかくはんしながら室
温下、無水アンモニアガスを約１時間ゆっくりとバブル
した。無水アンモニアガスをバブルしながら約３時間還
流した。冷却後、析出した黄色固体をろ過しメタノール
で充分に洗浄し、減圧乾燥すると６−ブロモ−１，３−
ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンが黄色固体として
４５ｇ得られた。この６−ブロモ−１，３−ジイミノベ
ンゾ（ｆ）イソインドリンのＩＲスペクトルを第４図に
示す、、６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イ
ソインドリンは、これ以上精製せずに次の反応に用いた
。

合成例４ 〔ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン（
一般式（ＸＸＩ）　　：ただしＭはＳｉ、Ｘは塩素原子
であり、ｎは１である〕の合成〕窒素雰囲気下、６−ブ
ロモ−１，３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリン２
２．５ｇ　（８１，８ｍｍｏＱ）の無水テトラリン１１
０　ｍ　Ｑ懸濁液に無水トリーｎ−ブチルアミン５４ｒ
ｎｌ、を加え、次いで四塩化ケイ素１４．４ｍＱ　（０
，１２６ｍｏＱ）を加えて約３時間還流した。冷却後メ
タノール７００ｍＱを加え一晩放置した。赤かっ色反応
混合物をろ過しメタノールで充分に洗浄後、減圧乾燥す
ると濃緑色の固体としてジクロロシリコン−テトラブロ
モナフタロシアニン（一般式（ＸＸＩ）　　：ただしＭ
はＳｉ、Ｘは塩素原子であり、ｎは１である）が約２０
ｇ得られた。このジクロロシリコン−テトラブロモナフ
タロシアニンは、これ以上精製せずに次の反応に用いた
。ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニンの
ＩＲスペクトルを第５図に示す。電子スペクトルを第６
図に示す。

合成例５ 〔ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニ
ン（一般式（ＸＸ）　：ただしＭはＳｉ、ｎは１である
）の合成〕 ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン９．
７ｇ　（８，６ｍｍｏ（Ｉ）を濃硫酸２５０ｍ１２中に
加え、約２時間かくはんした。反応混合物を氷約８００
ｇ中に注ぎ一晩放置した。析出した沈殿をろ過し、水次
いでメタノールで充分に洗浄した後、この沈殿を濃アン
モニア水１８０ｍＱ中で約１時間還流した。放冷後、吸
引ろ過し、水、メタノール次いでアセトンで充分に洗浄
し減圧乾燥すると、濃緑色固体としてジヒドロキシシリ
コン−テトラブロモナフタロシアニン（一般式（ＸＸ）
：ただしＭはＳｉ、ｎは１である）が８．７ｇ得られた
。このジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシ
アニンは、これ以上精製せずに次の反応に用いた。ジヒ
ドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニンのＩ
Ｒスペクトルを第７図に示す。電子スペクトルを第８図
に示す。

合成例６ 〔ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただし
ＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−プロピルシロ
キシル基である）の合成〕ジヒドロキシシリコンーテト
ラブロモナフタロシアニン２．８２　ｇ　（２，６ｍｍ
ｏｆｆ）の無水β−ピコリン２８０ｍＱ懸濁液に窒素雰
囲気下、無水トリーｎ−ブチルアミン８ｍＱ（３３，６
ｍｍｏＱ）　ついでトリーｎ−プロピルクロロシラン１
．２ｍＱ（３２，８ｍｍｏＩ２）を加え、約２時間還流
した。冷却後、混合物をエタノール／水（Ｉ／１）６０
０ｍＱ中へ注ぎ、よくかきまぜた後−晩装置した。

析出した沈殿をろ過し水で洗浄した。熱クロロホルムを
用いてこの沈殿のうち溶けるものだけ溶かし出し、クロ
ロホルム溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーにより精製し、さらにクロ
ロホルムから再結晶することにより濃緑色結晶が０．８
２　ｇ　得られた。

この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（トリーｎ
−プロピルシロキシ）シリコンーテ１へラブロモナフタ
ロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただしＭはＳｉ、ｎは
１であり、Ｙはトリーｎ−プロピルシロキシル基である
）であることを確認した。

（Ｉ）融点　３００℃以上 （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　　５６，５０　４，４５　７．９９　
２２．７８分析値（％）　　　５６．２８　４．３９　
８．０４　２２．４５（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭ
Ｒスペクトルを第９図に示す）：ＣＤＣＱ□ δ値　１０．０８（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．０１（４
Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．８２（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．５４（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５，３．０５Ｈｚ）
８．００（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）−０，２９（Ｉ
８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．１７七）０　、９０　（Ｉ２Ｈ，５
ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，０８（Ｉ２Ｈ，ｔ　
−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子スペクトル（ｃＨｃＱｔ溶
液）を第１０図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１１図に示す。

合成例７ 〔ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただしＭ
はＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−ブチルシロキシ
ル基である）の合成〕ジヒドロキシシリコンーテトラブ
ロモナフタロシアニン２．８２　ｇ（２，６ｍｍｏｎ）
の無水β−ピコリン２８０ｍＱ懸濁液に無水トリーｎ−
ブチルアミン８ｍＱ（３３，６ｍｍｏＱ）ついでトリー
ｎ−ブチルクロロシラン８．８ｍＱ（３２，８ｍｍｏｆ
２）を加え、約２時間還流した。放冷後、反応混合物を
合成例８と同様に処理し、クロロホルムから再結晶する
ことによって′ａ緑色結晶を０．７５　ｇ　得た。この
濃緑色結晶は下記の分析結果よりビス（トリーｎ−ブチ
ルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン
（一般式（ＶＩＩ）：ただしＭはＳｊ、、ｎは１であり
、Ｙはトリーｎ−ブチルシロキシル基である）であるこ
とを確認した。

（Ｉ）融点　３００℃以上 （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　　５８，１４　５，０２　７．５３　
２１．４９分析値（％）　　　５８．３６　５．１１　
７．５１　２１．０３（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭ
Ｒスペクトルを第１２図に示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．０９（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．０２（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．８５（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５５（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５，３．０５比）８
．０１（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）０．０２（３０
Ｈ，ｍ） −０，９９（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−
２，０７（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子ス
ペクトル（ＣＨＣｌ、溶液）を第１３図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１４図に示す。

合成例８ 〔ビス（トリー〇−へキシルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただし
ＭはＳｉ、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−へキシルシロ
キシル基である）の合成〕ジヒドロキシシリコンーテト
ラブロモナフタロシアニン２．８２ｇ　（２，６ｍｍｏ
Ｑ）の無水β−ピコリン２８０ｍｕ懸濁液に無水トリー
ローブチルアミン８ｍＡ（３３，６ｍｍｏｎ）ついでト
リーｎ−へキシルクロロシラン１２ｍ１２（３２，８ｍ
ｍｏＱ）を加え、約２時間還流した。放冷後、反応混合
物を合成例８と同様に処理し、ヘキサン／クロロホルム
から再結晶することによって濃緑色結晶を０．７８　ｇ
　得た。この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（
トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テトラブロモ
ナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただしＭはＳｉ
、ｎは１であり、Ｙはトリーｎ−へキシルシロキシル基
である）であることを確認した。

（Ｉ）融点　２９８〜３００’Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　　６０．９４　５．９７　６．７７　
１９．３０分析値（％）　　　６０，７７　５，７１　
６．６５　１９．０２（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭ
Ｒスペクトルを第１５図に示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．０６（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．００（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．８３（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５３（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５，２．４４七）７
．９９（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５七）０．６３（Ｉ２
Ｈ，５ｅｘｔｅｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）０．４５（Ｉ８
Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２）１１ｚ）０．２２（Ｉ２Ｈ，ｑ
ｕｉｎｔｅｔ、Ｊ　＝　７．３２１（ｚ）０．０５（Ｉ
２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ　＝７．３２Ｔ（ｚ）−１、
０２（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）２．１
０（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子スペクトル
（ＣＨＣｌ、溶液）を第１６図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１７図に示す。

合成例９ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモ
ナフタロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただしＭはＳｉ
、ｎは１であり、Ｙはトリエチルシロキシル基である）
の合成〕 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
２．８２ｇ　（２，６ｍｍｏＱ）のキノリン１００　ｍ
　Ｑ　懸濁液にトリエチルシラノール１０ｍＭ　（６５
ｍｍｏＱ）を加え、約３時間還流した。

冷却後、反応混合物をエタノール／水（Ｉ／１）５００
ｍＱ中へ注ぎ、よくかきまぜた後−晩装置した。析出し
た沈殿をろ過しメタノール、次いでクロロホルムで充分
に洗浄した。得られた結晶をソックスレー抽出法でクロ
ロホルムを用いて洗浄したところ濃緑色結晶が２．１ｇ
得られた。この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス
（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタ
ロシアニン（一般式（ＶＩＩ）：ただしＭはＳｉ、ｎは
１であり、Ｙはトリエチルシロキシル基である）である
ことを確認した。

（Ｉ）融点　３００’Ｃ以上 （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　　Ｂｒ 計算値（％）　　　５４．６４　３．８２　８．５０２
４．２３分析値（％）　　　５４．１８　３．６２　８
．８１　２３．９４（３）ＮＭＲスペクトル値：ＣＤＣ
Ｑ。

δ値　１０．０７（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．００（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．８３（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．５４（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５，３．０５七）８
．０１（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）−１，０４（Ｉ８
Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）−２，０５（Ｉ２Ｈ，ｑ、
Ｊ＝７．３２Ｈｚ）（４）電子スペクトル（ＣＨＣｌ、
溶液）を第１８図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１９図に示す。

実施例１ 〔ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合
物（Ｉ００）］の合成〕ビス（トリーｎ−プロピルシロ
キシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン１４０
ｍｇ（０，１ｍｍｏＱ）のキノリン１０ｍＱ及びピリジ
ン３．２ｍＱ溶液に、オーガニック・シンセシス（Ｏｒ
ｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）　、第４２巻２２頁記
載の方法を参考にして合成したｎ−ドデシルチオ化第１
Ｍ２．３３ｇ（８，８ｍｍｏｎ）を加え、１６０〜１７
０℃で８時間還流した。放冷後、内容物をメタノール２
０ＯｒｎＱ中に注ぎ、よくかきまぜた後、室温下−晩装
置した。析出した沈殿を吸引ろ過しメタノールで充分に
洗浄した後、ベンゼンを用いて溶けるものだけ溶かし出
した。ベンゼン溶液を濃縮し、アルミナカラムクロマト
グラフィー法を用いて分離し、クロロホルム／エタノー
ルから再結晶することにより、黄緑色結晶が１３８■（
７３％）得られた。

この黄緑色結晶は、下記の分析結果より、ビス（トリー
ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデ
シルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（Ｉ００）］
であることを確認した。

（Ｉ）融点　１４５−１４９℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７２．４８　８，６４　５．９３分
析値（％）　　　７２．６１　８．６５　５．８７（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第２０図に
示す）：ｃＤｃｕ。

δ値　　９．９４（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．８９（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．４５（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５）１ｚ）８．３７（
４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．７２（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５士）３．２３（８Ｈ
，ｔ、Ｊ”７．３３１（ｚ）１．８６（８Ｈ，ｑｕｉｎ
ｔｅｔ、Ｊ＝７．３３）Ｔｚ）１．５６（８Ｈ，ｍ） １．２２（６４Ｈ，ｍ） ０．８１　（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）−１，３３
（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３七）−０，９２（Ｉ２Ｈ，
５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，１３（Ｉ２Ｈ，ｔ
　−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子スペクトル（ｃＨｃｕ３
溶液）を第２１図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２２図に示す。

実施例２ 〔ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ＩＩ−テトラデシルチオ）ナフタロシアニン［例示
化合物（Ｉ０１）］の合成〕ビス（トリーｎ−プロピル
シロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン１
４０■（０，１ｍｍｏｎ）のキノリン１０ｍＡ及びピリ
ジン３．２ｍ　ａ　溶液に、オーガニック・シンセシス
（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）　、第４２巻２
２頁記載の方法を参考にして合成したｎ−テトラデシル
チオ化第１　銅２．５３ｇ　（８、８ｍｍｏｎ）を加え
、１６０〜１７０℃で８時間還流した。放冷後、内容物
を実施例１と同様に処理したところ、黄緑色結晶が１２
６■（６３％）得られた。この黄緑色結晶は、下記の分
析結果よりビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（ＩＩ−テトラデシルチオ）ナフタロシアニ
ン［例示化合物（Ｉ０１）］であることを確認した。

（Ｉ）＠点　１４１〜１４３℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７３，２１　８．９７　５．６０分
析値（％）　　　７３．３６　８．９９　５．５８（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第２３図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．０１（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９６（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５３（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）８．４５（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８０（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）３．３０（８Ｈ
，ｔ、Ｊ＝７．１７七）１．９４（８Ｈ，ｑｕｉｎｔｅ
ｔ、Ｊ＝７．１７１（ｚ）１．６４（８Ｈ，ｍ） １．２７　（８０Ｈ，ｍ） ０．８７（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−０，２６（Ｉ
８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．１７Ｈｚ）−０，８５（Ｉ２Ｈ，５
ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，０６（Ｉ２Ｈ，ｔ−
１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子スペクトル（ｃＨＣｌ、溶液
）を第２４図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２５図に示す。

実施例３ 〔ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ＩＩ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニンし例示
化合物（Ｉ０５）］の合成〕ビス（トリーｎ−プロピル
シロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン１
４０■（０，１ｍｍｏＱ）のキノリン１０ｍ１２及びピ
リジン３．２ｍＱ溶液にオーガニック・シンセシス（Ｏ
ｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）　ｒ第４２巻２２頁
記載の方法を参考にして合成したｎ−ヘキサデシルチオ
化第１８２．８２ｇ（８，８ｍｍｏｎ）を加え、１６０
〜１７０°Ｃで８時間還流した。放冷後、内容物を実施
例１と同様に処理したところ、黄緑色結晶が１４４ｍｇ
（６８％）得られた。この黄緑色結晶は、下記の分析結
果よりビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−
テトラ（ＩＩ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニン［
例示化合物（Ｉ０５）］であることを確認した。

（Ｉ）融点　１３０．５〜１３２．５℃（２）元素分析
値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７３．８７　９．２５　５．３０分
析値（％）　　　７３．９１　９．３３　５．３５（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第２６図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．０２（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９７（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５２（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）８．４５（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８０（４ＥＬｄ、Ｊ＝８−８５Ｈｚ）３．３０（８
Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３七）１．９４（８Ｈ，ｑｕｉｎｔ
ａｔ、Ｊ　＝＝７．３３Ｈｚ）１．６４（８Ｈ，ｍ） １．２６　（９６Ｈ，ｍ） ０．８７（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋａ　ｍ）−０，２５（Ｉ
８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３Ｈｚ）−０、８４（Ｉ２Ｈ，５
ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　　ｍ　）−２，０５（Ｉ２Ｈ，
ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子スペクトルＣＣＨＣＱ
３溶液）を第２７図に示す。

（５）ｒＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２８図に示す。

実施例４ 〔ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（９９）］の合成〕 ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン１４０■（０，１ｍｍｏｆｌ）
のキノリン１０ｍＱ及びピリジン３．２ｍＱ溶液にオー
ガニック・シンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓ
ａｓ）　ｒ第４２巻２２頁記載の方法を参考にして合成
したｎ−デシルチオ化第１Ｍ２．０８ｇ（８，８ｍｍｏ
ｎ）を加え１６０〜１７０℃で８時間還流した。放冷後
、内容物を実施例１と同様に処理したところ、黄緑色結
晶が１２１■（６８％）得られた。この黄緑色結晶は下
記の分析結果よりビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）
シリコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニ
ン［例示化合物（９９）］であることを確認した。

（Ｉ）融点　１６６〜１６９℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７１，６５　８，２８　６．３１分
析値（％）　　　７１．８１　８．３１　６．２８（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第２９図に
示す）：ＣＤＣｕ。

δ値　１０．０２（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９７（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５２（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．５５七）８．４５（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８０（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．５５１社）３．３０（８
Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２）（ｚ）１．９４（８Ｈ，ｑｕｉ
ｎｔｅｔ、Ｊ　＝７．３２Ｈｚ）１．６４（８Ｈ，ｍ） １．３２（４８Ｈ，ｍ） ０．９０（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−０，２６（Ｉ
８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２Ｉ（ｚ）−０，８５（Ｉ２Ｈ，
５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，０５（Ｉ２Ｈ，ｔ
　　ｌｉｋｅｍ）（４）＠子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶
液）を第３０図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３１図に示す。

実施例５ 〔ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化合物
（Ｉ０３）コの合成〕 ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニン１４２■（０，１ｍｍｏ　Ｑ　）
のキノリン１０ｒ＋ｌｌ及びピリジン３．２ｍα溶液に
オーガニック・シンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈ
ｅｓｅｓ）　、第４２巻２２頁記載の方法を参考にして
合成したｎ−ドデシルチオ化第１銅２．３３ｇ（８，８
ｍｍｏ１２）を加え１６０〜１．７０°Ｃで８時間還流
した。放冷後、内容物を実施例１と同様に処理したとこ
ろ黄緑色結晶が１１４■（５８％）得られた。この黄緑
色結晶は下記の分析結果よりビス（トリーｎ−ブチルシ
ロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフ
タロシアニン［例示化合物（Ｉ０３）］であることを確
認した。

（Ｉ）融点　１０３〜１０６°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７３，０４　８．８９　５．６８分
析値（％）　　　７３．２１　８．８２　５．７１（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第３２図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．００（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９５（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５３（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）８．４５（４Ｈ
，ｔｙｒ−ｓ） ７．８０（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５１（ｚ）３．３１　
（８Ｈ，ｔ　、Ｊ　＝　７．３３１ヒ）１．９３（８Ｈ
，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ　＝＝　７．３３Ｈｚ）１．６４
　（８Ｈ，ｍ） １．３０（６４Ｈ，ｍ） ０．８８（Ｉ２Ｈ，ｔ　−Ｌｉｋｅ　　ｍ）０．０２　
（３０Ｈ，ｍ） −０，９６（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　　ｍ）
−２，０６（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）（４）電
子スペクトル（ＣＨＣＩＩＩ、溶液）を第３３図に示す
。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３４図に示す。

試験例１ ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化合物
（Ｉ００）］を種々の溶媒に溶かし、電子スペクトルを
測定した。第２１図、第３５図。

第３６図、第３７図、第３８図にそれぞ九クロロホルム
中、テトラヒドロフラン中、アセトン中。

トルエン中、ヘキサン中の電子スペクトルを示したが、
溶媒の種類の違いによる吸収波形の変化及び溶液の濃度
による吸収波形の変化は、まったく観測されなかった。

試験例２ ガラス板上にビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン
［例示化合物（Ｉ００）１２重量部と１．１．２−トリ
クロロエタン９８重量部から成る液をスピンコード法で
塗布し、約８０’Ｃで約１５分間乾燥し、有機膜を形成
した。この化合物の有機膜の透過スペクトル及び５°正
反射スペクトルを第３９図及び第４０図にそれぞれ示し
た。

半導体レーザー領域（７８０〜８３０ｎｍ）で高い光の
吸収能力及び高い反射′＄（〜３９％）を示すことがわ
かった。

比較例１ 文献〔ラニーナル・オブシェ・キミ（ＺｈｕｒｎａｌＯ
ｂｓｈｃｈｅｊ　Ｋｈｉｍｉｉ）、第４２巻６９６頁、
１．９７２年〕記載の方法により合成したバナジル−テ
トラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンをクロロホルム溶
液中で電子スペクトルを測定した図を第４１図に、ベン
ゼン溶液中で測定したものを第４２図に示したようにこ
の化合物では、溶媒の種類及び濃度が変化すると吸収波
形が変化し、高濃度になるほど８００ｎｍ付近の吸収が
低下し７２０〜７３０ｎｍの吸収が大きくなることが観
測された。

バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニン。

比較例２ ガラス板上に、比較例１で用いたバナジル−テトラ（ｔ
−ブチル）ナフタロシアニンを試験例２と同様にして有
機膜を形成し、この透過スペクトル（第４３図）及び５
°正反射スペクトル（第４４図）を測定した。半導体レ
ーザ領域（７８０〜８３０ｎｍ）であまり高い光の吸収
能力及び反射率（２０％以下）を示さなかった。

試験例３ ガラス板上に例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ２７
）、（９９）、（Ｉ０２）をそれぞれ、１重量部とテト
ラヒドロフラン９９重量部から成る液をスピンコード法
で塗布し、約８０℃で約１５分間乾燥し、有機膜を形成
した。これらの化合物の有機膜の透過スペクトル及び５
°正反射スペクトルを第４５図及び第４６図にそれぞれ
まとめて示した。半導体レーザー領域（７８０〜８３０
ｎｍ）で高い光の吸収能力及び高い反射率（４０％以上
）を示すことがわかった。

試験例４ ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（
９９）］の溶解度は、次のようにして測定した。２ｍΩ
のサンプル管にビス（トリーロープロピルシロキシ）シ
リコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン
１００■及び溶媒０．５ｍ誌　を添加、密栓後４０℃で
１５分間超音波振盪し、次いで室温下−晩装置した後、
ろ過した。ろ紙上の残渣を集め減圧乾燥後、最初に用い
た量から残渣量を差し引いた値から溶解度を求めた。

０．５ ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニンの種々の溶媒に
対する溶解度 実施例６ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ
−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（Ｉ２７
）］の合成］ ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナ
フタロシアニン１３２■（０，１ｍｍｏＱ）のキノリン
１０　ｍ　Ｑ及びピリジン３．２ｍＱ　溶液にオーガニ
ック・シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ　５ｙｎｔｈｅｓｅ
ｓ）　ｒ第４２巻２２頁記載の方法を参考にして合成し
たｎ−デシルチオ化第１銅２．０８ｇ（８，８ｍｍｏＱ
）を加え１６０〜１７０℃で８時間還流した。放冷後、
内容物を実施例と同様に処理したところ黄緑色結晶が１
２６■（７５％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分
析結果よりビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（Ｉ２７）］であることを確認した。

（Ｉ）融点　２７８〜２８０℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　７０．９６　７，９８　６．６２分
析値（％）　　　７０．６８　７．８２　６．７５（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第４７図に
示す）：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．０２（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９７（４ｕ
、ｂｒ−５） ８．５３（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）８．４５（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８１（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５，１．８３Ｈｚ）
３．２９（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３七）１．９３（８Ｈ
，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ　＝７．３３Ｈｚ）１．６４（８
Ｈ，ｍ） １．３３（４８Ｈ，ｍ） ０．９０（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−１，０１（Ｉ
８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９４土）−２，０７（Ｉ２Ｈ，ｑ、
Ｊ＝７．９４七）（４）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶
液）を第４８図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４９図に示す。

実施例７ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ
−ドデシルチオ）ナフタロシアニンし例示化合物（９５
）］の合成〕 ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモナ
フタロシアニン１３２■（０，１ｍｍｏｎ　）のキノリ
ン１０ｍＱ及びピリジン３．２ｍＱ　溶液にオーガニッ
ク・シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ　５ｙｎｔｈｅｓｅｓ
）。

第４２巻２２頁記載の方法を参考にして合成したｎ−ド
デシルチオ化第１銅２．３３　ｇ　（８，８ｍｍｏＱ）
を加え１６０〜１７０℃で８時間還流した。

放冷後、内容物を実施例と同様に処理したところ黄緑色
結晶が９３■（５２％）得られた。この黄緑色結晶は下
記の分析結果よりビス（トリエチルシロキシ）シリコン
−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例
示化合物（９５）］であることを確認した。

（Ｉ）融点　２６１〜２６３℃ （２）元素分析値： ＣＨ 計算値（％）　　　７１．８７　８．３８分析値（％）
　　　７１．９２　８．１３（３）ＮＭＲスペクトル値
（ＮＭＲスペクトルを第５０図に示す）　　：ＣＤＣｌ
１ｌ。

６．０９ ６．２１ δ値　１０．０２（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９７（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５３（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）８．４５（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８１（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５，１．８３七）３
．２９（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３Ｈｚ）１．９３（８Ｈ
，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ＝７．３３１（ｚ）１．６４　（
８Ｈ，ｍ） １．３０（６４Ｈ，ｍ） ０．８８（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−１，０２（Ｉ
８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）−２，０７（Ｉ２Ｈ，ｑ
、Ｊ＝７．９４Ｈｚ）（４）電子スペクトル（ＣＨＣｌ
、溶液）を第５１図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５２図に示す。

実施例８ 〔ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（
Ｉ０２）］の合成〕 ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニン１４２ｍｇ（０，１ｍｍｏ　ｆ）
、　）のキノリン１０ｍＱ及びピリジン３．２ｍＱ溶液
にオーガニック・シンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔ
ｈｅｓｅｓ）　、第４２巻２２頁記載の方法を参考にし
て合成したｎ−デシルチオ化第１銅２．０８　ｇ（８，
８ｍｍｏＲ）を加え１６０〜１７０′Ｃで８時間還流し
た。放冷後、内容物を実施例と同様に処理したところ黄
緑色結晶が１１２■（６３％）得られた。この黄緑色結
晶は下記の分析結果よりビス（トリーｎ−ブチルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシ
アニン［例示化合物（Ｉ０２）］であることを確認した
。

（Ｉ）融点　１２２〜１２３℃ （２）元素分析値： 計算値（％） 分析値（％） （３）ＮＭＲスペク ５３図に示す） ＣＨ ７２，２８８，５６ ７２，０７８，３２ トル値（ＮＭＲスペク ：ＣＤＣＱ３ ６．０２ ６．２８ トルを第 δ値　１０．００（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９５（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５３（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）８．４５（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８０（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．５５，１．５３Ｔ（ｚ
）３．３１（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３１（ｚ）１．９３
（８Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ＝７．３３＆）１．６４（
８Ｈ，ｍ） １．３３（４８Ｈ，ｍ） ０　、９０　（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）０．０２
（３０Ｈ，ｍ） −０、９６（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−
２，０６（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子ス
ペクトル（ＣＨＣＱ３溶液）を第５４図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５５図に示す。

実施例９ 〔ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合
物（Ｉ６７）コの合成〕ビス（トリーｎ−へキシルシロ
キシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニン１６６
ｍｇ（０，１ｍｍｏΩ）のキノリン１０ｍＱ及びピリジ
ン３．２ｍＱ溶液にオーガニック・シンセシス（Ｏｒｇ
ａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）　、第４２巻２２頁記載
の方法を参考にして合成したｎ−ドデシルチオ化第１銅
２．３３ｇ（８，８ｍｍｏＱ）を加え１６０〜１７０℃
で８時間還流した。放冷後、内容物を実施例と同様に処
理したところ緑色の油状物が８９ｍｇ（４２％）得られ
た。この緑色油状物は、下記の分析結果よりビス（トリ
ーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ド
デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（Ｉ６７）
］であることを確認した。

（Ｉ）元素分析値： 計算値（％） 分析値（％） （２）ＮＭＲスペク ５６図に示す） ＣＨＮ ７４．０３　　９．３２　　５．２３ ７３．９１　　９．１８　　５．４６ トル値（ＮＭＲスペクトルを第 ：ＣＤＣＱ。

δ値　１０．００（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９５（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５２（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）８．４６（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８１（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．５５，１．５２）（ｚ
）３．２９（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２七）１．９２（８
Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）１　、６３　
（８Ｈ，ｍ） １．３０（６４Ｈ，ｍ） ０．８８（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　ｍ）０．６３（Ｉ
２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ、Ｊ　＝７．３２１（ｚ）０．４４
（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２１社）０．２３（Ｉ２Ｈ，
ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ　＝７．３２Ｈｚ）０．０７（Ｉ２
Ｈ，ｑｕｊ、ｎｔｅｔ、Ｊ　＝７．３２Ｈｚ）−０、９
９（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，０
７（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）（３）電子スペクトル
（ＣＨＣＡ、溶液）を第５７図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５８図に示す。

実施例１０ （ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラキス（２−（２’　−エチルへキシルオキシカルボニ
ル）エチルチオフナフタロシアニン［例示化合物（Ｉ４
３）コの合成） ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコンーテトラ
ゴロモナフタロシアニン１４０■（０，１ｍｍｏｆｆ）
のキノリン１０ｍｕ及びピリジン３．２ｍＱ溶液にオー
ガニック・シンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓ
ｅｓ）　、第４２巻２２頁記載の方法を参考にして合成
した２−（２’　−エチルへキシルオキシカルボニル）
エチルチオ化第１銅２．４７ｇ（８，８ｍｍｏｎ）を加
え１６０〜１７０℃で８時間還流した。放冷後、内容物
を実施例と同様に処理したところ黄緑色結晶が４６ｍｇ
（２４％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分析結果
よりビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テ
トラキス（２−（２’　−エチルへキシルオキシカルボ
ニル）エチルチオフナフタロシアニン［例示化合物（Ｉ
４３）］であることを確認した。

（Ｉ）融点　１２５〜１２７°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　６７．６５　７，５４　５．７４分
析値（％）　　　６７．８９　７．４２　５．６５（３
）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第５９図に
示す）：ＣＤＣｌ２゜ δ値　１０．０４（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．００（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５７（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）８．５３（４Ｈ
，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８４（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５七）４．１４（８Ｈ
，ｄ、Ｊ＝５．８０七）３．５６（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．
３３七）２．９３（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３七）０．７
〜１．８（３６Ｈ，ｍ） ０．９４（２４Ｈ，ｍ） −０，２７（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３Ｈｚ）−０，８
７（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　ｍ）−２，０８
（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子スペクトル（
ＣＨ（Ｉ１，溶液）を第６０図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第６１図に示す。

実施例１１ （ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラキス（２−（２’　、２’　、４’　、４’−テトラ
メチルペンチルオキシカルボニル）エチルチオフナフタ
ロシアニン［例示化合物（Ｉ４６）］の合成） ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニン１４０■（０，１ｍｍｏｉ）の
キノリン１０ｍＱ及びピリジン３．２ｍｌ溶液にオーガ
ニック・シンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅ
ｓ）、第４２巻２２頁記載の方法を参考にして合成した
２−（２’　、２’　、４’　、４’−テトラメチルペ
ンチルオキシカルボニル）エチルチオ化第１銅２．５９
　ｇ（８，８ｍｍｏＱ）を加え１６０〜１７０℃で８時
間還流した。放冷後、内容物を実施例と同様に処理した
ところ黄緑色結晶が５２■（２６％）得られた。この黄
緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（トリーｎ−プロ
ピルシロキシ）シリコン−テトラキス［２−（２’　、
２’４’　、４’　−テトラメチルペンチルオキシカル
ボニル）エチルチオフナフタロシアニン［例示化合物（
Ｉ４６）コであることを確認した。

（Ｉ）融点　１３１〜１３３℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　　６８．１５　７．７３　５．５８分
析値（％）　　６８．１３　７，６５　５．３７（３）
ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第６２図に示
す）　　二ＣＤＣＱ。

δ値　１０．０５（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．０１（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５７（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．５５）肚）８．５４（４
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８４（４Ｈ，ｄ、、Ｊ＝８．５５Ｔ（ｚ）４．２４
（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝６．５６１（ｚ）３．５７（８Ｈ，ｔ
、Ｊ＝７．３３土）２．９３（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３
七）１．０１（８Ｈ，ｄ、Ｊ＝５．５）Ｉｚ）０．９４
（６０Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） −０，２６（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３３１肚）−０，８
５（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｉｋｅ　　ｍ）−２，０
６（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）（４）電子スペク
トル（ＣＨＣｌ、溶液）を第６３図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第６４図に示す。

実施例１２ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｎｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に、例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ）１重量部とクロロホルム９９重量部からなる液を
スピンコード法で塗布し、約８０℃で約１５分間乾燥し
、記録層を形成した。

この記録層の厚さは、タリステップによる測定で、約１
０００人であった。このようにした作った光学記録媒体
を記録層を上にしてターンテーブルに乗せ、９００ｒｐ
ｍの速度で回転させなから８３０ｎｍの発振波長と基板
面での出力が６ｍＷを有する半導体レーザーを装備した
光学ヘッドを用いて光学記録媒体の下側つまり基板側か
らレーザービームがポリメチルメタクリレート樹脂板を
通して記録層に集光するように制御しながら、中心から
半径４０〜６０＋ｏ＋ｎの間で２ＭＨｚのパルス信号の
記録を行った。次に同じ装置を用いて半導体レーザーの
基板面での出力を０．７ｍＷにして同じようにしながら
、記録した信号の再生を行った。この時のＣ／Ｎ比は、
５６ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行
えた。

実施例１３ 厚さ１．２ｍｉ＋、直径１３０ｍｍのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ５）のクロロホルム溶液を実施例１と同様にスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは、約１５００人であった。このようにして作った光
記録媒体を実施例１と同様にして記録・再生を行ったと
ころ、Ｃ／Ｎ比は、５８ｄＢで極めて良好な信号の書き
込みと読み出しが行えた。

実施例１４ 厚さ１．２ｎｗｎ、直径１３０ｒｒｎのポリメチルメタ
クリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導
体（３０）を実施例１と同様にクロロホルム溶液として
スピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録
層の厚みは、約１２００人であった。このようにして作
った光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再
生を行ったところＣ／Ｎ比は５９ｄＢで極めて良好な信
号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例１５ 厚さ１．２ｎｗｎ、直径１３０ｎｍのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（４０）を実施例１と同様にクロロホルム溶液としてス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層
の厚みは約１３００人であった。このようにして作った
光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を
行ったところＣ／Ｎ比は６０ｄＢで極めて良好な信号の
書き込みと読み出しが行えた。

実施例１６ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
５３）を実施例１と同様にクロロホルム溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約１１００人であった。このようにして作った
光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を
行ったところＣ／Ｎ比は５７ｄＢで極めて良好な信号の
書き込みと読み出しが行えた。

実施例１７ 厚さ１．２ｎ＊ｎ、直径１３０ｎｎのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（７９）を実施例１と同様にクロロホルム溶液としてス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層
の厚みは、約１５００人であった。このようにして作っ
た光学記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再
生を行ったところＣ／Ｎ比は、５９ｄＢで極めて良好な
信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例１８ 厚さ１．２ａｎ、直径１３０ｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上に、例示したナフタロシアニン誘導体（
８７）を実施例１と同様クロロホルム溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは、約１２００人であった。このようにして作った光
学記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を
行ったところＣ７Ｎ比は５５ｄＢで極めて良好な信号の
書き込みと読み出しが行えた。

実施例１９ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
９４）を実施例１と同様にクロロホルム溶液としてスピ
ンコード法で塗布し記録層を形成した。この記録層の厚
みは約１３００人であった。このようにして作った光学
記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行
ったところＣ／Ｎ比は５８ｄＢで極めて良好な信号の書
き込みと読み出しが行えた。

実施例２０ 厚さ１．２ｎｎ、直径１３０ｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（９
５）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピンコー
ド法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚みは
約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２１ 厚さ１．２ｉｎ、直径１３０ｎｗｎのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（９６）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは、約７００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２２ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍ＋のポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
９７）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピンコ
ード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚み
は約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５２ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２３ 厚さ１．２ｎｎ、直径１３０ａｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
９８）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピンコ
ード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚み
は、約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２４ 厚さ１．２ｆｆＩ１１．直径１３０ｍｍのポリメチルメ
タクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘
導体（９９）を実施例１と同様にキシレン溶液としてス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層
の厚みは約７００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５４ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２５ 厚さ１．２ｎｗｎ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ００）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約７００人であった。このようにして作った光
記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行
ったところＣ／Ｎ比は５０ｄＢ″？？極めて良好な信号
の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２６ 厚さ１．２ｍ＋直径１３０ｒｒｎのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ０１）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記８層を形成した。この記＠層の厚
みは約６ｏＯ人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２７ 厚さ１．２ｎｍ、直径１３０ｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ
０２）を実施例１と同様にテトラヒドロフラン溶液とし
てスピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記
録層の厚みは、約７００人であった。このようにして作
った光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再
生を行ったところＣ／Ｎ比は５２ｄＢで極めて良好な信
号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２８ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ０３）を実施例１と同様にテトラヒドロフラン溶液と
してスピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この
記録層の厚みは約６００人であった。このようにして作
った光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再
生を行ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢで極めて良好な信
号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例２９ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｎｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ０５）を実施例１と同様に１，１゜２−トリクロロエ
タン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形成
した。この記録層の厚みは、約１１００人であった。こ
のようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にして
信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３０ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ１３）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは約７００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５０ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３１ 厚さ１．２ｎｓ＋＋、直径１３０冊のポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ１４）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚さは、約６００人であった。このようにして作った光
記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行
ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢで極めて良好な信号の書
き込みと読み出しが行えた。

実施例３２ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ２０）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３３ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０１ｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ２７）を実施例１と同様に１，１゜２−トリクロロエ
タン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形成
した。この記録層の厚みは、約１１００人であった。こ
のようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にして
信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５４ｄＢで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３４ 厚さ１．２ｉｎ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ３０）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは約７００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５２ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３５ 厚さ１．２ｎｎ、直径１３０ｎｎ＋のポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ３１）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約６００人であった、このようにして作った光
記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行
ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢで極めて良好な信号の書
き込みと読み出しが行えた。

実施例３６ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍ＋のポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ３２）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３７ 厚さ１．２ｎｎ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ３３）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは、約７００人であった。このようにして作った光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行っ
たところＣ／Ｎ比は５２ｄＢで極めて良好な信号の書き
込みと読み出しが行えた。

実施例３８ 厚さ１．２ｎｍ、直径１３０ｍ＋＋のポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ３４）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは約７００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５２ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例３９ 厚さ１．２ｎａ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ３６）を実施例１と同様にテトラヒドロフラン溶液と
してスピンコード法で塗布し。

記録層を形成した。この記録層の厚みは、約８００人で
あった。このようにして作った光記録媒体を実施例１と
同様にして信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は
５３ｄＢで極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行
えた。

実施例４０ 厚さ１．２ｉｎ、直径１３０ｍのポリメチルメタクリレ
ート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ
３９）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピンコ
ード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚み
は約７００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４１ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ４０）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記ａＮを形成した。この記録層の厚
みは、約６００人であった。このようにして作った光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行っ
たところＣ／Ｎ比は５２ｄＢで極めて良好な信号の書き
込みと読み出しが行えた。

実施例４２ 厚さ１．２＋ｎｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ４１）を実施例１と同様にテトラヒドロフラン溶液
としてスピンコード法で塗布し、記録層を形成した。こ
の記録層の厚みは約７００人であった。このようにして
作った光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・
再生を行ったところＣ／Ｎ比は５４ｄＢで極めて良好な
信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４３ 厚さ１．２ｎｗｎ、直径１３０ｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ４２）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは、約６００人であった。このようにして作った光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行っ
たところＣ／Ｎ比は５２ｃｌＢで極めて良好な信号の書
き込みと読み出しが行えた。

実施例４４ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｎｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ４５）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは約８００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ７Ｎ比は５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４５ 厚さ１．２ｍｍｙ直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ４８）を実施例１と同様にテトラヒドロフラン溶液と
してスピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この
記録層の厚みは、約６００人であった。このようにして
作った光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・
再生を行ったところＣ７Ｎ比は５０ｄＢで極めて良好な
信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４６ 厚さ１．２ｏｎ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ４９）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５２ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４７ 厚さ１．２ａ＋＋、直径１３０ｍｍのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ５１）を実施例１と同様に１，１゜２−トリクロロ
エタン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形
成した。この記録層の厚みは、約１０００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４８ 厚さ１．２ｎｎ＋、直径１３０＋ｌｌＩのポリメチルメ
タクリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘
導体（Ｉ５４）を実施例１と同様にブタノール溶液とし
てスピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記
録層の厚みは約８００人であった。このようにして作っ
た光記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生
を行ったところＣ／Ｎ比は５２ｄＢで極めて良好な信号
の書き込みと読み出しが行えた。

実施例４９ 厚さ１．２＋ｍ＋、直径１３０ｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ５６）を実施例１と同様にブタノール溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約７００人であった。このようにして作った光
記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行
ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢで極めて良好な信号の書
き込みと読み出しが行えた。

実施例５０ 厚さ１．２ｎｖｎ、直径１３０ｎｍのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ５８）を実施例１と同様にキシレン溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは約７００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５１ 厚さ１．２ｎｎ、直径１３０ｎｎ＋のポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ６０）を実施例１と同様に１，１゜２−トリクロロ
エタン溶液としてスピンコード法で塗布し、記録層を形
成した。この記録層の厚みは、約８００人であった。こ
のようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にして
信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５０ｄＢで
極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５２ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｒｒｎのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ６２）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５１ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５３ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体（
Ｉ６４）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピン
コード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の厚
みは、約７００人であった。このようにして作った光記
録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行っ
たところＣ／Ｎ比は５２ｄＢで極めて良好な信号の書き
込みと読み出しが行えた。

実施例５４ 厚さ１．２ｍｍ、直径１３０＋ｏ＋ｎのポリメチルメタ
クリレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導
体（Ｉ６５）を実施例１と同様にキシレン溶液としてス
ピンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層
の厚みは約６００人であった。

このようにして作った光記録媒体を実施例１と同様にし
て信号の記録・再生を行ったところＣ／Ｎ比は５０ｄＢ
で極めて良好な信号の書き込みと読み出しが行えた。

実施例５５ 厚さ１．２ｎｎ＋、直径１３０ｍｍのポリメチルメタク
リレート２Ｐ基板上に例示したナフタロシアニン誘導体
（Ｉ６６）を実施例１と同様にトルエン溶液としてスピ
ンコード法で塗布し、記録層を形成した。この記録層の
厚みは、約７００人であった。このようにして作った光
記録媒体を実施例１と同様にして信号の記録・再生を行
ったところＣ／Ｎ比は５３ｄＢで極めて良好な信号の書
き込みと読み出しが行えた。

比較例３ 厚さ１．２ｎｎ、直径１３０ｍｎのポリメチルメタクリ
レート２Ｐ基板上に、ｏ　Ｖ　ＮＣ（ｔ　　Ｃ４Ｈ９）
４を実施例１と同様にクロロホルム溶液としてスピンコ
ード法で塗布し、！′ｉｌＢＭを形成した。この記録層
の厚さは約１０００人であった。この記録材を実施例１
と同様にして、記録・再生を行ったところ、Ｃ／Ｎ比は
４９ｄＢであまり良好な信号の書き込みと読み出しが行
えなかった。

ｏ　Ｖ　ＮＣ（ｔ　　Ｃ４Ｈ９）４ 実施例５６ 先に例示したナフタロシアニン誘導体（９５）をキシレ
ンに溶解し、１％の溶液を調製し、回転塗布法にて、厚
さ１．２ｍｍのガラス基板上に７００人の記録膜層を形
成した。このようにして形成された記録媒体に波長８３
０ｎｍの半導体レーザーをガラス基板側から照射し、記
録特性を評価したところ、ビーム径１．６μｍ、！！速
６．５ｍ／秒。

６．４ｍＷで記録が可能であった。一方、再生劣化に対
する安定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光を
くり返し照射したが、１０６回くり返しても反射率変化
が生じなかった。

比較例４ シアニン系色素ＮＫ−２９０５（日本感光色素研究所製
）をジクロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラ
ス基板上、厚さ５００人の記録膜層を得た。この記録媒
体に実施例と同様にしてレーザー光を照射したところ、
４．８ｍＷで記録が可能であった。しかし、再生劣化に
対する安定性を評価したところ、くり返し照射回数４　
Ｘ　１０’回付近から、反射率が低下しはじめ、１０６
回照射後では、初期反射率の７０％まで低下した。

実施例５７ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ３１）をキシレン
に溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ７０
０人の記録膜層を得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍ
の半導体レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性
を評価したところ、ビーム径１，６μｍ、線速度６．５
ｍ／秒、６．９ｍＷで記録が可能であった。一方、再生
劣化に対する安定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み
出し光をくり返し照射したが、１０’　回くり返しても
反射率が生じなかった。

実施例５８ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ３３）をキシレン
に溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ９０
０人の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様に
してレーザー光を照射したところ、６　、６　ｍ　Ｗで
記録が可能であった。また、再生劣化に対する安定性を
同様に評価したところ、１０６回くり返し照射しても反
射率変化が生じなかった。

実施例５９ ガラス基板に９例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ３
３）及びポリスチレンを１＝１の割合でトルエンに溶解
し、回転塗布法により厚さ１５００人の記録膜層を得た
。この記録媒体に実施例と同様にしてレーザー光を照射
したところ、９６６ｍＷで記録が可能であった。また、
再生劣化に対する安定性も同様に評価したところ、１０
’＋回くり返し照射しても反射率変化が生じなかった。

実施例６０ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ３８）をトルエン
に溶解し、回転塗布法にて、厚さ１．２ｍのガラス基板
上に７００人の記録膜層を形成した。この記録媒体に波
長８３０ｎｍの半導体レーザーをガラス基板側から照射
し、記録特性を評価したところ、ビーム径１．６μｍ、
線速度７．５ｍ／秒、４．６ｍＷで記録が可能であった
。一方、再生劣化に対する安定性を評価するべく、０．
５ｍＷの読み出し光をくり返し照射したが、１０’回く
り返しても反射率変化が生じなかった。

比較例５ シアニン色素ＮＫ−２８７３（日本感光色素研究所製）
をジクロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス
基板上、厚さ５００人の記録膜層を得た。この記録媒体
に実施例と同様にしてレーザー光を照射したところ、５
．２ｍＷで記録が可能であった。しかし、再生劣化に対
する安定性を評価したところ、くり返し照射回数が５　
Ｘ　１０４回付近から、反射率が低下しはじめ、１０Ｇ
回照射後では、初期反射率の７０％まで低下した。

実施例６１ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ４１）をジクロロ
エタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上５０
０人の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様に
してレーザー光を照射したところ、４．４ｍＷで記録が
可能であった。また、再生劣化に対する安定性を評価し
たところ、１０″回くり返し照射しても反射率変化が生
じなかった。

実施例６２ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ４４）をトルエン
に溶解し１回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ５０
０人の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様に
してレーザー光を照射したところ、４．９ｍＷで記録が
可能であった。また、再生劣化に対する安定性を評価し
たところ、１０’回くり返し照射しても反射率変化が生
じなかった。

実施例６３ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ４７）をトルエン
に溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ４０
０人の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例と同様に
してレーザー光を照射したところ、４．２ｍＷで記録が
可能であった。また、再生劣化に対する安定性を同時に
評価したところ、１０’　回くり返し照射しても反射率
変化が生じなかった。

実施例６４ １０ｎｍのＴｉキレート表面保護層を有する厚さ１．２
ｍのポリカーボネート基板に、例示したナフタロシアニ
ン誘導体（Ｉ５０）のトルエン溶液をスピンナー塗布し
、厚さ６００人の記録膜層を得た。実施例と同様にして
、線速度５ｍ／秒で評価したところ、７．４　ｍＷで記
録が可能であった。また、再生劣化に対する安定性を同
時に評価したところ、１０”　回くり返し照射しても反
射率変化が生じなかった。

実施例６５ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ５２）とポリスチ
レンの２：１混合物をメチルエチルケトンに溶解し、ガ
ラス基板上、厚さ６００人の記録膜層を得た。実施例と
同様にして評価したところ、記録感度４．８ｍＷ、再生
劣化１ｏＧ回以上という結果を得た。

実施例６６ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ５４）をブタノー
ルに溶解し、０．８重量％の溶液を調製した。次いで回
転塗布法にて、厚さ１．２ｍｍのガラス基板上に４００
人の記ＢＮを得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半
導体レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性を評
価したところ、１／ｅ２ビーム径１．６μｍ、線速度７
．６ｍ／ｓ。

７．８ｍＷで記録が可能であった。一方、再生劣化に対
する安定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み出し光を
くり返し照射したが、１０’　回くり返しても反射率変
化が生じなかった。

実施例６７ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ５６）をブタノー
ルに溶解し、１．０重量％の溶液を調製し、回転塗布法
にて厚さ１．２薗のガラス基板上に６００人の記録層を
得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザー
光を基板側から照射し、記録特性を評価したところ、１
　／　ｅ　　ビーム径１　、６　μｍ　、線速度７．６
ｍ／ｓ、８．６ｍＷで記録が可能であった。一方、再生
劣化に対する安定性を評価するべく、０．５ｍＷの読み
出し光をくり返し照射したが、１０’　回くり返しても
反射率変化が生じなかった。

実施例６８ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ５８）とポリスチ
レンの２：１混合物を１．１．２−トリクロロエタンに
溶解し、厚さ１．２ｍのガラス基板上に、回転塗布法に
て厚さ８００人の記録層を得た。この記録媒体に波長８
３０ｎｍの半導体レーザー光を基板側から照射し、記録
特性を評価したところ、線速度８ｍ／ｓ、６ｍＷで記録
が可能であった。また、０．５ｍＷの読み出し光をくり
返し照射したが、１０’回くり返し照射しても反射率変
化が生じなかった。

〔発明の効果〕

発明によって新規なナフタロシアニン誘導体が提供され
、この化合物は光学記録媒体の記録層材料、光電変換材
料、液晶表示材料等に有用である。

【図面の簡単な説明】 第１図は、３，４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベン
ゼンのＩＲスペクトルである。第２図は、６−ブロモ−
２，３−ジシアノナフタレンのＮＭＲスペクトルである
。第３図は、６−ブロモ−２゜３−ジシアノナフタレン
のＩＲスペクトルである。 第４図は、６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕
イソインドリンのＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）である。 第５図は、ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシ
アニンのＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）である。第６図は
、ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニンの
電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）である、第
７図は、ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロ
シアニンのＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）である。 第８図は、ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタ
ロシアニンの電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液
）である。第９図は、ビス（トリーｎ−プロピルシロキ
シ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンのＮＭＲ
スペクトルである。第１０図は、ビス（トリーｎ−プロ
ピルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニ
ンの電子スペクトルである。第１１図は、ビス（トリー
ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルである。第１２図は、ビス
（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブロモ
ナフタロシアニンのＮＭＲスペクトルである。第１３図
は、ビス（トリーローブチルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニンの電子スペクトルである。第
１４図は。 ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニンのＩＲスペクトルである。第１５
図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−
テトラブロモナフタロシアニンのＮＭＲスペクトルであ
る。第１６図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）
シリコン−テトラブロモナフタロシアニンの電子スペク
トルである。第１７図は、ビス（トリーｎ−へキシルシ
ロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンのＩ
Ｒスペクトルである。第１８図は、ビス（トリエチルシ
ロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンの電
子スペクトルである。第１９図は、ビス（トリエチルシ
ロキシ）シリコン−テトラブロモナフタロシアニンのＩ
Ｒスペクトルである。第２０図は、ビス（トリーｎ−プ
ロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチ
オ）ナフタロシアニンのＮＭＲスペクトルである。 第２１図は、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン
の電子スペクトルである。第２２図は、ビス（トリーｎ
−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシ
ルチオ）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルである。第
２３図は、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（ＩＩ−テトラデシルチオ）ナフタロシアニ
ンのＮＭＲスペクトルである。第２４図は、ビス（トリ
ーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−テ
トラデシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトルで
ある。第２５図は、ビス（トリーロープロピルシロキシ
）シリコン−テトラ（ＩＩ−テトラデシルチオ）ナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルである６第２６図は、ビス
（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（Ｉ
Ｉ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシアニンのＮＭＲスペ
クトルである。 第２７図は、ビス（トリーロープロピルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ＩＩ−ヘキサデシルチオ）ナフタロシア
ニンの電子スペクトルである。第２８図は、ビス（トリ
ーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ヘ
キサデシルチオ）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルで
ある。第２９図は、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ
）シリコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシア
ニンのＮＭＲスペクトルである。第３０図は、ビス（ト
リーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−
デシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトルである
。第３１図は、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シ
リコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン
のＩＲスペクトルである。第３２図は、ビス（トリーｎ
−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシル
チオ）ナフタロシアニンのＮＭＲスペクトルである。第
３３図は、ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン
−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンの電
子スペクトルである。第３４図は、ビス（トリーｎ−ブ
チルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ
）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルである。第３５図
は、テトラヒドロフラン溶液（トリーｎ−プロピルシロ
キシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタ
ロシアニンの電子スペクトルである。第３６図は、アセ
トン中でのビス（トリーロープロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンの
電子スペクトルである。第３７図は、トルエン中でのビ
ス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ（
ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクｌ
−ルである。第３８図は、ヘキサン中でのビス（トリー
ロープロピルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデ
シルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトルである。 第３９図は、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリ
コン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニン
のスピンコード膜の透過スペクトルである。第４０図は
、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのスピンコ
ード膜の５°正反射スペクトルである。第４１図は、バ
ナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのクロ
ロホルム溶液中での電子スペクトルで、（ａ）は２．３
７Ｘ１０−’Ｍ濃度。 （ｂ）＋ｉ１．８９　Ｘ１０−’　Ｍａ度テアル。第４
２図は、バナジル−テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシア
ニンのベンゼン溶液中（９，５Ｘ　１０−’　Ｍａ度）
での電子スペクトルである。第４３図は、バナジル−テ
トラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピンコード膜
の透過スペクトルである。第４４図は、バナジル−テト
ラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピンコード膜の
５６正反射スペクトルである。第４５図は、ビス（トリ
エチルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ
）ナフタロシアニン［例示化合物（Ｉ２７）］　　（・
・）。 ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（
９９）　］　　（−）　、ビス（トリーｎ−ブチルシロ
キシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロ
シアニン［例示化合物（Ｉ０２）］（−）のスピンコー
ド膜の透過スペクトルである。 第４６図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合
物（Ｉ２７）コ　（・・・）、ビス（トリーｎ−プロピ
ルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ　−デシルチオ）
ナフタロシアニン［例示化合物（９９）］（・−）、ビ
ス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（Ｉ
Ｉ−デシルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物（Ｉ０
２）］　　（−）のスピンコード膜の５°正反射スペク
トルである。 第４７図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニンのＮＭＲス
ペクトルである。第４８図は、ビス（トリエチルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ＩＩ　−デシルチオ）ナフタロ
シアニンの電子スペクトルである。第４９図は、ビス（
トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−デシル
チオ）ナフタロシアニンのＩＲベクトルである。第５０
図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（
ＩＩ　−ドデシルチオ）ナフタロシアニンのＮＭＲスペ
クトルである。第５１図は、ビス（トリエチルシロキシ
）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシ
アニンの電子スペクトルである。第５２図は、ビス（ト
リエチルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシル
チオ）ナフタロシアニンのＩＲスペクトルである。第５
３図は、ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−
テトラ（ＩＩ　−デシルチオ）ナフタロシアニンのＮＭ
Ｒスペクトルである。第５４図は、ビス（トリーｎ−ブ
チルシロキシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−デシルチオ）
ナフタロシアニンの電子スペクトルである。第５５図は
、ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
（ＩＩ−デシルチオ）ナフタロシアニンのＩＲスペクト
ルである。第５６図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロ
キシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタ
ロシアニンのＮＭＲスペクトルである。第５７図は、ビ
ス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テトラ（
ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクト
ルである。第５８図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロ
キシ）シリコン−テトラ（ＩＩ−ドデシルチオ）ナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルである。第５９図は、ビス
（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラキス
（２−（２’　−エチルへキシルオキシカルボニル）エ
チルチオフナフタロシアニンのＮＭＲスペクトルである
。第６０図は、ビス（トリーロープロピルシロキシ）シ
リコン−テトラキス（２−（２’　−エチルへキシルオ
キシカルボニル）エチルチオフナフタロシアニンの電子
スペクトルである。第６１図は、ビス（トリーロープロ
ピルシロキシ）シリコン−テトラキス（２−（２’　−
エチルへキシルオキシカルボニル）エチルチオフナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルである。第６２図は、ビス
（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラキス
（２−（２’２’　、４’　、４’　−テトラメチルペ
ンチルオキシカルボニル）エチルチオフナフタロシアニ
ンのＮＭＲスペクトルである。第６３図は、ビス（トリ
ーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラキス〔２−
（２’　　　２’、４’、４’　−テトラメチルペンチ
ルオキシカルボニル）エチルチオフナフタロシアニンの
電子スペクトルである。第６４図は、ビス（トリーｎ−
プロピルシロキシ）シリコン−テトラキスＩ：２−　（
２’　、２’　、４’　、４’　−テトラメチルペンチ
ルオキシカルボニル）エチルチオ〕ニ皮長 （π幀〕 二汝８（屯バク 鎮長包弧） 鴇 目 毛 鷺 囚 傭多 （ＩＩ傾） ５良簑 （り１．りη−ン ２Ｌ−ｆ　＜η夙） 汲＋（九町 凝表汽気） 第 図 ：Ｌ表例員） 某　３０　　図 第 汲＋（７Ｌ肩） 図 ３５″ 成長（立） ア ＝Ｌ＋ （Ｉ町 ジ２よ　（９１ｑ遅〕 第 ｇ 図 雇義（領τり 阪、畏（竹りｔ〕 ■ 図 １妾（省ヴリ Ｚ ｌρ 図 坂畳（？？竺２ ■ 図 ＜ｂ） ５反渠（セリ 茅 図 板長（ηＱｒＬ） 廼 ｚ 図 Ｊ壕伽幌） Ｍ 図 シ１渇 （ｒ雀ｐ 回 ′／Ｌ、＆ （ス仄） 法衣 （気γ） 成長 勿償） 頂 区 第 二、Ｌ　□Ｌ　　（”　フッ７） 区 シＬ長 と７フイ） 液収 （Ｍ　７１）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、ト
   リアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、
   トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロ
   キシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を示
   し、２個のＹは同一でも相違してもよい］で表わされる
   ナフタロシアニン誘導体。 ２、一般式（ I ）において、ＭがＳｉ又はＧｅである
   請求項１記載のナフタロシアニン誘導体。 ３、一般式（ I ）において、ｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て
   １である請求項１又は２記載のナフタロシアニン誘導体
   。 ４、一般式（ I ）において、２個のＹがトリアルキル
   シロキシル基である請求項１、２又は３記載のナフタロ
   シアニン誘導体。 ５、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て炭素数１〜２
   ２個のアルキル基である請求項１、２、３又は４記載の
   ナフタロシアニン誘導体。 ６、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て置換基を有す
   るアルキル基である請求項１、２、３又は４記載のナフ
   タロシアニン誘導体。 ７、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示す］で表わされるナフタロシアニン誘導体を一般式
   （III） （Ｒ＾２）＿３ＳｉＣｌ（III） で表わされるクロロシラン、一般式（IV） （Ｒ＾３）＿３ＳｉＯＨ（IV） ［ただし、式（III）及び（IV）中、Ｒ＾２及びＲ＾３
   は、それぞれ、アルキル基、アリール基、アルコキシル
   基又はアリールオキシル基である］で表わされるシラノ
   ール、一般式（Ｖ） Ｒ＾４ＯＨ（Ｖ） ［ただし、式中Ｒ＾４は、アルキル基又はアリール基で
   ある］で表わされるアルコール又は一般式（VI） Ｒ＾５ＣＯ・Ｘ（VI） ［ただし、式中Ｒ＾５はアルキル基、Ｘはハロゲン原子
   、ヒドロキシル基又はアシロキシル基である］で表わさ
   れる化合物と反応させることを特徴とする一般式（ I
   ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、ト
   リアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、
   トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロ
   キシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を示
   し、２個のＹは同一でも相違してもよい］で表わされる
   ナフタロシアニン誘導体の製造法。 ８、一般式（VII） ▲数式、化学式、表等があります▼（VII） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、Ｙはアリール
   オキシル基、アルコキシル基、トリアルキルシロキシル
   基、トリアリールシロキシル基、トリアルコキシシロキ
   シル基、トリアリールオキシシロキシル基、トリチルオ
   キシル基又はアシロキシル基を示し、２個のＹは同一で
   も相違してもよい］で表わされるナフタロシアニン誘導
   体を、一般式（VIII）ＣｕＳＲ＾１（VIII） ［ただし、式中Ｒ＾１は、アルキル基、置換基を有する
   アルキル基又はアリール基である］で表わされる銅（
   I ）チオレートと反応させることを特徴とする一般式（
   I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し、同一
   でも相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数
   であり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル
   基又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾
   １は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎ
   を示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、ト
   リアルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、
   トリアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロ
   キシル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を示
   し、２個のＹは同一でも相違してもよい］で表わされる
   ナフタロシアニン誘導体の製造法。 ９、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（ I ）に
   おいて、ＭがＳｉ又はＧｅである請求項７又は８記載の
   ナフタロシアニン誘導体の製造法。 １０、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（ I ）
   において、ｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１である請求項７、
   ８又は９記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １１、一般式（III）及び一般式（VI）において、Ｒ＾
   ２及びＲ＾３がアルキル基であり、一般式（VII）及び
   一般式（ I ）において２個のＹがトリアルキルシロキ
   シル基である請求項７、８、９又は１０記載のナフタロ
   シアニン誘導体の製造法。 １２、一般式（II）、一般式（VIII）及び一般式（ I
   ）において、Ｒ＾１が全て炭素数１〜２２個のアルキル
   基である請求項７、８、９、１０又は１１記載のナフタ
   ロシアニン誘導体の製造法。 １３、一般式（II）、一般式（VIII）及び一般式（ I
   ）において、Ｒ＾１が全て置換基を有するアルキル基で
   ある請求項７、８、９、１０又は１１記載のナフタロシ
   アニン誘導体の製造法。 １４、基板表面に、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し同一で
   も相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数で
   あり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル基
   又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾１
   は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを
   示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、トリ
   アルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、ト
   リアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロキ
   シル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を示し
   、２個のＹは同一でも相違してもよい］で表わされるナ
   フタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成さ
   れていることを特徴とする光学記録媒体。 １５、一般式（ I ）においてＭがＳｉ又はＧｅである
   ナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜層が形成
   されている請求項１４記載の光学記録媒体。 １６、一般式（ I ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て
   １であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録膜
   層が形成されている請求項１４又は１５記載の光学記録
   媒体。 １７、一般式（ I ）において２個のＹがトリアルキル
   シロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分と
   する記録膜層が形成されている請求項１４、１５又は１
   ６記載の光学記録媒体。 １８、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て炭素数１〜
   ２２個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主
   成分とする記録膜層が形成されている請求項１４、１５
   、１６又は１７記載の光学記録媒体。 １９、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て置換基を有
   するアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成分
   とする記録膜層が形成されている請求項１４、１５、１
   ６又は１７記載の光学記録媒体。 ２０、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは０〜４の整数を示し同一で
   も相違してもよくかつｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎが１以上の整数で
   あり、Ｒ＾１はアルキル基、置換基を有するアルキル基
   又はアリール基を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個のＲ＾１
   は同一でも相異してもよく、ＭはＳｉ、Ｇｅ又はＳｎを
   示し、Ｙはアリールオキシル基、アルコキシル基、トリ
   アルキルシロキシル基、トリアリールシロキシル基、ト
   リアルコキシシロキシル基、トリアリールオキシシロキ
   シル基、トリチルオキシル基又はアシロキシル基を示し
   、２個のＹは同一でも相違してもよい］で表わされるナ
   フタロシアニン誘導体を主として有機溶媒に溶解した溶
   液を用いて基板表面に記録膜層が形成することを特徴と
   する光学記録媒体の製造方法。 ２１、一般式（ I ）においてＭがＳｉ又はＧｅである
   ナフタロシアニン誘導体を用いた請求項２０記載の光学
   記録媒体の製造方法。 ２２、一般式（ I ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て
   １であるナフタロシアニン誘導体を用いた請求項２０又
   は２１記載の光学記録媒体の製造方法。 ２３、一般式（ I ）において２個のＹがトリアルキル
   シロキシル基であるナフタロシアニン誘導体を用いた請
   求項２０、２１又は２２記載の光学記録媒体の製造方法
   。 ２４、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て炭素数１〜
   ２２個のアルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用
   いた請求項２０、２１、２２又は２３記載の光学記録媒
   体の製造方法。