KR890000505A - 나프탈로시아닌 유도체 및 광학기록 매체에서의 그들의 용도 - Google Patents

나프탈로시아닌 유도체 및 광학기록 매체에서의 그들의 용도 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

나프탈로시아닌 유도체 및 광학기록 매체에서의 그들의 용도
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 3,4-비스(디브로모-메틸)브로모벤젠의 IR 스펙트럼에 관한 도,
제 2 도는 6-브로모-2,3-디시아노나프탈렌의 NMR 스펙트럼에 관한 도,
제 3 도는 6-브로모-2,3-디시아노나프탈렌의 IR 스펙트럼에 관한 도.

Claims (29)

  1. 하기 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체.
    상기식중, k, l, m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있으며, 0 또는 1 내지 4의 정수이고, k+l+m+n은 1 또는 그 이상의 정수이며 ; 4(k+l+m+n) 수의 R1들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 알킬기, 치환된 알킬기 또는 아릴기이고 ; M은 Si, Ge 또는 Sn이며 ; 두(Y)들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 아릴옥실기, 알콕실기, 트리알킬실옥실기,트리아릴실옥실기, 트리알콕시실옥실기, 트리아릴옥시실옥실기, 트리틸옥실기 또는 아실옥실기이다.
  2. 제 1 항에 있어서, 일반식(Ⅰ) 중의 M이 Si 또는 Ge인 나프탈로시아닌 유도체.
  3. 제 1 항에 있어서, 일반식(Ⅰ) 중의 k, l, m 및 n이 모두 1인 나프탈로시아닌 유도체.
  4. 제 1 항에 있어서, 일반식(Ⅰ) 중의 두 Y들이 트리알킬실옥실기인 나프탈로시아닌 유도체.
  5. 제 1 항에 있어서, 일반식(Ⅰ) 중의 모든 R1들이 탄소수 1 내지 22의 알킬그룹인 나프탈로시아닌 유도체.
  6. 제 1 항에 있어서, 일반식(Ⅰ) 중의 모든 R1들이 치환된 알킬그룹인 나프탈로시아닌 유도체.
  7. 하기 일반식(Ⅱ)의 나프탈로시아닌 유도체를 하기 일반식(Ⅲ)의 클로로실란, 하기 일반식(Ⅳ)의 실란을, 하기 일반식(Ⅴ)의 알코올 또는 하기 일반식(Ⅵ)의 화합물과 반응시켜, 하기 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체를 제조하는 방법.
    상기식중, k, l, m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있으며 0 또는 1 내지 4의 정수이고, k+l+m+n은 1 또는 그 이상의 정수이며 ; 4(k+l+m+n) 수의 R1들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 알킬기, 치환된 알킬기 또는 아릴기이고 ; M은 Si, Ge 또는 Sn이며 ; 두 Y들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 아릴옥실기, 알콕실기, 트리알킬실옥실기, 트리아릴실옥실기, 트리알콕시실옥실기, 트리아릴옥시실옥실기, 트리틸옥실기 또는 아실옥실기이고 ; R2및 R3는 각각 알킬기, 아릴기, 알콕실기 또는 아릴옥시이며 ; R4는 알킬기 또는 아릴기이고 ; R5는 알킬기이며 ; X는 할로겐원자, 히드록실기 또는 아실옥실기이다.
  8. 하기 일반식(Ⅶ)의 나프탈로시아닌 유도체를 하기 일반식(Ⅷ)의 구리(Ⅰ) 티올레이트와 반응시켜, 하기 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌을 제조하는 방법.
    상기식중, k, l, m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있으며, 0 또는 1 내지 4의 정수이고, k+l+m+n은 1 또는 그 이상의 정수이며 ; 일반식(Ⅰ)에서의 4(k+l+m+n) 수의 R1들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 알킬기, 치환된 알킬기 또는 아릴기이고 ; M은 Si, Ge 또는 Sn이며 ; 두 Y들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 아릴옥실기, 알콕실기, 트리알킬실옥실기, 트리아릴실옥실기, 트리알콕시실옥실기, 트리아릴옥시실옥실기, 트리틸옥실기 또는 아실옥실기이고, 일반식(Ⅷ)에서의 R1은 알킬기, 치환된 알킬기 또는 아릴기이다.
  9. 제 7 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅶ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 M이 Si 또는 Ge인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  10. 제 7 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅶ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 k, l, m 및 n이 모두 1인 나프탈로시아닌 유도체의 방법.
  11. 제 7 항에 있어서, 일반식(Ⅲ) 및 일반식(Ⅳ) 중의 R2및 R3가 알킬기이고 일반식(Ⅶ) 및 일반식(Ⅰ)중의 두 Y들이 트리알킬실옥실기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  12. 제 7 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅷ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 모든 R1들이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  13. 제 7 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅷ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 모든 R1들이 치환된 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  14. 제 8 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅶ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 M이 Si 또는 Ge인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  15. 제 8 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅶ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 k, l, m 및 n이 모두 1인 나프탈로시아닌 유도체의 방법.
  16. 제 8 항에 있어서, 일반식(Ⅲ) 및 일반식(Ⅳ) 중의 R2및 R3가 알킬기이고, 일반식(Ⅶ) 및 일반식(Ⅰ)중의 두 Y들이 트리알킬실옥실기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  17. 제 8 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅷ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 모든 R1들이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  18. 제 8 항에 있어서, 일반식(Ⅱ), 일반식(Ⅷ) 및 일반식(Ⅰ) 중의 모든 R1들이 치환된 알킬기인 나프탈로시아닌 유도체의 제조방법.
  19. 기재 ; 및 주로 하기 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체로 구성되어 기재 표면상에 형성된 기록층으로 이루어진 광학 기록매체.
    상기식중, k, l, m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있으며, 0 또는 1 내지 4의 정수이고, k+l+m+n은 1 또는 그 이상의 정수이며 ; 4(k+l+m+n) 수의 R1들은 동일 또는 상이할 수 있으며 알킬기, 치환된 알킬기 또는 아릴기이고 ; M은 Si, Ge 또는 Sn이며 ; 두 Y들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 아릴옥실기, 알콕실기, 트리알킬실옥실기, 트리아릴실옥실기, 트리알콕시실옥실기, 트리아릴옥시실옥실기, 트리틸옥실기 또는 아실옥실기이다.
  20. 제19항에 있어서, 기록층이 주로 M이 Si 또는 Ge인 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체로 구성된 광학 기록매체.
  21. 제19항에 있어서, 기록층이 주로 k, l, m 및 n이 모두 1인 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체로 구성된 광학매체.
  22. 제19항에 있어서, 기록층이 주로 두 Y들이 트리알킬실옥실기인 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체로 구성된 광학매체.
  23. 제19항에 있어서, 기록층이 주로 모든 R1들이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체로 구성된 광학매체.
  24. 제19항에 있어서, 기록층이 주로 모든 R1들이 치환된 알킬기인 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체로 구성된 광학매체.
  25. 하기 일반식(Ⅰ)의 나프탈로시아닌 유도체를 주성분으로 유기 용매에 용해시켜 제조한 용액을 사용함으로써 기재의 표면상에 기록층을 형성시켜, 광학 기록 매체를 제조하는 방법.
    상기식중, k, l, m 및 n은 동일 또는 상이할 수 있으며, 0 또는 1 내지 4의 정수이고, k+l+m+n은 1 또는 그 이상의 정수이며 ; 4(k+l+m+n) 수의 R1들은 동일 또는 상이할 수 있으며 알킬기, 치환된 알킬기 또는 아릴기이고 ; M은 Si, Ge 또는 Sn이며 ; 두 Y들은 동일 또는 상이 할 수 있으며 아릴옥실기, 알콕실기, 트리알킬실옥실기, 트리아릴실옥실기, 트리알콕시실옥실기, 트리아릴옥시실옥실기, 트리틸옥실기 또는 아실옥실기이다.
  26. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 M이 Si 또는 Ge인 일반식(Ⅰ)의 화합물인 광학 기록 매체의 제조방법.
  27. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 k, l, m 및 n이 모두 1인 일반식(Ⅰ)의 화합물인 광학 기록 매체의 제조방법.
  28. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 두 Y들이 트리알킬실옥실기인 일반식(Ⅰ)의 화합물인 광학 기록 매체의 제조방법.
  29. 제25항에 있어서, 나프탈로시아닌 유도체가 모든 R1들이 탄소수 1 내지 22의 알킬기인 일반식(Ⅰ)의 화합물인 광학 기록 매체의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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